【課題】絶縁膜に形成した溝の内部に導電層を形成する方法を提供する。
【解決手段】酸化シリコン膜２４に形成した溝２５の内部にアモルファスシリコン膜２６Ａを堆積し、続いてアモルファスシリコン膜２６Ａの上部にフォトレジスト膜３０をスピン塗布する。次に、フォトレジスト膜３０の全面に露光光を照射して溝２５の外部のフォトレジスト膜３０を露光する。このとき、溝２５の内部のフォトレジスト膜３０は、露光量が不足するので露光されない。次に、フォトレジスト膜３０を現像して露光部である溝２５の外部のフォトレジスト膜３０を除去した後、溝２５の内部に残った未露光のフォトレジスト膜３０をマスクにしたドライエッチングで溝２５の外部のアモルファスシリコン膜２６Ａを除去する。 （もっと読む）

半導体素子が形成された基板上に金属配線を積層し、半導体素子の接続を得る多層配線構造において、多孔質絶縁膜内に微細な金属配線を形成する場合に、リーク電流が発生し隣接する配線間の絶縁性が損なわれたり、隣接する配線間の絶縁耐性が劣化することのない配線構造およびその製造方法を提供する。半導体素子が形成された基板上の金属配線構造において、層間絶縁膜と金属配線との間に、有機物を含む絶縁性バリア層４１３を形成する。この絶縁性バリア層は隣接する配線間のリーク電流を低減し、絶縁信頼性を向上させることができる。
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【課題】機械的強度が十分に強く、しかも、比誘電率が極めて低い絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に多孔質の第１の絶縁膜３８を形成する工程と、第１の絶縁膜上に、第１の絶縁膜より密度の高い第２の絶縁膜４０を形成する工程と、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜が存在している状態で、電子線、紫外線又はプラズマを照射し、第１の絶縁膜を硬化させる工程とを有している。緻密性の高い第２の絶縁膜を介して第１の絶縁膜に電子線等を照射するため、第１の絶縁膜に大きなダメージが加わるのを防止しつつ、第１の絶縁膜を硬化させることができる。第１の絶縁膜にダメージが加わるのを防止することができるため、吸湿性の増大や密度の増大を防止することができ、ひいては、比誘電率の増大を防止することができる。従って、比誘電率が低く、しかも機械的強度の高い絶縁膜を有する半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 多孔質絶縁膜中の成膜ガス等の侵入による配線容量の増加を抑制し、多孔質絶縁膜とバリアメタルとの密着性を向上させた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する
【解決手段】 配線溝４ａ，４ｂを有し、比誘電率が３以下の多孔質絶縁膜２と、配線溝４ａ，４ｂ表面の膜密度の異なる複数の膜を有するバリアメタル層５ａ，５ｂと、バリアメタル層５ａ，５ｂと多孔質絶縁膜２との間に形成された金属浸透領域６ａ，６ｂと、バリアメタル層５ａ，５ｂを介して配線溝４ａ，４ｂの中に埋め込まれた金属配線７ａ，７ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程時間の増加を招くことなく、複数の凹部に埋め込まれた部材表面の平坦性を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】相対的に面積の大きい第１ダミーパターンＤＰ_１と相対的に面積の小さい第２ダミーパターンＤＰ_２とをダミー領域ＦＡに配置することによって、素子形成領域ＤＡとダミー領域ＦＡとの境界ＢＬ近くまでダミーパターンを配置することができる。これにより、分離溝内に埋め込まれた酸化シリコン膜の表面の平坦性をダミー領域ＦＡの全域において向上することができる。さらに、ダミー領域ＦＡのうち相対的に広い領域を上記第１ダミーパターンＤＰ_１で占めることで、マスクのデータ量の増加を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、プラグの酸化防止を図るとともに、製造プロセスの簡略化及び微細化が実現できる、半導体記憶装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 半導体記憶装置は、半導体素子２０が形成された基板１０と、基板１０の上方に形成された層間絶縁層３０と、層間絶縁層３０に形成されたプラグ４０と、プラグ４０の上方を含む領域に形成された密着層６０と、密着層６０の上方に形成され、下部電極７２、強誘電体層７４及び上部電極７６を含む強誘電体キャパシタ７０と、を含む。密着層６０の一部である側壁には、酸化層６４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線の引き出し性が向上されているとともに、配線間の短絡などの電気的問題が生じるおそれが抑制されており、かつ、配線が形成される領域の省スペース化が図られた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１が備える基板４上の所定の層内に、第１の配線３が複数本並べられて設けられている。各第１の配線３は、それらの並べられた方向に沿って一方の側から他方の側へ向かうに連れて長く延ばされて形成されているか、あるいは短く縮められて形成されている。それとともに、各第１の配線３は、隣接するそれぞれの一端部３ａが並べられた方向と直交する方向において互いにずれた位置に配置されている。 （もっと読む）

