可撓性基板（２１）上に形成された可撓性伝導体。ある実施形態では、かかる基板は半導体基板である。デバイスは、周期的構造のアイランド（１４）、及び、前記周期的構造のアイランドに添付した直列の繰り返し構造特性（１８）を有する少なくとも１つの伝導体（１０）を有する。伝導体の構造特性は、基板が曲がったとき、伝導体を破壊するのではなく伝導体を伸縮させるように適合される。
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【課題】 しかし、薄膜トランジスタを有する表示装置では、同一対象物、例えば同一絶縁膜のエッチング条件を最適化することが難しかった。これは、同一絶縁膜において、エッチングする絶縁膜の膜厚や面積が異なるためである。特に面積の小さなコンタクトホールは、エッチングする量がその他の開口部と異なる。
【解決手段】 上記課題を鑑み本発明は、第１のマスクを用いて、第１の領域の対象物をエッチングして広面積な開口部を形成し、第２のマスクを用いて、第２の領域の前記対象物をエッチングして微細な開口部、つまりコンタクトホールを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

導電構造（１００）のある実施態様は、第１の導電層（１１０）および第２の導電層（１２０）を有する。第２の導電層は、第１の導電層のほぼ全長にわたり、第１の導電層に接触している。第２の導電層は第１の導電層の上方にある。非導電層（１３０）は、第１の導電層および第２の導電層に接触している。電流は第１の導電層および第２の導電層を通じて伝搬する。
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【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等の構成物を、密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタ又は表示装置などを構成する構成物を、それらの被形成物表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質を添加（混入）して形成することによって、構成物と被形成物との密着性を向上させる。また、構成物上に形成される絶縁層において、構成物表面に生じる凹凸形状を十分に被覆し、かつ絶縁層として信頼性に足るように緻密化できるように、絶縁層を有機材料を含む第１の絶縁層と、無機材料を含む第２の絶縁層とを積層して形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の搭載されたで導電性基板に、導電性基板の表裏面の導通をとる高アスペクト比、小径の貫通孔を、高温プロセスを使用する事なく形成する。
【解決手段】 あらかじめその表面に半導体素子及び該半導体素子と繋がる電気接続部が作りこまれている、半導体基板またはガラス基板からなる導電性基板の所定位置に、少なくとも１つの貫通孔をレーザ等で形成し、該貫通孔の内側表面に蒸着重合法により絶縁層を形成し、該絶縁層の内側表面およびそれと連なる該貫通孔の開孔部周辺部に、無電解メッキ等により導電層を該電気接続部と繋がるように形成する事で、該電気接続部と基板の裏面あるいは側面との導通をとる。 （もっと読む）

【課題】 より高精細なパターンの形成が可能な、液滴吐出法を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】 パターンが形成されたモールドを絶縁膜に押し付けた状態で絶縁膜の硬化を行なった後、モールドを取り外すことで、絶縁膜に凹部を形成し、導電材料を有する液滴を吐出することにより、凹部に導電膜を形成し、導電膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に島状の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

半導体デバイス構造（１０）では、Ｎ及びＰチャネルトランジスタキャリア移動度を別々に最適化するため、二つの半導体層（１６、２０）が使用される。これを決定する導電特性は、半導体の材料の種類、結晶面、配向性及び歪みの組み合わせである。シリコンゲルマニウムの半導体材料、圧縮性歪み、（１００）の結晶面及び＜１００＞の配向性を特徴とする導電特性の場合、Ｐチャネルトランジスタ（３８）においてホール移動度が向上する。また、結晶面は（１１１）であってもよく、この場合、配向性は重要ではない。Ｎ型伝導に適した基板は、Ｐ型伝導に適した（又は最適）基板とは異なる。Ｎチャネルトランジスタ（４０）は、好ましくは、引っ張り歪み、シリコン半導体材料及び（１００）面を有する。別の半導体層（１６、２０）では、Ｎ及びＰチャネルトランジスタ（３８、４０）はいずれもキャリア移動度に対し最適化される。
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【課題】半導体装置、例えばＳＲＡＭのメモリセルのα線によるソフトエラーを低減する。
【解決手段】基板１ａをエッチングして第１配線溝ＨＭ１を形成し、第１配線溝ＨＭ１下の素子分離２（または素子分離溝２および絶縁層１ｃ）をエッチングして第２配線溝ＨＭ２を形成し、第１配線溝ＨＭ１および第２配線溝ＨＭ２の内壁に沿って局所配線１６ａ，１６ｂを形成し、一方の局所配線１６ａを下部電極ＥＬとして、その下部電極ＥＬ上に容量絶縁膜となる窒化シリコン膜１７、さらに上部電極ＥＵを形成することにより、容量ＣＡ１の面積を増加させて、メモリセルの記憶ノードに相対的に大きな静電容量を付加する。 （もっと読む）

