【課題】 選択性の破れを防いで、有用なＷキャップ膜を形成する選択Ｗ−ＣＶＤ法及びＣｕ多層配線の製作法の提供。
【解決手段】 絶縁膜のホール等の構造内にＣｕ系配線膜を埋め込んだ基板に対して原料ガスを供給し、この配線膜上に選択的にＷキャップ膜を形成する前に、Ｎ原子、Ｈ原子及びＳｉ原子から選ばれた原子を化学式中に含んだ化合物のガスを所定の状態で用いて３００℃以下で絶縁膜表面とＣｕ系配線膜表面の前処理を行う。前処理後、Ｃｕ系配線膜表面上に選択的にＷキャップ膜を形成し、その後さらに上層Ｃｕ配線を製作する。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、銅を用いた埋め込み配線構造を有する半導体装置に関し、Ｃｕ埋め込み配線の接続孔部分からバリアメタルを排除し、かつ、上層配線と下層配線との間の抵抗値を十分に小さくすることを目的とする。
【解決手段】 層間絶縁膜１を介して下層Ｃｕ配線２１と上層Ｃｕ配線４１とを配置する。層間絶縁膜１を貫通して下層Ｃｕ配線２１と上層Ｃｕ配線４１との双方に接触するＡｌプラグ３１を設ける。Ａｌプラグ３１は、バリア層に被覆されることなく、直接層間絶縁膜１と接触させる。Ａｌプラグ３１の上端には、上層Ｃｕ配線４１の内部に到達する突出部３２を設ける。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高いコンタクトホールに対して、カバレッジ等の埋め込み特性を向上させ、信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の上に形成された絶縁膜１０２に、下層配線溝１０３を形成する。次に、下層配線溝１０３内に第１のバリアメタル膜１０４及び第１の金属膜１０５からなる下層配線１０６を形成する。次に、絶縁膜１０２の上に、拡散防止絶縁膜１０７及び層間絶縁膜１０８を順次堆積する。その後、層間絶縁膜１０８及び拡散防止絶縁膜１０７を除去し、下層配線１０３に到達するコンタクトホール１０９を形成する。次に、コンタクトホール１０９の下部領域に第２の金属膜１１０を選択的に形成する。次に、コンタクトホール１０９内の第２の金属膜１１０上に第２のバリアメタル膜１１１及び第３の金属膜１１２からなるコンタクトプラグ１１３を形成する。 （もっと読む）

本発明は、基板（１０）と、基板（１０）の少なくとも一部に配置された少なくとも１つの金属多層組織と、金属多層組織上に配置されており、少なくとも１つの接続孔を有する非伝導性層（５０）とを備え、接続孔には、少なくとも１つのナノチューブが、接続孔の底部にある金属多層組織上に成長しており、金属多層組織は、高融点金属層（２０）と、金属分離層（３０）と、触媒層（４０）とを含んでいる集積電子部品に関する。本発明はさらに、ナノチューブを垂直構造に目的を絞って製造するための方法と、ナノチューブを垂直構造に目的を絞って製造するための金属多層組織の使用とに関する。
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【課題】 多品種の製品を少量生産するのに適した半導体装置及びその製造方法、半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜１０１上にパッド１０２を形成する工程と、前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜１０３を形成する工程と、前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開口部１０４を形成する工程と、前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にバリア金属層１０５を形成する工程と、前記パッドの上方に位置する前記バリア金属層に、金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記バリア金属層上にバンプ１５を形成する工程と、前記バンプをマスクとして前記バリア金属層をエッチングすることにより、該バリア金属層を除去する工程と、を具備するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の高速化を図り、また、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションの発生を抑え、配線寿命を長くする技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成された酸化シリコン膜２３および窒化シリコン膜２２中の配線溝内を含む酸化シリコン膜２３上にバリア層２６ａおよび銅膜２６ｂを順次形成後、前記配線溝外部のバリア層２６ａおよび銅膜２６ｂを除去することによって配線２６を形成し、配線２６上にタングステンを選択成長もしくは優先成長させることにより、配線２６上にタングステン膜２６ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜中に形成されている配線用の溝に埋め込まれている配線層の上部に選択的に金属拡散防止膜を形成する半導体装置において、部分的選択破れ等に起因する配線間リーク電流を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ダマシン法により配線１５を第１の絶縁膜１１中に形成する。