【課題】金属酸化物材料、とりわけ、二価金属の酸化物または三価金属の酸化物、更には酸化亜鉛系材料のエッチング時にエッチングされた面を平坦にでき、エッチング残渣を抑制し、かつ、電極材料の腐食がない好適なエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、蓚酸の部分中和物または完全中和物を含有する。蓚酸は分子内にカルボキシル基を２つ含有する二価の酸であるが、その一部が中和反応により一部または全部が置換されている。このような部分中和または完全中和を行った蓚酸を金属酸化物材料のエッチング液組成物として用いることにより、エッチングされた面が平坦になり、かつ、蓚酸による金属酸化物材料のエッチング時に発生するエッチング残渣の発生を抑制することが可能となる。更に、エッチング液のｐＨ上昇に伴って、金属酸化物材料とともにエッチング液に接触する金属材料の腐食を抑制する効果がある。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱酸化膜とＳＯＤ膜とを、同じか又は近いエッチングレートでエッチングし、かつＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をほとんどエッチングしないエッチング液を提供すること、より具体的には、熱酸化膜及びＳＯＤ膜の２３℃でのエッチングレートがいずれも５０Å／分以下であり、ＳＯＤ膜／熱酸化膜のエッチングレート比が１．２５以下であり、かつ熱酸化膜を７５ÅエッチングしたときにＰｏｌｙ−Ｓｉ膜のエッチング量が１０Å以下となるエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】
（１）エッチング液全体に対して９９重量％以上のトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、
（２）エッチング液全体に対して０．４重量％以下の水、
（３）フッ化水素、及び
（４）ヒドロキシルアミン、及びアンモニアから選択される１種又は２種のアミン
からなるエッチング液。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ透明電極（又はＩＺＯ透明電極）とＺＡＯ透明電極を同一液でエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 多価カルボン酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物と、フッ化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物とを含有する水溶液を、透明電極用のエッチング液として用いる。 （もっと読む）

本開示は銅処理のためのデバイス、方法およびシステムを含み、具体的には、硫黄プラズマを用いた銅層処理を含む。１つ以上の実施形態は、銅を硫黄を含むプラズマガスと反応させて銅硫黄化合物を形成し、水で銅硫黄化合物の少なくとも一部を除去する方法を含むことができる。 （もっと読む）

本発明は、無応力電気化学銅研磨（ＳＦＰ）の処理、ＳＦＰ処理の間に形成された酸化タンタル又は酸化チタンの除去、及び、ＸｅＦ_２ガス相エッチングバリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮ処理、からなる半導体処理の方法及び装置に関する。第１に、板状の銅フィルムの少なくとも一部がＳＦＰにて研磨される。第２に、ＳＦＰ処理の間に形成されたバリア金属酸化物がエッチング液によりエッチングされる。最後に、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮがＸｅＦ_２ガス相エッチングにより除去される。そのため装置は３つのサブ系からなり、それらは無応力銅電解研磨系、バリア層酸化物フィルム除去系、及び、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮガス相エッチング系である。
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【課題】ＣＭＰのスループットを上昇させることや、メンテナンスコストの上昇を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】層間絶縁膜にコンタクトホール３２を形成する工程と、キャップＳｉＯ_２膜１６にバリアメタル層２１およびタングステン層２２を堆積する工程と、バリアメタル層２１およびタングステン層２２の残膜値ＲＴが所定値以上となるように、タングステン層２２の上層部をウェットエッチングにより除去する工程と、キャップＳｉＯ_２膜１６の表面に残存するタングステン層２２をタングステンＣＭＰにより除去する工程とを備える。ＣＭＰに先立ってウェットエッチングを行うことにより、ＣＭＰでの必要研磨量を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み金属配線の形成時に、イン-サイチュウ(in-situ)で平坦化を行うことができ、層間絶縁膜形成の回数を減らし、製造工程にかかる時間及び費用を減らすことができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０２にコンタクトプラグ１０４を形成する。第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグの上部にエッチング停止膜１０６ａ及びハードマスクパターンを形成する。ハードマスクパターンに沿ってエッチング停止膜をパターニングし、露出された第１の層間絶縁膜及びコンタクトプラグをエッチングしてコンタクトプラグの上部の第１の層間絶縁膜にトレンチを形成する。金属膜を形成後、エッチング停止膜までシリカ研磨剤とセリア研磨剤を混合したスラリーを用いて平坦化を行い、金属配線１１４ａを形成する。エッチング停止膜を除去し、第２の層間絶縁膜１１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】特定のセリウム（IV）化合物を使用する導電性高分子のエッチングの管理を簡便かつ容易に行うことができ、安定したエッチングを行うことができるエッチング方法、及び、前記エッチング方法によりエッチングされた導電性高分子を有する基板を提供すること。
【解決手段】特定のセリウム（IV）化合物を含むエッチング液を用い、導電性高分子をエッチングするエッチング工程、酸化還元電位測定、酸化還元滴定、及び、電気伝導度測定よりなる群から選ばれた少なくとも１つの分析手段により、エッチング液を分析する分析工程、並びに、前記分析工程によって得られた結果に応じてエッチング工程を管理する管理工程、を含むことを特徴とするエッチング方法、並びに、前記エッチング方法によりエッチングされた導電性高分子を有する基板。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、デバイスの製造に関する。一実施形態として、基板洗浄及び集積回路用のキャップ層の無電解析出の方法を提供する。この方法は、金属及び誘電体ダマシンメタライゼーション（金属化）層を含む表面を有する基板上で実行される。この方法は、基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に基板の表面をさらす工程と、キャップ層を析出させるのに十分な無電解析出溶液に基板表面をさらす工程と、を備える。本発明の別の実施形態として、基板を洗浄するための溶液及び無電解析出を実現するための溶液を提供する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶表示装置用として、優れたプロファイルが形成できるゲート配線材料薄エッチング組成物を提供する。
【解決手段】エッチング組成物は、同一組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置の画素電極を構成する非晶質ＩＴＯ及びＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を単一工程によって、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしにエッチングして、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルが形成できる効果がある。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ液晶表示装置用の金属配線形成のためのエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の電極用金属層のエッチングに使われるエッチング液組成物に係り、全体エッチング液組成物重量に対して、リン酸４５〜７０重量％、硝酸１．５〜６重量％、酢酸１０〜３０重量％、Ｍｏエッチング調整剤０．０１〜３重量％、スルホン酸化合物０．１〜１．９９９重量％及び組成物総重量を１００重量％にする量の水を含むエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、金属配線の腐食を抑えることができ、かつ、循環再生使用にも適したリンス液、及びそのリンス液を用いた基体の処理方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜剥離後の金属配線を有する基体の洗浄に、防食剤及び水を含有するリンス液を用いる。防食剤の含有量は１〜３０質量％が好ましく、水の含有量は２０〜９９質量％が好ましい。このリンス液は、さらに水溶性有機溶剤を含有してもよく、これにより、循環再生使用にさらに好適なものとなる。 （もっと読む）

