【課題】 微小開口の孔の形成が容易で、断線が発生しにくく、且つオーバーエッチングによる電極等の再付着現象を発生させないようにする。
【解決手段】 有機系の第２の絶縁層２２を珪素系の第１の絶縁層２１と第３の絶縁層２３で挟んで絶縁膜２０を形成し、その絶縁膜に対して、異方性エッチングと異方性の強いエッチングを交互に繰り返すことにより、第２の絶縁層２２部分に段部２９を有し、基板側に向かって凸型の孔３０を形成し、回路素子１の電極１ａと絶縁膜表面との間を接続する配線部として蒸着される導電材が、段部２９に堆積する導電材を介して一体化するようにしている。 （もっと読む）

多層配線構造を有する半導体装置は、第１の導電領域と、前記基板に対して前記第１の導電領域よりも高い位置に上面を有する第２の導電領域と、前記第１および第２の導電領域を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜中に、前記第２の導電領域を露出するように形成された配線溝と、前記絶縁膜中に前記第１の導電領域を露出するように形成されたコンタクトホールと、前記配線溝および前記コンタクトホールを充填する配線パターンとよりなり、前記配線パターンの上面は、前記絶縁膜の上面に一致する。
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【課題】電気的特性に優れた、より高性能な混載型メモリ装置及びその製造方法。
【解決手段】混載型メモリ装置１００は、強誘電体層４４を含む複数のメモリセルがマトリクス状に設けられているメモリセルアレイ領域１、ロジック回路素子２０が設けられているロジック回路領域２を含む複数の領域を有していて、メモリセルアレイ領域を除く領域を覆って設けられているライナー酸化膜８０と、ライナー酸化膜が設けられている領域とメモリセルアレイ領域とにわたって設けられているカバー膜９０とを具えている。 （もっと読む）

【課題】低電気抵抗化および高信頼性化可能なコンタクトを備え、高速伝送が可能で信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 コンタクト２０、２３を、ＣＶＤ法を用いて、シリサイド膜１９、２２、シリコン窒化膜１５ａおよび第１層間絶縁膜１５ｂの内壁に接する表面に、表面からコンタクト内部方向への距離に応じて窒素含有量が減少する組成勾配を有する窒化タングステン部２４を形成し、その内側にタングステンが充填されたタングステン部２５を形成する。窒化タングステン部２４とタングステン部２５との界面の酸化や汚染を防止する。 （もっと読む）

【目的】 ヴィア（ヴィアコンタクト）の加工形状を均一にすることを目的とする。
【構成】 第１の配線層と、前記第１の配線層の上方に形成された第２の配線層と、前記第１の配線層と前記第２の配線層との間のヴィア層に配置され、前記第２の配線層下面から前記第１の配線層上面まで導電性材料が堆積したヴィア２０と、前記第１の配線層と前記第２の配線層との間のヴィア層に配置され、前記第２の配線層下面から前記ヴィア層の途中まで導電性材料が堆積した、前記ヴィア２０より径の小さなヴィア２２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層配線の狭ピッチ化に対応可能な半導体装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板上に複数の第１配線層を形成する工程と、第１配線層を覆うように第１層間絶縁膜層９を形成する工程と、第１層間絶縁膜層に、表面からその厚み方向に貫いて第１配線層に接続する複数の第１プラグ１４を形成する工程と、第１層間絶縁層上であって、第１プラグのうち一部の第１プラグの直上部に第２配線層４０を形成する工程と、第１層間絶縁膜層上に第２配線層を覆うように第２層間絶縁膜層１９を形成する工程と、第２層間絶縁膜層に、表面からその厚み方向に貫いて第２配線層に接続する第２プラグ２４’と、表面からその厚み方向に貫いて第１プラグに直接接続する第３プラグ２４と、を同時に形成する工程と、第２層間絶縁膜層上であって、第２プラグおよび第３プラグの直上部に第３配線層５０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の配線構造体およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置は半導体基板100上に配置された層間絶縁膜、前記層間絶縁膜を貫通する第１コンタクト構造体181および第２コンタクト構造体182、前記層間絶縁膜上に配置されて前記第１コンタクト構造体と前記第２コンタクト構造体に連結される金属配線220を具備する。この際、前記第１コンタクト構造体は順次に積層された第１プラグおよび第２プラグ200を含み、前記第２コンタクト構造体は前記第２プラグを含む。 （もっと読む）

無電解メッキを利用して、半導体基板に関連する電気的相互接続部を形成することができる。例えば、半導体基板は、その上に無電解メッキに適する表面を持つダミー構造を有するように、且つその上にダミー構造とほぼ同じ高さを有するディジット線を有するように形成することができる。層はダミー構造及びディジット線上に形成され、開口はその層を通ってダミー構造及びディジット線の上部表面まで形成される。続いて、導電性材料が開口内に無電解メッキされて、開口内に電気的接続部を形成することができる。ダミー構造まで延びる開口はキャパシタ電極を通ることができ、したがって、そのような開口内に形成される導電性材料を利用して、キャパシタ電極への電気的接続部を形成することができる。
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