基板処理装置
【課題】基板ロボットを用いることなく第１チャンバから第２チャンバに基板を搬送させることができ、かつその搬送中の基板に処理流体を用いた処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１チャンバ１内には、ウエハＷの周縁部を支持して、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第１支持部材１０が収容されている。第２チャンバ２内には、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第２支持部材２０が収容されている。第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび／または第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが、ウエハＷを支持しつつＸ方向に移動されることにより、ならびに第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが開閉されることにより、４つの第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄから４つの第２支持部材２０Ａ〜２０ＤにウエハＷが受け渡される。搬送中のウエハＷに対して処理部３による処理が施される。
【解決手段】第１チャンバ１内には、ウエハＷの周縁部を支持して、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第１支持部材１０が収容されている。第２チャンバ２内には、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第２支持部材２０が収容されている。第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび／または第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが、ウエハＷを支持しつつＸ方向に移動されることにより、ならびに第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが開閉されることにより、４つの第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄから４つの第２支持部材２０Ａ〜２０ＤにウエハＷが受け渡される。搬送中のウエハＷに対して処理部３による処理が施される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理流体を用いた処理を施すための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
基板を一枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置は、たとえば、基板を水平姿勢で保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板に対して処理液（薬液またはリンス液）を供給する処理液ノズルとを備えている。このような基板処理装置を用いた基板処理工程は、たとえば、薬液処理工程、リンス工程および乾燥工程を含む。薬液処理工程では、スピンチャックに保持された基板に薬液が供給される。この薬液は、回転する基板上で遠心力を受けて基板表面の全域に広がる。リンス処理工程では、スピンチャックに保持された基板にリンス液が供給される。このリンス液は回転する基板上で遠心力を受けて基板表面の全域に広がる。これにより、基板表面の薬液がリンス液に置換される。乾燥工程では、スピンチャックが高速回転されることにより、回転する基板表面のリンス液が遠心力によって振り切られる。
【０００３】
スピンチャックとして、複数のチャックピンで基板を挟持するメカニカルチャックが知られている。メカニカルチャックは、基板の周端面にチャックピンが点接触する構成である。チャックピンは、基板の回転による遠心力を、基板の周端面とチャックピンとの接触点で受ける構成であるので、その接触点に大きな応力が集中する。そのため、基板の高速回転に耐えることができるような強度を有する素材がチャックピンの材料として用いられている。そのため、チャックピンがコスト高となる難点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−６６１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本願発明者らは、基板を高速回転させることなく、基板に対して処理液（処理流体）を用いた処理を施すことを検討している。そして、基板処理装置が複数のチャンバ（第１チャンバおよび第２チャンバ）を含む構成である場合、第１チャンバから第２チャンバに搬送中の基板に対して処理液を用いた処理を施すことを検討している。第１チャンバから第２チャンバへの基板の搬送は、たとえば搬送ロボットを用いて行われる。搬送ロボットは、アームと、アームの先端に取り付けられたハンドとを備えている。基板は、ハンドに保持された状態で搬送される。
【０００６】
しかしながら、ハンドで基板を保持した状態で処理液供給ノズルから基板に処理液を供給しようとする場合、処理液供給ノズルとハンドとの干渉を避ける必要があるため、基板に処理液供給ノズルを近接して配置することが困難であり、基板面内における処理液の供給および温度にばらつきが生じ、均一に処理ができないおそれがある。そのため、複数のチャンバ間における基板の搬送を、搬送ロボットを用いることなく行うことが望まれている。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、搬送ロボットを用いることなく第１チャンバから第２チャンバに基板を搬送させることができ、かつその搬送中の基板に処理流体を用いた処理を施すことができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部（４，５，６）を支持するための複数の第１支持部材（１０；３１０）を収容し、前記複数の第１支持部材に支持された基板に対して所定の処理を施す第１チャンバ（１；１０１）と、前記第１支持部材を、前記基板の表面に沿う基板移動方向（Ｘ方向）に移動させる第１移動手段（５５，５７）と、前記第１支持部材を、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉する第１開閉手段（５５，５６，５７，５８）と、所定の基板受渡路（７）を介して前記第１チャンバと隣り合わせに配置されて、基板の周縁部を支持するための複数の第２支持部材（２０；３２０）を収容し、前記複数の第２支持部材に支持された基板に対して所定の処理を施す第２チャンバ（２；１０２）と、前記基板移動方向に前記第２支持部材を移動させる第２移動手段（６５，６７）と、前記第２支持部材を、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉する第２開閉手段（６５，６６，６７，６８）と、前記第１支持部材に支持された基板が前記基板受渡路を通って前記第２支持部材に受け渡されるように、前記第１移動手段、前記第２移動手段、前記第１開閉手段および前記第２開閉手段を制御する制御手段（７０；１２０）と、前記基板受渡路を通過中の前記基板に対して処理流体を用いた処理を施す処理部（３；１０３，１０４，１０５；４０３；５０３）とを含む、基板処理装置（１００；２００；３００；４００；５００）である。
【０００９】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。以下、この項において同じ。
この構成によれば、第１支持部材が、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉される。また、この第１支持部材は、基板移動方向に移動される。
【００１０】
また、複数の第２支持部材が、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉される。また、この第２支持部材は、基板移動方向に移動される。
そして、第１支持部材および／または第２支持部材がそれぞれ基板を支持しつつ基板移動方向に移動する動作と、第１支持部材および第２支持部材がそれぞれ当接状態と退避状態との間で開閉する動作との組合わせにより、複数の第１支持部材から複数の第２支持部材に基板が受け渡される。
【００１１】
この基板の受渡しでは、第１チャンバと第２チャンバとの間に設けられた基板受渡路を基板が通過する。そして、基板受渡路を通過中の基板に対し、処理部によって、処理流体を用いた処理が施される。そのため、基板ロボットを別に用いることなく、第１チャンバから第２チャンバに基板を搬送することができる。そして、搬送されている基板に処理流体を用いた処理を施すことができる。
【００１２】
請求項２記載の発明は、前記複数の第１支持部材は、それぞれ複数の第１支持部材からなる第１組（１０Ａ，１０Ｂ）と第２組（１０Ｃ，１０Ｄ）とを含み、前記複数の第２支持部材は、それぞれ複数の第２支持部材からなる第３組（２０Ａ，２０Ｂ）と第４組（２０Ｃ，２０Ｄ）とを含み、前記第１移動手段が、前記第１組の第１支持部材と、前記第２組の第１支持部材とを独立して前記基板移動方向に移動させるものであり、前記第１開閉手段が、前記第１組の第１支持部材と、前記第２組の第１支持部材とを独立して開閉させるものであり、前記制御手段が、前記第１組の第１支持部材と前記第２組の第１支持部材とで基板を支持させつつ前記第１および第２組の第１支持部材を移動させる工程、前記第１組の第１支持部材、前記第２組の第１支持部材および前記第３組の第２支持部材で基板を支持させた後、前記第２組の第１支持部材を移動させて基板から離脱させる工程、前記第１組の第１支持部材と前記第３組の第２支持部材とで基板を支持させつつ前記第１の第１支持部材および第３組の第２支持部材を移動させる工程、ならびに前記第１組の第１支持部材、前記第３組の第２支持部材および前記第４組の第２支持部材で基板を支持させた後、前記第１組の第１支持部材を移動させて基板から離脱させる工程を実行する、請求項１記載の基板処理装置である。
【００１３】
この構成によれば、第１組の第１支持部材と第２組の第１支持部材とで基板を支持させつつ、第１および第２組の第１支持部材を移動させる。これにより、基板を基板移動方向に移動させることができる。
次いで、第２組の第１支持部材を基板の周縁部に当接させ、第１組の第１支持部材、第２組の第１支持部材および第３組の第２支持部材で基板を支持させた後、第２組の第１支持部材を移動させて基板から離脱させる。そのため、第１組の第１支持部材と第３組の第２支持部材とで基板が支持されるようになる。
【００１４】
次いで、第１組の第１支持部材と第３組の第２支持部材とで基板を支持させつつ第１組の第１支持部材および第３組の第２支持部材を移動させる。これにより、基板を基板移動方向に移動させることができる。
次いで、第４組の第２支持部材を基板の周縁部に当接させ、第１組の第１支持部材、第３組の第２支持部材および第４組の第２支持部材で基板を支持させた後、第１組の第１支持部材を移動させて基板から離脱させる。これにより、基板が複数の第２支持部材に受け渡される。
【００１５】
それゆえ、第１支持部材から第２支持部材への受渡しを、比較的簡単な構成で実現することができる。
請求項３記載の発明は、前記処理部が、前記基板移動方向に直交する方向に沿って直線状に開口し、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出するスリット吐出口（３３，３５；１０３３，１０３４，１０４３，１０４４，１０５３，１０５４；４０３３；５０３３）を含む、請求項１または２記載の基板処理装置である。
【００１６】
この構成によれば、スリット吐出口から吐出された処理流体が、基板受渡路を通過中の基板の主面に供給される。この基板の主面における処理流体の供給位置は、基板移動方向に直交する方向に延びる直線状である。そのため、基板移動方向に移動する基板が、直線状に吐出される処理流体によって走査される。これにより、基板の広範囲に、処理流体による処理を施すことができる。
【００１７】
請求項４記載の発明は、前記処理部が、前記基板受渡路を挟んで設けられた第１処理部（３１，１０３１，１０４１，１０５１；４０３１；５０３１）および第２処理部（３２，１０３２，１０４２，１０５２）を含み、前記第１処理部が、前記基板の一方の主面に対向するように配置され、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出する吐出口（３３，１０３３，１０４３，１０５３；４０３３；５０３３）を有し、前記第２処理部が、前記基板の他方の主面に対向するように配置され、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出する吐出口（３４，１０３４，１０４４，１０５４）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００１８】
この構成によれば、基板受渡路を通過中の基板の一方の主面に、第１処理部の吐出口からの処理流体が吐出され、また、基板の他方の主面に、第２処理部の吐出口からの処理流体が吐出される。これにより、基板の両方の主面に対して、基板受渡路を通過中に、処理流体による処理を施すことができる。
請求項５記載の発明は、前記処理部は、前記基板受渡路に沿って並べられた複数の吐出口（１０３３，１０４３，１０５３，１０３４，１０４４，１０５４）を有しており、前記複数の吐出口は、それぞれ、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて、互いに異なる種類の処理流体を吐出する、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置である。
【００１９】
この構成によれば、基板受渡路に沿って並べられた複数の吐出口から吐出された複数種類の処理流体が、基板受渡路を通過中の基板の主面に供給される。たとえば、基板の主面上における前記複数の処理流体の供給位置は、基板移動方向に沿って間隔を開けて設定される。この場合、基板の移動に伴って、基板の各部は、各種類の処理流体によって順次走査される。そのため、基板の各部において、複数の処理流体が所定の順序で供給される。これにより、種類種の複数の処理流体を用いた一連の処理を、順に行わせることができる。
【００２０】
請求項６に記載のように、前記第１支持部材が、基板を鉛直方向に沿う姿勢に支持する第１鉛直姿勢支持部材を含み、前記第２支持部材が、基板を鉛直方向に沿う姿勢に支持する第２鉛直姿勢支持部材を含むものであってもよい。
請求項７に記載のように、前記第１チャンバおよび前記第２チャンバが、基板に対して処理流体を用いた処理を施すものであってもよい。
【００２１】
また、請求項８に記載のように、前記第１チャンバおよび前記第２チャンバが、基板に関連して所定の計測処理を施すものであってもよい。
この場合、前記第１チャンバおよび前記第２チャンバが、基板の表面（一方の主面）に付着する異物（パーティクル）の状態（大きさおよび／または量（個数））を計測するための処理を施すものであってもよい。この場合、処理部が処理流体を用いて基板に洗浄処理を施すものであれば、第１チャンバでは、その洗浄前に係る基板の表面に付着する異物の状態を計測し、また、第２チャンバでは、その洗浄後に係る基板の表面に付着する異物の状態を計測することもできる。これにより、洗浄処理の前後における異物の状態を比較して、洗浄処理の効果を確認することができる。
【００２２】
また、前記第１チャンバおよび前記第２チャンバが、基板の厚み（基板自体の厚みまたは基板の表面に形成された薄膜の厚み）を計測するための処理を施すものであってもよい。この場合、処理部がエッチング液を用いて基板にエッチング処理を施すものであれば、第１チャンバでは、そのエッチング処理前に係る基板の厚みを計測し、また、第２チャンバでは、そのエッチング処理後に係る基板の厚みを計測することもできる。これにより、エッチング処理の前後における基板の厚みを比較して、エッチング処理の効果を確認することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図２】図１に示す処理部の構成を図解的に示す図である。
【図３】図１に示す第１支持部材の構成を説明する側面図である。
【図４】図１に示す第１支持部材を駆動させるための機構を図解的に示す平面図である。
【図５】図１に示す第２支持部材を駆動させるための機構を図解的に示す平面図である。
【図６】図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図７】図１に示す基板処理装置における処理の一例を示す工程図である。
【図８Ａ】第１支持部材から第２支持部材への基板受渡し動作を説明するための横断面図である（その１）。
【図８Ｂ】第１支持部材から第２支持部材への基板受渡し動作を説明するための横断面図である（その２）。
【図８Ｃ】第１支持部材から第２支持部材への基板受渡し動作を説明するための横断面図である（その３）。
【図８Ｄ】第１支持部材から第２支持部材への基板受渡し動作を説明するための横断面図である（その４）。
【図８Ｅ】第１支持部材から第２支持部材への基板受渡し動作を説明するための横断面図である（その５）。
【図８Ｆ】第１支持部材から第２支持部材への基板受渡し動作を説明するための横断面図である（その６）。
【図９】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図１０】図９に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図１１】図９に示す基板処理装置における処理の一例を示す工程図である。
【図１２】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図１４】本発明の第５実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る基板処理装置１００の構成を模式的に示す断面図である。
基板処理装置１００は、基板の一例としての半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）に対して処理流体（薬液、ＤＩＷ（deionized water：脱イオン化された純水）および乾燥ガスなど）を用いた洗浄処理（たとえば、パーティクル除去処理）を施すための枚葉型の装置である。基板処理装置１００は、側壁１Ａにより取り囲まれた第１チャンバ１と、この第１チャンバ１に対して所定のＸ方向（後述する）側に隣り合わせに配置され、側壁２Ａにより取り囲まれた第２チャンバ２と、第１チャンバ１と第２チャンバ２との間に設けられた処理部３とを備えている。第１チャンバ１では、ウエハＷに対して薬液を用いた薬液処理が施される。処理部３では、第１チャンバ１における薬液処理によってウエハＷに付着した薬液を、ＤＩＷによって洗い流すリンス処理が施される。第２チャンバ２では、リンス処理後のウエハＷに対して乾燥ガスを用いた乾燥処理が施される。
【００２５】
第１チャンバ１内には、ウエハＷの周縁部を支持して、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数（たとえば、４つ）の第１支持部材１０（図１では、第１支持部材１０を３つのみ図示）と、複数の第１支持部材１０に支持されるウエハＷの上面に薬液を供給するための第１スリットノズル１１とが収容されている。
なお、ウエハＷの周縁部とは、ウエハＷの表面の周縁領域４（図３参照）、ウエハＷの裏面の周縁領域５（図３参照）および周端面６（図３参照）を含む部分をいう。また、周縁領域４，５とは、たとえば、ウエハＷの周端縁から幅１〜４ｍｍの環状領域をいう。
【００２６】
第１スリットノズル１１には、複数の第１支持部材１０に支持されるウエハＷの上面に対向し、所定の一方向（たとえば、図１に示す紙面に直交する方向）に沿う直線状に開口する第１吐出口１２が形成されている。第１吐出口１２の長手方向の長さは、ウエハＷの直径よりも大きく設定されている。第１スリットノズル１１には、第１吐出口１２に連通する薬液供給管１３が接続されている。薬液供給管１３には、薬液供給源からの薬液が供給されるようになっており、その途中部には、第１スリットノズル１１への薬液の供給および供給停止を切り換えるための薬液バルブ１４が介装されている。薬液バルブ１４が開かれると、第１吐出口１２は、その長手方向に沿うカーテン状（帯状）に薬液を吐出する。
【００２７】
第１スリットノズル１１は、保持レール（図示しない）によって、第１吐出口１２に直交する水平方向に沿って（ウエハＷの表面に沿って）往復移動可能に保持されている。すなわち、第１スリットノズル１１には、第１ノズル移動機構１５が結合されている。この第１ノズル移動機構１５の駆動力によって、第１スリットノズル１１を、第１吐出口１２に直交する水平方向に沿って往復移動させることができるようになっている。
【００２８】
第１チャンバ１の側壁１Ａにおける第２チャンバ２と対向する部分には、搬入および搬出するための第１開口１６が形成されている。第１開口１６に関連して、第１チャンバ１には、第１開口１６を開閉するための第１シャッタ１７が設けられている。
ウエハＷに対して処理を施す際は、ウエハＷは所定の処理位置（図１に示すウエハＷの位置）に配置される。第１支持部材１０には、Ｘ方向駆動機構５５，５７（後述する。図４参照）が結合されている。このＸ方向駆動機構５５，５７の駆動力により、ウエハＷは、処理位置から所定の基板移動方向（以下、「Ｘ方向」という）に移動される。
【００２９】
第２チャンバ２内には、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数（たとえば、４つ）の第２支持部材２０（図１では、第２支持部材２０を３つのみ図示）と、複数の第２支持部材２０に支持されるウエハＷの上面に乾燥ガスを供給するための第２スリットノズル２１とが収容されている。
第２スリットノズル２１には、複数の第２支持部材２０に支持されるウエハＷの上面に対向し、所定の一方向（たとえば、図１に示す紙面に直交する方向）に沿う直線状に開口する第２吐出口２２が形成されている。第２吐出口２２の長手方向の長さは、ウエハＷの直径よりも大きく設定されている。第２スリットノズル２１には、第２吐出口２２に連通する乾燥ガス供給管２３が接続されている。乾燥ガス供給管２３には、乾燥ガス供給源からの乾燥ガスが供給されるようになっており、その途中部には、第２スリットノズル２１への乾燥ガスの供給および供給停止を切り換えるための乾燥ガスバルブ２４が介装されている。乾燥ガスバルブ２４が開かれると、第２吐出口２２は、その長手方向に沿うカーテン状（帯状）に乾燥ガスを吐出する。
【００３０】
第２スリットノズル２１は、保持レール（図示しない）によって、第２吐出口２２に直交する水平方向に沿って（ウエハＷの表面に沿って）往復移動可能に保持されている。すなわち、第２スリットノズル２１には、第２ノズル移動機構２５が結合されている。この第２ノズル移動機構２５の駆動力によって、第２スリットノズル２１を、第２吐出口２２に直交する水平方向に沿って往復移動させることができるようになっている。
【００３１】
第２チャンバ２の側壁２Ａにおける第１チャンバ１と対向する部分には、搬入および搬出するための第２開口２６が形成されている。第２開口２６に関連して、第２チャンバ２には、第２開口２６を開閉するための第２シャッタ２７が設けられている。
