【課題】銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。前記研磨工程、前記洗浄工程及び前記リセスエッチング工程の少なくとも２工程で用いる薬液の主たる成分が同一である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の形成時にギャップフィル特性を確保でき、コンタクトホールの形成時に開口不良を防止できる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板２００上に少なくとも１つ以上のゲートパターン２０１を形成するステップと、ゲートパターン２０１を含む基板上に第１の絶縁膜を形成するステップと、周辺領域の第１の絶縁膜をエッチングし、周辺領域の少なくとも１つ以上のゲート側壁スペーサ２０３Ｂ、２０４Ｂを形成するステップと、ゲート側壁スペーサ２０３Ｂ、２０４Ｂを含む基板上に第２の絶縁膜を形成するステップと、セル領域の第２の絶縁膜２０６Ａを所定の厚さにエッチングするステップと、第２の絶縁膜を含む基板全体上に層間絶縁膜を形成するステップと、セル領域の層間絶縁膜、第１の絶縁膜２０３Ａ、及び第２の絶縁膜２０６Ａをエッチングし、コンタクトホールを形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】低抵抗値のアルミニウム系導電性薄膜、あるいは該アルミニウム系導電性薄膜やモリブデン系導電性薄膜を備えた積層導電性薄膜を、効率よくエッチングして、良好な順テーパ形状の側面が形成されるようにする。
【解決手段】アルミニウム系導電性薄膜１２と、モリブデン系導電性薄膜１１，１３を備えた積層導電性薄膜１５を、(ａ)リン酸と、(ｂ)硝酸塩と、(ｃ)有機酸と、(ｄ)水とを含有するエッチング液、またはさらに硝酸を含有するエッチング液と接触させる。
硝酸塩としては、硝酸のアンモニウム塩、アミン塩、第４級アンモニウム塩、アルカリ金属塩などを用いる。
また、有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、トリメリット酸、ヒドロキシ酢酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などを用いる。 （もっと読む）

【課題】エッチング特性が優れており、安定した導電性を有する高微細精度の導電膜パターンを与える導電膜用エッチング液および導電膜パターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムを含有する導電膜用エッチング剤と、界面活性剤とを水中に含有してなり、上記界面活性剤が直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩６０質量％〜８２質量％と分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩１８質量％〜４０質量％との混合物（Ｗ）であることを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用する導電膜パターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 装置を汚染せず低コストで、強アルカリを使用することなくルテニウムをエッチングできるエッチング用組成物、及びそれを用いたエッチング方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ等の基板上のルテニウムや、半導体製造装置に付着したルテニウムを、塩素及び水を含むルテニウムのエッチング用組成物でエッチングする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、大型化することなく、Ｑ値が高いスパイラルインダクタを有する半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板１０の電極１４が形成された面に樹脂層２０が形成されている。スパイラルインダクタを構成する配線３０は、電極１４に電気的に接続され、樹脂層２０の、半導体基板１０の電極１４が形成された面と対向する下面２２とは反対の上面２４に形成されている。配線３０は、スパイラル状に延びる軸線に交差する幅方向の両端部３６と、両端部３６間の中間部３８と、を有する。中間部３８の少なくとも一部は、樹脂層２０の上面２４に接触する。配線３０の一部と、樹脂層２０の上面２４と、の間にはギャップが形成されている。少なくとも両端部３６は、ギャップを介して樹脂層２０の上面２４から間隔をあけて位置する。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤトランジスタ（ＮＷＴ）の製造において、凹状ストリンガを除去する方法を提供する。
【解決手段】
