【課題】改良されたランディングプラグを備えた半導体素子に関する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、ランディングプラグコンタクト領域を画成する半導体基板にリセスゲートを形成し、リセスゲートの側壁にゲートスペーサを形成し、ランディングプラグコンタクト領域の半導体基板をソフト食刻して丸いプロファイルと側壁を備えたリセスを形成し、ゲートスペーサとリセスの側壁に側壁スペーサを形成し、リセスゲート、リセスゲートスペーサ及びリセスを含む半導体基板の上部に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜を選択的に食刻してランディングプラグコンタクトホールを形成し、ランディングプラグコンタクトホールに導電層を埋め込んでランディングプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明はデュアルダマシンパターンの形成方法に関する。
【解決手段】より詳しくは多機能ハードマスク組成物を用意する段階と、半導体基板の配線層上に窒化膜、第１の低誘電膜、食刻静止膜及び第２の低誘電膜が順次積層された積層構造を形成する段階と、前記配線層の一部が露出するよう積層構造を食刻してビアホールを形成する段階と、前記ビアホールを含む第２の誘電膜の上部に前記多機能ハードマスク組成物を塗布して多機能ハードマスク膜を形成する段階と、第１の誘電膜の一側が露出するよう前記結果構造物に対する食刻工程を行ない、ビアホールより広い幅のトレンチを形成する段階と、前記多機能ハードマスク膜を除去する洗浄工程を行なう段階とを含むことにより、工程段階を短縮することができるデュアルダマシンパターンの形成方法に関する。 （もっと読む）

窒化ケイ素材料をその上に有するマイクロ電子デバイスから、ポリシリコン、酸化ケイ素材料および／またはシリサイド材料に対して窒化ケイ素材料を選択的に除去するために有用な組成物。除去組成物は、フルオロケイ酸、ケイ酸、および少なくとも１種の有機溶媒を含む。典型的な工程温度は約１００℃よりも低く、窒化物対酸化物のエッチングの典型的な選択性は、約２００：１〜約２０００：１である。典型的な工程条件下では、ニッケルベースのシリサイドならびに窒化チタンおよびタンタルはあまり影響を受けず、ポリシリコンのエッチング速度は約１Å分^−１未満である。
（もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホールを有する半導体基板であっても、所望の良好なウエットエッチング処理を行うことができ、良好な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の薬液をシリコンウェーハ１表面及びホール３内に供給する。次に、シリコンウェーハ１の表面にＩＰＡ蒸気を供給し、シリコンウェーハ１のホール３内に供給された薬液を保持しつつ、シリコンウェーハ１表面の薬液のみを除去する。次に、シリコンウェーハ１を、ホール３内部の薬液を保持し、かつ、シリコンウェーハ１表面の薬液を除去した状態に維持し、ホール３内のウエットエッチングを行う。次に、純水を供給しホール３内の薬液と置換してホール３内の薬液を除去する。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルにおいて、Ｃｒからなるソース電極等とＩＴＯからなる画素電極等との間で良好なコンタクトを得ることができるようにする。
【解決手段】 ドライエッチングにより、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１３にソース電極用コンタクトホール１４およびドレインライン用外部接続端子用コンタクトホール３２を形成し、且つ、オーバーコート膜１３およびゲート絶縁膜４にゲートライン用外部接続端子用コンタクトホール２２を連続して形成する。この場合、各コンタクトホール１４、２２、３２を介して露出されたＣｒからなるソース電極９、ゲートライン用外部接続端子２１およびドレインライン用外部接続端子３１の各上面に変質層４６、４７、４８が形成される。次に、ＨＮＯ₃、ＨＣｌ、Ｈ₂Ｏの混合液を用いて、変質層４６、４７、４８を除去する。これにより、ソース電極９等と画素電極等との間の接続抵抗が増大することがなく、良好なコンタクトを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 コンタクト形状の微細化と抵抗バラツキの抑制を両立した半導体装置及び当該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１導電領域２０を半導体基板１０上の所定領域に形成後、第１絶縁膜１４及び第２絶縁膜２１を順次堆積し、第２絶縁膜２１を貫通して第１絶縁膜１４の上面を露出させるコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールの内側側壁に金属窒化膜３１を堆積する。その後、コンタクトホールの底部に形成された第１絶縁膜１４を除去して第１導電領域２０の上面を露出させ、コンタクトホール内部に生成されるポリマーをエッチング除去し、コンタクトホールの内側側壁に形成された金属窒化膜３１及びコンタクトホールの底部を被覆するようにバリアメタル層３２を堆積し、コンタクトホールの内部を導電性のコンタクト材料膜３３で充填して配線用コンタクト３５を形成する。 （もっと読む）