ウエハＷに対して処理を施す際は、ウエハＷは所定の処理位置（図１に示すウエハＷの位置）に配置される。第２支持部材２０には、Ｘ方向移動部材６５，６７（後述する。図５参照）が結合されている。このＸ方向駆動機構６５，６７の駆動力により、ウエハＷは処理位置までＸ方向に移動される。
【００３２】
複数の第１支持部材１０と複数の第２支持部材２０との間で、基板受渡路７を介してウエハＷを受け渡すことができる。ウエハＷの受渡しは、ウエハＷを水平姿勢に保ちながら行われる。基板受渡路７は、Ｘ方向に沿う水平方向に沿って延びており、第１チャンバ１と第２チャンバ２との間、具体的には第１チャンバ１の第１開口１６と第２チャンバ２の第２開口２６との間に形成されている。基板受渡路７のＸ方向の長さはウエハＷの直径の１／２程度である。
【００３３】
図２は、処理部３の構成を図解的に示す図である。
処理部３は、基板受渡路７を通過中のウエハＷの上面（表面）に対してリンス処理を施すための第１処理部３１と、基板受渡路７を通過中のウエハＷの下面（裏面）に対してリンス処理を施すための第２処理部３２とを備えている。第１処理部３１および第２処理部３２は、基板受渡路７を挟んで配置されている。
【００３４】
第１処理部３１は、基板受渡路７の上方に配置されている。この第１処理部３１は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向（Ｘ方向に直交する水平方向の一方）に沿う直線状に開口する第１スリット吐出口３３を有している。第１処理部３１は、Ｙ方向に長い直方体状の外形を有した第１本体３４を備えている。第１本体３４は、水平な下面を有している。第１スリット吐出口３３は、第１本体３４の下面に形成されている。第１スリット吐出口３３の長手方向（Ｙ方向）の長さは、ウエハＷの直径よりも大きく設定されている。
【００３５】
第２処理部３２は、基板受渡路７の下方に配置されている。この第２処理部３２は、第１本体３４の下面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第２スリット吐出口３５を有している。そのため、第２スリット吐出口３５は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの下面に対向する。第２処理部３２は、Ｙ方向に長い直方体状の外形を有した第２本体３６を備えている。第２本体３６は、水平な上面を有している。第２スリット吐出口３５は、第２本体３６の上面に形成されている。第２スリット吐出口３５の長手方向（Ｙ方向）の長さは、ウエハＷの直径よりも大きく設定されている。
【００３６】
第１処理部３１の下面（第１スリット吐出口３３）と第２処理部３２の上面（第２スリット吐出口３５）との間の間隔は、たとえば３ｍｍ程度に設定されている。そして、基板受渡路７を通過中のウエハＷの上面と第１処理部３１の下面（第１スリット吐出口３３）との間の間隔は、たとえば１ｍｍ程度に設定されている。また、基板受渡路７を通過中のウエハＷの下面と第２処理部３２の上面（第２スリット吐出口３５）との間の間隔は、たとえば１ｍｍ程度に設定されている。
【００３７】
第１処理部３１には、第１スリット吐出口３３に連通する第１ＤＩＷ供給管３７が接続されている。第２処理部３２には、第２スリット吐出口３５に連通する第２ＤＩＷ供給管３８が接続されている。第１ＤＩＷ供給管３７および第２ＤＩＷ供給管３８には、ＤＩＷバルブ３９を介して、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるようになっている。ウエハＷが基板受渡路７を通過中にＤＩＷバルブ３９が開かれると、第１スリット吐出口３３からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）のＤＩＷが下方に向けて吐出される。ウエハＷの上面（表面）に、Ｙ方向に沿うＤＩＷの直線状の供給位置が設定される。
【００３８】
また、第２スリット吐出口３５からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）のＤＩＷが上方に向けて吐出され、ウエハＷの下面（裏面）にＹ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置が設定される。
図３は、第１支持部材１０の構成を説明する側面図である。
複数の第１支持部材１０は、互いに共通な構成を備えている。各第１支持部材１０は、ベース４４と、ベース４４上に配置された支持部４０とを備えている。
【００３９】
支持部４０は、たとえば、ＰＣＴＦＥ（Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene）などの材料を用いて形成されている。この支持部４０は、ウエハＷの上面（表面）の周縁領域４および周端面６と当接可能な第１部分４１と、ウエハＷの周端面６と当接可能な第２部分４２と、ウエハＷの下面（裏面）の周縁領域５および周端面６と当接可能な第３部分４３とを上下方向（Ｚ方向に沿う方向）に一体的に備え、略鼓状に形成されている。
【００４０】
第１部分４１は、下方に向かうに従って狭まる円錐台状をなしている。第１部分４１の側面は、その中心軸線に対してたとえば４５°の傾斜角度を有して、下方ほどその中心軸線に近づくように傾斜している。この第１部分４１において、側面がウエハＷの表面の周縁領域４および周端面６に当接可能である。
第２部分４２は、鉛直軸線からなる中心軸線を有する円柱状をなしている。第２部分４２の周面は、上端縁が第１部分４１の側面の下端縁に連続している。この第２部分４２の側面がウエハＷの周端面６に当接可能である。
【００４１】
第３部分４３は、下方に向かうに従って広がる円錐台状をなしている。第３部分４３の側面は、その中心軸線に対してたとえば４５°の傾斜角度を有して、上方ほどその中心軸線に近づくように傾斜している。第３部分４３の側面は、上端縁が第２部分４２の周面の下端縁に連続している。この第３部分４３において、側面がウエハＷの裏面の周縁領域５および周端面６に当接可能である。
【００４２】
ベース４４は、所定高さを有する角柱によって構成されている。このベース４４は、支持部４０の第３部分４３の下面に固定されており、支持部４０を下方から支持している。各第１支持部材１０のべース４４には、第１スライド部材５３または第２スライド部材５４に軸支されたロッド１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄが連結されている。
ウエハＷの支持状態では、第１部分４１の側面、第２部分４２の周面および第３部分４３の側面のいずれかが、ウエハＷの周縁部に当接している（図３に示す状態では、第２部分４２の周面がウエハＷの周端面６に当接している）。
【００４３】
第２支持部材２０は、第１支持部材１０と共通の構成である。そのため、第２支持部材１０の各部の説明は省略する。第２支持部材１０のべース４４には、第３スライド部材６３または第４スライド部材６４に軸支されたロッド２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄが連結されている。
図４は、第１支持部材１０を駆動させるための機構を図解的に示す平面図である。以下、複数の第１支持部材１０として、２つの第１支持部材からなる第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂと、２つの第１支持部材からなる第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄとが設けられている場合を例に挙げて説明する。また、第１支持部材１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを総称するときは第１支持部材１０という。
【００４４】
第１チャンバ１内には、Ｘ方向に沿って延びる２本のレール（第１レール５１，第２レール５２）が配設されている。この２本のレール５１，５２は、ほぼ同じ高さ位置で、かつ互いに近接して配置されている。第１レール５１には、第１スライド部材５３が、Ｘ方向に沿って移動可能に取り付けられている。第１スライド部材５３は、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂを支持している。第２レール５２には、第２スライド部材５４が、Ｘ方向に沿って移動可能に取り付けられている。第２スライド部材５４は、第２組の第２支持部材１０Ｃ，１０Ｄを支持している。第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂを支持する／駆動させるための構成を、図４に実線で示し、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄを支持する／駆動させるための構成を、図４に太線で示す。
【００４５】
第１スライド部材５３は、Ｙ方向に長尺な筒状のハウジングを備えている。この第１スライド部材５３には、第１スライド部材５３をＸ方向に沿って移動させるためのモータ等の第１Ｘ方向駆動機構５５が結合されている。
第１スライド部材５３のハウジング内には、第１支持部材１０Ａのロッド１９Ａおよび第１支持部材１０Ｂのロッド１９Ｂが挿入されている。第１スライド部材５３のハウジングの一端部（図４で示す上端部）には、第１支持部材１０Ａのロッド１９Ａがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。第１スライド部材５３のハウジングの他端部（図４で示す下端部）には、第１支持部材１０Ｂのロッド１９Ｂがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。
【００４６】
第１スライド部材５３のハウジング内には、第１シリンダ５６が収容されている（なお、図４では、図示の関係上、第１シリンダ５６をハウジング外に示している）。第１シリンダ５６は、シリンダ本体（図示しない）と、このシリンダ本体に対して進出／没入可能なシリンダロッド（図示しない）とを備えている。第１シリンダ５６のシリンダロッドは、それぞれ、リンク機構（図示しない）を介して第１支持部材１０Ａのロッド１９Ａおよび第１支持部材１０Ｂのロッド１９Ｂの双方に接続されている。
【００４７】
そして、第１シリンダ５６のシリンダロッドがシリンダ本体に対して進出すると、これに伴って、第１支持部材１０Ａのロッド１９Ａおよび第１支持部材１０Ｂのロッド１９Ｂが、それぞれ第１スライド部材５３のハウジングに対して進出し、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂは、互いに離反する方向（Ｙ方向）に移動する。
また、第１シリンダ５６のシリンダロッドがシリンダ本体に対して没入すると、これに伴って、第１支持部材１０Ａのロッド１９Ａおよび第１支持部材１０Ｂのロッド１９Ｂが、それぞれ第１スライド部材５３のハウジングに対して没入し、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂは、互いに接近する方向（Ｙ方向）に移動する。
【００４８】
第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂは、第１Ｘ方向駆動機構５５の駆動により、Ｘ方向に沿って一括して移動される。また、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂは、第１シリンダ５６の駆動により、互いに接近する方向／互いに離反する方向にＹ方向に沿って一括して移動される。
そして、第１Ｘ方向駆動機構５５および／または第１シリンダ５６の駆動により、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂを、ウエハＷの周縁部に当接する当接状態と、ウエハＷの周縁部から退避する退避状態との間で開閉することができる。
【００４９】
第２スライド部材５４は、Ｙ方向に長尺な筒状のハウジングを備えている。この第２スライド部材５４には、第２スライド部材５４をＸ方向に沿って移動させるためのモータ等の第２Ｘ方向駆動機構５７が結合されている。
第２スライド部材５４のハウジング内には、第１支持部材１０Ｃのロッド１９Ｃおよび第１支持部材１０Ｄのロッド１９Ｄが挿入されている。第２スライド部材５４のハウジングの一端部（図４で示す上端部）には、第１支持部材１０Ｃのロッド１９Ｃがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。第２スライド部材５４のハウジングの他端部（図４で示す下端部）には、第１支持部材１０Ｄのロッド１９Ｄがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。
【００５０】
第２スライド部材５４のハウジング内には、第２シリンダ５８が収容されている（なお、図４では、図示の関係上、第２シリンダ５８をハウジング外に示している）。第２シリンダ５８は、シリンダ本体（図示しない）と、このシリンダ本体に対して進出／没入可能なシリンダロッド（図示しない）とを備えている。第２シリンダ５８のシリンダロッドは、それぞれ、リンク機構（図示しない）を介して第１支持部材１０Ｃのロッド１９Ｃおよび第１支持部材１０Ｄのロッド１９Ｄの双方に接続されている。
【００５１】
そして、第２シリンダ５８のシリンダロッドがシリンダ本体に対して進出すると、これに伴って、第１支持部材１０Ｃのロッド１９Ｃおよび第１支持部材１０Ｄのロッド１９Ｄが、それぞれ第２スライド部材５４のハウジングに対して進出し、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄは、互いに離反する方向（Ｙ方向）に移動する。
また、第２シリンダ５８のシリンダロッドがシリンダ本体に対して没入すると、これに伴って、第１支持部材１０Ｃのロッド１９Ｃおよび第１支持部材１０Ｄのロッド１９Ｄが、それぞれ第２スライド部材５４のハウジングに対して没入し、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄは、互いに接近する方向（Ｙ方向）に移動する。
【００５２】
第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄは、第２Ｘ方向駆動機構５７の駆動により、Ｘ方向に沿って一括して移動され、また、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄは、第２シリンダ５８の駆動により、互いに接近する方向／互いに離反する方向にＹ方向に沿って一括して移動される。
そして、第２Ｘ方向駆動機構５７および／または第２シリンダ５８の駆動により、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄを、ウエハＷの周縁部に当接する当接状態と、ウエハＷの周縁部から退避する退避状態との間で開閉することができる。
【００５３】
これにより、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂと第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄとを独立して、Ｘ方向に沿って移動させることができ、また、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂと第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄとを独立して開閉させることができる。
図５は、第２支持部材２０を駆動させるための機構を図解的に示す平面図である。以下、複数の第２支持部材２０として、２つの第２支持部材からなる第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂと、２つの第２支持部材からなる第２組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄとが設けられている場合を例に挙げて説明する。また、第２支持部材２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄを総称するときは第２支持部材２０という。
【００５４】
第２チャンバ２内には、Ｘ方向に沿って延びる２本のレール（第３レール６１，第４レール６２）が配設されている。この２本のレール６１，６２は、ほぼ同じ高さ位置で、かつ互いに近接して配置されている。第３レール６１には、第３スライド部材６３が、Ｘ方向に沿って移動可能に取り付けられている。第３スライド部材６３は、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂを支持している。第４レール６２には、第４スライド部材６４が、Ｘ方向に沿って移動可能に取り付けられている。第４スライド部材６４は、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄを支持している。第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂを支持する／駆動させるための構成を、図５に実線で示し、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄを支持する／駆動させるための構成を、図５に太線で示す。
【００５５】
第３スライド部材６３は、Ｙ方向に長尺な筒状のハウジングを備えている。この第３スライド部材６３には、第３スライド部材６３をＸ方向に沿って移動させるためのモータ等の第３Ｘ方向駆動機構６５が結合されている。
第３スライド部材６３のハウジング内には、第２支持部材２０Ａのロッド２９Ａおよび第２支持部材２０Ｂのロッド２９Ｂが挿入されている。第３スライド部材６３のハウジングの一端部（図５で示す上端部）には、第２支持部材２０Ａのロッド２９Ａがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。第３スライド部材６３のハウジングの他端部（図５で示す下端部）には、第２支持部材２０Ｂのロッド２９Ｂがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。
【００５６】
第３スライド部材６３のハウジング内には、第３シリンダ６６が収容されている（なお、図５では、図示の関係上、第３シリンダ６６をハウジング外に示している）。第３シリンダ６６は、シリンダ本体（図示しない）と、このシリンダ本体に対して進出／没入可能なシリンダロッド（図示しない）とを備えている。第３シリンダ６６のシリンダロッドは、それぞれ、リンク機構（図示しない）を介して第２支持部材２０Ａのロッド２９Ａおよび第２支持部材２０Ｂのロッド２９Ｂの双方に接続されている。
【００５７】
そして、第３シリンダ６６のシリンダロッドがシリンダ本体に対して進出すると、これに伴って、第２支持部材２０Ａのロッド２９Ａおよび第２支持部材２０Ｂのロッド２９Ｂが、それぞれ第３スライド部材６３のハウジングに対して進出し、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂは、互いに離反する方向（Ｙ方向）に移動する。
また、第３シリンダ６６のシリンダロッドがシリンダ本体に対して没入すると、これに伴って、第２支持部材２０Ａのロッド２９Ａおよび第２支持部材２０Ｂのロッド２９Ｂが、それぞれ第３スライド部材６３のハウジングに対して没入し、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂは、互いに接近する方向（Ｙ方向）に移動する。
【００５８】
第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂは、第３Ｘ方向駆動機構６５の駆動により、Ｘ方向に沿って一括して移動され、また、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂは、第３シリンダ６６の駆動により、互いに接近する方向／互いに離反する方向にＹ方向に沿って一括して移動される。
そして、第３Ｘ方向駆動機構６５および／または第３シリンダ６６の駆動により、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂを、ウエハＷの周縁部に当接する当接状態と、ウエハＷの周縁部から退避する退避状態との間で開閉することができる。
【００５９】
第４スライド部材６４は、Ｙ方向に長尺な筒状のハウジングを備えている。この第４スライド部材６４には、第４スライド部材６４をＸ方向に沿って移動させるためのモータ等の第４Ｘ方向駆動機構６７が結合されている。
第４スライド部材６４のハウジング内には、第２支持部材２０Ｃのロッド２９Ｃおよび第２支持部材２０Ｄのロッド２９Ｄが挿入されている。第４スライド部材６４のハウジングの一端部（図５で示す上端部）には、第２支持部材２０Ｃのロッド２９Ｃがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。第４スライド部材６４のハウジングの他端部（図５で示す下端部）には、第２支持部材２０Ｄのロッド２９Ｄがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。
【００６０】
第４スライド部材６４のハウジング内には、第４シリンダ６８が収容されている（なお、図５では、図示の関係上、第４シリンダ６８をハウジング外に示している）。第４シリンダ６８は、シリンダ本体（図示しない）と、このシリンダ本体に対して進出／没入可能なシリンダロッド（図示しない）とを備えている。第４シリンダ６８のシリンダロッドは、それぞれ、リンク機構（図示しない）を介して第２支持部材２０Ｃのロッド２９Ｃおよび第２支持部材２０Ｄのロッド２９Ｄの双方に接続されている。
【００６１】
そして、第４シリンダ６８のシリンダロッドがシリンダ本体に対して進出すると、これに伴って、第２支持部材２０Ｃのロッド２９Ｃおよび第２支持部材２０Ｄのロッド２９Ｄが、それぞれ第４スライド部材６４のハウジングに対して進出し、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄは、互いに離反する方向（Ｙ方向）に移動する。
また、第４シリンダ６８のシリンダロッドがシリンダ本体に対して没入すると、これに伴って、第２支持部材２０Ｃのロッド２９Ｃおよび第２支持部材２０Ｄのロッド２９Ｄが、それぞれ第４スライド部材６４のハウジングに対して没入し、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄは、互いに接近する方向（Ｙ方向）に移動する。
【００６２】
第４組の第２支持部２０Ｃ，２０Ｄは、第４Ｘ方向駆動機構６７の駆動により、Ｘ方向に沿って一括して移動され、また、第４シリンダ６８の駆動により、互いに接近する方向／互いに離反する方向にＹ方向に沿って一括して移動される。
そして、第４Ｘ方向駆動機構６７および／または第４シリンダ６８の駆動により、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄを、ウエハＷの周縁部に当接する当接状態と、ウエハＷの周縁部から退避する退避状態との間で開閉することができる。
【００６３】