本方法は、軸の外部表面が基板表面に接している円筒状のナノ構造体を準備する。ナノ構造体は、絶縁性半導体コアを含んでいる。導電性薄膜が、ナノ構造体上に堆積され、ゲートストラップ、またはゲートとゲートストラップとの組み合わせとして機能する。ハードマスク絶縁体が、導電性薄膜上に堆積され、ハードマスクの選択領域が異方性プラズマエッチングされる。結果として、ナノ構造体の円筒状部分を実質的に囲む導電性薄膜ゲート電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】金属層の損傷を抑制した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕ配線２上に酸化膜３を堆積する工程と、前記酸化膜３をドライエッチングして、前記Ｃｕ配線２に通達するビアホールＨを形成する工程と、前記ビアホールＨ内にＤＩＷを供給する工程と、前記ＤＩＷを供給した後に、前記ビアホールＨ内に燐酸アンモニウムを供給する工程と、前記燐酸アンモニウムを供給した後に、前記ビアホールＨ内に導電材料５を埋め込む工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の端子部において界面抵抗の増加を抑制することである。
【解決手段】電気光学装置である液晶表示装置の下基板の画素部１４において、画素用接続配線２４、画素用透明導電膜２８の導電積層膜が形成され、端子部２０において、端子用接続配線１２４、端子用透明導電膜１２８の導電積層膜が形成される。ここで、画素用接続配線２４と端子用接続配線１２４とは同一工程で形成され、下層側から上層側に向かって、チタン／アルミニウム／チタンがこの順に積層されて構成される。その後に平坦化膜６４と保護絶縁膜６２の開口部処理が行われ、表面エッチング液によって最上層のチタンの表面生成物が除去される。そして、画素用透明導電膜２８と端子用透明導電膜１２８とが同一工程で形成される。 （もっと読む）

【課題】機械的ダメージおよび熱的ダメージを与えることなく所望の形状に容易に加工を行うことができる、被加工物の加工方法を提供する。
【解決手段】シリコン、炭化ケイ素、およびIII〜Ｖ族の元素を含む半導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料からなる試料１を被加工物とし、該試料１を、フッ化水素またはフッ化物イオンを含む水溶液からなる処理液８中に浸漬し、該処理液８中で、上記材料の酸化反応における触媒からなる層を少なくとも表面に備えたワイヤ２と接触させ、かつ、該ワイヤ２を陽極として上記試料１との接触部で電気化学反応を起こさせることにより、上記試料１における上記ワイヤ２との接触部分を酸化して上記処理液８に溶解させるとともに、該試料１の溶解に伴って上記ワイヤ２を重力により移動させることで、上記試料１を切断または上記試料１に切れ込みを形成する。 （もっと読む）

【課題】非感光性のシロキサン樹脂を用いて、ウェットエッチング法で所望の形状に形成された絶縁膜を形成することができる、絶縁膜の作製方法を提供する。
【解決手段】有機溶媒中にシロキサン樹脂またはシロキサン系材料を有する懸濁液を用いて薄膜を形成し、薄膜に第１の加熱処理を施し、第１の加熱処理後の薄膜上にマスクを形成し、有機溶媒を用いてウェットエッチングすることで、第１の加熱処理後の薄膜の形状を加工し、加工された薄膜に第２の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】
多孔質シリカ前駆体膜を用い、研磨を行なってもマイクロスクラッチや剥離の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体ウエハの下地上に、ノンテンプレートタイプの多孔質シリカ前駆体膜をスピン塗布する工程と、（ｂ）多孔質シリカ前駆体膜の外周から内側に向けて走査しつつリンス液を噴射する工程を含み、多孔質シリカ前駆体膜の外周部で外側に向かって厚さが減少する傾斜部を形成する工程と、（ｃ）多孔質シリカ前駆体膜をキュア処理して多孔質シリカ膜に変換する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜をダメージを生じさせずにかつ良好な加工形状でエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜をプラズマによりエッチングするエッチング方法は、酸素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第１段階と、フッ素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第２段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール内に形成される銅プラグの接合リークの増加を抑制し、銅プラグの良好なコンタクトを達成できる半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】シリサイド層３２を有する半導体基板１の上に絶縁膜３８を形成し、さらに、シリサイド層３２上の絶縁膜３８にホール３８ｆを形成し、ホール３８ｆ内とシリサイド層３２の表面をクリーニングし、ホール３８ｆの底面及び内周面に化学気相成長法によりチタン層４１を形成し、銅拡散防止用のバリア層４２をホール３８ｆ内のチタン層４１上に形成し、銅層４４をホール３８ｆ内に埋め込む工程を含む。 （もっと読む）

