【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第１のゲート電極層と、第１のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第２のゲート電極層と、第２のゲート電極層上の、側端部を第２のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】エピ抵抗や抵抗チップを用いることなく、奇モードのループ発振を抑えること。
【解決手段】本発明は、金属層６０を形成する工程と、複数のＦＥＴそれぞれのゲートフィンガー１４を共通に接続するゲートバスライン２６のパターンのうち一部分を除いたパターンを有するめっき層６４と、一部分の領域を被覆する第２マスク層６６と、をマスクにして金属層６０をパターニングすることで、ゲートバスライン２６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】残渣による配線間のショートの発生を防ぐ。
【解決手段】本発明の半導体装置は、高誘電率材料を含む第１のゲート絶縁膜４と第１のゲート絶縁膜４上に形成された第１のメタルゲート電極５とを備える第１のトランジスタが形成される半導体基板上の第１の領域と、高誘電率材料を含む第２のゲート絶縁膜４と第２のゲート絶縁膜上に形成された第２のメタルゲート電極１２とを備え、第１のトランジスタとは閾値電圧の異なる第２のトランジスタが形成される半導体基板上の第１の領域に並ぶ第２の領域と、電位の異なる第１および第２の配線と、を有し、第１の領域と第２の領域との境界が、第１および第２の配線の少なくとも一方としか重ならない。 （もっと読む）

【課題】ワード線抵抗を低減し、かつ、周辺回路のトランジスタの特性変化を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板と、複数のメモリセルと、周辺回路とを備える。メモリセルは、半導体基板の上方に設けられたフローティングゲートと、フローティングゲート上に設けられたゲート間絶縁膜と、ゲート間絶縁膜上に設けられたコントロールゲートとを含む。周辺回路は、互いに電気的に接続されたフローティングゲートおよびコントロールゲートと、少なくともフローティングゲートとコントロールゲートとの間の電気的接触部分に設けられ該フローティングゲートと該コントロールゲートとの間の電気的接続を妨げない絶縁薄膜とを含むトランジスタを含む。複数のメモリセルは、コントロールゲート内に絶縁薄膜を含まない。メモリセルおよび周辺回路において、コントロールゲートの少なくとも上部はシリサイド化されている。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの制御性を向上した不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、構造体と、複数の半導体層と、メモリ膜と、接続部材と、導電部材と、を備える。前記構造体は、メモリ領域と非メモリ領域とを有する基板の前記メモリ領域の上に設けられる。前記構造体は、前記基板の主面に対して垂直な第１軸に沿って積層され複数の電極膜を含む。前記半導体層は、前記構造体を前記第１軸に沿って貫通する。前記メモリ膜は、前記複数の電極膜と前記半導体層との間に設けられる。前記接続部材は、前記基板と前記半導体層との間に設けられる。前記接続部材は、隣り合う２つの前記半導体層のそれぞれの端部と接続される。前記導電部材は、前記基板と前記接続部材との間で、前記メモリ領域から前記非メモリ領域に延在して設けられる。前記導電部材は、前記非メモリ領域の上に設けられた凹部を有する。前記凹部内には、第１シリサイド部が設けられる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に下地金属層と上部金属層からなる配線を備えた半導体装置において、下地金属層のサイドエッチングによる絶縁膜と上部金属層との密着性の劣化を抑制することができる半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】配線本体１６が形成される絶縁膜１４の上面には、配線本体１６のパターンに対応し、かつ、絶縁膜１４の上面から所定の深さの凹部１４ａが設けられ、当該凹部１４ａを含む絶縁膜１４上面に、配線の一部であり、かつ、密着層であるチタン薄膜１５を介して配線本体１６が設けられている。凹部１４ａの幅は、配線本体１６の幅よりも狭くなるように設定される。チタン薄膜１５は配線本体１６の配線幅よりも狭く形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面のＡｌ層の表面が荒れることを抑制しつつ、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることを防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１２の表面にＡｌ層１４を形成し、Ａｌ層１４の表面にＴｉＮ層１６を形成し、ＴｉＮ層１６の表面の一部に絶縁層２０を形成し、ＴｉＮ層１６と絶縁層２０の表面に溶解層を形成し、溶解層の表面にレジスト層を形成し、溶解層とレジスト層の一部を除去して溶解層開口部を形成してＴｉＮ層１６の一部を露出させ、レジスト層の表面、及び、露出したＴｉＮ層１６の一部の表面にＴｉ層３０及びＮｉ層４０を形成し、アルカリ溶液によって溶解層を溶解させることにより、溶解層とともに、レジスト層とその表面に形成されたＴｉ層及びＮｉ層を除去する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】半導体装置３１は、回路基板１の所定位置に形成された電極パッド１０を有し、電極パッド１０には、半導体装置２１のハンダバンプ２６が接合されている。ハンダバンプ２６は、半導体装置２１の電極２５上に形成され、そのハンダ材料には鉛フリーハンダが用いられている。回路基板１の電極パッド１０は、複数の凸部１０Ａと溝１０Ｂが形成されており、ハンダバンプ２６は、その一部が電極パッド１０の溝１０Ｂを埋めるように入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】配線層の加工マージンが大きく、微細化に適した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１にゲート電極溝を形成する工程と、ゲート電極溝の内壁面にゲート絶縁膜１５を形成する工程と、ゲート電極溝の底部に埋め込みゲート電極２３Ａを形成する工程と、埋め込みゲート電極２３Ａの上面を覆うようにゲート電極溝の内部に絶縁膜を埋め込んだ後、エッチバックして当該ゲート電極溝の上部にキャップ絶縁膜２２を形成する工程と、半導体基板１の上面に層間絶縁膜２４を形成する工程と、層間絶縁膜２４にビットコンタクト開口部を形成する工程と、を備え、半導体基板１の上面に層間絶縁膜２４を形成する工程が、半導体基板１の上面とキャップ絶縁膜２２の上面との間に生じた段差を埋め込むように層間絶縁膜２４を成膜するとともに当該層間絶縁膜２４の上面を平坦とすることを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】パッドピッチに対応させてプローブ針の間隔を狭くすることができるようにする。
【解決手段】この半導体装置は、絶縁膜１１０上に形成されたパッド１２０と、パッド１２０に形成された凹部１２１と、凹部１２１内に形成された金属層１２２とを備える。パッド１２０は接続領域１２６及びプローブ領域１２４を備えている。接続領域１２６にはボンディングワイヤやバンプなどの接続部材が接続される。プローブ領域１２４は、半導体検査装置のプローブ針が接する領域である。そして金属層１２２はプローブ領域１２４に設けられている。パッド１２０は矩形であり、プローブ領域１２４は、パッド１２０のうち半導体装置の内側を向いている辺を含むように形成されている。金属層１２２は、パッド１２０よりもイオン化傾向の小さい金属により形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＰＳ構造を採るメタル膜とコンタクトプラグとの界面抵抗を低減できるようにする。
【解決手段】まず、半導体基板１の上に、ゲート絶縁膜３を形成し、形成したゲート絶縁膜３の上に、ＴｉＮ膜４及びポリシリコン膜５を順次形成する。続いて、ポリシリコン膜５にＴｉＮ膜４を露出するコンタクトホール５ａを形成する。続いて、ポリシリコン膜５における第１のコンタクトホール５ａの少なくとも底面及び壁面上に金属膜７を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の絶縁膜の上に形成される金属配線または金属電極の接着力を向上させる。
【解決手段】窒化タングステン６ｂをタングステン６ｃの側面にまで設けて、タングステン６ｃと窒化タングステン６ｂとが接触している面積を増やす。ゲート絶縁膜２上に、ゲート絶縁膜２との接着力が強いポリシリコンサイドウォール５を配置する。タングステン６ｃの側面にある窒化タングステン６ｂにはポリシリコンサイドウォール５を密着させる。 （もっと読む）

