【課題】検査の定量性を確保するとともに、作業効率を改善するフォトマスク洗浄システムを提供する。
【解決手段】フォトマスクを洗浄する洗浄装置と、フォトマスクに付着している異物を検出する異物検出手段を有し洗浄装置により洗浄されたフォトマスクを検査する検査装置と、検査装置による検査結果に基づいてフォトマスクに異物が付着している箇所を再生部位として指示する指示手段を有し当該フォトマスクを再生する再生装置と、洗浄装置、検査装置および再生装置との間でフォトマスクを運搬する運搬装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面の清浄度を正確に確認することのできる半導体基板洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板洗浄装置１００は、半導体基板１０を洗浄する洗浄部１と、洗浄部１で洗浄された半導体基板１０の表面の反射強度を測定する反射式センサ２と、反射式センサ２による反射強度の測定結果に基づき、半導体基板１０の洗浄の適否を判定する判定部３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理において、基板への不必要なダメージや回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄処理に用いるための処理流体を基板５に噴出する処理流体ノズル７と、基板５から処理流体を回収する回収装置８とを具備している。基板５を処理流体ノズル７からの処理流体により局所的に洗浄処理することができるため、基板５に対して不必要なダメージ、回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用される処理液の消費量を低減すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ４１と、スポンジ４１に処理液を供給する貯留槽４０と、基板Ｗを保持する基板搬送ロボット２１とを含む。基板搬送ロボット２１は、スポンジ４１と基板Ｗとを相対移動させてスポンジ４１と基板Ｗの下面とを接触させることにより、スポンジ４１に吸収されている処理液を基板Ｗの下面に供給させる。 （もっと読む）

【課題】リンス処理によって静電気が発生して静電破壊が発生したり、洗浄したシリコンウェハ表面に静電気によってゴミが付着したりすることがなく、シリコンウェハのリンス処理時における金属不純物の付着を防止することができるとともに、コストにも配慮しつつ、更には、残渣が生じる懸念のないクリーンなリンス液を用いたリンス処理を行うことのできるシリコンウェハ清浄化方法及びシリコンウェハ清浄化装置を提供する。
【解決手段】洗浄液により洗浄したシリコンウェハを、炭酸水によりリンスする。 （もっと読む）

【課題】吐出される液滴の噴霧状態を調整することができる二流体ノズルを提供すること。二流体ノズルから吐出される液滴を用いて所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】二流体ノズル３は、ケーシングを構成する外筒２０と、外筒２０に内嵌された内筒２１と、内筒２１を外筒２０に固定するための固定ナット２３とを含む。内筒２１の大径円筒部２４の外周には、雄ねじ３６が形成されている。外筒２０の内周の基端部には、雄ねじ３６に螺合する雌ねじ３７が形成されている。固定ナット２３は、内筒２１の雄ねじ３６と螺合する雌ねじ孔３１を有している。外筒２０と内筒２１とはねじ嵌合により連結されている。雄ねじ３６に対する外筒２０のねじ込み量を調節することによって、遮蔽部４３に対する短筒部４７の軸方向の位置を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄時における基板のパターンへのダメージを抑制することができる。
【解決手段】（１／２）ｆの出力が、処理液を脱気水としたときの出力値以下になる最適洗浄条件を決定した上で、制御部５７が最適洗浄条件となるように各部を操作して、製品の基板Ｗに対する洗浄処理を行わせる。したがって、（１／２）ｆのサブハーモニクスによる悪影響を抑制することができ、超音波洗浄時における基板Ｗのパターンへのダメージを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】基板ロボットを用いることなく第１チャンバから第２チャンバに基板を搬送させることができ、かつその搬送中の基板に処理流体を用いた処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１チャンバ１内には、ウエハＷの周縁部を支持して、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第１支持部材１０が収容されている。第２チャンバ２内には、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第２支持部材２０が収容されている。第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび／または第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが、ウエハＷを支持しつつＸ方向に移動されることにより、ならびに第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが開閉されることにより、４つの第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄから４つの第２支持部材２０Ａ〜２０ＤにウエハＷが受け渡される。搬送中のウエハＷに対して処理部３による処理が施される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルを付着させ、この基板に光を照射してパーティクルから放出される光を受光してパーティクルの付着状態を測定するにあたり、微少なパーティクルであっても簡便に確実に測定すること。
【解決手段】ウェハＷの表面に付着させる蛍光粒子１中にレーザー光により蛍光を発する蛍光物質を混入させると共に、受光部１１とウェハＷとの間にレーザー光やこのレーザー光の照射により生じる散乱光の透過を抑える光学フィルタ１２を介設し、受光部１１には散乱光の入射を抑えて蛍光粒子１から放出される蛍光を入射させる。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の反応炉部品上の残留反応生成物（不可視膜）の有無を、簡単な方法で検知できる反応生成物の検知方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度状態の管理をより正確に行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記放電管と、前記処理容器と、を連通させる輸送管と、前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の内部や、半導体製造装置のガス給排気系に配設されている排気バルブあるいは半導体製造装置やガス給排気系に配設されている圧力制御バルブなど複雑な構造部分に付着している付着物を安全に取り除く汚染表面清掃技術を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１およびそれにつながるガス給排気系の内部壁面部分を、多関節型に形成したアーム１２部分の先端部に清掃具１４を装着してなる清掃ロボット２で清掃するようにした。 （もっと読む）