【課題】微細孔（貫通孔）の形成において、エッチングマスクと孔側壁の凹凸を一括で除去でき、工数及びコストを削減した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、一方の面から他方の面に至る微細孔が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一方の面側であって、前記微細孔の一端を覆うように配された電極と、を備えた半導体基板の製造方法において、前記半導体基板の他方の面に形成したエッチングマスクにより、該半導体基板の他方の面から、前記電極が露出するまで前記微細孔を形成する工程Ａと、前記微細孔の側壁の凹凸の除去と、前記エッチングマスクの剥離とを一括に行う工程Ｂと、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリサイドゲート上の微小突起物を除去することにより、ゲート電極とコンタクトプラグとのショート不良の発生を抑制した洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ゲート電極３上及びソース／ドレイン領域の拡散層６，７上にＴｉ膜を形成する工程と、このＴｉ膜に熱処理を施すことにより、ゲート電極上及びソース/ドレイン領域の拡散層上にＴｉシリサイド膜９ａ〜９ｃを形成するシリサイド化工程と、このシリサイド化工程でシリサイド化されずに残留するＴｉ膜を除去する洗浄工程であって、アンモニア水及び過酸化水素水を含む洗浄液に超音波を加えながら洗浄する工程と、Ｔｉシリサイド膜上に層間絶縁膜１０を形成する工程と、この層間絶縁膜をエッチングすることにより第１の接続孔及び第２の接続孔を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細化しても剥離が生じ難い金属層を導電膜上に形成することを図ることを目的とする。
【解決手段】集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有する半導体基板１０に、電極１４を覆うように第１の導電膜２０を形成する。第１の導電膜２０をエッチングして第１の導電膜パターン２４を形成する。第１の導電膜パターン２４を覆うように第２の導電膜２６を形成する。第２の導電膜２６に電流を流して行う電解メッキによって、第２の導電膜２６上に、全体が第１の導電膜パターン２４とオーバーラップするように金属層３０を形成する。金属層３０をマスクとして第２の導電膜２６をエッチングして、全体が第１の導電膜パターン２４とオーバーラップするように第２の導電膜パターン３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】安価な装置において、基板のパターン内部において異方性高くエッチング処理や成膜処理を行うこと。
【解決手段】パターンが形成された基板が吸着保持された処理容器内に、微少な気泡であり、負電荷を持つナノバブルを窒素ガスやＣＦ系のガスなどからなる処理ガスにより形成し、このナノバブルを純水やフッ化水素水溶液などの処理液中に分散させて、更にこの処理液に電界を加えて、ナノバブルと共に処理液をパターン内に引き込むことで、安価な装置で異方性を持つ処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】改良されたランディングプラグを備えた半導体素子に関する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、ランディングプラグコンタクト領域を画成する半導体基板にリセスゲートを形成し、リセスゲートの側壁にゲートスペーサを形成し、ランディングプラグコンタクト領域の半導体基板をソフト食刻して丸いプロファイルと側壁を備えたリセスを形成し、ゲートスペーサとリセスの側壁に側壁スペーサを形成し、リセスゲート、リセスゲートスペーサ及びリセスを含む半導体基板の上部に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜を選択的に食刻してランディングプラグコンタクトホールを形成し、ランディングプラグコンタクトホールに導電層を埋め込んでランディングプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】オートアライメントコンタクトを利用したコンタクト形成の際、高い縦横比によるエッチングターゲットの増加を防止でき、オートアライメントコンタクトエッチングに用いるハードマスクによる段差を克服し、後続のパターニングを容易に行い、かつ、処理を単純化させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】パターン２２〜２４が形成された半導体基板２１上にエッチングバリア膜２５を形成するステップ、エッチングバリア膜上に層間絶縁膜２６Ｂを形成するステップ、層間絶縁膜を平坦化するステップ、層間絶縁膜をリセスさせるステップ、層間絶縁膜上にハードマスクパターン２００Ｂを形成するステップ、層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホール２０１を形成するステップ、コンタクトホールの底のエッチングバリア膜をエッチングするステップ、及び、コンタクトホール内にプラグコンタクトを形成するステップを含む。 （もっと読む）