好適に具体例では、ゲートリークと散乱を低減した、薄いその場ＳｉＮ層により覆われたＩＩＩ族窒化物電界効果デバイスが提供される。これは、ゲート堆積の前と、第２パッシベーション層の堆積前の、その場ＳｉＮの洗浄と組み合わせて、その場ＳｉＮ層の上に第２のパッシベーション層を導入して得られる。
（もっと読む）

【課題】素子構造部にダメージを与えずに側壁スペーサ膜等を除去し、高集積化された高性能な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基体上にＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる第１の薄膜を形成すると、この第１の薄膜の一部を除去する工程と、第１の薄膜の除去された部位を介して被処理基体に所定の処理を施す処理工程と、第1の薄膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする。ＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる側壁スペーサ膜３０を用い、ソース、ドレイン領域形成処理を行った後、これを除去する。 （もっと読む）

【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、ゲート電極１６と、ゲート電極１６の両側のシリコン基板１０内に形成されたソース／ドレイン拡散層２４とを有するＭＯＳトランジスタ２６を形成し、シリコン基板１０上に、ゲート電極１６及びソース／ドレイン拡散層２４を覆うようにＮｉＰｔ膜２８を形成し、熱処理を行うことにより、ＮｉＰｔ膜２８とソース／ドレイン拡散層２４の上部とを反応させ、ソース／ドレイン拡散層２４上に、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂを形成し、過酸化水素を含む７１℃以上の薬液を用いて、ＮｉＰｔ膜２８のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂの表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の反応性イオンエッチングの間、揮発性の化合物を生成しない元素、例えばイットリビウム（Ｙｂ）が注入されたポリシリコンゲートをエッチングすることを目的とする。
【解決手段】本発明は、従来の反応性イオンエッチングを用いて、揮発性の化合物を形成しない元素を含むスタックをパターニングする方法に関する。より詳細には、上記元素はイットリビウム（Ｙｂ）等のランタニド元素であり、上記パターニングは、例えばイットリビウム等のランタニド元素がドープされたシリコン及び／又はゲルマニウム含有構造（例えばゲート）である（例えばＹｂドープゲート）。当該シリコン及び／又はゲルマニウム含有構造がゲート電極である場合、ゲート電極の仕事関数をモデリングするため、上記シリコン及び／又はゲルマニウムにランタニド元素（例えばＹｂ）をドープする。 （もっと読む）

【課題】半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣及びポリマー残渣を低温、短時間で除去するフォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物、並びにそれを用いた残渣の除去方法を提供する。
【解決手段】金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する組成物であって、フッ素化合物を０．５〜３．０質量％および水を３０質量％超えない量含み、ｐＨが４以下である、前記組成物。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ、それを備えた平板ディスプレイ装置、該有機薄膜トランジスタの製造方法及びその製造に使われるシャドーマスクを提供する。
【解決手段】それぞれドレイン電極と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とソース電極との間の半導体要素のチャンネルと、を備えた複数個の薄膜トランジスタを備えた基板が提供されるが、一トランジスタのドレイン電極とソース電極との間の最小距離は、隣接したトランジスタの電極間の最小距離または基板の他の配線と電極との間の最小距離より小さく、薄膜トランジスタの半導体要素のチャンネルは、規則的なパターンの半導体要素で形成されるが、半導体要素の最大サイズは、隣接した対の電極間の最小距離（または基板の他の配線と電極との間の最小距離）より小さいが、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離とは少なくとも同じある薄膜トランジスタを有する基板である。 （もっと読む）

【課題】 相互接続部の機械的強度及び信頼性を高める修正された構造体を有する後工程相互接続部、並びに修正された相互接続構造体を含む半導体ＩＣ構造体を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、キャップ層（６１）、下にある誘電体層（１２）及び拡散バリア層（３１）の界面に、改善された機械的強度を有する半導体相互接続構造体を提供する。この相互接続構造体は、キャップ材料（６１）内に埋め込まれた拡散バリア層（３１）の部分（４１）を有する。バリア（３１）は、キャップ層（６１）内に部分的に又は完全に埋め込むことができる。 （もっと読む）

