【課題】コンタクトおよび配線形成時の合わせマージンがゼロであり、集積度を大幅に向上し、パターンレイアウトの自由度の拡大を可能とする薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１０上に形成され、第１導電型の不純物を含むソース領域及びドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極１８、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された高融点金属と半導体との化合物からなる層、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜２９、及び前記ソース領域又はドレイン領域に接続された局所配線２８を具備し、前記局所配線２８は、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された前記化合物層と高融点金属層との２層構造、及び前記ソース領域又はドレイン領域の外側に形成された前記高融点金属層の延長からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜で十分な機械的強度を確立することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１１は基板１２を備える。基板１２の表面には複数層の絶縁膜１５が積層される。絶縁膜１５同士の間には導電性の配線層１６が挟み込まれる。配線層１６から離れつつ絶縁膜１５には炭素系材１８が埋め込まれる。炭素系材１８は高い機械的強度を有する。その結果、絶縁膜１５では十分な機械的強度が確立される。同様に、半導体装置１１では十分な機械的強度が確立される。絶縁膜１５の表面に平坦化処理が施されても、絶縁膜１５の破損は回避される。加えて、例えば半導体装置１１の実装にあたって半導体装置１１の損傷は回避される。 （もっと読む）

【課題】微細なコンタクト構造であっても、低コンタクト抵抗のコンタクト構造を形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面部に形成された不純物領域１５と、不純物領域１５の表面から所定深さにわたって形成された金属シリサイド層１６とを備える。シリコン基板１１上には層間絶縁膜１８が形成され、層間絶縁膜１８を貫通して底部が金属シリサイド層１６に到達するコンタクトホール１９が形成されている。コンタクトホール１９は、金属シリサイド層１６からなる側壁の面積が、金属シリサイド層１６からなる底面の面積よりも大きい開口部になっている。さらに、コンタクトホール１９の、金属シリサイド層１６からなる側壁および底面に接触するコンタクトプラグ２１がコンタクトホール１９に埋め込まれている。 （もっと読む）

