【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡略な装置構成で電解装置への固形物の混入を防止して連続的かつ安定的な運転を実現する硫酸溶液供給システム及び硫酸溶液供給方法を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を冷却する冷却器２５、硫酸溶液を電解する電解セル４、バッチ式洗浄機２で使用された硫酸溶液を冷却器２５、電解セル４をこの順に介してバッチ式洗浄機２に戻す電解側循環ラインと、バッチ式洗浄機２で使用された硫酸溶液を冷却器２５を介さずにバッチ式洗浄機２に戻す使用側循環ラインを備え、電解側循環ラインと使用側循環ラインが、バッチ式洗浄機２から排液された硫酸溶液が流れる共通した共通排液ライン１０を有し、共通排液ライン１０の下流側端部にある分岐点１０ａからそれぞれが分岐しており、共通排液ライン１０に固形物を捕捉する洗浄機側フィルタ２１を備える。 （もっと読む）

【課題】 設備コスト、設置場所の縮小を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 基板Ｗに対して剥離処理と洗浄処理を行なう基板処理装置において、導入された空気を窒素ガスと酸素ガスのガス成分に分離して取り出し可能とするガス分離モジュール９と、この分離モジュール９から分離取り出された窒素ガス、酸素ガスをそれぞれ用いたマイクロナノバブル発生装置５、６を設け、各発生装置で発生した微小気泡を剥離部２、洗浄部３にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】電力消費量を低減することができる基板処理装置および電源管理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板の処理のための工程を実行する複数のユニットＩＲ，ＳＨ、ＣＲ、ＭＰＣ、ＣＣと、複数のユニットにそれぞれ対応しており、対応するユニットに電力を供給するオン状態と、対応するユニットへの電力供給を停止するオフ状態との間で切り替わる複数のオン・オフ切替装置２２と、基板処理装置１に投入される基板の処理内容および終了期限を含む生産情報を取得し、処理内容に応じて複数のユニットによって行われる全ての工程が終了期限以前に完了するように、複数のユニットの稼働計画を表すタイムチャートを生産情報に基づいて作成し、タイムチャートに基づいて複数のユニットを稼働させると共に、タイムチャートに基づいて複数のオン・オフ切替装置２２を制御するメインコントローラ６とを含む。 （もっと読む）

【課題】処理液の流量変動を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック２と、基板Ｗに処理液を供給する処理液供給ノズル３を備えている。処理液は処理液タンク５に貯留され、処理液タンク５と処理液供給ノズル３との間には処理液供給配管４が設けられている。処理液供給配管４の途中部には、ポンプ６、温調用ヒータ７、フィルタ８が設けられている。分岐部Ｊ１には処理液帰還配管１２が分岐接続され、処理液帰還配管１２は処理液タンク５に導かれている。分岐部Ｊ１よりも下流側の処理液供給配管４には、供給流量調節バルブ９、流量計１０、供給バルブ１１が介装されている。供給流量調節バルブ９と流量計１０との間の分岐部Ｊ２には処理液分岐配管１５が分岐接続され、処理液分岐配管１５にはオリフィス１６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割には安価に済むプラズマ電位計測方法及びそれを利用した装置を提供する
【課題を解決するための手段】
真空チャンバ１内の測定対象プラズマ２のプラズマ電位計測方法であって、該真空チャンバ１内に質量分析器３を配置し、前記プラズマ２と前記質量分析器３との間にバイアス電圧を印加して質量分析を実施し、イオンが検出された条件において、前記質量分析器３内のサプレッサー電圧を変化させていき、イオン電流が検出されなくなるサプレッサー電圧と前記バイアス電圧との関係からプラズマ電位を算出するプラズマ電位計測方法及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 少ないアンモニアの使用量で半導体ウエハを効果的に洗浄する方法を提供すること。
【解決手段】 電気伝導度が１μＳ／ｃｍ以下である純水にアンモニアを添加してその濃度を０．００５〜０．５％としたアンモニア水中において生成させた、粒径が５０μｍ以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において１０〜１５μｍに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が１０００個／ｍＬ以上である、空気および／または不活性気体を含有する微小気泡を含むアンモニア水を、半導体ウエハの表面に接触させて行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置コストの増大を抑えつつ、複数種類の処理液を清浄な状態で供給することができる処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗに対して処理液による処理を行う処理チャンバ１０と、ミキシングバルブ３３を有する処理液供給装置３０とを備えている。ミキシングバルブ３３は、直方体形状の筒状部材で形成された混合部３６の中間位置に配置された純水導入口４６と、混合部３６の一端側に配置され、混合部３６で生成されたＳＣ１を導出するＳＣ１導出口４７と、混合部３６の他端側に配置され、混合部３６で生成されたＳＣ２を導出するＳＣ２導出口４８とを備えている。ミキシングバルブ３３で生成されたＳＣ１およびＳＣ２は、混合部３６内を互いに逆方向に流れてＳＣ１導出口４７およびＳＣ２導出口４８からそれぞれ導出される。 （もっと読む）