歩留まり良く、スクライブ領域をダイシングできる半導体装置の製造方法を提供する。 半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体素子を形成した複数のチップ領域と、前記複数のチップ領域を分離し、切断用ダイシング領域を内包するスクライブ領域とを有し、前記スクライブ領域内のダイシング領域より外側に各チップ領域を囲む様に溝形成領域が画定された半導体ウエハを準備する工程と、（ｂ）前記半導体ウエハの上方に、層間絶縁膜と配線層とを交互に形成した多層配線構造とダミー配線を配置する工程と、（ｃ）前記多層配線構造を覆って、パッシベーション層を含むカバー層を形成する工程と、（ｄ）前記溝形成領域において、前記複数のチップ領域の各々を取り囲む溝を上方から、少なくとも前記パッシベーション層を貫通して形成する工程と、を含む。
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【課題】アスペクト比が大きい凹部を持つ被処理体の表面に凝集性の高い金属を用いた場合であっても連続した薄膜を形成すること。
【解決手段】基板を反応容器内に搬入、載置する工程と、反応容器内に第１の金属の化合物を含む原料ガスを供給して基板表面に当該第１の金属の化合物を吸着させる工程と、この第１の金属の化合物を還元性ガスを活性化させた還元用プラズマに接触させて第１の金属層を得る工程と、第１の金属とは異なる少なくとも表面部が第２の金属からなるターゲット電極にスパッタ用プラズマを接触させて叩き出した第２の金属を第１の金属層に注入して合金層を得る工程と、を含み、これらの吸着、還元、合金化の一連の工程を１回以上行う成膜方法を提供する。この方法により第一の金属の凝集力が強い場合でも基板における移動が抑制されて、連続した膜厚の小さい薄膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＭＰプロセスを用いることなく、高アスペクト比の開口を有する接続孔にも良好な埋め込みが可能である半導体装置の作製方法を提供する。また、従来よりも少ない工程数で、配線形成が可能な方法を提供することを目的とする。更には、高集積化された半導体装置の歩留まり高い作製方法を提案する。
【解決手段】複数の空孔を有する絶縁膜表面に撥水表面を有する膜を形成し、撥水表面を有する膜の一部に光を照射して、親水表面を有する領域を形成した後、親水表面を有する領域に導電性粒子を有する液状物質を吐出し、焼成して導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

金属相互接続構造であって、
基板（１１）と、基板の上にある誘電体層（１２）と、誘電体層の上にある金属エッチング用の停止層（１３）と、停止層の上にある金属層（１５’）とを備え、前記金属層が所望のパターンに従ってパターン形成される金属相互接続構造。
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【課題】半導体装置の作製プロセスにおいて、電解めっき法やＣＭＰ法は、配線形成にかかる製造コストの増加を招くという問題があった。
【解決手段】多孔質絶縁膜上にマスクを形成した後、開口を形成し、液滴吐出法によりＡｇを含む導電材料を開口に滴下する。そして、レーザ光を選択的に照射して開口に滴下した導電材料を焼成して第１導電層を形成する。その後、スパッタ法により全面に金属膜を成膜した後、マスクを除去して第１導電層上にのみ金属膜を残存させて、Ａｇを含む第１導電層と第２導電層（金属膜）の積層からなる埋め込み配線層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 パッド電極下に能動層が配置されている場合においても、パッド電極下における密着性を確保しつつ、バリアメタル構造を能動面上に安定して形成できるようにする。
【解決手段】 不純物拡散層５ａ、５ｂの表面が覆われるようにして層間絶縁膜６上にバリアメタル膜８を形成し、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、開口部７が覆われるようにしてパッド電極１６下に配置されるバリアメタル膜８の表面を露出させるレジストパターンＲを形成し、レジストパターンＲをマスクとして、バリアメタル膜８をエッチングすることにより、パッド電極１６下に配置される層間絶縁膜６上のバリアメタル膜８を除去し、バリアメタル膜８を介してゲート電極４および不純物拡散層５ａ、５ｂに接続された配線層９を層間絶縁膜６上に形成し、ゲート電極４および不純物拡散層５ａ、５ｂ上に配置されたパッド電極１６を形成する。 （もっと読む）