これにより、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂと第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄとを独立して、Ｘ方向に沿って移動させることができ、また、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂと第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄとを独立して開閉させることができる。
図６は、基板処理装置１００の電気的構成を示すブロック図である。
【００６４】
基板処理装置１００は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置７０を備えている。この制御装置７０には、第１Ｘ方向駆動機構５５、第２Ｘ方向駆動機構５７、第１シリンダ５６、第２シリンダ５８、薬液バルブ１４、第１ノズル移動機構１５、ＤＩＷバルブ３９、第３Ｘ方向駆動機構６５、第４Ｘ方向駆動機構６７、第３シリンダ６６、第４シリンダ６８、乾燥ガスバルブ２４および第２ノズル移動機構２５などが制御対象として接続されている。
【００６５】
図７は、基板処理装置１００における処理の一例を示す工程図である。
処理対象のウエハＷは、搬送ロボット（図示しない）によって第１チャンバ１内に搬入され（ステップＳ１）、４つの第１支持部材１０にウエハＷの表面を上方に向けて保持される。
ウエハＷが第１支持部材１０に保持された後、制御装置７０は、第１ノズル移動機構１５を駆動して、第１スリットノズル１１をウエハＷの上方へと導く。第１スリットノズル１１がウエハＷの上方に到達すると、制御装置７０は、薬液バルブ１４を開き、スリット状の第１吐出口１２から、第１吐出口１２に直交する水平方向に幅を有するカーテン状（帯状）のプロファイルで薬液を吐出する（Ｓ２：薬液処理）。
【００６６】
この薬液処理では、制御装置７０は、第１ノズル移動機構１５を制御して、第１スリットノズル１１を、その第１吐出口１２の長手方向と直交する水平方向に沿って、所定の移動範囲内で直線移動させる。これによって、第１スリットノズル１１からのカーテン状（帯状）の薬液の供給位置が、ウエハＷの表面上を移動し、ウエハＷにおける第１吐出口１２の長手方向と直交する方向の一端部から他端部に至る範囲内を往復移動する。
【００６７】
薬液吐出位置の往復移動が所定回数行われると、制御装置７０は、薬液バルブ１４を閉じて、ウエハＷの表面への薬液の供給が停止される。また、制御装置７０は、第１ノズル移動機構１５を制御して、第１スリットノズル１１をウエハＷの側方の退避位置に戻す。
薬液処理後には、ウエハＷの表面に対してステップＳ３のリンス処理が施され、また、リンス処理の終了後は、ステップＳ４の乾燥処理が施される。しかし、これらリンス処理および乾燥処理は、第１チャンバ１では行われない。ステップＳ３のリンス処理は、第１チャンバ１と第２チャンバ２との間に設けられた基板受渡路７で行われ、ステップＳ４の乾燥処理は第２チャンバ２で行われる。
【００６８】
この基板処理装置１００では、第１チャンバ１から第２チャンバ２へのウエハＷの搬送は、４つの第１支持部材１０および４つの第２支持部材２０を用いて行われる。つまり、４つの第１支持部材１０および４つの第２支持部材２０が駆動されて、４つの第１支持部材１０から４つの第２支持部材２０に、基板受渡路７を通してウエハＷが受け渡され、このウエハＷの受渡し動作によって、ウエハＷがＸ方向に移動されつつ、第１チャンバ１から第２チャンバ２へと搬送される。そして、ステップＳ３のリンス処理では、基板受渡路７を通過するウエハＷに対し、その上面（主面の一方面）および下面（主面の他方面）にリンス処理が施される。
【００６９】
図８Ａ〜図８Ｆは、第１支持部材１０から第２支持部材２０へのウエハＷの受渡し動作を説明するための横断面図である。
図８Ａに示すように、第１チャンバ１におけるウエハＷの処理位置では、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂが、ウエハＷの周縁部におけるＸ方向の反対方向端部付近の２箇所を支持し、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄが、ウエハＷの周縁部におけるＹ方向に沿う方向の両端部付近をそれぞれ支持している。すなわち、この処理位置では、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄが第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂよりも、Ｘ方向側に配置されている。
【００７０】
ステップＳ２の薬液処理の終了後（第１スリットノズル１１が退避位置に戻った後）、制御装置７０は、第１支持部材１０Ａ〜１０ＤをＸ方向に移動させる。制御装置７０は、第１Ｘ方向駆動機構５５および第２Ｘ方向駆動機構５７を制御して、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂと第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄとを等速でＸ方向に移動させる。これにより、ウエハＷが第１チャンバ１の処理位置（図１および図８Ａに示す位置）からＸ方向に移動される。
【００７１】
また、４つの第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄは、ウエハＷを受け取るために、第２チャンバ２内の第２開口２６付近に位置している必要がある。そのため、制御装置７０は、第３Ｘ方向駆動機構６５および第４Ｘ方向駆動機構６７を制御して、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂおよび第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄを、第２チャンバ２における第２開口２６の近傍位置まで、Ｘ方向の反対方向に移動させる。
【００７２】
また、制御装置７０は、ＤＩＷバルブ３９を開き、第１処理部３１の第１スリット吐出口３３（図２参照）および第２処理部３２の第２スリット吐出口３５（図２参照）からＤＩＷを吐出する。また、第１シャッタ１７を駆動する駆動機構が制御されて、第１シャッタ１７が開かれるとともに、第２シャッタ２７を駆動する駆動機構が制御されて、第２シャッタ２７が開かれる。
【００７３】
そして、ウエハＷにおけるＸ方向の端部が、第１開口１６を通過し基板受渡路７を移動する。この基板受渡路７を通過中のウエハＷの上面および下面に対し、第１処理部３１の第１スリット吐出口３３および第２処理部３２の第２スリット吐出口３５からＤＩＷが吐出される。そして、ウエハＷの上面（表面）には、Ｙ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置が設定される。また、ウエハＷの下面（裏面）にも、Ｙ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置が設定される。ウエハＷの移動中は、ウエハＷの上面および下面におけるＤＩＷの供給位置は、それぞれ基板移動方向であるＸ方向に直交してウエハＷの全幅（Ｙ方向の最大幅）に及ぶ洗浄の形態を有している。そして、ウエハＷのＸ方向の端部が、第２開口２６を通過して第２チャンバ２内に進入する。
【００７４】
第１チャンバ１における薬液処理では、ウエハＷの裏面にも薬液が回り込むことが考えられる。そのため、リンス処理は、ウエハＷの両面に施すことが望ましい。このステップＳ３のリンス処理では、ウエハＷの両面にＤＩＷが供給されるので、ウエハＷの裏面に付着した薬液を洗い流すこともできる。
また、ウエハＷのＸ方向の端部が、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂに接近すると、図８Ｂに示すように、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂが、ウエハＷの周縁部におけるＸ方向端部付近の２箇所に当接し、ウエハＷの周縁部を支持する。
【００７５】
その後、制御装置７０は、第２シリンダ５８を制御して、ウエハＷの周縁部を支持している第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄを互いに離反する方向に移動させる。これにより、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０ＤがウエハＷの周縁部から退避（ウエハＷから離脱）し、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂと第３組の第２支持部材２０Ａ，２０ＢとによってウエハＷが支持される。なお、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄの退避動作中は、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂおよび第３組の第２支持部材２０Ａ，２０ＢのＸ方向の移動を継続させてもよいし、中断させてもよい。また、制御装置７０は、第２Ｘ方向駆動機構５７を制御して、ウエハＷの周縁部から退避した第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄを、元の位置に戻す。
【００７６】
次いで、制御装置７０は、第１Ｘ方向駆動機構５５および第３Ｘ方向駆動機構６５を制御して、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂと第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂとを等速でＸ方向に移動させる。この状態では、図８Ｃに示すように、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄは、ウエハＷの周縁部におけるＹ方向に沿う方向の両端部よりも、ウエハＷの中心から離反する方向に位置している。
【００７７】
そして、図８Ｄに示すように、ウエハＷの周縁部を支持する第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂが、第１チャンバ１内におけるＸ方向の端部付近に到達すると、制御装置７０は、第４シリンダ６８を制御して、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄを、互いに近接する方向に移動させる。これにより、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄが、それぞれウエハＷの周縁部におけるＹ方向に沿う方向の両端部付近に当接し、ウエハＷの周縁部を支持する（図８Ｅ参照）。
【００７８】
その後、制御装置７０は、第３Ｘ方向駆動機構６５および第４Ｘ方向駆動機構６７を制御し、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂおよび第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄの移動を継続しつつ、第１Ｘ方向駆動機構５５を制御して、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂを停止させる。これにより、図８Ｅに示すように、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０ＢがウエハＷの周縁部から退避（ウエハＷから離脱）し、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂと第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０ＤとによってウエハＷが支持される。これにより、第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄから第２支持部材１０Ａ〜１０ＤにウエハＷを受け渡すことができる。
【００７９】
さらに、制御装置７０は、第１Ｘ方向駆動機構５５を制御して、ウエハＷから離脱した第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂを元の位置に戻す。
その後、制御装置７０は、第３Ｘ方向駆動機構６５および第４Ｘ方向駆動機構６７を制御して、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂと第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄとを等速でＸ方向に移動させる。これにより、ウエハＷが第２チャンバ２に搬入される。そして、ウエハＷは、第２チャンバ２の処理位置（図１および図８Ｆに示す位置）まで移動される。
【００８０】
ウエハＷが第２チャンバ２の処理位置まで移動されると、制御装置７０は、ＤＩＷバルブ３９を閉じて、第１スリット吐出口３３（図２参照）および第２スリット吐出口３５（図２参照）からのＤＩＷの吐出を停止する。また、第１シャッタ１７を駆動する駆動機構が制御されて、第１シャッタ１７が閉じられるとともに、第２シャッタ２７を駆動する駆動機構が制御されて、第２シャッタ２７が閉じられる。
【００８１】
その後、制御装置７０は、第２ノズル移動機構２５を駆動して、第２スリットノズル２１をウエハＷの上方へと導く。第２スリットノズル２１がウエハＷの上方に到達すると、制御装置７０は、乾燥ガスバルブ２４を開き、スリット状の第２吐出口２２から、第２吐出口２２の長手方向に直交する水平方向に幅を有するカーテン状（帯状）のプロファイルで乾燥ガスを吐出する（Ｓ４：乾燥処理）。
【００８２】
この乾燥処理では、制御装置７０は第２ノズル移動機構２５を制御して、第２スリットノズル２１が、その第２吐出口２２の長手方向と直交する水平方向に沿って、所定の移動範囲内で直線移動される。これによって、第２スリットノズル２１からのカーテン状（帯状）の乾燥ガスの供給位置がウエハＷの表面上を移動し、ウエハＷの一端部からウエハＷの周縁部に至る範囲内を往復移動する。
【００８３】
乾燥ガスの往復移動が所定回数行われると、制御装置７０は、乾燥ガスバルブ２４を閉じて、ウエハＷの表面への乾燥ガスの供給が停止される。また、制御装置７０は、第２ノズル移動機構２５を制御して、第２スリットノズル２１をウエハＷの側方の退避位置に戻す。その後、搬送ロボット（図示しない）によってウエハＷが第２チャンバ２から搬出される（ステップＳ５）。
【００８４】
以上により、この実施形態によれば、４つの第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄが、ウエハＷの周縁部に当接する当接状態と、ウエハＷの周縁部から退避する退避状態との間で開閉される。この第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄは、Ｘ方向に移動される。
また、４つの第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが、ウエハＷの周縁部に当接する当接状態と、ウエハＷの周縁部から退避する退避状態との間で開閉される。この第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄは、Ｘ方向に移動される。
【００８５】
そして、第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび／または第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが、ウエハＷを支持しつつＸ方向に移動されることにより、ならびに第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが、当接状態と退避状態との間で開閉されることにより、４つの第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄから４つの第２支持部材２０Ａ〜２０ＤにウエハＷが受け渡される。
【００８６】
このウエハＷの受渡しでは、第１チャンバ１と第２チャンバ２との間に設けられた基板受渡路７をウエハＷが通過する。そして、基板受渡路７を通過中のウエハＷに対し、第１処理部３１および第２処理部３２によってＤＩＷを用いた処理（リンス処理）が施される。そのため、搬送ロボットを用いることなく、第１チャンバ１から第２チャンバ２にウエハＷを搬送することができる。そして、搬送されているウエハＷにリンス処理を施すことができる。
【００８７】
また、第１スリット吐出口３３から吐出されたＤＩＷがウエハＷの上面に供給される。また、第２スリット吐出口３５から吐出されたＤＩＷがウエハＷの下面に供給される。この基板のウエハＷの上面および下面におけるＤＩＷの供給位置は、それぞれ、Ｘ方向に直交する水平方向に延びる直線状である。そのため、ウエハＷの受渡しの際にＸ方向に移動するウエハＷが、直線状に吐出されるＤＩＷによって走査される。これにより、ウエハＷの全域に、リンス処理を施すことができる。
【００８８】
図９は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置２００の構成を図解的に示す断面図である。この第２実施形態において、図１〜図８に示す実施形態（第１実施形態）に示された各部に対応する部分には、第１実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この図９に示す基板処理装置２００は、ウエハＷに対して処理流体（薬液、ＤＩＷおよび乾燥ガスなど）を用いた洗浄処理（たとえば、異物除去処理）を施すとともに、その洗浄処理の効果を確認するための計測処理を行う枚葉型の装置である。この基板処理装置２００が、第１実施形態に係る基板処理装置１００と相違する点は、ウエハＷに対して薬液処理または乾燥処理を施す第１および第２チャンバ１，２に代えて、ウエハＷに対して、ウエハＷの表面に付着する異物（パーティクル）の量を計測するための第１および第２チャンバ１０１，１０２を設けた点にある。また、処理部３に代えて、薬液処理部１０３、リンス処理部１０４および乾燥処理部１０５が設けられる。この基板処理装置２００では、この薬液処理部１０３、リンス処理部１０４および乾燥処理部１０５を用いて、ウエハＷに対して一連の洗浄処理が施される。
【００８９】
この基板処理装置２００では、第１チャンバ１０１において洗浄処理前のウエハＷの表面に付着するパーティクルの量を計測し、また、第２チャンバ１０１において洗浄処理後のウエハＷの表面に付着するパーティクルの量を計測する。これにより、洗浄処理の効果を確認することができる。
第１チャンバ１０１と第２チャンバ１０２とは、互いに隣り合わせに配置されている。第１チャンバ１０１と第２チャンバ１０２との間には、薬液処理部１０３、リンス処理部１０４および乾燥処理部１０５が、基板受渡路７に沿って、第１チャンバ１０１側からこの順で並べられている。
【００９０】
第１チャンバ１０１内には、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数（たとえば、４つ）の第１支持部材１０と、複数の第１支持部材１０に支持されるウエハＷの表面（上面）に付着しているパーティクルの量を計測するための第１パーティクル計測装置１０６とが収容されている。
第２チャンバ１０２内には、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数（たとえば、４つ）の第２支持部材２０と、複数の第２支持部材２０に支持されるウエハＷの表面（上面）に付着しているパーティクルの量を計測するための第２パーティクル計測装置１０７とが収容されている。
【００９１】
第１および第２パーティクル計測装置１０６，１０７は、ウエハＷの表面に存在する粒子状の異物であるパーティクルの大きさおよび個数を計測するための装置であり、ウエハＷ表面の所定領域におけるパーティクルの状態を、レーザ光の反射光に基づいて計測するものである。
パーティクル計測装置１０６，１０７として、他の種類のパーティクル計測装置（パーティクルカウンタ）を採用することもできる。この場合、ウエハＷの表面の全域におけるパーティクルを検出対象とすることにより、パーティクルの位置をも計測することもできる。
【００９２】
薬液処理部１０３は、基板受渡路７を通過中のウエハＷの上面（表面）に対して薬液処理を施すための第１薬液処理部１０３１と、基板受渡路７を通過中のウエハＷの下面（裏面）に対して薬液処理を施すための第２薬液処理部１０３２とを備え、図１および図２に示す処理部３と同様の構成を採用している。第１薬液処理部１０３１および第２薬液処理部１０３２は、基板受渡路７を挟んで配置されている。
【００９３】
第１薬液処理部１０３１は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第１スリット吐出口１０３３を有している。第２薬液処理部１０３２は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第２スリット吐出口１０３４を有している。第１スリット吐出口１０３３および第１薬液処理部１０３１の構成は、第１スリット吐出口３３（図３参照）および第１処理部３１と共通の構成であるので、その部分の説明は省略する。また、第２スリット吐出口１０３４および第２薬液処理部１０３２の構成は、第２スリット吐出口３５（図３参照）および第２処理部３２と共通の構成であるので、その部分の説明は省略する。
【００９４】
第１薬液処理部１０３１および第２薬液処理部１０３２には、薬液バルブ１１３を介して薬液供給源からの薬液が供給されるようになっている。ウエハＷが基板受渡路７を通過中に薬液バルブ１１３が開かれると、第１スリット吐出口１０３３からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）の薬液が下方に向けて吐出され、ウエハＷの上面（表面）にＹ方向に沿う直線状の薬液の供給位置が設定される。また、第２スリット吐出口１０３４からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）の薬液が上方に向けて吐出され、ウエハＷの下面（裏面）にＹ方向に沿う直線状の薬液の供給位置が設定される。
【００９５】
リンス処理部１０４は、基板受渡路７を通過中のウエハＷの上面（表面）に対してリンス処理を施すための第１リンス処理部１０４１と、基板受渡路７を通過中のウエハＷの下面（裏面）に対してリンス処理を施すための第２リンス処理部１０４２とを備え、図１および図２に示す処理部３と同様の構成を採用している。第１リンス処理部１０４１および第２リンス処理部１０４２は、基板受渡路７を挟んで配置されている。
【００９６】
第１リンス処理部１０４１は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第１スリット吐出口１０４３を有している。第２リンス処理部１０４２は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第２スリット吐出口１０４４を有している。第１スリット吐出口１０４３および第１リンス処理部１０４１の構成は、第１スリット吐出口３３（図３参照）および第１処理部３１と共通の構成であるので、その部分の説明は省略する。また、第２スリット吐出口１０４４および第２リンス処理部１０４２の構成は、第２スリット吐出口３５（図３参照）および第２処理部３２と共通の構成であるので、その部分の説明は省略する。
【００９７】