【課題】 ポリメタルゲート構造を有し、コンタクトホール下面の半導体基板表面及びコンタクトホール下面のプラグ表面にシリサイド膜を有する半導体装置の製造方法におけるゲート構造への配線とコンタクトホール内シリサイド膜への配線の工程を簡略化すること。
【解決手段】 層間絶縁膜（３７）の第１の開口部４１に底部に形成されるコンタクト３２と前記層間絶縁膜（３５，３７）に半導体基板（１０）に達するように形成される第２の開口部４３と前記層間絶縁膜にポリメタルのゲート電極に達するように形成される第３の開口部（４２）とを有する第１の形状を形成し、その表面にコバルト層を堆積させ、熱処理し前記コンタクトの表面及び前記第２の開口部の底面にコバルトシリサイド層（５２）を形成し、コバルトシリサイド層が形成された状態で前記ポリメタルを溶解せずコバルトを溶解する薬液で処理して未反応のコバルト（５１）を除去する。 （もっと読む）

【課題】金属膜の充電特性を改善させることのできる半導体素子の金属（例えば、銅）配線及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（３０）上に一つ以上の絶縁層（３２）を形成し、前記絶縁層（３２）上に形成されたリセスを埋め込む金属層が電気メッキされる前に、前記金属配線は基板に形成されているリセス上に拡散阻止層及びシード層（３４）を電気メッキして形成する。その後、前記シード層を阻止層上に形成した後に電解研磨し（３６）、前記シード層の電解研磨後、銅物質層が電気メッキ工程（３８）を用いて前記研磨されたシード層上に形成されて前記リセスを埋め込む。 （もっと読む）

【課題】下地段差に起因するボンディングパッド膜に発生した被覆不良などによる膜はがれなどの形状異常を抑制することを目的とする。
【解決手段】アッシング処理時のステージ温度を低下させてアッシング処理することで、Ｃｕ表面を酸化することなくボンディングパッドを形成することができることにより、プラズマＴＥＯＳ膜およびＣｕ配線上にボンディングパッドを開口してプラズマＳｉＮ膜を形成する必要がないため、金属膜を成膜する下地が平坦となり、ボンディングパッドを形成する金属膜の成膜時に、平坦な下地上に金属膜を成膜することができるため、下地段差に起因するボンディングパッド膜に発生した被覆不良などによる膜はがれなどの形状異常を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 有機膜パターンへの２回目以降の現像処理をスムーズに行うことなどを可能とする基板処理方法及びそれに用いる薬液を提供する。
【解決手段】 基板１上の有機膜パターン４の表面には、有機膜パターン４の表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている。この場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理に用いられる薬液であって、ヒドロキシルアミン誘導体とヒドラジン誘導体とのうちの少なくとも一方からなる第１の成分と、現像機能液成分と、を含む水溶液である。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド膜のエッチングを抑制してシリコン酸化膜のエッチング選択比を向上させることで、ＢＰＳＧ（シリコン）酸化膜を効果的に除去できるシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液を提供する。
【解決手段】本発明は、０．１〜３重量％のフッ化水素、１０〜４０重量％の、硝酸、硫酸及び塩酸から一つ以上選択される無機酸、及び残余重量％の水を含んでおり、金属シリサイド膜に対するシリコン酸化膜の選択性が高い湿式エッチング溶液を構成する。本発明は、特定濃度の、フッ化アンモニウム、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、及び水を含む湿式エッチング溶液、並びに、特定量の、フッ化水素、フッ化アンモニウム、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、アルコール、及び水を含む湿式エッチング溶液をもそれぞれ構成する。 （もっと読む）

【課題】表面洗浄を含む半導体素子製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にコンタクトホールを持つ絶縁層を形成し、コンタクトホールに露出された表面の自然酸化物汚染物を、アルコール類有機化合物、例えば、グリコール類有機化合物またはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に分散されたふっ素（Ｆ）を含む化学種を含むエッチング液（ｅｔｃｈａｎｔ）を用いて、好ましくは１．０以下の低選択比（ｌｏｗ ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）で洗浄する。その後、コンタクトホールを導電層で埋め込んで連結コンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】
従来のルテニウム用エッチング組成物では、強力な酸化剤が用いられていたため、ルテニウム以外の半導体材料のダメージがあった。
【解決手段】
（ａ）カルボン酸及び／又はアンモニア，（ｂ）過酸化水素，（ｃ）水を含んでなり、その水溶液が酸性であることを特徴とするルテニウムのエッチング用組成物を用いる。
カルボン酸の含有量が、０．０１〜５０重量％、アンモニアの含有量が、０．０１〜２０重量％、過酸化水素の含有量が、０．０１〜３５重量％、水の含有量が、５０〜９９．９８重量％であることが好ましい。 （もっと読む）