【課題】基板上の受動素子を用いてインピーダンス制御を行うために、高精度の抵抗部を容易に形成する。
【解決手段】半導体装置１２１の能動面１２１ａの周縁部には、複数の電極パッド２４が配列形成され、半導体装置１２１の能動面全体に保護膜としてのパッシベーション膜２６が形成されており、上述した各電極パッド２４の表面に、パッシベーション膜２６の開口部２６ａが形成されている。パッシベーション膜２６上には、応力緩和性の高い有機樹脂膜が形成される。そのパッシベーション膜２６の表面であって、電極パッド列２４ａの内側には、樹脂突起１２が形成されている。樹脂突起１２は、半導体装置１２１の能動面１２１ａから突出して形成され、略同一高さで直線状に延在しており、電極パッド列２４ａと平行に配設されている。 （もっと読む）

【課題】
エレクトロマイグレーション（ＥＭ）に対する向上した信頼度を有する相互接続構造体を提供すること。
【解決手段】
本発明の相互接続構造体は、ＥＭ防止ライナ（６６）を金属相互接続部内に少なくとも部分的に組み込むことによって、ＥＭ故障により引き起こされる回路不良開口を回避する。１つの実施形態において、導電性材料（６４、６８）を誘電体材料（５４Ｂ）から分離する拡散障壁に当接する「Ｕ字形」のＥＭ防止ライナ（６６）が設けられる。別の実施形態においては、「Ｕ字形」ＥＭ防止ライナと拡散障壁との間には空間が配置される。さらに別の実施形態において、拡散障壁に当接する水平ＥＭライナが設けられる。さらに別の実施形態において、水平ＥＭライナと拡散障壁との間には空間が存在する。 （もっと読む）