【課題】異なる監視時間の時間帯を複数設定することにより、供給異常を適切に検知することができる。
【解決手段】ＳＰＭ処理液が生成されてから新たなＳＰＭ処理液を生成するまでの間を二つの時間帯（第１の時間帯ＴＺ１、第２の時間帯ＴＺ２）に区切り、積算するための監視間隔がそれぞれ第１の監視間隔ＴＩ１と第２の監視間隔ＴＩ２との個別に設定されている。したがって、ＳＰＭ処理液が生成されてからの経過時間に応じて薬液の補充頻度が異なる場合であっても、供給異常を適切に検知することができる。 （もっと読む）

【課題】基板ロボットを用いることなく第１チャンバから第２チャンバに基板を搬送させることができ、かつその搬送中の基板に処理流体を用いた処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１チャンバ１内には、ウエハＷの周縁部を支持して、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第１支持部材１０が収容されている。第２チャンバ２内には、ウエハＷをほぼ水平姿勢に支持するための複数の第２支持部材２０が収容されている。第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび／または第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが、ウエハＷを支持しつつＸ方向に移動されることにより、ならびに第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄおよび第２支持部材２０Ａ〜２０Ｄが開閉されることにより、４つの第１支持部材１０Ａ〜１０Ｄから４つの第２支持部材２０Ａ〜２０ＤにウエハＷが受け渡される。搬送中のウエハＷに対して処理部３による処理が施される。 （もっと読む）

【課題】吐出される液滴の噴霧状態を調整することができる二流体ノズルを提供すること。二流体ノズルから吐出される液滴を用いて所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】二流体ノズル３は、ケーシングを構成する外筒２０と、外筒２０に内嵌された内筒２１と、内筒２１を外筒２０に固定するための固定ナット２３とを含む。内筒２１の大径円筒部２４の外周には、雄ねじ３６が形成されている。外筒２０の内周の基端部には、雄ねじ３６に螺合する雌ねじ３７が形成されている。固定ナット２３は、内筒２１の雄ねじ３６と螺合する雌ねじ孔３１を有している。外筒２０と内筒２１とはねじ嵌合により連結されている。雄ねじ３６に対する外筒２０のねじ込み量を調節することによって、遮蔽部４３に対する短筒部４７の軸方向の位置を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のウェット処理において、エッチングを制御しながら薬液使用量を削減する。
【解決手段】薬液を用いて複数の基板を順次処理するウェット処理方法は、次の各工程を備える。つまり、第１の基板をウェット処理する際の設備パラメータの値を収集する工程（ａ）と、設備パラメータに基づいて、工程（ａ）における基板の被処理層のエッチングレートを算出する工程（ｂ）と、エッチングレートと、被処理層に対して予定したエッチング量とに基づいて、処理時間を算出する工程（ｃ）と、工程（ａ）の後に、第１の基板とは異なる他の基板について、処理時間のウェット処理を行なう工程（ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】送り出し部から処理液を供給ノズルを介して基板に吐出するにあたり、処理液の流量の監視と、処理液中の気泡のトラップとを同一の機器により行うこと。
【解決手段】気密な容器の上部に開口し、送り出し部から処理液が送り出される第１の流路と、当該容器の底部に接続され、途中に開閉バルブが設けられた第２の流路と、この第１の流路から滴下される液滴の落下軌跡を横切るように光軸が形成された光電センサーと、光電センサーからの検知信号に基づいて処理液の流量を計測する流量監視部と、容器の上部に設けられ、排気バルブを介して大気に開口する排気路と、前記容器内の液面レベルが下限レベルに達したか否かを監視し、下限レベルに達したときに、開閉バルブを閉じると共に排気バルブを開放し、送り出し部から容器内に処理液を送り出す制御部と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】薬液が所要の洗浄能力を維持していない状態になった場合に、これを即時に認識して不具合発生を防止することができるとともに、薬液交換のタイミングの最適化を図ることができる洗浄処理装置および洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】薬液洗浄槽６内の薬液の劣化度合いを示すパラメータを計測する計測器２１〜２３を備える。判定部２４３は、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲内であるか否かに基づいて薬液交換の要否を判定する。判定の結果が薬液交換要である場合、判定部２４３は薬液交換を実施する。また、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲外であり、かつ先の薬液交換の実行時点からの経過時間が予め設定された規定時間未満である場合には、判定部２４３は、薬液交換をすることなく報知部２８に異常発生の報知を指示する。 （もっと読む）