本発明は、層間絶縁膜を貫通する窓に埋め込まれて化学機械研磨により平坦化されたプラグ層と、前記層間絶縁膜上から前記プラグ層上に延在するように堆積されたＴｉ（チタン）膜と、前記Ｔｉ膜上に堆積されたＡｌ（アルミニウム）乃至Ｃｕ（銅）を含む配線層と、前記層間絶縁膜と前記Ｔｉ膜との間に形成され、水素を透過しない下敷膜とを備えることを特徴とする半導体装置に関する。
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【課題】 本発明の目的は、低価格で簡単に半導体回路の故障解析をおこなうことができる半導体解析装置およびその方法を提供することにある。
【解決手段】 半導体解析装置は、絶縁層２４および取り出し電極２６の上に液体状の絶縁物１２を塗布する手段と、塗布された絶縁物１２を膜状にする手段と、膜状にされた絶縁物１２を硬化させる手段と、を含む。また半導体解析装置は、絶縁物１２にビアホールを形成する手段と、絶縁物１２の上に導電性のパッドを形成し、かつ、取り出し電極２６とパッドとを接続する手段と、を含む。 （もっと読む）

強誘電体キャパシタ（２３）を形成した後、表面の傾斜が緩やかな絶縁膜（２４）を、高密度プラズマＣＶＤ法又は常圧ＣＶＤ法等により形成する。その後、アルミナ膜（２５）を絶縁膜（２４）上に形成する。このような方法によれば、アルミナ膜（２５）のカバレッジの低さが問題となることはなく、強誘電体キャパシタ（２３）が確実に保護される。
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【課題】材料の利用効率を向上させ、作製工程を簡略化した半導体装置の作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】第１の導電層上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に第１の開口を有する第１のマスク層を形成し、第１の絶縁層及び第２の絶縁層をエッチングすることにより、第１の導電層に達する第１の開口部を形成し、第１のマスク層除去後、第１の開口よりも開口面積が広い第２の開口を有し、且つ、導電性材料を含む組成物に対してぬれ性の低い第２のマスク層を第２の絶縁層上に形成し、第１の絶縁層上面の一部が露出するように第２の絶縁層をエッチングし、第２の開口部を形成し、第１の開口部及び第２の開口部に導電性材料を含む組成物を充填し、第２の導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】多孔性低ｋ誘電体膜上に不透過性膜を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】相互接続構造における多孔性低ｋ誘電体膜のようなデバイス上への不透過性膜の接着性を改善するための方法。本方法は、多孔性低ｋ誘電体膜の水、アルコール、ＨＣｌ、ＨＦ蒸気のような捕捉された蒸気又は吸着された分子を放出するために、不透過性膜の堆積前の原位置アニーリング段階を提供する。本方法はまた、多孔性低誘電性膜の堆積に続いて、捕捉可能分子を含む大気に露出することなく不透過性膜の原位置堆積を提供する。本方法は、更に、多孔性低ｋ誘電体膜の一部分の除去に続いて、捕捉可能分子を含む大気に露出することなく不透過性膜の原位置堆積を提供する。実質的に全ての捕捉又は吸着分子を多孔性低ｋ誘電体膜から除去することにより、堆積した不透過性膜と低ｋ誘電体膜の間の接着性が改善される。本方法は、多孔性ハイドロシルセスキオキサン又は多孔性メチルシルセスキオキサン、エアロゲルのような多孔性シリカ構造体、低温堆積シリコン炭素膜、低温堆積Ｓｉ−Ｏ−Ｃ膜、及びメチルドープ多孔性シリカのような多くの多孔性低ｋ誘電体膜に特に適用可能である。
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【課題】複数の空孔を有する絶縁膜の形成方法を提案する。また、高集積化された半導体装置の歩留まり高い作製方法を提案する。
【解決手段】層間絶縁膜の低誘電率化の方法として、レーザ光を用いて層間絶縁膜中に複数の空孔を作成形成してすることにより、多孔質の絶縁膜を形成することを特徴とする。また、インクジェット法に代表される液滴吐出法を用いて、前記多孔質の絶縁膜に導電性粒子を含む組成物を吐出し、焼成して配線を形成する。レーザ光としては、超短パルスレーザーレーザ光を用いることが好ましい。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造において使用される反射防止膜（ＡＲＣ）の層（２０１）。ＡＲＣ層は底部を有し、同底部は、底部上に配置されたＡＲＣ層の部分と比較して低いケイ素含有率を有する。ＡＲＣ層は金属層（１０７）上に形成される。ＡＲＣ層の比較的低いケイ素含有率は、金属層／ＡＲＣ層の界面における望ましくないシリサイドの形成を抑制する。ＡＲＣ層の頂部は、ＡＲＣ層の中間部と比較して低いケイ素含有率を有し、頂部の比較的低いケイ素含有率は、ＡＲＣ層上のフォトレジスト層の汚染を抑制し得る。ケイ素含有率は、蒸着工程中、ケイ素含有ガスの流量に対して窒素含有ガスの流量を減少、又は増大させることによって増大または減少させ得る。
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