一又は複数のナノ構造の作成方法が開示されており、当該方法は：基板の上部表面上に導電層を形成すること；導電層上に触媒のパターン層を形成すること；触媒層上に一又は複数のナノ構造を成長させること；及び一又は複数のナノ構造の間及び周囲の導電層を選択的に除去することを含んでなる。デバイスもまた開示されており、該デバイスは、基板、ここで基板は一又は複数の絶縁領域によって隔てられた一又は複数の露出金属島を含んでなる；一又は複数の露出金属島又は絶縁領域の少なくともいくつかを覆う基板上に配された導電性補助層；導電性補助層上に配された触媒層；及び触媒層上に配された一又は複数のナノ構造を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】メモリセルトランジスタのコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】半導体装置７０には、半導体基板１上に複数の絶縁ゲート型電界効果トランジスタが設けられる。絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲートの間に形成され、側面が側壁絶縁膜８及び絶縁膜９により絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲートと分離された自己整合コンタクト開口部の底部には凹部形状のポリシリコンプラグ１１が設けられる。ポリシリコンプラグ１１上にはバリアメタル膜１２が設けられる。バリアメタル膜１２上には、自己整合コンタクト開口部を覆うように金属プラグ１３が埋設される。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が約３．０以下の誘電材料（５２）を含む相互接続構造を提供する。
【解決手段】 この低ｋ誘電材料は、上面が埋め込まれた少なくとも１つの導電材料（６０）を有する。また、誘電材料は、貴金属キャップ（６２）の形成前に疎水性とされた表面層（５２Ｂ）を有する。貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料の上面上に直接に配置されている。誘電材料上に疎水性表面層が存在するために、貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料に隣接した誘電材料の疎水性表面層上に実質的に延出せず、この疎水性の誘電表面上に貴金属キャップ堆積からの貴金属残留物は存在しない。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路等の微細な集積回路の修正等を行う際、配線を低抵抗で形成することができる集積回路の配線形成方法を提供する。
【解決手段】 集積回路２上の配線を必要とする部分２ｃｘを集束イオンビーム１０ａにより掘出す工程と、掘出し工程によって掘出された部分に対し、銀４０をコートした走査トンネル顕微鏡探針２１に電圧パルスを印加して該探針から銀原子を移動させる走査トンネル顕微鏡法により、銀配線４ｃを形成する工程とを有する集積回路の配線形成方法であって、配線を必要とする部分の線幅が１μｍ以下である場合は走査トンネル顕微鏡法を用い、線幅が１μｍを超える場合は、集積回路上の配線を必要とする部分に対し、非サーマル方式のインクジェット装置から銀粒子を含むインクを噴射した後に、レーザー又は加熱した走査プローブ顕微鏡の探針でインクを乾燥させるインクジェット法により銀配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】平面表示装置100及びその製造方法において、信号線方向に隣り合う画素電極同士を導通させる方式での補修（タンデムリペア）を、画素ドット欠陥の位置に拘わらず容易に行うことができ、また、画素開口率の低下を最小限としつつ、リペア箇所での補助容量比のズレを防止できるものを提供する。
【解決手段】信号線31方向での画素電極6間の中間領域のうち、信号線方向及び走査線方向のいずれから見ても一つ置きに、導電層フロートパターン12Aと、これに重なり合う補助容量線延在部22Aと、この切り欠きに対応するリペア接続用パターン32Aとを設けておく。タンデムリペアの際、リペア接続用パターン32Aにレーザー光を照射して導電層フロートパターン12Aに達する導通部82を作成する。そして、レーザーＣＶＤによる画素電極6間のブリッジ配線81が、リペア接続用パターン32Aを直接覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】周囲の誘電体材料にダメージを与えない銅配線上のキャップ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ、Ｎ、およびＳｉおよび／またはＧｅを含むキャップ層６を、銅の導電構造２の上に形成する方法であって、２００℃と４００℃との間の温度範囲で、構造をＧｅＨ_４および／またはＳｉＨ_４含有雰囲気３に晒すことにより、銅の導電構造２の上に少なくとも１つのキャップ層を形成する工程と、ＮＨ_３プラズマ処理５を行って、少なくとも部分的に窒化されたキャップ層６を形成する工程と、少なくとも部分的に窒化されたキャップ層６の上に誘電体バリア層７を形成する工程とを含み、少なくとも１つのキャップ層を形成する工程の前に、２５０℃と４５０℃との間の温度範囲で、銅の導電構造のプレアニール工程が行われることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】デバッグ等のために、完成した半導体集積回路装置の配線をＦＩＢ加工を用いて事後的に修正する場合がある。修正配線は配線として最適に材料を使用すべきである。しかし、たとえば、比抵抗の低い金属は、比較的その後の検査・試験環境に弱い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、ほぼ完成した半導体集積回路装置の配線を変更するために、ＦＩＢ加工を用いて半導体集積回路チップの配線を修正するに当たり、半導体集積回路チップの主面上の絶縁膜に金属修正配線をＦＩＢＣＶＤにより形成後、その上を覆うように、金属修正配線よりも耐酸化性または耐腐食性の高い金属被覆膜を、ＦＩＢＣＶＤにより形成するものである。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子として機能する配線を有し、かつ面積の小さな半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板ＳＢと、半導体基板ＳＢ上に設けられた第２の配線層Ｌ２とを備えている。第２の配線層Ｌ２は、通常の配線ＷＲと、高抵抗配線ＲＥと、通常の配線ＷＲおよび高抵抗配線ＲＥを埋め込む絶縁膜８とを含んでいる。通常の配線ＷＲは、第１の銅部１０Ｗと、第１の銅部１０Ｗの底面側および側面側を覆う第１のバリアメタル膜９Ｗとを有している。高抵抗配線ＲＥは、空洞部ＣＶと、空洞部ＣＶの底面側および側面側を覆う第２のバリアメタル膜１９Ｒとを有している。 （もっと読む）

Ruの選択堆積を半導体デバイスの作製に統合することで、Cuメタライゼーションにおけるエレクトロマイグレーションとストレスマイグレーションを改善する方法。当該方法は、熱化学気相成長法によって、Ru₃(CO)₁₂先駆体蒸気及びCOガスを有するプロセスガスを用いて、メタライゼーション層(302)上及びバルクCu(322)上にRu金属膜を選択的に堆積する工程を有する。1つ以上の選択的に堆積されたRu金属膜を有する半導体デバイスが記載されている。
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【課題】レーザＣＶＤ法による加工時間を短縮することができるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ光８の光路に沿って、スリットマスク２０、リレーレンズ１１、対物レンズ１２、ガスウインドウ１４及び被加工物である基板１５をこの順に配置する。スリットマスク２０は、例えば直線形状スリット２３及び迂回形状スリット２４を有する。このようなスリット形状のレーザ光を基板１５上に像１３として結像させる。また、ガスウインドウ１４から原料ガスを基板１５に向けて供給する。レーザＣＶＤ法を用いて基板１５上の配線欠陥（断線部）を接続するように導電膜をスリット形状で一括形成することにより、修正加工を行う。 （もっと読む）