第１リンス処理部１０４１および第２リンス処理部１０４２には、ＤＩＷバルブ１１４を介してＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるようになっている。ウエハＷが基板受渡路７を通過中にＤＩＷバルブ１１４が開かれると、第１スリット吐出口１０４３からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）のＤＩＷが下方に向けて吐出され、ウエハＷの上面（表面）にＹ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置が設定される。また、第２スリット吐出口１０４４からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）のＤＩＷが上方に向けて吐出され、ウエハＷの下面（裏面）にＹ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置が設定される。
【００９８】
乾燥処理部１０５は、基板受渡路７を通過中のウエハＷの上面（表面）に対して乾燥処理を施すための第１乾燥処理部１０５１と、基板受渡路７を通過中のウエハＷの下面（裏面）に対して乾燥処理を施すための第２乾燥処理部１０５２とを備え、図１および図２に示す処理部３と同様の構成を採用している。第１乾燥処理部１０５１および第２乾燥処理部１０５２は、基板受渡路７を挟んで配置されている。
【００９９】
第１乾燥処理部１０５１は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第１スリット吐出口１０５３を有している。第２乾燥処理部１０５２は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第２スリット吐出口１０５４を有している。第１スリット吐出口１０５３および第１乾燥処理部１０５１の構成は、第１スリット吐出口３３（図３参照）および第１処理部３１と共通の構成であるので、その部分の説明は省略する。また、第２スリット吐出口１０５４および第２乾燥処理部１０５２の構成は、第２スリット吐出口３５（図３参照）および第２処理部３２と共通の構成であるので、その部分の説明は省略する。
【０１００】
第１乾燥処理部１０５１および第２乾燥処理部１０５２には、乾燥ガスバルブ１１５を介して乾燥ガス供給源からの乾燥ガスが供給されるようになっている。ウエハＷが基板受渡路７を通過中に乾燥ガスバルブ１１５が開かれると、第１スリット吐出口１０５３からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）の乾燥ガスが下方に向けて吐出され、ウエハＷの上面（表面）にＹ方向に沿う直線状の乾燥ガスの供給位置が設定される。また、第２スリット吐出口１０５４からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）の乾燥ガスが上方に向けて吐出され、ウエハＷの下面（裏面）にＹ方向に沿う直線状の乾燥ガスの供給位置が設定される。
【０１０１】
図１０は、基板処理装置２００の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置２００は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置１２０を備えている。この制御装置１２０には、第１Ｘ方向駆動機構５５、第２Ｘ方向駆動機構５７、第１シリンダ５６、第２シリンダ５８、第１パーティクル計測装置１０６、薬液バルブ１１３、ＤＩＷバルブ１１４、乾燥ガスバルブ１１５、第３Ｘ方向駆動機構６５、第４Ｘ方向駆動機構５７、第３シリンダ６６、第４シリンダ６８および第２パーティクル計測装置１０７などが制御対象として接続されている。
【０１０２】
図１１は、基板処理装置２００における処理の一例を示す工程図である。
処理対象のウエハＷは、搬送ロボット（図示しない）によって第１チャンバ１０１内に搬入され（ステップＳ１１）、４つの第１支持部材１０にウエハＷの表面を上方に向けて保持される。
ウエハＷが４つの第１支持部材１０に保持された後、制御装置１２０は、第１パーティクル計測装置１０６を制御して、第１パーティクル計測装置１０６がウエハＷの表面に付着しているパーティクルの大きさおよび個数を計測する。そして、計測されたパーティクルの大きさおよび個数が、第１パーティクル計測装置１０６の記憶部（図示しない）に記憶される。
【０１０３】
第１パーティクル計測装置１０６による計測後は、ウエハＷの表面に対して、一連の洗浄処理、すなわち薬液処理、リンス処理および乾燥処理が施される。ステップＳ１２のパーティクル計測後は、ウエハＷが第１チャンバ１０１から第２チャンバ１０２へと搬送される。この基板処理装置２００では、基板処理装置１００と同様、４つの第１支持部材１０から４つの第２支持部材２０にウエハＷが受け渡され（ステップＳ１３）、このウエハＷの受渡し動作によってウエハＷが第１チャンバ１０１から第２チャンバ１０２へと搬送される。そして、受渡し途中のウエハＷに対して一連の洗浄処理が施される。第１支持部材１０から第２支持部材２０へのウエハＷの受渡し動作は、図８Ａ〜図８Ｆの内容と共通しているので、説明を省略する。
【０１０４】
また、ウエハＷの受渡し動作に先立って、制御装置１２０は、薬液バルブ１１３、ＤＩＷバルブ１１４および乾燥ガスバルブ１１５を開く。これにより、第１スリット吐出口１０３３および第２スリット吐出口１０３４から薬液が吐出され、第１スリット吐出口１０４３および第２スリット吐出口１０４４からＤＩＷが吐出され、第１スリット吐出口１０５３および第２スリット吐出口１０５４から乾燥ガスが吐出される。また、第１シャッタ１７を駆動する駆動機構が制御されて、第１シャッタ１７が開かれるとともに、第２シャッタ２７を駆動する駆動機構が制御されて、第２シャッタ２７が開かれる。
【０１０５】
第１支持部材１０から第２支持部材２０へのウエハＷの受渡し動作時には、ウエハＷが基板受渡路７を移動する。そして、ウエハＷの上面（表面）には、第１チャンバ１０１側から順に、Ｙ方向に沿う直線状の薬液の供給位置、Ｙ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置、Ｙ方向に沿う直線状の乾燥ガスの供給位置が、それぞれ間隔を開けて形成される。
また、ウエハＷの下面（裏面）にも、第１チャンバ１０１側から順に、Ｙ方向に沿う直線状の薬液の供給位置、Ｙ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置、Ｙ方向に沿う直線状の乾燥ガスの供給位置が、それぞれ間隔を開けて形成される。直線状の薬液の供給位置と直線状のＤＩＷの供給位置との間の間隔は、たとえば１５ｍｍの大きさに設定されており、直線状のＤＩＷの供給位置と直線状の乾燥ガスの供給位置との間の間隔は、たとえば１５ｍｍの大きさに設定されている。
【０１０６】
ウエハＷの移動中は、ウエハＷの上面および下面における薬液の供給位置は、それぞれ基板移動方向であるＸ方向に直交してウエハＷの全幅（Ｘ方向に直交する水平な方向の最大幅）に及ぶ洗浄の形態を有している。また、ウエハＷの移動中は、ウエハＷの上面および下面における薬液の供給位置は、それぞれ基板移動方向であるＸ方向に直交してウエハＷの全幅（Ｘ方向に直交する水平な方向の最大幅）に及ぶ洗浄の形態を有している。さらに、ウエハＷの移動中は、ウエハＷの上面および下面における薬液の供給位置は、それぞれ基板移動方向であるＸ方向に直交してウエハＷの全幅（Ｘ方向に直交する水平な方向の最大幅）に及ぶ乾燥の形態を有している。
【０１０７】
したがって、ウエハＷがＸ方向に所定の速度で移動することにより、ウエハＷの上面および下面の全域は、直線状に吐出される薬液、直線状に吐出される供給位置、および直線状に吐出される乾燥ガスによって順次走査される。これにより、ウエハＷの各部において、薬液がまず供給され、その後所定の時間だけ遅れてＤＩＷが供給され、さらに所定の時間だけ遅れて乾燥ガスが供給されることになる。これにより、一連の処理を所期の順序で行わせることができる。
【０１０８】
そして、ウエハＷが第２チャンバ１０２に搬入され、ウエハＷが処理位置（図９に示す位置）まで移動すると、制御装置１２０は、薬液バルブ１１３、ＤＩＷバルブ１１４および乾燥ガスバルブ１１５を閉じる。これにより、第１スリット吐出口１０３３および第２スリット吐出口１０３４からの薬液の吐出が停止され、第１スリット吐出口１０４３および第２スリット吐出口１０４４からのＤＩＷの吐出が停止され、第１スリット吐出口１０５３および第２スリット吐出口１０５４からの乾燥ガスの吐出が停止される。また、第１シャッタ１７を駆動する駆動機構が制御されて、第１シャッタ１７が閉じられるとともに、第２シャッタ２７を駆動する駆動機構が制御されて、第２シャッタ２７が閉じられる。
【０１０９】
ウエハＷが４つの第２支持部材２０に保持された後、制御装置１２０は、第２パーティクル計測装置１０７を制御して、第２パーティクル計測装置１０７がウエハＷの表面に付着しているパーティクルの大きさおよび個数を計測する（ステップＳ１４）。そして、計測されたパーティクルの大きさおよび個数が、第２パーティクル計測装置１０７の記憶部（図示しない）に記憶される。
【０１１０】
第１パーティクル計測装置１０６による計測後は、搬送ロボット（図示しない）によってウエハＷが第２チャンバ１０２から搬出される（ステップＳ１５）。
図１２は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置３００の構成を図解的に示す断面図である。この第３実施形態において、図９〜図１１に示す実施形態（第２実施形態）に示された各部に対応する部分には、第２実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
【０１１１】
この図１２に示す基板処理装置３００は、ウエハＷに対して処理流体（薬液としてのエッチング液、ＤＩＷおよび乾燥ガスなど）を用いたエッチング処理を施すとともに、そのエッチング処理の効果を確認するための計測処理を行う枚葉型の装置である。
この基板処理装置３００が、第１実施形態に係る基板処理装置１００と相違する点は、第１および第２チャンバ１０１，１０２内に、パーティクル計測装置１０６，１０７に代えて、基板厚計測装置２０１，２０２を収容した点である。基板厚計測装置２０１，２０２は、ウエハＷの厚みを計測するものである。この基板厚計測装置２０１，２０２では、たとえば、非接触のレーザーセンサにより検出されたウエハＷの上下面の表面高さに基づいて、ウエハＷの厚みが算出されるようになっている。
【０１１２】
また、薬液処理部１０３の第１スリット吐出口１０３３および第２スリット吐出口１０３４からは、薬液としてエッチング液が吐出される。エッチング液としては、たとえばふっ酸硝酸混合液やふっ酸を例示することができる。
この基板処理装置３００では、第１チャンバ１０１においてエッチング処理前のウエハＷの厚みを計測し、また、第２チャンバ１０１においてエッチング処理後のウエハＷの厚みを計測する。これにより、エッチング処理の効果を確認することができる。
【０１１３】
図１３は、本発明の第４実施形態に係る基板処理装置４００の構成を図解的に示す断面図である。この第４実施形態において、図１〜図８に示す実施形態（第１実施形態）に示された各部に対応する部分には、第１実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この図１３に示す基板処理装置４００が、第１実施形態に係る基板処理装置１００と相違する点は、第１チャンバ１および第２チャンバ２内で、ウエハＷが鉛直姿勢に支持されることである。第１チャンバ１には、第１支持部材１０に代えて、ウエハＷの周縁部を支持してウエハＷをほぼ鉛直姿勢に支持するための複数（たとえば、４つ）の第１支持部材３１０が収容されている。また、第２チャンバ２には、第２支持部材２０に代えて、ウエハＷの周縁部を支持してウエハＷをほぼ鉛直姿勢に支持するための複数（たとえば、４つ）の第２支持部材３２０が収容されている。
【０１１４】
第１支持部材３１０は、図３に示す第１支持部材１０を、その中心軸線がＹ方向に沿う姿勢に配置した構成である。この第１支持部材３１０は、対応するシリンダ５６，５８の進出／没入動作により、鉛直方向（Ｚ方向）に沿って移動されるようになっている。
第２支持部材３２０は、第２支持部材２０を、その中心軸線がＹ方向に沿う姿勢に配置した構成である。この第２支持部材３２０は、対応するシリンダ６６，６８の進出／没入動作により、鉛直方向（Ｚ方向）に沿って移動されるようになっている。
【０１１５】
また、４つの第１支持部材３１０と４つの第２支持部材３２０とをＸ方向に移動させることにより、４つの第１支持部材３１０と４つの第２支持部材３２０との間で、基板受渡路７を介して、ウエハＷを縦向きの状態（鉛直姿勢）で受け渡すことができる。基板受渡路７は、鉛直方向（Ｚ方向に沿う方向)に沿って延びており、第１チャンバ１と第２チャンバ１との間、具体的には第１チャンバ１の第１開口１６と第２チャンバ２の第２開口２６との間に形成されている。
【０１１６】
また、この実施形態に係る処理部４０３が、第１実施形態の処理部３と相違する点は、基板受渡路７を縦向きの状態（鉛直姿勢）で通過中のウエハＷに対して、リンス処理を施す点である。具体的には、処理部４０３は、基板受渡路７を通過中のウエハＷの表面に対してリンス処理を施すための第１処理部４０３１と、基板受渡路７を通過中のウエハＷの裏面に対してリンス処理を施すための第２処理部（図示しない）とを備えている。第１処理部４０３１および第２処理部は、基板受渡路７を挟んで配置されている。
【０１１７】
この第２処理部は、第１処理部４０３１と基板受渡路７を挟んで反対側に配置されており、この点で図２に示す第２処理部３２と共通する。そのため、第２処理部の構成は省略する。
第１処理部４０３１は、基板受渡路７を縦向きの状態（鉛直姿勢）で受け渡されるウエハＷの表面に対向し、鉛直方向（Ｚ方向に沿う方向）に対して、鉛直上方（Ｚ方向）に向かうに従ってＸ方向と反対側に向かうように傾斜するスリット吐出口４０３３を有している。スリット吐出口４０３３の鉛直方向に対する傾斜角度は、たとえば、０°〜３０°である。
【０１１８】
縦向きで搬送されるウエハＷに対してＤＩＷが供給されると、ウエハＷの表面および／または裏面でＤＩＷが下向きに液垂れするおそれがある。そして、液垂れしたＤＩＷが、スリット吐出口４０３３から吐出されるＤＩＷよりも先に、処理前のウエハＷの表面および／または裏面に供給されると、ウエハＷにリンス処理の処理ムラが生じるおそれがある。
【０１１９】
これに対し、本実施形態では、スリット吐出口４０３３が、鉛直方向に対し、鉛直上方に向かうに従って基板移動方向であるＸ方向と反対側に向かうように傾斜しているので、ウエハＷの表面および裏面における各領域では、その鉛直方向に関連して下から順にＤＩＷが供給される。そのため、ウエハＷの各位置には、液垂れしたＤＩＷよりも先に、スリット吐出口４０３３からのＤＩＷが供給される。そのため、ウエハＷに対して所期の処理を施すことができる。
【０１２０】
図１４は、本発明の第５実施形態に係る基板処理装置５００の構成を図解的に示す断面図である。この第５実施形態において、図１３に示す実施形態（第４実施形態）に示された各部に対応する部分には、第４実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この図１４に示す基板処理装置５００が、第４実施形態の基板処理装置４００と相違する点は、処理部４０３に代えて、乾燥処理をウエハＷに施すための処理部５０３を設けたことにある。具体的には、処理部５０３は、基板受渡路７を通過中のウエハＷの表面に対して乾燥処理を施すための第１処理部５０３１と、基板受渡路７を通過中のウエハＷの裏面に対して乾燥処理を施すための第２処理部（図示しない）とを備えている。第１処理部５０３１および第２処理部は、基板受渡路７を挟んで配置されている。
【０１２１】
この第２処理部は、第１処理部５０３１と基板受渡路７を挟んで反対側に配置されており、この点で図２に示す第２処理部３２と共通する。そのため、第２処理部の構成は省略する。
第１処理部５０３１は、基板受渡路７を縦向きの状態（鉛直姿勢）で受け渡されるウエハＷの表面に対向し、鉛直方向（Ｚ方向に沿う方向）に対して、鉛直上方（Ｚ方向）に向かうに従ってＸ方向に向かうように傾斜するスリット吐出口５０３３を有している。スリット吐出口５０３３の鉛直方向に対する傾斜角度は、たとえば、０°〜３０°である。
【０１２２】
スリット吐出口５０３３が鉛直上方に向かうに従って、基板移動方向であるＸ方向に向かうように傾斜しているので、ウエハＷの表面および裏面における各領域では、鉛直方向に関連して上から順に乾燥ガスが供給される。また、ウエハＷの表面および／または裏面に処理液がある場合、その処理液は上方から下方に向けて流れる（液垂れ）。そのため、ウエハＷの表面および／または裏面の各位置で、液垂れの方向と乾燥ガスの供給方向とが同じ方向になる。そのため、乾燥ガスの供給により液垂れを抑制することができ、これにより、乾燥ムラを抑制することができる。
【０１２３】
以上、この発明の５つの実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、第４実施形態では、ＤＩＷを吐出する処理部４０３を例に挙げて説明したが、処理部が、処理液として薬液を吐出するものであってもよい。
また、前述の各実施形態では、処理部として２つの処理部を設ける構成を例に挙げて説明したが、ウエハＷの一方の主面だけに、処理液または処理ガスを供給する構成であってもよい。
【０１２４】
また、第１組の第１支持部材および第２組の第１支持部材として、それぞれ３つ以上の支持部材を設ける構成であってもよく、また、第３組の第２支持部材および第４組の第２支持部材として、それぞれ３つ以上の支持部材を設ける構成であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【０１２５】
１ 第１チャンバ
２ 第２チャンバ
３ 処理部
４ 周縁領域（周縁部）
５ 周縁領域（周縁部）
６ 周端面（周縁部）
７ 基板受渡路
１０ 第１支持部材
１０Ａ，１０Ｂ 第１組の第１基板支持部材
１０Ｃ，１０Ｄ 第２組の第１基板支持部材
２０ 第２支持部材
２０Ａ，２０Ｂ 第３組の第２基板支持部材
２０Ｃ，２０Ｄ 第４組の第２基板支持部材
３１ 第１処理部
３２ 第２処理部
３３ 第１スリット吐出口
３５ 第２スリット吐出口
５５ 第１Ｘ方向駆動機構（第１移動手段，第１開閉手段）
５６ 第１シリンダ（第１開閉手段）
５７ 第２Ｘ方向駆動機構（第１移動手段，第１開閉手段）
５８ 第２シリンダ（第１開閉手段）
６５ 第３Ｘ方向駆動機構（第２移動手段、第２開閉手段）
６６ 第３シリンダ（第１開閉手段）
６７ 第４Ｘ方向駆動機構（第２移動手段、第２開閉手段）
６８ 第４シリンダ（第１開閉手段）
７０ 制御装置（制御手段）
１００ 基板処理装置
１０１ 第１チャンバ
１０２ 第２チャンバ
１０３ 薬液処理部（処理部）
１０４ リンス処理部（処理部）
１０５ 乾燥処理部（処理部）
１２０ 制御装置（制御手段）
２００ 基板処理装置
３００ 基板処理装置
３１０ 第１支持部材
３２０ 第２支持部材
４００ 基板処理装置
４０３ 処理部
５００ 基板処理装置
５０３ 処理部
１０３１ 第１薬液処理部（第１処理部）
１０３２ 第２薬液処理部（第２処理部）
１０３３ 第１スリット吐出口
１０３４ 第２スリット吐出口
１０４１ 第１リンス処理部（第１処理部）
１０４２ 第２リンス処理部（第２処理部）
１０４３ 第１スリット吐出口
１０４４ 第２スリット吐出口
１０５１ 第１乾燥処理部（第１処理部）
１０５２ 第２乾燥処理部（第２処理部）
１０５３ 第１スリット吐出口
１０５４ 第２スリット吐出口
４０３１ 第１処理部
４０３３ スリット吐出口
５０３１ 第１処理部
５０３３ スリット吐出口
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理流体を用いた処理を施すための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
基板を一枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置は、たとえば、基板を水平姿勢で保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板に対して処理液（薬液またはリンス液）を供給する処理液ノズルとを備えている。このような基板処理装置を用いた基板処理工程は、たとえば、薬液処理工程、リンス工程および乾燥工程を含む。薬液処理工程では、スピンチャックに保持された基板に薬液が供給される。この薬液は、回転する基板上で遠心力を受けて基板表面の全域に広がる。リンス処理工程では、スピンチャックに保持された基板にリンス液が供給される。このリンス液は回転する基板上で遠心力を受けて基板表面の全域に広がる。これにより、基板表面の薬液がリンス液に置換される。乾燥工程では、スピンチャックが高速回転されることにより、回転する基板表面のリンス液が遠心力によって振り切られる。
【０００３】
スピンチャックとして、複数のチャックピンで基板を挟持するメカニカルチャックが知られている。メカニカルチャックは、基板の周端面にチャックピンが点接触する構成である。チャックピンは、基板の回転による遠心力を、基板の周端面とチャックピンとの接触点で受ける構成であるので、その接触点に大きな応力が集中する。そのため、基板の高速回転に耐えることができるような強度を有する素材がチャックピンの材料として用いられている。そのため、チャックピンがコスト高となる難点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−６６１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本願発明者らは、基板を高速回転させることなく、基板に対して処理液（処理流体）を用いた処理を施すことを検討している。そして、基板処理装置が複数のチャンバ（第１チャンバおよび第２チャンバ）を含む構成である場合、第１チャンバから第２チャンバに搬送中の基板に対して処理液を用いた処理を施すことを検討している。第１チャンバから第２チャンバへの基板の搬送は、たとえば搬送ロボットを用いて行われる。搬送ロボットは、アームと、アームの先端に取り付けられたハンドとを備えている。基板は、ハンドに保持された状態で搬送される。
【０００６】
