【課題】デポ物を充分除去することを可能とし、かつシリサイド層表面を酸化することが無い洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、Ｎｉを含むシリサイド層１０４の上面に形成された絶縁層をドライエッチングして、Ｎｉを含むシリサイド層１０４を露出させる工程と、Ｎｉを含むシリサイド層１０４を還元性を有する還元水で洗浄する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】容量素子の酸素雰囲気中での焼結を制限を設けず実施した場合も、スタックコンタクトの信頼性や製造歩留まりを向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1と、その上に形成された第１の層間絶縁膜1,2および第２の層間絶縁膜3,4,5と、第１の層間絶縁膜1,2中に形成された第１のプラグ8bおよび第２のプラグ8aと、第２の層間絶縁膜3,4,5中に形成され第１のプラグ8bと接続された容量素子たるメモリセル30と、第２の層間絶縁膜3,4,5中に形成され第２のプラグ8aと接続された第３のプラグ19とを備え、第２のプラグ8aの中央部の上面は第１の層間絶縁膜1,2の上面よりも半導体基板1側に位置するように構成する。 （もっと読む）

シリコン基板内のビア内に高純度の銅を電着し、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）を形成するプロセスである。本プロセスは、電解銅めっきシステム内の電解槽内にシリコン基板を浸漬するステップと、高純度の銅を電着してＴＳＶを形成するのに十分な時間の間、電圧を印加するステップとを含み、電解槽が酸、銅イオンの発生源、第一鉄イオン及び／又は第二鉄イオンの発生源、及び析出した銅の物理−機械的特性を制御するための少なくとも１つの添加剤とを含み、銅金属の発生源からの銅イオンを溶解することによって電着されることになる付加的な銅イオンを提供するために、前記槽内でＦｅ^２＋／Ｆｅ^３＋レドックス系が、確立される。 （もっと読む）

【課題】燐酸を主成分とすることなくモリブデン層とアルミニウム層とを一括的にエッチングすることができるエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法は、モリブデン又はモリブデンを主成分とする合金からなるモリブデン層（２ｂ，３ａ，３ｃ，４ａ，４ｃ）と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなるアルミニウム層（２ａ，３ｂ，４ｂ）と、を含む金属積層膜を一括でエッチングするためのエッチング液であって、ｐＨが４以上１２以下であり、アルミニウムと錯体を形成できる化合物と酸化物とを含有するエッチング液及びこれを用いたパターン形成方法並びに液晶表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】エッチングの際に発泡抑制効果および濡れ性が優れており、エッチング残りのない高精度の導電性パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有する導電膜用エッチング剤（ａ）と、下記の一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有することを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用した導電膜のエッチング方法。
（Ｒｆ１ＳＯ₂）（Ｒｆ２ＳＯ₂）ＮＸ （１） （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図する低テーパー角を有する望ましい形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。
【解決手段】リン酸、硝酸、有機酸塩、界面活性剤を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。
前記有機酸塩として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の、アンモニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 （もっと読む）

【課題】Ｐｔ残留物、Ｐｔ汚染物あるいはＰｔ膜を効果的にエッチングし、且つ、エッチング装置の金属部材の腐食進行を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含む半導体基板１上または半導体基板１上に形成されたシリコンを含む導電膜４上に、貴金属膜または貴金属を含む金属膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後、半導体基板１に対して熱処理を行い、半導体基板１上または導電膜４上に貴金属を含むシリサイド膜７を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、第１の薬液を用いて未反応の貴金属を活性化する工程（ｃ）と、第２の薬液を用いて工程（ｃ）で活性化された未反応の貴金属を溶解する工程（ｄ）とを行う。工程（ｄ）は、工程（ｃ）から３０分以内に行う。 （もっと読む）

【課題】酸素ガスを主に含有したガスでエッチングを行う必要がある金属材料を用いてピラー型電極を形成する際に、ピラー型電極のアスペクト比が高くなると製造が困難になるという課題があった。
【解決手段】層間絶縁膜上に第１〜第６の絶縁膜を積層した後、第１のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記第１のフォトレジスト膜をマスクとして第１の溝部を形成する工程と、前記第１の溝部を充填するように電極材料を堆積する工程と、前記第４の絶縁膜上に第７〜第９の絶縁膜を形成した後、第２のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記第２のフォトレジスト膜をマスクとして第２の溝部を形成すると共に、前記電極材料をピラー型に残存させる工程と、前記第８、前記第７、前記第４および前記第２の絶縁膜を除去して、前記電極材料からなるピラー型電極を露出する工程と、を有する半導体装置１０１の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子をフレキシブル化する場合に、半導体素子を破壊することなく剥離を行うことを目的の一とする。また、剥離層とバッファ層との密着性を弱める技術の提供を目的の一とする。また、剥離によって半導体素子に曲げストレスが生じない技術の提供を目的の一とする。
【解決手段】剥離層上にバッファ層を介して形成した半導体素子を、エッチング液を用いて剥離層を溶解させることにより剥離を行う。または、エッチング液に接触したことによって剥離層が溶解した領域にフィルムを挿入し、剥離層が溶解していない領域に向かってフィルムを移動させることにより剥離を行う。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグ、及び金属配線のような金属構造物に欠陥が発生して再形成工程を処理する場合、コンタクトホールが過度に露出されてホールが大きくなる現象を防止できる金属構造物の再形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に従う金属構造物の再形成方法は、コンタクトプラグを含む絶縁層の上に形成された第１金属層、第１金属層の上に形成された金属配線層、金属配線層上に形成された第２金属層を含む金属構造物の再形成方法に関するものであって、第１ウェットエッチング工程を処理して金属配線層の下を除外した第１金属層及び第２金属層を除去するステップと、第２ウェットエッチング工程を処理して金属配線層を除去するステップと、第１平坦化工程を処理して残存した第１金属層及び絶縁層の表面を平坦化するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】過酸化水素水を含むエッチング液により銅を含む金属層を有する基板をエッチング処理する場合に、エッチング液中の過酸化水素の異常分解が原因となってエッチング液の漏洩や飛散が起こり装置が破損することを防止できる装置を提供する。
【解決手段】密閉された下部タンク２０内からエッチング液供給配管２４を通して処理チャンバ１０ａ、１０ｂ内部のノズル１２、１４へ過酸化水素水を含むエッチング液を供給し、処理チャンバの内底部に溜まるエッチング液を下部タンク内に回収する装置であって、下部タンク内のエッチング液２２の温度を測定する温度センサ６４と、下部タンク内へ純水を供給するための純水供給配管５０と、温度センサによって測定されたエッチング液の温度が設定温度を超えたときに下部タンク内へ純水を供給するように制御する制御回路と、下部タンクの内部空間と処理チャンバの内部空間とを連通させる通気配管６２とを備えた。 （もっと読む）