そして、電解メッキ法等により、配線１５上のみに選択的に金属拡散防止膜１６を形成する。その後、第２の絶縁膜１９形成前に、第１の絶縁膜１１上に存在する部分的選択破れにより意図せず生じた金属拡散防止膜１６や、残留金属イオン１７等を除去するＣＭＰ工程をする。 （もっと読む）

【目的】 選択的に拡散防止膜を形成する場合でも、配線同士間でショートが生じてしまう原因となる導電性材料の研磨残りを生じさせないようにすることを目的とする。
【構成】 基体上の開口部に形成された導電性材料膜上に前記導電性材料膜に用いる導電性材料の拡散を防止する拡散防止膜を選択的に形成する拡散防止膜形成工程（Ｓ１２０〜Ｓ１２２）と、前記拡散防止膜が形成された後、前記基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１２４〜Ｓ１２８）と、前記絶縁膜形成工程の後、前記絶縁膜表面を研磨する平坦化工程（Ｓ１３０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

ｎｍオーダの空中配線を作製することができる製造方法およびその製造装置を提供する。コンピュータパターン描画装置（９）にあらかじめ記憶された３次元位置データとビームの照射位置、照射方向、照射時間に基づきビームを照射し、ビーム励起反応を利用してＣＶＤプロセスにより空中配線（３）を作製する。
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配線パターンやレジストパターンを直接基板上に描写する手段と、成膜やエッチングなどの気相プロセスを大気圧または大気圧近傍下で局地的に行なう手段を適用することにより、製造ラインの省スペース化、効率化、材料の利用効率の向上、さらには作製費用の削減を実現する。
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【課題】 電子ビーム誘起蒸着法を用いてナノ構造を作成する際に途中でナノ構造物を傾けることなく電子ビームの入射軸方向の制御を行うことができることを含め、ナノ構造作成の自由度を高め、応用範囲を広げることのできる新規な、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法を提供する。
【解決手段】 この出願の発明の電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法は、原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子ビームを材料上の所望位置に向かって照射する電子ビーム誘起蒸着法によりナノ構造を作成する方法において、電子ビームの焦点位置を、電子ビームの照射面に対して高さ方向に制御することにより、電子ビームの入射軸方向の制御を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】集積回路（IC）メタライゼーションにおいて信頼性が高いインターフェースを形成するための、生産的かつ制御可能な方法を与える。
【解決手段】埋め込み銅配線の表面が露出したビア底またはCMP直後の銅配線の上面での銅相互接続及び／またはコンタクトの信頼性を強化するための方法が与えられる。当該方法は、露出した銅表面を貴金属から成る気相化合物と接触させる工程と、銅置換反応または貴金属の選択的蒸着（例えば、ALDまたはCVD）により、露出した銅表面上に貴金属の層を選択的に形成する工程から成る。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置のシリサイド膜の製造方法が開示される。