【課題】 スタブ導波管を備えたスロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スタブ導波管の直下の電界強度を高めることにより、スロットアンテナ付近の電界分布を効果的に調節し、スロットアンテナ全体に均一な電界分布を形成させる。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３Ａを備えている。スタブ４３Ａは、導電性のカバー部材３４に設けられている。スタブ４３Ａは、平面アンテナ板３１の最外周に配列されたスロット対を構成するスロット３２と上下に重なるように配置されている。透過板２８の下面には、スタブ４３Ａと上下に重なるように環状溝２８ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】構成を簡素化し、コストを削減しながら、複数の処理部に処理液を安定して供給可能な処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】薬液キャビネット１は、基板Ｗに処理液による処理を施すための複数の基板処理部５に処理液を供給する。薬液キャビネット１は、複数の成分液供給源１１〜１５と、成分液を導く複数の成分液供給路２１〜２５と、これらの成分液供給路２１〜２５によって導かれた成分液を合流させて混合することにより処理液を生成する混合部７０と、混合部７０から複数の基板処理部５に処理液を分配する処理液分配路７１とを備えている。成分液供給路２１〜２５には、それぞれ自動流量調整弁５１〜５５が介装されている。成分液供給源１１〜１５と自動流量調整弁５１〜５５との間には、成分液レギュレータ３１〜３５が介装されており、成分液供給路２１〜２５の成分液供給圧力を等圧に制御する。 （もっと読む）

【課題】複数膜種のエッチング終点の検出を容易な構成で確実に実施できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室２のプラズマ光３を複数の分光装置７を用いて分光し、分光した複数波長の複数の光を１つの光電子増倍管９に入射することにより、複数種の膜を連続的にエッチングするに際して、装置制御システム変更無しにエッチング終点の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】種々の被エッチング材料、プロセス条件に対応可能なエッチング特性分布調整手段を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に静磁場を生成する磁場生成用コイル１８，１９と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換するマイクロ波回転発生器２２を備え、前記磁場生成用コイルに励磁電流を供給する励磁回路には励磁電流を反転して供給する手段３３を備えた。 （もっと読む）

【課題】反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置の反応槽内で基板上に構造膜を形成することにより半導体装置を製造するプロセスにおいて、反応槽内のクリーニングを行う。すなわち、反応槽の内壁にホウ素を含有したシリコン窒化膜からなるプレコート膜を堆積させ（ステップＳ１１）、反応槽内において基板上に構造膜としてホウ素を含まないシリコン窒化膜を形成し（ステップＳ１２）、反応槽の内壁をドライエッチングしてクリーニングする（ステップＳ１３）。このとき、ドライエッチングは、反応槽から排出されるガスにホウ素が検出された後で終了させる。 （もっと読む）