しかしながら、ハンドで基板を保持した状態で処理液供給ノズルから基板に処理液を供給しようとする場合、処理液供給ノズルとハンドとの干渉を避ける必要があるため、基板に処理液供給ノズルを近接して配置することが困難であり、基板面内における処理液の供給および温度にばらつきが生じ、均一に処理ができないおそれがある。そのため、複数のチャンバ間における基板の搬送を、搬送ロボットを用いることなく行うことが望まれている。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、搬送ロボットを用いることなく第１チャンバから第２チャンバに基板を搬送させることができ、かつその搬送中の基板に処理流体を用いた処理を施すことができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の周縁部（４，５，６）を支持するための複数の第１支持部材（１０；３１０）を収容し、前記複数の第１支持部材に支持された基板に対して所定の処理を施す第１チャンバ（１；１０１）と、前記第１支持部材を、前記基板の表面に沿う基板移動方向（Ｘ方向）に移動させる第１移動手段（５５，５７）と、前記第１支持部材を、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉する第１開閉手段（５５，５６，５７，５８）と、所定の基板受渡路（７）を介して前記第１チャンバと隣り合わせに配置されて、基板の周縁部を支持するための複数の第２支持部材（２０；３２０）を収容し、前記複数の第２支持部材に支持された基板に対して所定の処理を施す第２チャンバ（２；１０２）と、前記基板移動方向に前記第２支持部材を移動させる第２移動手段（６５，６７）と、前記第２支持部材を、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉する第２開閉手段（６５，６６，６７，６８）と、前記第１支持部材に支持された基板が前記基板受渡路を通って前記第２支持部材に受け渡されるように、前記第１移動手段、前記第２移動手段、前記第１開閉手段および前記第２開閉手段を制御する制御手段（７０；１２０）と、前記基板受渡路を通過中の前記基板に対して処理流体を用いた処理を施す処理部（３；１０３，１０４，１０５；４０３；５０３）とを含む、基板処理装置（１００；２００；３００；４００；５００）である。
【０００９】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。以下、この項において同じ。
この構成によれば、第１支持部材が、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉される。また、この第１支持部材は、基板移動方向に移動される。
【００１０】
また、複数の第２支持部材が、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉される。また、この第２支持部材は、基板移動方向に移動される。
そして、第１支持部材および／または第２支持部材がそれぞれ基板を支持しつつ基板移動方向に移動する動作と、第１支持部材および第２支持部材がそれぞれ当接状態と退避状態との間で開閉する動作との組合わせにより、複数の第１支持部材から複数の第２支持部材に基板が受け渡される。
【００１１】
この基板の受渡しでは、第１チャンバと第２チャンバとの間に設けられた基板受渡路を基板が通過する。そして、基板受渡路を通過中の基板に対し、処理部によって、処理流体を用いた処理が施される。そのため、基板ロボットを別に用いることなく、第１チャンバから第２チャンバに基板を搬送することができる。そして、搬送されている基板に処理流体を用いた処理を施すことができる。
【００１２】
請求項２記載の発明は、前記複数の第１支持部材は、それぞれ複数の第１支持部材からなる第１組（１０Ａ，１０Ｂ）と第２組（１０Ｃ，１０Ｄ）とを含み、前記複数の第２支持部材は、それぞれ複数の第２支持部材からなる第３組（２０Ａ，２０Ｂ）と第４組（２０Ｃ，２０Ｄ）とを含み、前記第１移動手段が、前記第１組の第１支持部材と、前記第２組の第１支持部材とを独立して前記基板移動方向に移動させるものであり、前記第１開閉手段が、前記第１組の第１支持部材と、前記第２組の第１支持部材とを独立して開閉させるものであり、前記制御手段が、前記第１組の第１支持部材と前記第２組の第１支持部材とで基板を支持させつつ前記第１および第２組の第１支持部材を移動させる工程、前記第１組の第１支持部材、前記第２組の第１支持部材および前記第３組の第２支持部材で基板を支持させた後、前記第２組の第１支持部材を移動させて基板から離脱させる工程、前記第１組の第１支持部材と前記第３組の第２支持部材とで基板を支持させつつ前記第１の第１支持部材および第３組の第２支持部材を移動させる工程、ならびに前記第１組の第１支持部材、前記第３組の第２支持部材および前記第４組の第２支持部材で基板を支持させた後、前記第１組の第１支持部材を移動させて基板から離脱させる工程を実行する、請求項１記載の基板処理装置である。
【００１３】
この構成によれば、第１組の第１支持部材と第２組の第１支持部材とで基板を支持させつつ、第１および第２組の第１支持部材を移動させる。これにより、基板を基板移動方向に移動させることができる。
次いで、第２組の第１支持部材を基板の周縁部に当接させ、第１組の第１支持部材、第２組の第１支持部材および第３組の第２支持部材で基板を支持させた後、第２組の第１支持部材を移動させて基板から離脱させる。そのため、第１組の第１支持部材と第３組の第２支持部材とで基板が支持されるようになる。
【００１４】
次いで、第１組の第１支持部材と第３組の第２支持部材とで基板を支持させつつ第１組の第１支持部材および第３組の第２支持部材を移動させる。これにより、基板を基板移動方向に移動させることができる。
次いで、第４組の第２支持部材を基板の周縁部に当接させ、第１組の第１支持部材、第３組の第２支持部材および第４組の第２支持部材で基板を支持させた後、第１組の第１支持部材を移動させて基板から離脱させる。これにより、基板が複数の第２支持部材に受け渡される。
【００１５】
それゆえ、第１支持部材から第２支持部材への受渡しを、比較的簡単な構成で実現することができる。
請求項３記載の発明は、前記処理部が、前記基板移動方向に直交する方向に沿って直線状に開口し、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出するスリット吐出口（３３，３５；１０３３，１０３４，１０４３，１０４４，１０５３，１０５４；４０３３；５０３３）を含む、請求項１または２記載の基板処理装置である。
【００１６】
この構成によれば、スリット吐出口から吐出された処理流体が、基板受渡路を通過中の基板の主面に供給される。この基板の主面における処理流体の供給位置は、基板移動方向に直交する方向に延びる直線状である。そのため、基板移動方向に移動する基板が、直線状に吐出される処理流体によって走査される。これにより、基板の広範囲に、処理流体による処理を施すことができる。
【００１７】
請求項４記載の発明は、前記処理部が、前記基板受渡路を挟んで設けられた第１処理部（３１，１０３１，１０４１，１０５１；４０３１；５０３１）および第２処理部（３２，１０３２，１０４２，１０５２）を含み、前記第１処理部が、前記基板の一方の主面に対向するように配置され、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出する吐出口（３３，１０３３，１０４３，１０５３；４０３３；５０３３）を有し、前記第２処理部が、前記基板の他方の主面に対向するように配置され、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出する吐出口（３４，１０３４，１０４４，１０５４）を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００１８】
この構成によれば、基板受渡路を通過中の基板の一方の主面に、第１処理部の吐出口からの処理流体が吐出され、また、基板の他方の主面に、第２処理部の吐出口からの処理流体が吐出される。これにより、基板の両方の主面に対して、基板受渡路を通過中に、処理流体による処理を施すことができる。
請求項５記載の発明は、前記処理部は、前記基板受渡路に沿って並べられた複数の吐出口（１０３３，１０４３，１０５３，１０３４，１０４４，１０５４）を有しており、前記複数の吐出口は、それぞれ、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて、互いに異なる種類の処理流体を吐出する、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置である。
【００１９】
この構成によれば、基板受渡路に沿って並べられた複数の吐出口から吐出された複数種類の処理流体が、基板受渡路を通過中の基板の主面に供給される。たとえば、基板の主面上における前記複数の処理流体の供給位置は、基板移動方向に沿って間隔を開けて設定される。この場合、基板の移動に伴って、基板の各部は、各種類の処理流体によって順次走査される。そのため、基板の各部において、複数の処理流体が所定の順序で供給される。これにより、種類種の複数の処理流体を用いた一連の処理を、順に行わせることができる。
【００２０】
請求項６に記載のように、前記第１支持部材が、基板を鉛直方向に沿う姿勢に支持する第１鉛直姿勢支持部材を含み、前記第２支持部材が、基板を鉛直方向に沿う姿勢に支持する第２鉛直姿勢支持部材を含むものであってもよい。
請求項７に記載のように、前記第１チャンバおよび前記第２チャンバが、基板に対して処理流体を用いた処理を施すものであってもよい。
【００２１】
また、請求項８に記載のように、前記第１チャンバおよび前記第２チャンバが、基板に関連して所定の計測処理を施すものであってもよい。
この場合、前記第１チャンバおよび前記第２チャンバが、基板の表面（一方の主面）に付着する異物（パーティクル）の状態（大きさおよび／または量（個数））を計測するための処理を施すものであってもよい。この場合、処理部が処理流体を用いて基板に洗浄処理を施すものであれば、第１チャンバでは、その洗浄前に係る基板の表面に付着する異物の状態を計測し、また、第２チャンバでは、その洗浄後に係る基板の表面に付着する異物の状態を計測することもできる。これにより、洗浄処理の前後における異物の状態を比較して、洗浄処理の効果を確認することができる。
【００２２】
また、前記第１チャンバおよび前記第２チャンバが、基板の厚み（基板自体の厚みまたは基板の表面に形成された薄膜の厚み）を計測するための処理を施すものであってもよい。この場合、処理部がエッチング液を用いて基板にエッチング処理を施すものであれば、第１チャンバでは、そのエッチング処理前に係る基板の厚みを計測し、また、第２チャンバでは、そのエッチング処理後に係る基板の厚みを計測することもできる。これにより、エッチング処理の前後における基板の厚みを比較して、エッチング処理の効果を確認することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図２】図１に示す処理部の構成を図解的に示す図である。
【図３】図１に示す第１支持部材の構成を説明する側面図である。
【図４】図１に示す第１支持部材を駆動させるための機構を図解的に示す平面図である。
【図５】図１に示す第２支持部材を駆動させるための機構を図解的に示す平面図である。
【図６】図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図７】図１に示す基板処理装置における処理の一例を示す工程図である。
【図８Ａ】第１支持部材から第２支持部材への基板受渡し動作を説明するための横断面図である（その１）。
【図８Ｂ】第１支持部材から第２支持部材への基板受渡し動作を説明するための横断面図である（その２）。
【図８Ｃ】第１支持部材から第２支持部材への基板受渡し動作を説明するための横断面図である（その３）。
【図８Ｄ】第１支持部材から第２支持部材への基板受渡し動作を説明するための横断面図である（その４）。
【図８Ｅ】第１支持部材から第２支持部材への基板受渡し動作を説明するための横断面図である（その５）。
【図８Ｆ】第１支持部材から第２支持部材への基板受渡し動作を説明するための横断面図である（その６）。
【図９】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図１０】図９に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図１１】図９に示す基板処理装置における処理の一例を示す工程図である。
【図１２】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【図１４】本発明の第５実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る基板処理装置１００の構成を模式的に示す断面図である。
基板処理装置１００は、基板の一例としての半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）に対して処理流体（薬液、ＤＩＷ（deionized water：脱イオン化された純水）および乾燥ガスなど）を用いた洗浄処理（たとえば、パーティクル除去処理）を施すための枚葉型の装置である。基板処理装置１００は、側壁１Ａにより取り囲まれた第１チャンバ１と、この第１チャンバ１に対して所定のＸ方向（後述する）側に隣り合わせに配置され、側壁２Ａにより取り囲まれた第２チャンバ２と、第１チャンバ１と第２チャンバ２との間に設けられた処理部３とを備えている。第１チャンバ１では、ウエハＷに対して薬液を用いた薬液処理が施される。処理部３では、第１チャンバ１における薬液処理によってウエハＷに付着した薬液を、ＤＩＷによって洗い流すリンス処理が施される。第２チャンバ２では、リンス処理後のウエハＷに対して乾燥ガスを用いた乾燥処理が施される。
【００２５】
第１チャンバ１内には、ウエハＷの周縁部を支持して、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数（たとえば、４つ）の第１支持部材１０（図１では、第１支持部材１０を３つのみ図示）と、複数の第１支持部材１０に支持されるウエハＷの上面に薬液を供給するための第１スリットノズル１１とが収容されている。
なお、ウエハＷの周縁部とは、ウエハＷの表面の周縁領域４（図３参照）、ウエハＷの裏面の周縁領域５（図３参照）および周端面６（図３参照）を含む部分をいう。また、周縁領域４，５とは、たとえば、ウエハＷの周端縁から幅１〜４ｍｍの環状領域をいう。
【００２６】
第１スリットノズル１１には、複数の第１支持部材１０に支持されるウエハＷの上面に対向し、所定の一方向（たとえば、図１に示す紙面に直交する方向）に沿う直線状に開口する第１吐出口１２が形成されている。第１吐出口１２の長手方向の長さは、ウエハＷの直径よりも大きく設定されている。第１スリットノズル１１には、第１吐出口１２に連通する薬液供給管１３が接続されている。薬液供給管１３には、薬液供給源からの薬液が供給されるようになっており、その途中部には、第１スリットノズル１１への薬液の供給および供給停止を切り換えるための薬液バルブ１４が介装されている。薬液バルブ１４が開かれると、第１吐出口１２は、その長手方向に沿うカーテン状（帯状）に薬液を吐出する。
【００２７】
第１スリットノズル１１は、保持レール（図示しない）によって、第１吐出口１２に直交する水平方向に沿って（ウエハＷの表面に沿って）往復移動可能に保持されている。すなわち、第１スリットノズル１１には、第１ノズル移動機構１５が結合されている。この第１ノズル移動機構１５の駆動力によって、第１スリットノズル１１を、第１吐出口１２に直交する水平方向に沿って往復移動させることができるようになっている。
【００２８】
第１チャンバ１の側壁１Ａにおける第２チャンバ２と対向する部分には、搬入および搬出するための第１開口１６が形成されている。第１開口１６に関連して、第１チャンバ１には、第１開口１６を開閉するための第１シャッタ１７が設けられている。
ウエハＷに対して処理を施す際は、ウエハＷは所定の処理位置（図１に示すウエハＷの位置）に配置される。第１支持部材１０には、Ｘ方向駆動機構５５，５７（後述する。図４参照）が結合されている。このＸ方向駆動機構５５，５７の駆動力により、ウエハＷは、処理位置から所定の基板移動方向（以下、「Ｘ方向」という）に移動される。
【００２９】
第２チャンバ２内には、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数（たとえば、４つ）の第２支持部材２０（図１では、第２支持部材２０を３つのみ図示）と、複数の第２支持部材２０に支持されるウエハＷの上面に乾燥ガスを供給するための第２スリットノズル２１とが収容されている。
第２スリットノズル２１には、複数の第２支持部材２０に支持されるウエハＷの上面に対向し、所定の一方向（たとえば、図１に示す紙面に直交する方向）に沿う直線状に開口する第２吐出口２２が形成されている。第２吐出口２２の長手方向の長さは、ウエハＷの直径よりも大きく設定されている。第２スリットノズル２１には、第２吐出口２２に連通する乾燥ガス供給管２３が接続されている。乾燥ガス供給管２３には、乾燥ガス供給源からの乾燥ガスが供給されるようになっており、その途中部には、第２スリットノズル２１への乾燥ガスの供給および供給停止を切り換えるための乾燥ガスバルブ２４が介装されている。乾燥ガスバルブ２４が開かれると、第２吐出口２２は、その長手方向に沿うカーテン状（帯状）に乾燥ガスを吐出する。
【００３０】
第２スリットノズル２１は、保持レール（図示しない）によって、第２吐出口２２に直交する水平方向に沿って（ウエハＷの表面に沿って）往復移動可能に保持されている。すなわち、第２スリットノズル２１には、第２ノズル移動機構２５が結合されている。この第２ノズル移動機構２５の駆動力によって、第２スリットノズル２１を、第２吐出口２２に直交する水平方向に沿って往復移動させることができるようになっている。
【００３１】
第２チャンバ２の側壁２Ａにおける第１チャンバ１と対向する部分には、搬入および搬出するための第２開口２６が形成されている。第２開口２６に関連して、第２チャンバ２には、第２開口２６を開閉するための第２シャッタ２７が設けられている。
ウエハＷに対して処理を施す際は、ウエハＷは所定の処理位置（図１に示すウエハＷの位置）に配置される。第２支持部材２０には、Ｘ方向移動部材６５，６７（後述する。図５参照）が結合されている。このＸ方向駆動機構６５，６７の駆動力により、ウエハＷは処理位置までＸ方向に移動される。
【００３２】
複数の第１支持部材１０と複数の第２支持部材２０との間で、基板受渡路７を介してウエハＷを受け渡すことができる。ウエハＷの受渡しは、ウエハＷを水平姿勢に保ちながら行われる。基板受渡路７は、Ｘ方向に沿う水平方向に沿って延びており、第１チャンバ１と第２チャンバ２との間、具体的には第１チャンバ１の第１開口１６と第２チャンバ２の第２開口２６との間に形成されている。基板受渡路７のＸ方向の長さはウエハＷの直径の１／２程度である。
【００３３】
図２は、処理部３の構成を図解的に示す図である。
処理部３は、基板受渡路７を通過中のウエハＷの上面（表面）に対してリンス処理を施すための第１処理部３１と、基板受渡路７を通過中のウエハＷの下面（裏面）に対してリンス処理を施すための第２処理部３２とを備えている。第１処理部３１および第２処理部３２は、基板受渡路７を挟んで配置されている。
【００３４】
第１処理部３１は、基板受渡路７の上方に配置されている。この第１処理部３１は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向（Ｘ方向に直交する水平方向の一方）に沿う直線状に開口する第１スリット吐出口３３を有している。第１処理部３１は、Ｙ方向に長い直方体状の外形を有した第１本体３４を備えている。第１本体３４は、水平な下面を有している。第１スリット吐出口３３は、第１本体３４の下面に形成されている。第１スリット吐出口３３の長手方向（Ｙ方向）の長さは、ウエハＷの直径よりも大きく設定されている。
【００３５】
第２処理部３２は、基板受渡路７の下方に配置されている。この第２処理部３２は、第１本体３４の下面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第２スリット吐出口３５を有している。そのため、第２スリット吐出口３５は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの下面に対向する。第２処理部３２は、Ｙ方向に長い直方体状の外形を有した第２本体３６を備えている。第２本体３６は、水平な上面を有している。第２スリット吐出口３５は、第２本体３６の上面に形成されている。第２スリット吐出口３５の長手方向（Ｙ方向）の長さは、ウエハＷの直径よりも大きく設定されている。
【００３６】
第１処理部３１の下面（第１スリット吐出口３３）と第２処理部３２の上面（第２スリット吐出口３５）との間の間隔は、たとえば３ｍｍ程度に設定されている。そして、基板受渡路７を通過中のウエハＷの上面と第１処理部３１の下面（第１スリット吐出口３３）との間の間隔は、たとえば１ｍｍ程度に設定されている。また、基板受渡路７を通過中のウエハＷの下面と第２処理部３２の上面（第２スリット吐出口３５）との間の間隔は、たとえば１ｍｍ程度に設定されている。
【００３７】
第１処理部３１には、第１スリット吐出口３３に連通する第１ＤＩＷ供給管３７が接続されている。第２処理部３２には、第２スリット吐出口３５に連通する第２ＤＩＷ供給管３８が接続されている。第１ＤＩＷ供給管３７および第２ＤＩＷ供給管３８には、ＤＩＷバルブ３９を介して、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるようになっている。ウエハＷが基板受渡路７を通過中にＤＩＷバルブ３９が開かれると、第１スリット吐出口３３からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）のＤＩＷが下方に向けて吐出される。ウエハＷの上面（表面）に、Ｙ方向に沿うＤＩＷの直線状の供給位置が設定される。
【００３８】
また、第２スリット吐出口３５からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）のＤＩＷが上方に向けて吐出され、ウエハＷの下面（裏面）にＹ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置が設定される。
図３は、第１支持部材１０の構成を説明する側面図である。
複数の第１支持部材１０は、互いに共通な構成を備えている。各第１支持部材１０は、ベース４４と、ベース４４上に配置された支持部４０とを備えている。
【００３９】
支持部４０は、たとえば、ＰＣＴＦＥ（Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene）などの材料を用いて形成されている。この支持部４０は、ウエハＷの上面（表面）の周縁領域４および周端面６と当接可能な第１部分４１と、ウエハＷの周端面６と当接可能な第２部分４２と、ウエハＷの下面（裏面）の周縁領域５および周端面６と当接可能な第３部分４３とを上下方向（Ｚ方向に沿う方向）に一体的に備え、略鼓状に形成されている。
【００４０】
第１部分４１は、下方に向かうに従って狭まる円錐台状をなしている。第１部分４１の側面は、その中心軸線に対してたとえば４５°の傾斜角度を有して、下方ほどその中心軸線に近づくように傾斜している。この第１部分４１において、側面がウエハＷの表面の周縁領域４および周端面６に当接可能である。
第２部分４２は、鉛直軸線からなる中心軸線を有する円柱状をなしている。第２部分４２の周面は、上端縁が第１部分４１の側面の下端縁に連続している。この第２部分４２の側面がウエハＷの周端面６に当接可能である。
【００４１】
第３部分４３は、下方に向かうに従って広がる円錐台状をなしている。第３部分４３の側面は、その中心軸線に対してたとえば４５°の傾斜角度を有して、上方ほどその中心軸線に近づくように傾斜している。第３部分４３の側面は、上端縁が第２部分４２の周面の下端縁に連続している。この第３部分４３において、側面がウエハＷの裏面の周縁領域５および周端面６に当接可能である。
【００４２】