【課題】パッド電極にかかるオーバーエッチング量を抑制して、後のシンター処理で発生するパッド電極上のＡｌ空洞化によるパッシベーション膜の膜剥がれを低減してパッド電極のボンディング不良を抑える。
【解決手段】パッド電極上の酸化膜、前述した絶縁膜５をウェットエッチングでパッド電極上のみ取り除き、パッド電極のＴｉ系バリアメタル層３のみをドライエッチングで除去することにより、パッド電極のメタル層４に与えるドライエッチングのオーバーエッチによるダメージを大幅に抑える。 （もっと読む）

【課題】ニッケルシリサイドを始め他の膜をエッチングすることなく、速やかに半導体装置に利用される側壁スペーサ等の薄膜を除去可能とする薄膜を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造過程で用いられる薄膜であって、薄膜は、ゲルマニウム、珪素、窒素、及び水素を含む。 （もっと読む）

【課題】白金族の膜を加工性良く安価にエッチングできるエッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】過マンガン酸塩を含む、ｐＨが１２．６〜１５．８の溶液で、白金族の膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】製造工程中にシリサイド膜にダメージが生じるのが抑制され、良好な性能を有するシリサイド膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１１上に合金膜１３を形成する工程（ａ）と、基板１１を熱処理することでシリサイド膜１４を形成する工程（ｂ）と、基板１１に第１の溶液１５を供給して、合金膜１３のうち未反応で基板１１上に残存する部分に含まれるＮｉを溶解させる工程（ｃ）と、基板１１に、第２の溶液１８を供給して、シリサイド膜１４上に保護膜１９を形成する工程（ｄ）と、基板１１に塩酸を含む第３の溶液１６を供給して、基板１１上に残留する金属１７を溶解させる工程（ｅ）とを備えている。工程（ｃ）では、シリサイド膜に含まれるＮｉと第２の溶液１８とが反応することで、錯体からなる保護膜１９が形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板と金属プラグとの接触抵抗を安定に低減することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、シリコン基板１０上に層間絶縁膜２０を形成する工程と、層間絶縁膜２０を選択的に異方性エッチングにすることによりコンタクトホール３０を形成する工程と、コンタクトホール３０の底面のシリコン基板１０内をアッシング処理する工程と、アッシング処理の後、コンタクトホール３０の底面を希弗酸処理する工程と、コンタクトホール３０の底面においてシリコン基板１０と電気的に接続する金属プラグを形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の主題は、透過性誘電体膜の製造方法である。
【解決手段】本発明は、
ａ）ケイ素と、炭素と、水素と、酸素と、場合により窒素及び／又はフッ素とを含む材料であり、前記材料はケイ素−炭素結合を過半数含み、ケイ素−酸素結合を前記材料中の酸素が原子数で３０％を超えない程度に一部含む材料の膜を基板に堆積する段階と、
ｂ）段階ａ）において堆積された膜中のケイ素−酸素結合を化学物質によって選択的に分解する段階と、
を含む透過性誘電体膜の製造方法に関する。
応用例：エアギャップの形成、特に集積回路のエアギャップ相互接続の製造のための化学物質を透過する膜を通じた化学物質の拡散による犠牲材料の分解を含む全ての製造方法におけるマイクロエレクトロニクス及びマイクロテクノロジー。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一つの実施形態は、集積回路の製造方法である。製造方法は、まず、金属-誘電体ダマシン・メタライゼーション（金属化）層を備える基板を準備し、金属上にキャップを析出させる。キャップの析出後、アミンを加えてｐＨを約７から１３に調節した洗浄溶液で基板を洗浄する。本発明の別の実施形態は、基板の洗浄方法である。本発明のさらに別の実施形態は、洗浄溶液の組成である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜上に析出しためっき成分を選択的に除去した、埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜に埋め込まれた配線層を有する半導体装置の製造方法が、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にトレンチを形成する工程と、層間絶縁膜の表面およびトレンチの内部を覆うように、バリアメタル層を形成する工程と、バリアメタル層の上に、トレンチを埋め込むように銅からなる金属層を形成する工程と、層間絶縁膜上の金属層とバリアメタル層とを、ＣＭＰ法を用いて除去し、バリアメタル層と金属層をトレンチ内に残すＣＭＰ工程と、金属層の上にキャップメタルを形成するキャップメタル形成工程と、層間絶縁膜にプラズマを照射して、層間絶縁膜の表面に変質層を形成するドライ処理工程と、変質層を溶液で選択的に除去するウエット処理工程とを含む。 （もっと読む）