コンタクトエッチストップ層（１１６）を設けることによって、異なるトランジスタ型（１００Ｎ），（１００Ｐ）のチャネル領域内の応力を効果的に制御することができる。その際、コンタクトエッチストップ層（１１６）の引張応力部分と圧縮応力部分は、ウェット化学エッチング、プラズマエッチング、イオン注入、プラズマ処理などの十分に確立されたプロセスによって得ることができる。このため、プロセスを著しく複雑にすることなく、トランジスタ（１００Ｎ），（１００Ｐ）の性能を大きく改善することができる。
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半導体（１０）はトランジスタのような能動素子を有し、この能動素子はキャパシタ（７５，７７，７９）のような受動素子の直下に位置し、能動素子及び受動素子はビアまたは導電領域（５２）及び配線（６８，９９）によって接続される。ビアまたは導電領域（５２）はトランジスタの拡散領域またはソース領域（２２）の底面にコンタクトし、更にキャパシタ電極の内の第１電極（７５）にコンタクトする。横方向に位置する縦型ビア（３２，５４，６８）及び配線（９９）はキャパシタ電極の内の第２電極（７９）にコンタクトする。金属配線または導電材料（６８）は電源プレーンとして使用することができ、この電源プレーンは、電源プレーンをトランジスタに隣接させるのではなくトランジスタの下に位置するように用いることによって回路面積を節約するように作用する。
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ナノパターンの複製方法を開示する。この方法は、基板を特定すること(110)と；基板の表面を液体層で被覆すること(120)と；ナノパターンのネガを規定する複数の凹部を有する成形型を被覆液体層に十分に近接して位置決めして成形型の複数の凹部の少なくとも一部分を液体層で自己充填させること(130)と；液体層を化学変換させて変換膜がナノパターンを実質的に保持しうるようにすること(140)と；成形型を分離すること(150)と；を含む。 （もっと読む）

基板、基板上の導電パッド、および基板上の絶縁層を含む電子デバイスを形成する方法であって、上記絶縁層は導電パッドの一部を露出するバイアホールを有する。詳細には、絶縁層上であり導電パッドの露出部分上に導電構造体を形成できる。導電構造体は、チタン・タングステン（ＴｉＷ）のベース層と、アルミニウムおよび／または銅のうちの少なくとも１つの導電層とを含みうる。さらに、導電構造体のベース層を、導電層と絶縁層との間に形成できる。関連デバイスについても説明する。