ベース４４は、所定高さを有する角柱によって構成されている。このベース４４は、支持部４０の第３部分４３の下面に固定されており、支持部４０を下方から支持している。各第１支持部材１０のべース４４には、第１スライド部材５３または第２スライド部材５４に軸支されたロッド１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ，１９Ｄが連結されている。
ウエハＷの支持状態では、第１部分４１の側面、第２部分４２の周面および第３部分４３の側面のいずれかが、ウエハＷの周縁部に当接している（図３に示す状態では、第２部分４２の周面がウエハＷの周端面６に当接している）。
【００４３】
第２支持部材２０は、第１支持部材１０と共通の構成である。そのため、第２支持部材１０の各部の説明は省略する。第２支持部材１０のべース４４には、第３スライド部材６３または第４スライド部材６４に軸支されたロッド２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄが連結されている。
図４は、第１支持部材１０を駆動させるための機構を図解的に示す平面図である。以下、複数の第１支持部材１０として、２つの第１支持部材からなる第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂと、２つの第１支持部材からなる第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄとが設けられている場合を例に挙げて説明する。また、第１支持部材１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを総称するときは第１支持部材１０という。
【００４４】
第１チャンバ１内には、Ｘ方向に沿って延びる２本のレール（第１レール５１，第２レール５２）が配設されている。この２本のレール５１，５２は、ほぼ同じ高さ位置で、かつ互いに近接して配置されている。第１レール５１には、第１スライド部材５３が、Ｘ方向に沿って移動可能に取り付けられている。第１スライド部材５３は、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂを支持している。第２レール５２には、第２スライド部材５４が、Ｘ方向に沿って移動可能に取り付けられている。第２スライド部材５４は、第２組の第２支持部材１０Ｃ，１０Ｄを支持している。第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂを支持する／駆動させるための構成を、図４に実線で示し、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄを支持する／駆動させるための構成を、図４に太線で示す。
【００４５】
第１スライド部材５３は、Ｙ方向に長尺な筒状のハウジングを備えている。この第１スライド部材５３には、第１スライド部材５３をＸ方向に沿って移動させるためのモータ等の第１Ｘ方向駆動機構５５が結合されている。
第１スライド部材５３のハウジング内には、第１支持部材１０Ａのロッド１９Ａおよび第１支持部材１０Ｂのロッド１９Ｂが挿入されている。第１スライド部材５３のハウジングの一端部（図４で示す上端部）には、第１支持部材１０Ａのロッド１９Ａがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。第１スライド部材５３のハウジングの他端部（図４で示す下端部）には、第１支持部材１０Ｂのロッド１９Ｂがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。
【００４６】
第１スライド部材５３のハウジング内には、第１シリンダ５６が収容されている（なお、図４では、図示の関係上、第１シリンダ５６をハウジング外に示している）。第１シリンダ５６は、シリンダ本体（図示しない）と、このシリンダ本体に対して進出／没入可能なシリンダロッド（図示しない）とを備えている。第１シリンダ５６のシリンダロッドは、それぞれ、リンク機構（図示しない）を介して第１支持部材１０Ａのロッド１９Ａおよび第１支持部材１０Ｂのロッド１９Ｂの双方に接続されている。
【００４７】
そして、第１シリンダ５６のシリンダロッドがシリンダ本体に対して進出すると、これに伴って、第１支持部材１０Ａのロッド１９Ａおよび第１支持部材１０Ｂのロッド１９Ｂが、それぞれ第１スライド部材５３のハウジングに対して進出し、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂは、互いに離反する方向（Ｙ方向）に移動する。
また、第１シリンダ５６のシリンダロッドがシリンダ本体に対して没入すると、これに伴って、第１支持部材１０Ａのロッド１９Ａおよび第１支持部材１０Ｂのロッド１９Ｂが、それぞれ第１スライド部材５３のハウジングに対して没入し、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂは、互いに接近する方向（Ｙ方向）に移動する。
【００４８】
第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂは、第１Ｘ方向駆動機構５５の駆動により、Ｘ方向に沿って一括して移動される。また、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂは、第１シリンダ５６の駆動により、互いに接近する方向／互いに離反する方向にＹ方向に沿って一括して移動される。
そして、第１Ｘ方向駆動機構５５および／または第１シリンダ５６の駆動により、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂを、ウエハＷの周縁部に当接する当接状態と、ウエハＷの周縁部から退避する退避状態との間で開閉することができる。
【００４９】
第２スライド部材５４は、Ｙ方向に長尺な筒状のハウジングを備えている。この第２スライド部材５４には、第２スライド部材５４をＸ方向に沿って移動させるためのモータ等の第２Ｘ方向駆動機構５７が結合されている。
第２スライド部材５４のハウジング内には、第１支持部材１０Ｃのロッド１９Ｃおよび第１支持部材１０Ｄのロッド１９Ｄが挿入されている。第２スライド部材５４のハウジングの一端部（図４で示す上端部）には、第１支持部材１０Ｃのロッド１９Ｃがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。第２スライド部材５４のハウジングの他端部（図４で示す下端部）には、第１支持部材１０Ｄのロッド１９Ｄがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。
【００５０】
第２スライド部材５４のハウジング内には、第２シリンダ５８が収容されている（なお、図４では、図示の関係上、第２シリンダ５８をハウジング外に示している）。第２シリンダ５８は、シリンダ本体（図示しない）と、このシリンダ本体に対して進出／没入可能なシリンダロッド（図示しない）とを備えている。第２シリンダ５８のシリンダロッドは、それぞれ、リンク機構（図示しない）を介して第１支持部材１０Ｃのロッド１９Ｃおよび第１支持部材１０Ｄのロッド１９Ｄの双方に接続されている。
【００５１】
そして、第２シリンダ５８のシリンダロッドがシリンダ本体に対して進出すると、これに伴って、第１支持部材１０Ｃのロッド１９Ｃおよび第１支持部材１０Ｄのロッド１９Ｄが、それぞれ第２スライド部材５４のハウジングに対して進出し、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄは、互いに離反する方向（Ｙ方向）に移動する。
また、第２シリンダ５８のシリンダロッドがシリンダ本体に対して没入すると、これに伴って、第１支持部材１０Ｃのロッド１９Ｃおよび第１支持部材１０Ｄのロッド１９Ｄが、それぞれ第２スライド部材５４のハウジングに対して没入し、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄは、互いに接近する方向（Ｙ方向）に移動する。
【００５２】
第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄは、第２Ｘ方向駆動機構５７の駆動により、Ｘ方向に沿って一括して移動され、また、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄは、第２シリンダ５８の駆動により、互いに接近する方向／互いに離反する方向にＹ方向に沿って一括して移動される。
そして、第２Ｘ方向駆動機構５７および／または第２シリンダ５８の駆動により、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄを、ウエハＷの周縁部に当接する当接状態と、ウエハＷの周縁部から退避する退避状態との間で開閉することができる。
【００５３】
これにより、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂと第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄとを独立して、Ｘ方向に沿って移動させることができ、また、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂと第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄとを独立して開閉させることができる。
図５は、第２支持部材２０を駆動させるための機構を図解的に示す平面図である。以下、複数の第２支持部材２０として、２つの第２支持部材からなる第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂと、２つの第２支持部材からなる第２組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄとが設けられている場合を例に挙げて説明する。また、第２支持部材２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄを総称するときは第２支持部材２０という。
【００５４】
第２チャンバ２内には、Ｘ方向に沿って延びる２本のレール（第３レール６１，第４レール６２）が配設されている。この２本のレール６１，６２は、ほぼ同じ高さ位置で、かつ互いに近接して配置されている。第３レール６１には、第３スライド部材６３が、Ｘ方向に沿って移動可能に取り付けられている。第３スライド部材６３は、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂを支持している。第４レール６２には、第４スライド部材６４が、Ｘ方向に沿って移動可能に取り付けられている。第４スライド部材６４は、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄを支持している。第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂを支持する／駆動させるための構成を、図５に実線で示し、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄを支持する／駆動させるための構成を、図５に太線で示す。
【００５５】
第３スライド部材６３は、Ｙ方向に長尺な筒状のハウジングを備えている。この第３スライド部材６３には、第３スライド部材６３をＸ方向に沿って移動させるためのモータ等の第３Ｘ方向駆動機構６５が結合されている。
第３スライド部材６３のハウジング内には、第２支持部材２０Ａのロッド２９Ａおよび第２支持部材２０Ｂのロッド２９Ｂが挿入されている。第３スライド部材６３のハウジングの一端部（図５で示す上端部）には、第２支持部材２０Ａのロッド２９Ａがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。第３スライド部材６３のハウジングの他端部（図５で示す下端部）には、第２支持部材２０Ｂのロッド２９Ｂがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。
【００５６】
第３スライド部材６３のハウジング内には、第３シリンダ６６が収容されている（なお、図５では、図示の関係上、第３シリンダ６６をハウジング外に示している）。第３シリンダ６６は、シリンダ本体（図示しない）と、このシリンダ本体に対して進出／没入可能なシリンダロッド（図示しない）とを備えている。第３シリンダ６６のシリンダロッドは、それぞれ、リンク機構（図示しない）を介して第２支持部材２０Ａのロッド２９Ａおよび第２支持部材２０Ｂのロッド２９Ｂの双方に接続されている。
【００５７】
そして、第３シリンダ６６のシリンダロッドがシリンダ本体に対して進出すると、これに伴って、第２支持部材２０Ａのロッド２９Ａおよび第２支持部材２０Ｂのロッド２９Ｂが、それぞれ第３スライド部材６３のハウジングに対して進出し、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂは、互いに離反する方向（Ｙ方向）に移動する。
また、第３シリンダ６６のシリンダロッドがシリンダ本体に対して没入すると、これに伴って、第２支持部材２０Ａのロッド２９Ａおよび第２支持部材２０Ｂのロッド２９Ｂが、それぞれ第３スライド部材６３のハウジングに対して没入し、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂは、互いに接近する方向（Ｙ方向）に移動する。
【００５８】
第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂは、第３Ｘ方向駆動機構６５の駆動により、Ｘ方向に沿って一括して移動され、また、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂは、第３シリンダ６６の駆動により、互いに接近する方向／互いに離反する方向にＹ方向に沿って一括して移動される。
そして、第３Ｘ方向駆動機構６５および／または第３シリンダ６６の駆動により、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂを、ウエハＷの周縁部に当接する当接状態と、ウエハＷの周縁部から退避する退避状態との間で開閉することができる。
【００５９】
第４スライド部材６４は、Ｙ方向に長尺な筒状のハウジングを備えている。この第４スライド部材６４には、第４スライド部材６４をＸ方向に沿って移動させるためのモータ等の第４Ｘ方向駆動機構６７が結合されている。
第４スライド部材６４のハウジング内には、第２支持部材２０Ｃのロッド２９Ｃおよび第２支持部材２０Ｄのロッド２９Ｄが挿入されている。第４スライド部材６４のハウジングの一端部（図５で示す上端部）には、第２支持部材２０Ｃのロッド２９Ｃがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。第４スライド部材６４のハウジングの他端部（図５で示す下端部）には、第２支持部材２０Ｄのロッド２９Ｄがハウジングに対してＹ方向に進出／没入可能に設けられている。
【００６０】
第４スライド部材６４のハウジング内には、第４シリンダ６８が収容されている（なお、図５では、図示の関係上、第４シリンダ６８をハウジング外に示している）。第４シリンダ６８は、シリンダ本体（図示しない）と、このシリンダ本体に対して進出／没入可能なシリンダロッド（図示しない）とを備えている。第４シリンダ６８のシリンダロッドは、それぞれ、リンク機構（図示しない）を介して第２支持部材２０Ｃのロッド２９Ｃおよび第２支持部材２０Ｄのロッド２９Ｄの双方に接続されている。
【００６１】
そして、第４シリンダ６８のシリンダロッドがシリンダ本体に対して進出すると、これに伴って、第２支持部材２０Ｃのロッド２９Ｃおよび第２支持部材２０Ｄのロッド２９Ｄが、それぞれ第４スライド部材６４のハウジングに対して進出し、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄは、互いに離反する方向（Ｙ方向）に移動する。
また、第４シリンダ６８のシリンダロッドがシリンダ本体に対して没入すると、これに伴って、第２支持部材２０Ｃのロッド２９Ｃおよび第２支持部材２０Ｄのロッド２９Ｄが、それぞれ第４スライド部材６４のハウジングに対して没入し、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄは、互いに接近する方向（Ｙ方向）に移動する。
【００６２】
第４組の第２支持部２０Ｃ，２０Ｄは、第４Ｘ方向駆動機構６７の駆動により、Ｘ方向に沿って一括して移動され、また、第４シリンダ６８の駆動により、互いに接近する方向／互いに離反する方向にＹ方向に沿って一括して移動される。
そして、第４Ｘ方向駆動機構６７および／または第４シリンダ６８の駆動により、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄを、ウエハＷの周縁部に当接する当接状態と、ウエハＷの周縁部から退避する退避状態との間で開閉することができる。
【００６３】
これにより、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂと第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄとを独立して、Ｘ方向に沿って移動させることができ、また、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂと第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄとを独立して開閉させることができる。
図６は、基板処理装置１００の電気的構成を示すブロック図である。
【００６４】
基板処理装置１００は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置７０を備えている。この制御装置７０には、第１Ｘ方向駆動機構５５、第２Ｘ方向駆動機構５７、第１シリンダ５６、第２シリンダ５８、薬液バルブ１４、第１ノズル移動機構１５、ＤＩＷバルブ３９、第３Ｘ方向駆動機構６５、第４Ｘ方向駆動機構６７、第３シリンダ６６、第４シリンダ６８、乾燥ガスバルブ２４および第２ノズル移動機構２５などが制御対象として接続されている。
【００６５】
図７は、基板処理装置１００における処理の一例を示す工程図である。
処理対象のウエハＷは、搬送ロボット（図示しない）によって第１チャンバ１内に搬入され（ステップＳ１）、４つの第１支持部材１０にウエハＷの表面を上方に向けて保持される。
ウエハＷが第１支持部材１０に保持された後、制御装置７０は、第１ノズル移動機構１５を駆動して、第１スリットノズル１１をウエハＷの上方へと導く。第１スリットノズル１１がウエハＷの上方に到達すると、制御装置７０は、薬液バルブ１４を開き、スリット状の第１吐出口１２から、第１吐出口１２に直交する水平方向に幅を有するカーテン状（帯状）のプロファイルで薬液を吐出する（Ｓ２：薬液処理）。
【００６６】
この薬液処理では、制御装置７０は、第１ノズル移動機構１５を制御して、第１スリットノズル１１を、その第１吐出口１２の長手方向と直交する水平方向に沿って、所定の移動範囲内で直線移動させる。これによって、第１スリットノズル１１からのカーテン状（帯状）の薬液の供給位置が、ウエハＷの表面上を移動し、ウエハＷにおける第１吐出口１２の長手方向と直交する方向の一端部から他端部に至る範囲内を往復移動する。
【００６７】
薬液吐出位置の往復移動が所定回数行われると、制御装置７０は、薬液バルブ１４を閉じて、ウエハＷの表面への薬液の供給が停止される。また、制御装置７０は、第１ノズル移動機構１５を制御して、第１スリットノズル１１をウエハＷの側方の退避位置に戻す。
薬液処理後には、ウエハＷの表面に対してステップＳ３のリンス処理が施され、また、リンス処理の終了後は、ステップＳ４の乾燥処理が施される。しかし、これらリンス処理および乾燥処理は、第１チャンバ１では行われない。ステップＳ３のリンス処理は、第１チャンバ１と第２チャンバ２との間に設けられた基板受渡路７で行われ、ステップＳ４の乾燥処理は第２チャンバ２で行われる。
【００６８】
この基板処理装置１００では、第１チャンバ１から第２チャンバ２へのウエハＷの搬送は、４つの第１支持部材１０および４つの第２支持部材２０を用いて行われる。つまり、４つの第１支持部材１０および４つの第２支持部材２０が駆動されて、４つの第１支持部材１０から４つの第２支持部材２０に、基板受渡路７を通してウエハＷが受け渡され、このウエハＷの受渡し動作によって、ウエハＷがＸ方向に移動されつつ、第１チャンバ１から第２チャンバ２へと搬送される。そして、ステップＳ３のリンス処理では、基板受渡路７を通過するウエハＷに対し、その上面（主面の一方面）および下面（主面の他方面）にリンス処理が施される。
【００６９】
図８Ａ〜図８Ｆは、第１支持部材１０から第２支持部材２０へのウエハＷの受渡し動作を説明するための横断面図である。
図８Ａに示すように、第１チャンバ１におけるウエハＷの処理位置では、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂが、ウエハＷの周縁部におけるＸ方向の反対方向端部付近の２箇所を支持し、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄが、ウエハＷの周縁部におけるＹ方向に沿う方向の両端部付近をそれぞれ支持している。すなわち、この処理位置では、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄが第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂよりも、Ｘ方向側に配置されている。
【００７０】
ステップＳ２の薬液処理の終了後（第１スリットノズル１１が退避位置に戻った後）、制御装置７０は、第１支持部材１０Ａ〜１０ＤをＸ方向に移動させる。制御装置７０は、第１Ｘ方向駆動機構５５および第２Ｘ方向駆動機構５７を制御して、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂと第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄとを等速でＸ方向に移動させる。これにより、ウエハＷが第１チャンバ１の処理位置（図１および図８Ａに示す位置）からＸ方向に移動される。
【００７１】
また、４つの第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄは、ウエハＷを受け取るために、第２チャンバ２内の第２開口２６付近に位置している必要がある。そのため、制御装置７０は、第３Ｘ方向駆動機構６５および第４Ｘ方向駆動機構６７を制御して、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂおよび第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄを、第２チャンバ２における第２開口２６の近傍位置まで、Ｘ方向の反対方向に移動させる。
【００７２】
また、制御装置７０は、ＤＩＷバルブ３９を開き、第１処理部３１の第１スリット吐出口３３（図２参照）および第２処理部３２の第２スリット吐出口３５（図２参照）からＤＩＷを吐出する。また、第１シャッタ１７を駆動する駆動機構が制御されて、第１シャッタ１７が開かれるとともに、第２シャッタ２７を駆動する駆動機構が制御されて、第２シャッタ２７が開かれる。