本発明の方法は、基板（２０１）の選択的領域メッキを可能とする方法であり：前記基板に第一の電気的伝導層を形成し；前記第一の電気的導電性層（３０１）を抗−無電解メッキ層（４１０）で覆い；前記抗−無電解メッキ層と前記第一の電気的伝導層とを通して延長する構造（５１０、５２０）を形成するために、前記基板をパターン化し；前記第一の電気的伝導層に隣接してかつ電気的に結合された、第二の電気的伝導層（６１０）を形成し；前記第二の電気的伝導層の上に第三の電気的伝導層（７１０）を形成し；及び前記抗−無電解メッキ層と前記第一の電気的伝導層を除去することを含む。
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【課題】配線のエッチング特性を良好に維持することができるエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、リン酸４０乃至６５重量％、硝酸２乃至５重量％、酢酸２乃至２０重量％、リン酸塩を含む化合物０．１乃至２重量％、アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物０．１乃至２重量％、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする水を含むエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】酸化物透明導電膜の上に反射電極用のＡｌ合金膜が直接接続された構造を備えた表示装置の製造工程において、ＴＭＡＨ水溶液などのアルカリ現像液に曝された場合に、上記Ａｌ合金膜の腐食を有効に抑制することのできる、上記表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物透明導電膜の上に反射電極用のＡｌ合金膜が直接接続されてなる構造を備えた表示装置の製造方法であって、基板上に前記酸化物透明導電膜を形成する第１の工程と、前記酸化物透明導電膜を１５０℃以上に５分間以上加熱して結晶質とする第２の工程と、前記酸化物透明導電膜上に前記Ａｌ合金膜を形成する第３の工程とを包含し、前記Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．１〜４原子％含有するＡｌ合金からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電膜を効率よくエッチングすることが可能で、しかも、エッチング後に残渣を生じることがなく、かつ、エッチング時の発泡を抑制することが可能で、さらには、シュウ酸インジウムの溶解性が高く、操業安定性、経済性にも優れた導電膜用エッチング液組成物を提供する。
【解決手段】シュウ酸と、塩酸と、界面活性剤とを含有する水溶液をエッチング液（導電膜用エッチング液組成物）として用いる。
界面活性剤は陰イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、フッ素系界面活性剤の少なくとも１種を用いる。
本発明の導電膜用エッチング液組成物を用いて、酸化インジウム錫または酸化インジウム亜鉛を主たる成分とする透明導電膜のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】複数の物質層間の溶解度差を利用してダブルパターニングを具現する半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細パターンの形成方法は、基板１００上に、空間を介して相互に離隔されている複数の第１マスクパターン１２０を、基板１００の主面と平行方向に形成するステップと、溶解剤に対して第１溶解度を有する第１物質からなる複数のキャッピング層１３０を、複数の第１マスクパターン１２０のそれぞれの側壁及び上面に形成するステップと、溶解剤に対して第１溶解度より低い第２溶解度を有する第２物質からなる第２マスク層を、空間内に形成するステップと、溶解剤を利用してキャッピング層１３０を除去し、かつ、第２マスク層の一部を除去した後、空間に残った第２マスク層の残留部分を、複数の第２マスクパターン１４０Ａとして形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】容易にコンタクト抵抗を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に多結晶シリコン膜を形成し、その後、この多結晶シリコン膜の表面をエッチングする。そして、エッチングされた多結晶シリコン膜をシリサイド化して、シリサイド膜１２を形成する。更に、シリサイド膜１２に接するプラグ２３ｓ、２３ｄ及び２３ｇを層間絶縁膜２１内に形成する。 （もっと読む）

【課題】銅、銅／モリブデンまたは銅／モリブデン合金の食刻組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量を基準に、１２〜３５重量％の過酸化水素、０．５〜５重量％の硫酸塩、０．５〜５重量％のリン酸塩、０．０００１〜０．５重量％のフルオロイオンを提供できるフッ化物、０．１〜５重量％の第１水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のキレート剤、０．１〜５重量％の第２水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のグリコール、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする脱イオン水を含む銅膜、銅／モリブデン膜または銅／モリブデン合金膜の食刻組成物。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ透明電極（又はＩＺＯ透明電極）とＺＡＯ透明電極を同一液でエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 臭化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物と、フッ化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物とを含有する水溶液を透明電極用のエッチング液として用いる。 （もっと読む）