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インプリント・リソグラフィと共に多段構造を有するテンプレートを用いるデュアルダマシン構造の製造方法の一例は、多段構造を有するリソグラフィ用テンプレート（１３０）をレジスト層（１２０）と接触するように配置するステップ（ステップ１５０）と、テンプレート（１３０）に圧力を加えることによりレジスト材料（１２０）がテンプレート（１３０）のレリーフパターン内に流れ込み、パターン化されたレジスト層（１２５）が形成されるステップと、そのパターン化されたレジスト層（１２５）を必要に応じて硬化するステップと、テンプレート（１３０）をパターン化されたレジスト層（１２５）から取り外すステップ（ステップ１６０）と、及びパターニング層（１１７）にビアやトレンチを作製するためパターン化されたレジスト層（１２５）をエッチングするステップ（ステップ１７０，１８０）とからなる。開示された特徴や仕様は、デュアルダマシン構造や他の多段構造の作製を改良したり、他の方法で最適化したりするため、様々に制御したり、設定したり、適合させたり、他の方法で部分的に変更したりしてもよい。
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【課題】半導体素子の発熱に起因する半導体集積回路装置の温度上昇を低減する。
【解決手段】多層配線構造を備えた半導体集積回路装置において、多層配線構造を構成する接続孔及び金属配線層と同じ導電材料からなり、信号伝送用の接続孔及び金属配線層（領域Ｃ参照）とは異なる経路で上層側に延びる熱伝導部３３，３５，３７を備えている（領域Ａ，Ｅ，Ｆ参照）。領域Ａにおいて、完全空乏型ＳＯＩトランジスタのゲート動作により発生した熱は、コンタクト層１９、メタル配線層Ｍ１、ビア層２１、メタル配線層Ｍ２に伝導され、さらに熱伝導部３３を介して最上層のメタル配線層Ｍ６まで伝導され、絶縁層１７の上面側から放熱される。これにより、半導体集積回路装置の温度上昇を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 パターニングフリーの能動素子基板の提供。
【解決手段】 能動素子基板は、基板上に形成された能動素子１と、能動素子１上に形成された導電膜２とを有する。導電膜２は、能動素子１から出力された電気信号を有限範囲内に伝達する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの下層におけるクラックの発生を抑制しつつ、ボンディングパッドの下層を有効活用して装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板１１と、外部との電気的接続をとるための接続領域１２ａを有するボンディングパッド１２と、半導体基板１１とボンディングパッド１２との間に介在する第１層間絶縁層１３と、第１層間絶縁層１３に埋設されたメタル配線層１４とを備える。メタル配線層１４は第１層間絶縁層１３より硬度の小さい材質からなる。メタル配線層１４の少なくとも一部は、積層方向において接続領域１２ａと重なり、接続領域１２ａと重なるメタル配線層１４の領域には、積層方向に貫通し、メタル配線層１４をその層方向において分離している切欠部３０ａ〜３０ｅが形成されているとともに、この切欠部３０ａ〜３０ｅに第１層間絶縁層１３の一部が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】配線容量を低減した多層配線構造部。
【解決手段】下地１１と、下地１１上に設けられている第１の配線層１２と、下地１１上に第１の配線層１２を被覆するように設けられていて、互いに隣接する第１の配線層１２間に凹部２２ｂを有するライナー絶縁膜２２と、凹部２２ｂに設けられている埋込み絶縁膜２４と、埋込み絶縁膜２４を被覆しているキャップ絶縁膜２６と、キャップ絶縁膜２６上に設けられている第２の配線層１４とを具えていて、埋込み絶縁膜２４は、ライナー絶縁膜２２及びキャップ絶縁膜２６よりも低い誘電率を有する絶縁性材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層及びヴィア形成において、形成された絶縁層の表面が非常に平滑となり、薄膜素子等を信頼性及び歩留り良く、高い自由度を以って形成でき、さらには微小なヴィア形成が可能である絶縁層及びヴィア（接続孔）の形成方法、及びそれを用いた多層配線基板並びにモジュール基板等の配線構造及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 台座２０を介してマスク基板２１を配置し、この基板２１とコア基板１との間に感光性エポキシ樹脂などの感光性絶縁材料３Ａを介在させ、これをパターン露光して現像してヴィアホール７を形成する。この現像により、微小なヴィアホール７を形成できると同時に、マスク基板２１のコア基板対向面２１ａによって絶縁材料（従って、絶縁層３）を平坦かつ滑らかな表面に、しかも常に設定された厚みに形成することができる。 （もっと読む）