【課題】改善されたイメージ品質を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハ並びにエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの適切な製造方法の提供
【解決手段】丸められたエッジを備えたシリコンウェハのグループを準備する工程、前記シリコンウェハのエッジをポリシングする工程、前記シリコンウェハを洗浄する工程、欠陥及びエッジラフネスに関してシリコンウェハのグループのエッジ領域を調査し、前記シリコンウェハのグループから、１０〜８０μｍの空間波長領域に関して１ｎｍ ＲＭＳよりも低い表面粗さを有するシリコンウェハを選択する工程、選択されたシリコンウェハを枚葉型エピタキシー反応器中で前処理し、その際、第１の工程で水素雰囲気中で１〜１００ｓｌｍの流量で処理を行い、更に第２の工程でエッチング媒体を０．５〜５ｓｌｍの流量で前記水素雰囲気に添加し、ガス分配装置を用いて反応室中で分配する工程、前記シリコンウェハをエピタキシャル被覆する工程を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 （もっと読む）

組成物、方法、およびシステムは、反応器の金属部（チタンおよび／またはチタン合金など）における金属酸化物を選択的にエッチングできる。エッチング組成物はアルカリ金属水酸化物および没食子酸を含む。この方法は酸化アルミニウムなどの金属酸化膜の堆積に用いられる反応チャンバの洗浄に有用である。 （もっと読む）

【課題】たとえＣＭＰ後洗浄の場合等、残留物が基板に強固に付着して、既存の二流体ジェット洗浄を単に適用するだけでは十分な洗浄性能が得られない場合であっても、二流体ジェット洗浄をより有効に利用して、洗浄能力を高めた洗浄を行うことができるようにする。
【解決手段】基板に付着した汚染物を洗浄する基板の洗浄方法において、基板と基板上に付着している汚染物のゼータ電位の絶対値を増加させる処理を行い、しかる後、基板の表面に洗浄具を接触させて基板の表面を洗浄する接触洗浄と、ガスと液体を基板表面に向け同時に噴射して基板表面を洗浄する二流体ジェット洗浄とを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを作製すると、半導体デバイスの動作への影響を抑制できる、ＳｉＣ基板、エピタキシャルウエハおよびＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０は、主面を有し、かつＳｉＣからなる下地基板を準備する工程と、主面を第１のアルカリ性溶液を用いて洗浄する工程と、第１のアルカリ性溶液を用いて洗浄する工程後に、主面を第２のアルカリ性溶液を用いて洗浄する工程とを備えたＳｉＣ基板であって、主面１１を有し、主面１１の残渣が０．２個以上２００個未満である。 （もっと読む）

【課題】加工形状を安定して保持できるエッチングの量産処理方法を提供する。
【解決手段】真空処理室と、ガス供給装置と、プラズマを生成するプラズマ生成手段と、プラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する装置を備え、前記真空処理容器内に搬入したウエハにプラズマ処理を施し、ウエハの量産処理を一時中断する装置未稼働時間（アイドリングＳＳ）が発生するエッチングの量産処理方法において、アイドリングＳＳ前後のクリーニングＳ２、Ｓ２’において、リアクタ最表面の反応生成堆積状態と温度の情報を含む前記プラズマ中の発光強度ＳｉＦ（１）、ＳｉＦ（２）をモニタし、これらの発光スペクトルを基にデーターベースＳ４を参照して、アイドリングＳＳ後のプラズマヒーティング工程Ｓ３の時間を調整してリアクタを加熱し、プラズマ加熱Ｓ３後に次の試料をエッチングＳ２する。 （もっと読む）

本発明の実施例は、洗浄溶液を半導体ウエハの一以上の表面に供する最適化されたすすぎ洗浄システム及び方法を供する。本発明の実施例は、製造サイクルにおける様々な時点でのウエハの処理に適用されて良い。前記ウエハは一層以上の金属層を有して良い。
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【課題】微小サイズの異物が排除された状況下でナノインプリント用のテンプレートを洗浄することが可能なテンプレート洗浄方法、洗浄システム、及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】ナノインプリント用のテンプレート（３０１）を洗浄するテンプレート洗浄装置（１０１）であって、前記テンプレート洗浄装置は、ウエハ（２０１）及び前記テンプレートを収容するためのチャンバ（１１１）と、前記チャンバ内に設けられ、前記ウエハ及び前記テンプレートを設置可能なステージ（１３１）と、前記ウエハ及び前記テンプレートを前記チャンバ内に搬送可能な搬送アーム（１２３）とを備える。 （もっと読む）

【課題】反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置の反応槽内で基板上に構造膜を形成することにより半導体装置を製造するプロセスにおいて、反応槽内のクリーニングを行う。すなわち、反応槽の内壁にホウ素を含有したシリコン窒化膜からなるプレコート膜を堆積させ（ステップＳ１１）、反応槽内において基板上に構造膜としてホウ素を含まないシリコン窒化膜を形成し（ステップＳ１２）、反応槽の内壁をドライエッチングしてクリーニングする（ステップＳ１３）。このとき、ドライエッチングは、反応槽から排出されるガスにホウ素が検出された後で終了させる。 （もっと読む）