【００７３】
そして、ウエハＷにおけるＸ方向の端部が、第１開口１６を通過し基板受渡路７を移動する。この基板受渡路７を通過中のウエハＷの上面および下面に対し、第１処理部３１の第１スリット吐出口３３および第２処理部３２の第２スリット吐出口３５からＤＩＷが吐出される。そして、ウエハＷの上面（表面）には、Ｙ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置が設定される。また、ウエハＷの下面（裏面）にも、Ｙ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置が設定される。ウエハＷの移動中は、ウエハＷの上面および下面におけるＤＩＷの供給位置は、それぞれ基板移動方向であるＸ方向に直交してウエハＷの全幅（Ｙ方向の最大幅）に及ぶ洗浄の形態を有している。そして、ウエハＷのＸ方向の端部が、第２開口２６を通過して第２チャンバ２内に進入する。
【００７４】
第１チャンバ１における薬液処理では、ウエハＷの裏面にも薬液が回り込むことが考えられる。そのため、リンス処理は、ウエハＷの両面に施すことが望ましい。このステップＳ３のリンス処理では、ウエハＷの両面にＤＩＷが供給されるので、ウエハＷの裏面に付着した薬液を洗い流すこともできる。
また、ウエハＷのＸ方向の端部が、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂに接近すると、図８Ｂに示すように、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂが、ウエハＷの周縁部におけるＸ方向端部付近の２箇所に当接し、ウエハＷの周縁部を支持する。
【００７５】
その後、制御装置７０は、第２シリンダ５８を制御して、ウエハＷの周縁部を支持している第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄを互いに離反する方向に移動させる。これにより、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０ＤがウエハＷの周縁部から退避（ウエハＷから離脱）し、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂと第３組の第２支持部材２０Ａ，２０ＢとによってウエハＷが支持される。なお、第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄの退避動作中は、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂおよび第３組の第２支持部材２０Ａ，２０ＢのＸ方向の移動を継続させてもよいし、中断させてもよい。また、制御装置７０は、第２Ｘ方向駆動機構５７を制御して、ウエハＷの周縁部から退避した第２組の第１支持部材１０Ｃ，１０Ｄを、元の位置に戻す。
【００７６】
次いで、制御装置７０は、第１Ｘ方向駆動機構５５および第３Ｘ方向駆動機構６５を制御して、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂと第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂとを等速でＸ方向に移動させる。この状態では、図８Ｃに示すように、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄは、ウエハＷの周縁部におけるＹ方向に沿う方向の両端部よりも、ウエハＷの中心から離反する方向に位置している。
【００７７】
そして、図８Ｄに示すように、ウエハＷの周縁部を支持する第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂが、第１チャンバ１内におけるＸ方向の端部付近に到達すると、制御装置７０は、第４シリンダ６８を制御して、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄを、互いに近接する方向に移動させる。これにより、第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄが、それぞれウエハＷの周縁部におけるＹ方向に沿う方向の両端部付近に当接し、ウエハＷの周縁部を支持する（図８Ｅ参照）。
【００７８】
その後、制御装置７０は、第３Ｘ方向駆動機構６５および第４Ｘ方向駆動機構６７を制御し、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂおよび第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄの移動を継続しつつ、第１Ｘ方向駆動機構５５を制御して、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂを停止させる。これにより、図８Ｅに示すように、第１組の第１支持部材１０Ａ，１０ＢがウエハＷの周縁部から退避（ウエハＷから離脱）し、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂと第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０ＤとによってウエハＷが支持される。これにより、第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄから第２支持部材１０Ａ〜１０ＤにウエハＷを受け渡すことができる。
【００７９】
さらに、制御装置７０は、第１Ｘ方向駆動機構５５を制御して、ウエハＷから離脱した第１組の第１支持部材１０Ａ，１０Ｂを元の位置に戻す。
その後、制御装置７０は、第３Ｘ方向駆動機構６５および第４Ｘ方向駆動機構６７を制御して、第３組の第２支持部材２０Ａ，２０Ｂと第４組の第２支持部材２０Ｃ，２０Ｄとを等速でＸ方向に移動させる。これにより、ウエハＷが第２チャンバ２に搬入される。そして、ウエハＷは、第２チャンバ２の処理位置（図１および図８Ｆに示す位置）まで移動される。
【００８０】
ウエハＷが第２チャンバ２の処理位置まで移動されると、制御装置７０は、ＤＩＷバルブ３９を閉じて、第１スリット吐出口３３（図２参照）および第２スリット吐出口３５（図２参照）からのＤＩＷの吐出を停止する。また、第１シャッタ１７を駆動する駆動機構が制御されて、第１シャッタ１７が閉じられるとともに、第２シャッタ２７を駆動する駆動機構が制御されて、第２シャッタ２７が閉じられる。
【００８１】
その後、制御装置７０は、第２ノズル移動機構２５を駆動して、第２スリットノズル２１をウエハＷの上方へと導く。第２スリットノズル２１がウエハＷの上方に到達すると、制御装置７０は、乾燥ガスバルブ２４を開き、スリット状の第２吐出口２２から、第２吐出口２２の長手方向に直交する水平方向に幅を有するカーテン状（帯状）のプロファイルで乾燥ガスを吐出する（Ｓ４：乾燥処理）。
【００８２】
この乾燥処理では、制御装置７０は第２ノズル移動機構２５を制御して、第２スリットノズル２１が、その第２吐出口２２の長手方向と直交する水平方向に沿って、所定の移動範囲内で直線移動される。これによって、第２スリットノズル２１からのカーテン状（帯状）の乾燥ガスの供給位置がウエハＷの表面上を移動し、ウエハＷの一端部からウエハＷの周縁部に至る範囲内を往復移動する。
【００８３】
乾燥ガスの往復移動が所定回数行われると、制御装置７０は、乾燥ガスバルブ２４を閉じて、ウエハＷの表面への乾燥ガスの供給が停止される。また、制御装置７０は、第２ノズル移動機構２５を制御して、第２スリットノズル２１をウエハＷの側方の退避位置に戻す。その後、搬送ロボット（図示しない）によってウエハＷが第２チャンバ２から搬出される（ステップＳ５）。
【００８４】
以上により、この実施形態によれば、４つの第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄが、ウエハＷの周縁部に当接する当接状態と、ウエハＷの周縁部から退避する退避状態との間で開閉される。この第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄは、Ｘ方向に移動される。
また、４つの第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが、ウエハＷの周縁部に当接する当接状態と、ウエハＷの周縁部から退避する退避状態との間で開閉される。この第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄは、Ｘ方向に移動される。
【００８５】
そして、第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび／または第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが、ウエハＷを支持しつつＸ方向に移動されることにより、ならびに第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが、当接状態と退避状態との間で開閉されることにより、４つの第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄから４つの第２支持部材２０Ａ〜２０ＤにウエハＷが受け渡される。
【００８６】
このウエハＷの受渡しでは、第１チャンバ１と第２チャンバ２との間に設けられた基板受渡路７をウエハＷが通過する。そして、基板受渡路７を通過中のウエハＷに対し、第１処理部３１および第２処理部３２によってＤＩＷを用いた処理（リンス処理）が施される。そのため、搬送ロボットを用いることなく、第１チャンバ１から第２チャンバ２にウエハＷを搬送することができる。そして、搬送されているウエハＷにリンス処理を施すことができる。
【００８７】
また、第１スリット吐出口３３から吐出されたＤＩＷがウエハＷの上面に供給される。また、第２スリット吐出口３５から吐出されたＤＩＷがウエハＷの下面に供給される。この基板のウエハＷの上面および下面におけるＤＩＷの供給位置は、それぞれ、Ｘ方向に直交する水平方向に延びる直線状である。そのため、ウエハＷの受渡しの際にＸ方向に移動するウエハＷが、直線状に吐出されるＤＩＷによって走査される。これにより、ウエハＷの全域に、リンス処理を施すことができる。
【００８８】
図９は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置２００の構成を図解的に示す断面図である。この第２実施形態において、図１〜図８に示す実施形態（第１実施形態）に示された各部に対応する部分には、第１実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この図９に示す基板処理装置２００は、ウエハＷに対して処理流体（薬液、ＤＩＷおよび乾燥ガスなど）を用いた洗浄処理（たとえば、異物除去処理）を施すとともに、その洗浄処理の効果を確認するための計測処理を行う枚葉型の装置である。この基板処理装置２００が、第１実施形態に係る基板処理装置１００と相違する点は、ウエハＷに対して薬液処理または乾燥処理を施す第１および第２チャンバ１，２に代えて、ウエハＷに対して、ウエハＷの表面に付着する異物（パーティクル）の量を計測するための第１および第２チャンバ１０１，１０２を設けた点にある。また、処理部３に代えて、薬液処理部１０３、リンス処理部１０４および乾燥処理部１０５が設けられる。この基板処理装置２００では、この薬液処理部１０３、リンス処理部１０４および乾燥処理部１０５を用いて、ウエハＷに対して一連の洗浄処理が施される。
【００８９】
この基板処理装置２００では、第１チャンバ１０１において洗浄処理前のウエハＷの表面に付着するパーティクルの量を計測し、また、第２チャンバ１０１において洗浄処理後のウエハＷの表面に付着するパーティクルの量を計測する。これにより、洗浄処理の効果を確認することができる。
第１チャンバ１０１と第２チャンバ１０２とは、互いに隣り合わせに配置されている。第１チャンバ１０１と第２チャンバ１０２との間には、薬液処理部１０３、リンス処理部１０４および乾燥処理部１０５が、基板受渡路７に沿って、第１チャンバ１０１側からこの順で並べられている。
【００９０】
第１チャンバ１０１内には、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数（たとえば、４つ）の第１支持部材１０と、複数の第１支持部材１０に支持されるウエハＷの表面（上面）に付着しているパーティクルの量を計測するための第１パーティクル計測装置１０６とが収容されている。
第２チャンバ１０２内には、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数（たとえば、４つ）の第２支持部材２０と、複数の第２支持部材２０に支持されるウエハＷの表面（上面）に付着しているパーティクルの量を計測するための第２パーティクル計測装置１０７とが収容されている。
【００９１】
第１および第２パーティクル計測装置１０６，１０７は、ウエハＷの表面に存在する粒子状の異物であるパーティクルの大きさおよび個数を計測するための装置であり、ウエハＷ表面の所定領域におけるパーティクルの状態を、レーザ光の反射光に基づいて計測するものである。
パーティクル計測装置１０６，１０７として、他の種類のパーティクル計測装置（パーティクルカウンタ）を採用することもできる。この場合、ウエハＷの表面の全域におけるパーティクルを検出対象とすることにより、パーティクルの位置をも計測することもできる。
【００９２】
薬液処理部１０３は、基板受渡路７を通過中のウエハＷの上面（表面）に対して薬液処理を施すための第１薬液処理部１０３１と、基板受渡路７を通過中のウエハＷの下面（裏面）に対して薬液処理を施すための第２薬液処理部１０３２とを備え、図１および図２に示す処理部３と同様の構成を採用している。第１薬液処理部１０３１および第２薬液処理部１０３２は、基板受渡路７を挟んで配置されている。
【００９３】
第１薬液処理部１０３１は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第１スリット吐出口１０３３を有している。第２薬液処理部１０３２は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第２スリット吐出口１０３４を有している。第１スリット吐出口１０３３および第１薬液処理部１０３１の構成は、第１スリット吐出口３３（図３参照）および第１処理部３１と共通の構成であるので、その部分の説明は省略する。また、第２スリット吐出口１０３４および第２薬液処理部１０３２の構成は、第２スリット吐出口３５（図３参照）および第２処理部３２と共通の構成であるので、その部分の説明は省略する。
【００９４】
第１薬液処理部１０３１および第２薬液処理部１０３２には、薬液バルブ１１３を介して薬液供給源からの薬液が供給されるようになっている。ウエハＷが基板受渡路７を通過中に薬液バルブ１１３が開かれると、第１スリット吐出口１０３３からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）の薬液が下方に向けて吐出され、ウエハＷの上面（表面）にＹ方向に沿う直線状の薬液の供給位置が設定される。また、第２スリット吐出口１０３４からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）の薬液が上方に向けて吐出され、ウエハＷの下面（裏面）にＹ方向に沿う直線状の薬液の供給位置が設定される。
【００９５】
リンス処理部１０４は、基板受渡路７を通過中のウエハＷの上面（表面）に対してリンス処理を施すための第１リンス処理部１０４１と、基板受渡路７を通過中のウエハＷの下面（裏面）に対してリンス処理を施すための第２リンス処理部１０４２とを備え、図１および図２に示す処理部３と同様の構成を採用している。第１リンス処理部１０４１および第２リンス処理部１０４２は、基板受渡路７を挟んで配置されている。
【００９６】
第１リンス処理部１０４１は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第１スリット吐出口１０４３を有している。第２リンス処理部１０４２は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第２スリット吐出口１０４４を有している。第１スリット吐出口１０４３および第１リンス処理部１０４１の構成は、第１スリット吐出口３３（図３参照）および第１処理部３１と共通の構成であるので、その部分の説明は省略する。また、第２スリット吐出口１０４４および第２リンス処理部１０４２の構成は、第２スリット吐出口３５（図３参照）および第２処理部３２と共通の構成であるので、その部分の説明は省略する。
【００９７】
第１リンス処理部１０４１および第２リンス処理部１０４２には、ＤＩＷバルブ１１４を介してＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるようになっている。ウエハＷが基板受渡路７を通過中にＤＩＷバルブ１１４が開かれると、第１スリット吐出口１０４３からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）のＤＩＷが下方に向けて吐出され、ウエハＷの上面（表面）にＹ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置が設定される。また、第２スリット吐出口１０４４からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）のＤＩＷが上方に向けて吐出され、ウエハＷの下面（裏面）にＹ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置が設定される。
【００９８】
乾燥処理部１０５は、基板受渡路７を通過中のウエハＷの上面（表面）に対して乾燥処理を施すための第１乾燥処理部１０５１と、基板受渡路７を通過中のウエハＷの下面（裏面）に対して乾燥処理を施すための第２乾燥処理部１０５２とを備え、図１および図２に示す処理部３と同様の構成を採用している。第１乾燥処理部１０５１および第２乾燥処理部１０５２は、基板受渡路７を挟んで配置されている。
【００９９】
第１乾燥処理部１０５１は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第１スリット吐出口１０５３を有している。第２乾燥処理部１０５２は、基板受渡路７を受け渡されるウエハＷの上面に対向し、Ｙ方向に沿う直線状に開口する第２スリット吐出口１０５４を有している。第１スリット吐出口１０５３および第１乾燥処理部１０５１の構成は、第１スリット吐出口３３（図３参照）および第１処理部３１と共通の構成であるので、その部分の説明は省略する。また、第２スリット吐出口１０５４および第２乾燥処理部１０５２の構成は、第２スリット吐出口３５（図３参照）および第２処理部３２と共通の構成であるので、その部分の説明は省略する。
【０１００】
第１乾燥処理部１０５１および第２乾燥処理部１０５２には、乾燥ガスバルブ１１５を介して乾燥ガス供給源からの乾燥ガスが供給されるようになっている。ウエハＷが基板受渡路７を通過中に乾燥ガスバルブ１１５が開かれると、第１スリット吐出口１０５３からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）の乾燥ガスが下方に向けて吐出され、ウエハＷの上面（表面）にＹ方向に沿う直線状の乾燥ガスの供給位置が設定される。また、第２スリット吐出口１０５４からＹ方向に沿うカーテン状（帯状）の乾燥ガスが上方に向けて吐出され、ウエハＷの下面（裏面）にＹ方向に沿う直線状の乾燥ガスの供給位置が設定される。
【０１０１】
図１０は、基板処理装置２００の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置２００は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置１２０を備えている。この制御装置１２０には、第１Ｘ方向駆動機構５５、第２Ｘ方向駆動機構５７、第１シリンダ５６、第２シリンダ５８、第１パーティクル計測装置１０６、薬液バルブ１１３、ＤＩＷバルブ１１４、乾燥ガスバルブ１１５、第３Ｘ方向駆動機構６５、第４Ｘ方向駆動機構５７、第３シリンダ６６、第４シリンダ６８および第２パーティクル計測装置１０７などが制御対象として接続されている。
【０１０２】
図１１は、基板処理装置２００における処理の一例を示す工程図である。
処理対象のウエハＷは、搬送ロボット（図示しない）によって第１チャンバ１０１内に搬入され（ステップＳ１１）、４つの第１支持部材１０にウエハＷの表面を上方に向けて保持される。
ウエハＷが４つの第１支持部材１０に保持された後、制御装置１２０は、第１パーティクル計測装置１０６を制御して、第１パーティクル計測装置１０６がウエハＷの表面に付着しているパーティクルの大きさおよび個数を計測する。そして、計測されたパーティクルの大きさおよび個数が、第１パーティクル計測装置１０６の記憶部（図示しない）に記憶される。
【０１０３】
第１パーティクル計測装置１０６による計測後は、ウエハＷの表面に対して、一連の洗浄処理、すなわち薬液処理、リンス処理および乾燥処理が施される。ステップＳ１２のパーティクル計測後は、ウエハＷが第１チャンバ１０１から第２チャンバ１０２へと搬送される。この基板処理装置２００では、基板処理装置１００と同様、４つの第１支持部材１０から４つの第２支持部材２０にウエハＷが受け渡され（ステップＳ１３）、このウエハＷの受渡し動作によってウエハＷが第１チャンバ１０１から第２チャンバ１０２へと搬送される。そして、受渡し途中のウエハＷに対して一連の洗浄処理が施される。第１支持部材１０から第２支持部材２０へのウエハＷの受渡し動作は、図８Ａ〜図８Ｆの内容と共通しているので、説明を省略する。
【０１０４】
また、ウエハＷの受渡し動作に先立って、制御装置１２０は、薬液バルブ１１３、ＤＩＷバルブ１１４および乾燥ガスバルブ１１５を開く。これにより、第１スリット吐出口１０３３および第２スリット吐出口１０３４から薬液が吐出され、第１スリット吐出口１０４３および第２スリット吐出口１０４４からＤＩＷが吐出され、第１スリット吐出口１０５３および第２スリット吐出口１０５４から乾燥ガスが吐出される。また、第１シャッタ１７を駆動する駆動機構が制御されて、第１シャッタ１７が開かれるとともに、第２シャッタ２７を駆動する駆動機構が制御されて、第２シャッタ２７が開かれる。
【０１０５】
第１支持部材１０から第２支持部材２０へのウエハＷの受渡し動作時には、ウエハＷが基板受渡路７を移動する。そして、ウエハＷの上面（表面）には、第１チャンバ１０１側から順に、Ｙ方向に沿う直線状の薬液の供給位置、Ｙ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置、Ｙ方向に沿う直線状の乾燥ガスの供給位置が、それぞれ間隔を開けて形成される。
また、ウエハＷの下面（裏面）にも、第１チャンバ１０１側から順に、Ｙ方向に沿う直線状の薬液の供給位置、Ｙ方向に沿う直線状のＤＩＷの供給位置、Ｙ方向に沿う直線状の乾燥ガスの供給位置が、それぞれ間隔を開けて形成される。直線状の薬液の供給位置と直線状のＤＩＷの供給位置との間の間隔は、たとえば１５ｍｍの大きさに設定されており、直線状のＤＩＷの供給位置と直線状の乾燥ガスの供給位置との間の間隔は、たとえば１５ｍｍの大きさに設定されている。
