【課題】３Ｄピラートランジスタにおいて、ゲートコンタクトとシリコン基板との間のショートを抑制した半導体装置及びその製造方法を得るという課題があった。
【解決手段】半導体からなる基板１と、一面１ａから突出され、前記半導体からなる第１の突出部２と、一面１ａに設けられた溝部１ｃに充填された第１の絶縁体３と、第１の突出部２に隣接して一面３ａから突出され、第１の絶縁体３からなる第２の突出部４と、第１の突出部２の側面を覆うゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５を覆うゲート電極６と、第１の突出部２に設けられた上部拡散層１３と、下部拡散層１４と、第２の突出部４の側面を覆うとともにゲート電極６に接続された連結電極６０と、第１の突出部２及び第２の突出部４を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通して連結電極６０に接するゲートコンタクト１０と、を有する半導体装置及びその製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

集積回路に使用する銅線のための集積回路用相互接続構造およびこれを作る方法が提供される。Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有層が、線からの銅の拡散に対しバリアを形成し、それにより、絶縁体の早期絶縁破壊を防ぎ、銅によるトランジスタの劣化を保護する。また、Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有層は、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、その結果、製造と使用中のデバイスの機械的健全性を保ち、さらに、デバイスの使用中の銅のエレクトロマイグレーションによる故障を防ぎ、また、環境からの酸素または水による銅の腐食を防ぐ。このような集積回路の形成に関しては、本発明の特定の実施形態により、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、またはＣｏを銅表面上に選択的に堆積させ、一方で、絶縁体表面上のＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、またはＣｏの堆積を減らす、または防ぎさえもする方法が提供される。また、Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有前駆物質およびヨウ素または臭素含有前駆物質を使った銅の触媒堆積も提供される。 （もっと読む）

【課題】銅配線とアルミニウム配線との間のバリアを形成するための新規な技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に形成された銅配線上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の底に前記銅配線を露出させる工程と、凹部の底に露出した銅配線上に、２５０℃〜３５０℃の範囲の成膜温度で、フッ化タングステンの供給期間と供給停止期間とを交互に繰り返して、ＣＶＤでタングステン膜を選択的に成膜する工程と、タングステン膜上方に、アルミニウム配線を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の所望部を容易に測定するために、半導体装置内の配線層と接続する配線構造を提供すること。
【解決手段】本明細書に開示する半導体装置３０は、リード線１１と、リード線１１が接続された面Ｐ１の対向面Ｐ２が半導体装置本体２０の外面に接着された接続部１３と、少なくとも一部が半導体装置本体２０の外面上に形成され、一端１２ａが半導体装置本体２０内の配線層２１に接続され、他端１２ｂが接続部１３に接続される配線１２と、接続部１３を半導体装置本体２０の外面に接着して立設する接着部１４と、を有する。 （もっと読む）

集積回路及び形成方法は、少なくとも１つの直線的に延在する導電配線の斜端に形成されたコンタクト領域を提供する。実施形態では、コンタクトランディングパッドを有する導電配線は、マスク材料に配線をパターン化することと、材料配線の延在方向に対して角度を形成するために少なくとも１つの材料配線を切断することと、マスク材料の斜端面から拡張部を形成することと、前記材料配線及び拡張部をマスクとして用いてエッチングすることによって基本的な半導体をパターン化することとによって形成される。他の実施形態では、少なくとも１つの導電配線は、斜端面を作るように導電配線の延在方向に対して角度を付けて切断されるとともに、電気的コンタクトランディングパッドは、斜端面にコンタクトして形成される。 （もっと読む）

【課題】第２絶縁層にビアとなる接続孔を形成するときにビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。エッチングストッパー膜２００は、第１絶縁層１２０上、エアギャップ１２８上、及び配線１６２上に形成されている。第２絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２００上に形成されている。ビア２６２は第２絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。そしてエッチングストッパー膜２００は、エアギャップ１２８上に位置する部分２０２が、配線１６２上に位置する部分より厚い。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射部を局所的に真空排気する局所加工部を備え、差動排気により局所加工部を被加工物上に浮上するレーザ加工装置において、被加工物表面の異物をレーザ光照射部との間に挟みこむことを防ぐ。
【解決手段】差動排気によってレーザ照射による局所加工部４０を被加工物（基板１１）から浮上させるにあたって、その浮上量Ｄを、圧縮ガス供給部６３によるガス供給量と圧縮ガス排気部６５によるガス排気量とのバランスを制御することで変化させ、ガス排気量を小さくして浮上量Ｄを高くした状態で、加工位置間の移動を行う。 （もっと読む）