【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、微細な開口部内に柱状電極を良好に形成する。
【解決手段】 まず、半導体ウエハ２１上に形成された保護膜５の上面に配線７を形成する。次に、配線７を含む保護膜５の上面に例えば感光性ポジ型のポリイミド系樹脂からなるオーバーコート膜１０を形成する。次に、配線７の接続パッド部に対応する部分におけるオーバーコート膜１０に、フォトリソグラフィ法により、円形状の開口部１１を形成する。ここで、配線７上におけるオーバーコート膜１０の厚さは１０μｍ程度であり、開口部１１の直径は１０μｍ程度である。次に、オーバーコート膜１０の開口部１１内の配線７の接続パッド部上面に、塩化金属還元気相成長（ＭＣＲ−ＣＶＤ：Metal Clloride Reduction Chemical Vapor Deposition）法と呼ばれる金属成膜法により、銅からなる柱状電極１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】ソース領域およびドレイン領域をシリサイド化しても、リーク電流を可及的に抑えることを可能にする。
【解決手段】半導体領域７を有するシリコン基板２と、半導体領域に離間して形成されたソース／ドレイン領域１１ａ、１５ａ、１１ｂ１５ｂと、ソース領域とドレイン領域との間の半導体領域上に形成された絶縁膜９ａと、絶縁膜上に形成されたゲート電極１０ａと、ゲート電極の側部に形成された側壁絶縁膜１３ａと、第１ソース／ドレイン領域上に形成され、少なくとも｛１１１｝面となる表面を有する単結晶シリコン層１７ａ、１７ｂと、少なくとも単結晶シリコン層の｛１１１｝面上に形成され、かつ側壁絶縁膜に接する部分を有し、この部分と単結晶シリコン層との界面が単結晶シリコン層の｛１１１｝面であるＮｉＳｉ層２１ａ、２１ｂと、ＮｉＳｉ層に接する第１のＴｉＮ膜２３ａ、２３ｂと、を有する第１のＭＯＳＦＥＴと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低吸湿性かつ低誘電率のＦ添加ＳｉＯ₂ 膜を形成すること。
【解決手段】導電領域間を電気的に分離し、Ｓｉ、Ｏ、Ｆを含み、ＳｉＯ₂ の網目構造を有する絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により形成する際に、原料ガスとして、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＦ₃ ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＯＲ）₃ ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＦ₂ Ｒ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＯＲ）₂ Ｒ′）₃ （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＮＲ₂ ）₃ ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＮＲ₂ ）₂ Ｒ′）₃ （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＲＯ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＮ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＮＯ₂ ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＯＯＲ）₃ （Ｒは官能基）またはＳｉＦ_n （ＯＣＨ₂ ＣＦ₂ Ｒ）_4-n （ｎ＝１〜３、Ｒは官能基）のガスを用いたときに、前記Ｓｉに結合した元素がＦと置換する反応確率が、前記ＳｉにＦが結合している場合のほうが、前記ＳｉにＦが結合していない場合よりも小さくなる成膜温度で、前記絶縁膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＣプロセスによるコンタクト形成において、ゲート電極とコンタクトとのショートを生じにくくし、歩留まりの向上を図ること。
【解決手段】シリコン基板１に直交する面内において、ゲート電極３，４，５のうちゲートマスク６，７に近い第２電極部（窒化タングステン）４及び第３電極部（タングステン）５をゲートマスク６，７よりも幅小となるようにし、ゲート電極３，４，５とセルコンタクトプラグ１５との間のショートマージンを増加させた。 （もっと読む）

【課題】配線間の容量が低く、歩留りや信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ギャップ１１０の形成によりキャップ膜１０８厚が薄くなったまたは消失したとしても、ギャップ１１０を形成した後に、下層配線１０７上にキャップ膜１１１を選択的に成長させることにより、キャップ膜の厚さを確保することができるため、配線間の容量を十分に低減でき、かつ、歩留りや信頼性を高く維持することができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを微細化する。この時、微細化されたコンタクトホールであっても、半導体装置における電極のコンタクトを確実なものとする。
【解決手段】珪化膜と樹脂材料膜とからなる多層の層間絶縁膜を形成する。その後、コンタクトホールを形成する。このとき、珪化膜に設けられるコンタクトホールの大きさを樹脂材料膜に設けられるコンタクトホールの大きさよりも小さくする。このような構成は、パターンが複雑化してもコンタクトのとりやすいものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】従来に比して用途の自由度が高い単層カーボンナノチューブを容易に製造でき、生産効率を向上し得る単層カーボンナノチューブ製造方法、半導体配線構造の製造方法、フィールドエミッションディスプレイ用電子部品の製造方法及び探針製造方法を提案する。
【解決手段】初期単層カーボンナノチューブ20に外力を与えるだけで、不連続層21に沿って初期単層カーボンナノチューブ20が剥がれることにより、従来用いられていた薬品を使用することなく先端が均一に揃った欠陥のない単層カーボンナノチューブ１を製造できるので、薬品による官能基の修飾も起こらず、用途の自由度が高い単層カーボンナノチューブ１を容易に製造できる。また先端が均一に揃った欠陥のない単層カーボンナノチューブ１の製造を室温で、かつ短時間で行えると共に、フォトリソグラフィも用いることなく容易に製造できるので、単層カーボンナノチューブ１の生産効率を向上できる。 （もっと読む）