【解決手段】 まず、第１シリサイド膜を形成する。そして、前記第１シリサイド膜のうち、不連続部分がある場合、前記不連続部分に金属物質を選択的蒸着して、前記金属物質によって電気的に連結された第２シリサイド膜を形成する。前述した方法は、８０ｎｍ以下のデザインルールを有する半導体ゲート電極上に不連続部分を含まないシリサイド膜を形成することができるのみならず、不連続部分を連結する工程で追加熱処理工程を行わなくても良いので、トランジスタの特性劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型の配線層を形成するに際して、ウェハの反りやディッシングの発生を防止することができ、高精度な均一性と再現性を容易に得ることのできる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０に溝１０Ａを形成した後、溝１０Ａの内部を含むシリコン基板１０上にバリアメタル層１３およびシード層１４をこの順で形成する。エッチングにより、シード層１４の溝１０Ａ内の領域以外の部分を選択的に除去した後、めっきによりシード層１４上に金属１５（例えば銅（Ｃｕ））を選択的に成長させて配線層Ｌ１を形成する。配設層Ｌ１を形成するに際し、シード層１４を用いためっきにより溝１０Ａ内にのみ金属１５を選択的に成長させるようにしたので、従来のように、基板１０上に金属層が厚く成膜されることはなく、金属層に起因してシリコン基板１０が反るような虞がなくなる。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル膜の形成方法と、これを用いた薄膜形成方法、及び半導体装置の製造方法が開示される。
【解決手段】 エピタキシャル膜の形成方法と、これを用いた薄膜形成方法、及び半導体装置の製造方法において、第１単結晶シリコン膜上に前記第１単結晶シリコン膜の表面を部分的に露出させる開口部を有する第１絶縁膜パターンを形成した後、前記開口部によって露出された第１単結晶シリコン膜上に単結晶シリコンで構成された第１シード膜を形成する。そして、前記第１シード膜が形成された結果物上部にシリコンソースガスを提供して、前記第１シード膜上にエピタキシャル膜を成長させながら、前記第１絶縁膜パターン上に非晶質シリコン膜を形成する。その後、前記非晶質シリコン膜の結晶構造を単結晶に転換させて前記エピタキシャル膜と非晶質シリコン膜から第２単結晶シリコン膜を獲得する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における配線の幅などに応じてＣｕ合金を形成する際の添加元素の濃度を変化させた配線構造を有する半導体装置を得ること。
【解決手段】ダマシンプロセスで絶縁膜Ｉ１に配線Ｗ１を形成する際に、絶縁膜Ｉ１中の配線溝３１ａ，３１ｂ上に形成される側壁部膜厚ｔ₁と底部膜厚ｔ₂とを、同一配線層におけるどの配線溝３１ａ，３１ｂにおいてもそれぞれ同じ厚さとなるようにＣｕ合金からなるシード層３３を堆積し、その後に電解メッキ法でＣｕ金属膜３４の堆積とアニール処理を行って、各配線溝３１ａ，３１ｂに形成される配線材料層３５を形成する。これにより、その配線溝３１ａ，３１ｂの配線幅が太くなるほど添加元素の割合が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトと該コンタクトの上側の配線とのショートマージンを稼いだ半導体装置を得ること。
【解決手段】半導体基板１上に形成される所定形状の第１層配線１０を含む第１の配線層８と、該第１の配線層８上に形成される層間絶縁膜１１と、該層間絶縁膜１１上に形成され、所定形状の第２層配線１５を含む第２の配線層１３と、第１層配線１０と第２層配線１５とを電気的に接続するコンタクト１２と、を備える半導体装置において、コンタクト１２は、所定の深さから上方に行くにしたがって積層方向におけるその断面形状が小さくなるように形成される。 （もっと読む）

【課題】 ｌｏｗ−ｋ膜のような疎水性膜を使用した多層配線構造において、層間絶縁膜に使用する疎水性膜とライナー膜又はバリア膜として使用する親水性膜との界面剥離の発生を防止する。
【解決手段】 電子デバイスは、図示しない基板上に形成された第１の層間絶縁膜１１の下層配線溝１１ａを埋め込むように形成された下層配線１２と、下層配線１２の上に形成されたバリア膜１３と、第１の層間絶縁膜１１及びバリア膜１３の上に形成された第２の層間絶縁膜１４とを備えている。そして、電子デバイスは、第１の層間絶縁膜１１と第２の層間絶縁膜１２とが接合している界面を有している。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜の材料の違いによってプロセス条件を変えたりすることなく、配線の表面に金属膜を選択的に成膜でき、しかも、不要となったバリア膜を、機械的な要素が相対的に少ない方法で除去できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜１０内に配線用凹部１２を形成した基板表面にバリア膜１４を形成し、次いで配線用凹部１２内ならびに基板表面に配線材料１６を成膜した基板Ｗを用意し、基板表面に成膜した余剰の配線材料１６を除去して配線用凹部１２内に埋込んだ配線材料１６で配線１８を形成するとともに、該配線形成部以外のバリア膜１４を露出させ、配線１８の表面に金属膜２０を選択的に成膜する。 （もっと読む）