【０１０６】
ウエハＷの移動中は、ウエハＷの上面および下面における薬液の供給位置は、それぞれ基板移動方向であるＸ方向に直交してウエハＷの全幅（Ｘ方向に直交する水平な方向の最大幅）に及ぶ洗浄の形態を有している。また、ウエハＷの移動中は、ウエハＷの上面および下面における薬液の供給位置は、それぞれ基板移動方向であるＸ方向に直交してウエハＷの全幅（Ｘ方向に直交する水平な方向の最大幅）に及ぶ洗浄の形態を有している。さらに、ウエハＷの移動中は、ウエハＷの上面および下面における薬液の供給位置は、それぞれ基板移動方向であるＸ方向に直交してウエハＷの全幅（Ｘ方向に直交する水平な方向の最大幅）に及ぶ乾燥の形態を有している。
【０１０７】
したがって、ウエハＷがＸ方向に所定の速度で移動することにより、ウエハＷの上面および下面の全域は、直線状に吐出される薬液、直線状に吐出される供給位置、および直線状に吐出される乾燥ガスによって順次走査される。これにより、ウエハＷの各部において、薬液がまず供給され、その後所定の時間だけ遅れてＤＩＷが供給され、さらに所定の時間だけ遅れて乾燥ガスが供給されることになる。これにより、一連の処理を所期の順序で行わせることができる。
【０１０８】
そして、ウエハＷが第２チャンバ１０２に搬入され、ウエハＷが処理位置（図９に示す位置）まで移動すると、制御装置１２０は、薬液バルブ１１３、ＤＩＷバルブ１１４および乾燥ガスバルブ１１５を閉じる。これにより、第１スリット吐出口１０３３および第２スリット吐出口１０３４からの薬液の吐出が停止され、第１スリット吐出口１０４３および第２スリット吐出口１０４４からのＤＩＷの吐出が停止され、第１スリット吐出口１０５３および第２スリット吐出口１０５４からの乾燥ガスの吐出が停止される。また、第１シャッタ１７を駆動する駆動機構が制御されて、第１シャッタ１７が閉じられるとともに、第２シャッタ２７を駆動する駆動機構が制御されて、第２シャッタ２７が閉じられる。
【０１０９】
ウエハＷが４つの第２支持部材２０に保持された後、制御装置１２０は、第２パーティクル計測装置１０７を制御して、第２パーティクル計測装置１０７がウエハＷの表面に付着しているパーティクルの大きさおよび個数を計測する（ステップＳ１４）。そして、計測されたパーティクルの大きさおよび個数が、第２パーティクル計測装置１０７の記憶部（図示しない）に記憶される。
【０１１０】
第１パーティクル計測装置１０６による計測後は、搬送ロボット（図示しない）によってウエハＷが第２チャンバ１０２から搬出される（ステップＳ１５）。
図１２は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置３００の構成を図解的に示す断面図である。この第３実施形態において、図９〜図１１に示す実施形態（第２実施形態）に示された各部に対応する部分には、第２実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
【０１１１】
この図１２に示す基板処理装置３００は、ウエハＷに対して処理流体（薬液としてのエッチング液、ＤＩＷおよび乾燥ガスなど）を用いたエッチング処理を施すとともに、そのエッチング処理の効果を確認するための計測処理を行う枚葉型の装置である。
この基板処理装置３００が、第１実施形態に係る基板処理装置１００と相違する点は、第１および第２チャンバ１０１，１０２内に、パーティクル計測装置１０６，１０７に代えて、基板厚計測装置２０１，２０２を収容した点である。基板厚計測装置２０１，２０２は、ウエハＷの厚みを計測するものである。この基板厚計測装置２０１，２０２では、たとえば、非接触のレーザーセンサにより検出されたウエハＷの上下面の表面高さに基づいて、ウエハＷの厚みが算出されるようになっている。
【０１１２】
また、薬液処理部１０３の第１スリット吐出口１０３３および第２スリット吐出口１０３４からは、薬液としてエッチング液が吐出される。エッチング液としては、たとえばふっ酸硝酸混合液やふっ酸を例示することができる。
この基板処理装置３００では、第１チャンバ１０１においてエッチング処理前のウエハＷの厚みを計測し、また、第２チャンバ１０１においてエッチング処理後のウエハＷの厚みを計測する。これにより、エッチング処理の効果を確認することができる。
【０１１３】
図１３は、本発明の第４実施形態に係る基板処理装置４００の構成を図解的に示す断面図である。この第４実施形態において、図１〜図８に示す実施形態（第１実施形態）に示された各部に対応する部分には、第１実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この図１３に示す基板処理装置４００が、第１実施形態に係る基板処理装置１００と相違する点は、第１チャンバ１および第２チャンバ２内で、ウエハＷが鉛直姿勢に支持されることである。第１チャンバ１には、第１支持部材１０に代えて、ウエハＷの周縁部を支持してウエハＷをほぼ鉛直姿勢に支持するための複数（たとえば、４つ）の第１支持部材３１０が収容されている。また、第２チャンバ２には、第２支持部材２０に代えて、ウエハＷの周縁部を支持してウエハＷをほぼ鉛直姿勢に支持するための複数（たとえば、４つ）の第２支持部材３２０が収容されている。
【０１１４】
第１支持部材３１０は、図３に示す第１支持部材１０を、その中心軸線がＹ方向に沿う姿勢に配置した構成である。この第１支持部材３１０は、対応するシリンダ５６，５８の進出／没入動作により、鉛直方向（Ｚ方向）に沿って移動されるようになっている。
第２支持部材３２０は、第２支持部材２０を、その中心軸線がＹ方向に沿う姿勢に配置した構成である。この第２支持部材３２０は、対応するシリンダ６６，６８の進出／没入動作により、鉛直方向（Ｚ方向）に沿って移動されるようになっている。
【０１１５】
また、４つの第１支持部材３１０と４つの第２支持部材３２０とをＸ方向に移動させることにより、４つの第１支持部材３１０と４つの第２支持部材３２０との間で、基板受渡路７を介して、ウエハＷを縦向きの状態（鉛直姿勢）で受け渡すことができる。基板受渡路７は、鉛直方向（Ｚ方向に沿う方向)に沿って延びており、第１チャンバ１と第２チャンバ１との間、具体的には第１チャンバ１の第１開口１６と第２チャンバ２の第２開口２６との間に形成されている。
【０１１６】
また、この実施形態に係る処理部４０３が、第１実施形態の処理部３と相違する点は、基板受渡路７を縦向きの状態（鉛直姿勢）で通過中のウエハＷに対して、リンス処理を施す点である。具体的には、処理部４０３は、基板受渡路７を通過中のウエハＷの表面に対してリンス処理を施すための第１処理部４０３１と、基板受渡路７を通過中のウエハＷの裏面に対してリンス処理を施すための第２処理部（図示しない）とを備えている。第１処理部４０３１および第２処理部は、基板受渡路７を挟んで配置されている。
【０１１７】
この第２処理部は、第１処理部４０３１と基板受渡路７を挟んで反対側に配置されており、この点で図２に示す第２処理部３２と共通する。そのため、第２処理部の構成は省略する。
第１処理部４０３１は、基板受渡路７を縦向きの状態（鉛直姿勢）で受け渡されるウエハＷの表面に対向し、鉛直方向（Ｚ方向に沿う方向）に対して、鉛直上方（Ｚ方向）に向かうに従ってＸ方向と反対側に向かうように傾斜するスリット吐出口４０３３を有している。スリット吐出口４０３３の鉛直方向に対する傾斜角度は、たとえば、０°〜３０°である。
【０１１８】
縦向きで搬送されるウエハＷに対してＤＩＷが供給されると、ウエハＷの表面および／または裏面でＤＩＷが下向きに液垂れするおそれがある。そして、液垂れしたＤＩＷが、スリット吐出口４０３３から吐出されるＤＩＷよりも先に、処理前のウエハＷの表面および／または裏面に供給されると、ウエハＷにリンス処理の処理ムラが生じるおそれがある。
【０１１９】
これに対し、本実施形態では、スリット吐出口４０３３が、鉛直方向に対し、鉛直上方に向かうに従って基板移動方向であるＸ方向と反対側に向かうように傾斜しているので、ウエハＷの表面および裏面における各領域では、その鉛直方向に関連して下から順にＤＩＷが供給される。そのため、ウエハＷの各位置には、液垂れしたＤＩＷよりも先に、スリット吐出口４０３３からのＤＩＷが供給される。そのため、ウエハＷに対して所期の処理を施すことができる。
【０１２０】
図１４は、本発明の第５実施形態に係る基板処理装置５００の構成を図解的に示す断面図である。この第５実施形態において、図１３に示す実施形態（第４実施形態）に示された各部に対応する部分には、第４実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この図１４に示す基板処理装置５００が、第４実施形態の基板処理装置４００と相違する点は、処理部４０３に代えて、乾燥処理をウエハＷに施すための処理部５０３を設けたことにある。具体的には、処理部５０３は、基板受渡路７を通過中のウエハＷの表面に対して乾燥処理を施すための第１処理部５０３１と、基板受渡路７を通過中のウエハＷの裏面に対して乾燥処理を施すための第２処理部（図示しない）とを備えている。第１処理部５０３１および第２処理部は、基板受渡路７を挟んで配置されている。
【０１２１】
この第２処理部は、第１処理部５０３１と基板受渡路７を挟んで反対側に配置されており、この点で図２に示す第２処理部３２と共通する。そのため、第２処理部の構成は省略する。
第１処理部５０３１は、基板受渡路７を縦向きの状態（鉛直姿勢）で受け渡されるウエハＷの表面に対向し、鉛直方向（Ｚ方向に沿う方向）に対して、鉛直上方（Ｚ方向）に向かうに従ってＸ方向に向かうように傾斜するスリット吐出口５０３３を有している。スリット吐出口５０３３の鉛直方向に対する傾斜角度は、たとえば、０°〜３０°である。
【０１２２】
スリット吐出口５０３３が鉛直上方に向かうに従って、基板移動方向であるＸ方向に向かうように傾斜しているので、ウエハＷの表面および裏面における各領域では、鉛直方向に関連して上から順に乾燥ガスが供給される。また、ウエハＷの表面および／または裏面に処理液がある場合、その処理液は上方から下方に向けて流れる（液垂れ）。そのため、ウエハＷの表面および／または裏面の各位置で、液垂れの方向と乾燥ガスの供給方向とが同じ方向になる。そのため、乾燥ガスの供給により液垂れを抑制することができ、これにより、乾燥ムラを抑制することができる。
【０１２３】
以上、この発明の５つの実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、第４実施形態では、ＤＩＷを吐出する処理部４０３を例に挙げて説明したが、処理部が、処理液として薬液を吐出するものであってもよい。
また、前述の各実施形態では、処理部として２つの処理部を設ける構成を例に挙げて説明したが、ウエハＷの一方の主面だけに、処理液または処理ガスを供給する構成であってもよい。
【０１２４】
また、第１組の第１支持部材および第２組の第１支持部材として、それぞれ３つ以上の支持部材を設ける構成であってもよく、また、第３組の第２支持部材および第４組の第２支持部材として、それぞれ３つ以上の支持部材を設ける構成であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【０１２５】
１ 第１チャンバ
２ 第２チャンバ
３ 処理部
４ 周縁領域（周縁部）
５ 周縁領域（周縁部）
６ 周端面（周縁部）
７ 基板受渡路
１０ 第１支持部材
１０Ａ，１０Ｂ 第１組の第１基板支持部材
１０Ｃ，１０Ｄ 第２組の第１基板支持部材
２０ 第２支持部材
２０Ａ，２０Ｂ 第３組の第２基板支持部材
２０Ｃ，２０Ｄ 第４組の第２基板支持部材
３１ 第１処理部
３２ 第２処理部
３３ 第１スリット吐出口
３５ 第２スリット吐出口
５５ 第１Ｘ方向駆動機構（第１移動手段，第１開閉手段）
５６ 第１シリンダ（第１開閉手段）
５７ 第２Ｘ方向駆動機構（第１移動手段，第１開閉手段）
５８ 第２シリンダ（第１開閉手段）
６５ 第３Ｘ方向駆動機構（第２移動手段、第２開閉手段）
６６ 第３シリンダ（第１開閉手段）
６７ 第４Ｘ方向駆動機構（第２移動手段、第２開閉手段）
６８ 第４シリンダ（第１開閉手段）
７０ 制御装置（制御手段）
１００ 基板処理装置
１０１ 第１チャンバ
１０２ 第２チャンバ
１０３ 薬液処理部（処理部）
１０４ リンス処理部（処理部）
１０５ 乾燥処理部（処理部）
１２０ 制御装置（制御手段）
２００ 基板処理装置
３００ 基板処理装置
３１０ 第１支持部材
３２０ 第２支持部材
４００ 基板処理装置
４０３ 処理部
５００ 基板処理装置
５０３ 処理部
１０３１ 第１薬液処理部（第１処理部）
１０３２ 第２薬液処理部（第２処理部）
１０３３ 第１スリット吐出口
１０３４ 第２スリット吐出口
１０４１ 第１リンス処理部（第１処理部）
１０４２ 第２リンス処理部（第２処理部）
１０４３ 第１スリット吐出口
１０４４ 第２スリット吐出口
１０５１ 第１乾燥処理部（第１処理部）
１０５２ 第２乾燥処理部（第２処理部）
１０５３ 第１スリット吐出口
１０５４ 第２スリット吐出口
４０３１ 第１処理部
４０３３ スリット吐出口
５０３１ 第１処理部
５０３３ スリット吐出口
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の周縁部を支持するための複数の第１支持部材を収容し、前記複数の第１支持部材に支持された基板に対して所定の処理を施す第１チャンバと、
前記第１支持部材を前記基板の表面に沿う基板移動方向に移動させる第１移動手段と、
前記第１支持部材を、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉する第１開閉手段と、
所定の基板受渡路を介して前記第１チャンバと隣り合わせに配置され、基板の周縁部を支持するための複数の第２支持部材を収容し、前記複数の第２支持部材に支持された基板に対して所定の処理を施す第２チャンバと、
前記基板移動方向に前記第２支持部材を移動させる第２移動手段と、
前記第２支持部材を、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉する第２開閉手段と、
前記第１支持部材に支持された基板が前記基板受渡路を通って前記第２支持部材に受け渡されるように、前記第１移動手段、前記第２移動手段、前記第１開閉手段および前記第２開閉手段を制御する制御手段と、
前記基板受渡路を通過中の前記基板に対して処理流体を用いた処理を施す処理部とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記複数の第１支持部材は、それぞれ複数の第１支持部材からなる第１組と第２組とを含み、
前記複数の第２支持部材は、それぞれ複数の第２支持部材からなる第３組と第４組とを含み、
前記第１移動手段が、前記第１組の第１支持部材と、前記第２組の第１支持部材とを独立して前記基板移動方向に移動させるものであり、
前記第１開閉手段が、前記第１組の第１支持部材と、前記第２組の第１支持部材とを独立して開閉させるものであり、
前記制御手段が、前記第１組の第１支持部材と前記第２組の第１支持部材とで基板を支持させつつ前記第１および第２組の第１支持部材を移動させる工程、前記第１組の第１支持部材、前記第２組の第１支持部材および前記第３組の第２支持部材で基板を支持させた後、前記第２組の第１支持部材を移動させて基板から離脱させる工程、前記第１組の第１支持部材と前記第３組の第２支持部材とで基板を支持させつつ前記第１の第１支持部材および第３組の第２支持部材を移動させる工程、ならびに前記第１組の第１支持部材、前記第３組の第２支持部材および前記第４組の第２支持部材で基板を支持させた後、前記第１組の第１支持部材を移動させて基板から離脱させる工程を実行する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理部が、前記基板移動方向に直交する方向に沿って直線状に開口し、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出するスリット吐出口を含む、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理部が、前記基板受渡路を挟んで設けられた第１処理部および第２処理部を含み、
前記第１処理部が、前記基板の一方の主面に対向するように配置され、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出する吐出口を有し、
前記第２処理部が、前記基板の他方の主面に対向するように配置され、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出する吐出口を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記基板受渡路に沿って並べられた複数の吐出口を有しており、
前記複数の吐出口は、それぞれ、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて、互いに異なる種類の処理流体を吐出する、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１支持部材が、基板を鉛直方向に沿う姿勢に支持する第１鉛直姿勢支持部材を含み、
前記第２支持部材が、基板を鉛直方向に沿う姿勢に支持する第２鉛直姿勢支持部材を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１チャンバおよび前記第２チャンバが、基板に対して処理流体を用いた処理を施すものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１チャンバおよび前記第２チャンバが、基板に関連して所定の計測処理を施すものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１】
基板の周縁部を支持するための複数の第１支持部材を収容し、前記複数の第１支持部材に支持された基板に対して所定の処理を施す第１チャンバと、
前記第１支持部材を前記基板の表面に沿う基板移動方向に移動させる第１移動手段と、
前記第１支持部材を、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉する第１開閉手段と、
所定の基板受渡路を介して前記第１チャンバと隣り合わせに配置され、基板の周縁部を支持するための複数の第２支持部材を収容し、前記複数の第２支持部材に支持された基板に対して所定の処理を施す第２チャンバと、
前記基板移動方向に前記第２支持部材を移動させる第２移動手段と、
前記第２支持部材を、基板の周縁部に当接する当接状態と、基板の周縁部から退避する退避状態との間で開閉する第２開閉手段と、
前記第１支持部材に支持された基板が前記基板受渡路を通って前記第２支持部材に受け渡されるように、前記第１移動手段、前記第２移動手段、前記第１開閉手段および前記第２開閉手段を制御する制御手段と、
前記基板受渡路を通過中の前記基板に対して処理流体を用いた処理を施す処理部とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記複数の第１支持部材は、それぞれ複数の第１支持部材からなる第１組と第２組とを含み、
前記複数の第２支持部材は、それぞれ複数の第２支持部材からなる第３組と第４組とを含み、
前記第１移動手段が、前記第１組の第１支持部材と、前記第２組の第１支持部材とを独立して前記基板移動方向に移動させるものであり、
前記第１開閉手段が、前記第１組の第１支持部材と、前記第２組の第１支持部材とを独立して開閉させるものであり、
前記制御手段が、前記第１組の第１支持部材と前記第２組の第１支持部材とで基板を支持させつつ前記第１および第２組の第１支持部材を移動させる工程、前記第１組の第１支持部材、前記第２組の第１支持部材および前記第３組の第２支持部材で基板を支持させた後、前記第２組の第１支持部材を移動させて基板から離脱させる工程、前記第１組の第１支持部材と前記第３組の第２支持部材とで基板を支持させつつ前記第１の第１支持部材および第３組の第２支持部材を移動させる工程、ならびに前記第１組の第１支持部材、前記第３組の第２支持部材および前記第４組の第２支持部材で基板を支持させた後、前記第１組の第１支持部材を移動させて基板から離脱させる工程を実行する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理部が、前記基板移動方向に直交する方向に沿って直線状に開口し、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出するスリット吐出口を含む、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理部が、前記基板受渡路を挟んで設けられた第１処理部および第２処理部を含み、
前記第１処理部が、前記基板の一方の主面に対向するように配置され、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出する吐出口を有し、
前記第２処理部が、前記基板の他方の主面に対向するように配置され、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて処理流体を吐出する吐出口を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記基板受渡路に沿って並べられた複数の吐出口を有しており、
前記複数の吐出口は、それぞれ、前記基板受渡路を通って前記第１チャンバから前記第２チャンバに受け渡される前記基板に向けて、互いに異なる種類の処理流体を吐出する、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１支持部材が、基板を鉛直方向に沿う姿勢に支持する第１鉛直姿勢支持部材を含み、
前記第２支持部材が、基板を鉛直方向に沿う姿勢に支持する第２鉛直姿勢支持部材を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１チャンバおよび前記第２チャンバが、基板に対して処理流体を用いた処理を施すものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１チャンバおよび前記第２チャンバが、基板に関連して所定の計測処理を施すものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図８Ｅ】
【図８Ｆ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図８Ｅ】
【図８Ｆ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１１−７７１５２（Ｐ２０１１−７７１５２Ａ）
【公開日】平成２３年４月１４日（２０１１．４．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２２４８１８（Ｐ２００９−２２４８１８）
【出願日】平成２１年９月２９日（２００９．９．２９）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月１４日（２０１１．４．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月２９日（２００９．９．２９）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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