【解決手段】
複雑なメタライゼーションシステムの形成の間、全体的な伝導性に否定的な影響を与えることなしにエレクトロマイグレーション性能を高めるために、伝導性キャップ層（１２２Ｃ）が銅含有金属領域（１２２Ａ）上に形成されてよい。その一方で熱化学的処理が実行されてよく、その結果、敏感な誘電体材質（１２１）の優れた表面状態をもたらすことができる他、敏感なＵＬＫ材質の材質特性の大きなばらつきを従来的にはもたらすことがある炭素減損を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】貫通ビア構造を備えた高品質な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通ビアを形成する領域に窓領域を設けた酸化層パターンを備えた基板を製造する。更に、この基板を他の基板と貼り合せてＳＯＩ基板を生成する。次に、このＳＯＩ基板を研磨して薄層化する。次に、ＴＳＶ構造となる領域にアイランド領域を形成する。そして、このアイランド領域の間にデバイスを形成する。更に、デバイスとＴＳＶとを配線により接続する。次に、ＳＯＩ基板の裏面のシリコン基板を削除して、裏面にアイランド領域を露出させる。そして、埋め込み酸化層に形成された窓領域を介して、ＴＳＶとのバックコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】大気中でも安定した複合材を容易に得ることができる複合材の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体１上に、複数の表面酸化微粒子２を堆積する。表面酸化微粒子２の直径は１０ｎｍ以下であることが好ましく、例えば０．５ｎｍ〜５ｎｍ程度である。表面酸化微粒子２は、グラファイト層を形成する際の触媒として機能し得るコバルト等の強磁性体金属微粒子とこの表面を覆う酸化膜から構成されている。次いで、炉内に基体１及び表面酸化微粒子２を挿入し、炉内を高真空にして基体１を５１０℃程度まで昇温する。この結果、基体１及び表面酸化微粒子２に付着していた異物等が除去される。その後、炉内の雰囲気を炭化水素系ガス雰囲気にする。この結果、表面酸化微粒子２の表面に存在した酸化膜が還元され、更に、強磁性体金属微粒子の表面にグラファイトが析出し、グラファイト被覆微粒子３が強磁性体複合微粒子として得られる。 （もっと読む）

【課題】酸化処理や酸化剤への耐性を向上させ、かつビット線の低抵抗化を可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化処理により、第１ポリシリコン層１４の側壁及び露出した基板１０の底面に第３酸化膜１７を形成する。次いで、ビット線１６を、溝１５の底面に形成し、溝１５の側壁に第１窒化膜１９を形成する。次いで、ビット線１６上にのみ所望の厚さのタングステン層１８を形成する。次いで、溝１５を埋めるように第２窒化膜２０を形成する。これにより、タングステン層１８が第１窒化膜１９及び第２窒化膜２０で覆われることになり、この後に行われる熱処理や薬液処理からタングステン層１８を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】 修正の領域、材料、あるいは種類等における適用範囲を大幅に拡大できる表示装置の修正方法およびその装置の提供。
【解決手段】 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】微小金属構造を製造すること。
【解決手段】導電率が高められたパターン形成された領域を生成し、または露出させ、次いでこの領域上に、電着を使用して導体を形成することによって、微小金属構造が製造される。いくつかの実施形態では、基板上に微小金属構造が形成され、次いで基板からこの構造を除去するために、基板がエッチングされる。いくつかの実施形態では、付着前駆体ガスを含まない集束ガリウム・イオン・ビームが、シリコン基板上をあるパターンで走査して、導電パターンを生成し、次いでこの導電パターン上に、１種または数種の金属の電気化学付着によって銅構造が形成される。エッチングによってこの構造を基板から取り出すことができ、またはその場で使用することができる。ビームを使用して、トランジスタの活性層にアクセスすることができ、導体を電着させて、トランジスタが機能している間にその動作を感知しまたは変化させるためのリードを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化層の前堆積を行うことなく、導体または半導体材料上に高密度のカーボンナノチューブマットを製造する方法を提供する。
【解決手段】拡散バリア５２０、拡散バリア上にアモルファスシリコン層５３０、アモルファスシリコン層上に金属層を含む触媒複合体を導体または半導体基板５１０上に堆積させる。次いで前記金属層に酸化処理を行い、最後に、酸化処理された金属層からカーボンナノチューブマット５８０を成長させる。 （もっと読む）

【解決手段】 パターニングされた金属フィーチャの上方に誘電体エッチストップ層を選択的に形成する方法を開示する。実施形態には、当該方法に従って形成されたエッチストップ層をゲート電極の上方に設けているトランジスタが含まれる。本発明の特定の実施形態によると、ゲート電極の表面上に金属を選択的に形成して、当該金属をケイ化物またはゲルマニウム化物に変換する。他の実施形態によると、ゲート電極の表面上に選択的に形成された金属によって、ゲート電極の上方にシリコンまたはゲルマニウムのメサを触媒成長させる。ケイ化物、ゲルマニウム化物、シリコンメサ、またはゲルマニウムメサの少なくとも一部を酸化、窒化、または炭化して、ゲート電極の上方にのみ誘電体エッチストップ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度を持つカーボンナノチューブを利用した半導体素子の配線形成方法、およびその方法により製造される超高集積度の半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の電極１２０表面を前処理して活性化させる段階と、電極の活性化した表面１２２上に絶縁層１３０を形成した後、電極の活性化した表面の一部を露出させるために絶縁層を貫通するコンタクトホール１３２を形成する段階と、コンタクトホールを通じて電極の活性化した表面に炭素が含まれているガスを供給して前記電極の活性化した表面からカーボンナノチューブ１４０を成長させて配線を形成する段階と、を具備する半導体素子の配線形成方法およびその方法により製造された半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ系材料と他の導電体との低接触抵抗を実現でき、あるいは他の導電体との接触に高い信頼性が確保できる技術を提供する。
【解決手段】凹所に設置され、その凹所上の空間にその先端部が突き出たＣＮＴ系材料のその突き出た先端部に、酸化性物質であるまたは酸化性物質を発生しうるガス状物質を接触させつつ、活性エネルギー線を照射する。 （もっと読む）

【課題】三次元半導体装置における特性を向上させることができる製造方法および装置構成を提供する。
【解決手段】第１半導体膜（９）上にカーボンナノチューブを備えるプラグ電極（１５）を形成する工程、形成されたプラグ電極（１５）の周囲に層間絶縁膜（１６，１８）を形成する工程、層間絶縁膜の表面を平滑化してプラグ電極（１５）の頂部を露出させる工程、層間絶縁膜およびプラグ電極の頂部上に非晶質の第２半導体膜を形成する工程、非晶質の第２半導体膜にエネルギーを供給して露出したプラグ電極（１５）を触媒として機能させて非晶質の第２半導体膜を結晶化させ結晶化した第２半導体膜（２３）とする工程を備える。 （もっと読む）

【課題】コンタクトおよび配線形成時の合わせマージンがゼロであり、集積度を大幅に向上し、パターンレイアウトの自由度の拡大を可能とする薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１０上に形成され、第１導電型の不純物を含むソース領域及びドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極１８、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された高融点金属と半導体との化合物からなる層、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜２９、及び前記ソース領域又はドレイン領域に接続された局所配線２８を具備し、前記局所配線２８は、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された前記化合物層と高融点金属層との２層構造、及び前記ソース領域又はドレイン領域の外側に形成された前記高融点金属層の延長からなることを特徴とする。 （もっと読む）

サブリソグラフィック寸法又は高アスペクト比を含む小寸法を有する開口内に均一で均質に電極材料を形成する方法を提供する。この方法は、内側に形成された開口を有する絶縁層を提供し、開口上及び開口内に均質な導電又は準抵抗材料を形成するステップを含んでいる。この方法は、金属窒化物、金属アルミニウム窒化物及び金属ケイ素窒化物電極組成を形成するＣＬＤ又はＡＬＤプロセスである。この方法は、アルキル、アリル、アルケン、アルキン、アシル、アミド、アミン、イミン、イミド、アジド、ヒドラジン、シリル、アルキルシリル、シリルアミン、キレーティング、ヒドリド、サイクリック、カルボサイクリック、シクロペンタジエニル、ホスフィン、カルボニル又はハライドから選択された１以上のリガンドを含む金属前駆体を利用する。公的な前駆体は、一般式ＭＲｎを有し、Ｍは金属、Ｒは上述のリガンド、ｎは主要な金属原子に結合したリガンドの数に対応している。Ｍは、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｒ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ又は他の遷移金属である。
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