【課題】純アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる単層の配線膜を形成するに際し、側壁のテーパ角度が規定範囲内のテーパ状に良好にエッチングすることのできる配線膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポストベーク後に、硝酸、リン酸、酢酸および水を含むエッチング液を用いて側壁のテーパ角度が１０〜７０°のテーパ状に純アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜をエッチングするにあたり、上記ポストベーク温度：ｘ（℃）を１１０℃以下にすると共に、該ポストベーク温度と上記エッチング液の硝酸濃度：ｙ（質量％）が下記式（１）を満たすようにすることを特徴とする配線膜の形成方法。
１０≦［（２／３）ｘ−５ｙ］≦７０…（１） （もっと読む）

【課題】ストレージノードコンタクト（ＳＮＣ）プラグの開口面積を増大させ、ストレージノードとＳＮＣプラグとのＳＡＣフェイルの発生を防止し、低価格の装備を採用できる半導体素子のＳＮＣプラグの形成方法を提供すること。
【解決手段】ランディングプラグコンタクト３５が形成された半導体基板３１上に層間絶縁膜３６、４４を形成するステップと、層間絶縁膜３６、４４上にラインタイプのＳＮＣマスク４５を形成するステップと、ＳＮＣマスク４５をエッチングマスクとして、層間絶縁膜４４を部分エッチングして側壁が拡張された２次ホール４６Ｂを形成するステップと、ホール４６Ｂ下の層間絶縁膜４４、３６をエッチングして、コンタクト３５の表面を露出させる３次ホール４６Ｃを形成するステップと、ホール４６Ｂ、４６ＣからなるＳＮＣホール４６に埋め込まれるＳＮＣプラグ４８を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

本発明は、基板（１１）と、少なくとも１つの半導体素子（Ｅ）を備える半導体本体（１２）とを有する半導体デバイス（１０）の製造方法であって、この半導体本体（１２）の表面上にメサ型半導体領域（１）が形成され、メサ型半導体領域（１）の頂部上での厚みがメサ型半導体領域（１）に隣接する領域（３）における厚みよりも小さな絶縁層（２）が、このメサ型半導体領域を覆って堆積され、次いで、メサ型半導体領域（１）の上側がなくなるように、メサ型半導体領域（１）の頂部の絶縁層（２）の一部を除去した後、メサ型半導体領域（１）に接触する導電膜（４）を、得られた構造を覆って堆積する方法に関する。本発明によれば、絶縁層（２）は、高密度プラズマ堆積プロセスを用いて堆積される。このような処理は、特に、例えばナノワイヤ形成のような小さなメサ型領域（１）を有するデバイスの製造方法に適している。好ましくは、絶縁層（２）の堆積前に、薄い更なる絶縁層（５）を、他の共形的堆積プロセスを用いて堆積する。
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本発明は、特に電気的な用途に適している半導電性基板または非導電性基板に導電性のブッシングを製作する方法に関する。本方法は、前面が少なくとも１つの場所に導電性の接触個所（６）を有している半導電性基板または非導電性基板（１３）にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を設けて、切欠き（１）が前記基板の前面で、１つまたは複数の導電性の前記接触個所が存在していて当該接触個所で完全に覆われる１つまたは複数の場所の下で終わるようにし、次いで、前記基板のそれぞれの前記接触個所と裏側の表面（１０，１１，１２）との間で複数または少なくとも１つの前記切欠き（７）を貫いて導電接続を成立させる導電性構造（９）を前記基板の裏面から塗布することを特徴としている。さらに本発明は、本発明の方法によって設定された形態を備える基板ないしコンポーネントも対象としている。 （もっと読む）

【課題】低いコンタクト抵抗をうることのできるアクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のコンタクトホール形成方法は、（１）基板上に設けた第１の電極および該基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、
（２）該絶縁膜をドライエッチングしてパターニングしてコンタクトホールを形成する工程と、
（３）第２の電極を形成して該第２の電極と前記第１の電極とのコンタクトをとる工程と
からなるアクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法であって、
前記（２）の工程において、前記コンタクトホールをドライエッチングで形成したのち、酸素ガスによるプラズマエッチングによって前記コンタクトホールを表面処理する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜をエッチングして配線回路を形成する工程を備える素子の製造方法に関し、アルミニウム合金膜へダメージを与えることを極力抑制し、信頼性の高い素子を実現可能とする製造技術を提供する。
【解決手段】基板上に、アルミニウム合金膜を形成し、当該アルミニウム合金膜をエッチングして配線回路を形成する工程を備える、素子の製造方法において、アルミニウム合金膜を形成後、アルミニウム合金膜表面を酸化させるものとした。この時の酸化処理は、自然酸化被膜を備えた所定厚みのアルミニウム合金膜を、アルミニウム合金用エッチング液にて全厚みをエッチングした際に算出される厚さ方向のエッチング速度に対して、８０％以上のエッチング速度が確保できるように酸化被膜を形成するようにする。これによりＩＴＯ膜と直接接合しても接合特性が低下することがない。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された金属膜のウェットエッチング時において孔食の発生を抑制し得る、品質の良好なパターン化金属膜を有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上に形成された金属膜に感光性樹脂組成物を塗布して感光層を形成する工程、（ｂ）前記感光層にパターン露光したのち、現像してレジストパターンを形成する工程、及び（ｃ）前記レジストパターンをマスクとして、イオノホア化合物を含む酸水溶液により金属膜をウェットエッチングする工程を有する、パターン化金属膜を有する基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】被エッチング膜に堆積されるハロゲン化カーボン膜およびハロゲン化シリコン膜を効果的に除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン膜と酸化シリコン膜および窒化シリコン膜の少なくとも一方の層が成膜された半導体基板をハロゲンを含むエッチングガスによりドライエッチング処理する際、エッチング面に堆積されるハロゲン化カーボン膜およびこのハロゲン化カーボン膜上のハロゲン化シリコン膜を除去する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記ハロゲン化カーボンおよびハロゲン化シリコンの除去は、前記ドライエッチング後に希フッ酸水溶液でウェットエッチング処理する工程と、前記エッチング面を含む全面にＯＨまたはＨを含む有機材料膜を被覆した後、酸素プラズマによりアッシングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の損傷なしに絶縁膜を除去することができ、経済的に基板を再生することができる手段を提供する。
【解決手段】低誘電率材料もしくは保護材料のいずれか一方または両方を含む絶縁材料を除去するための組成物であって、前記組成物は組成物の総質量１００質量％に対して、酸化剤１〜５０質量％と、フッ素化合物０．１〜３５質量％と、残部の水と、を含むことを特徴とする、絶縁材料除去用組成物である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関する。
【解決手段】エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関し、前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、水及び添加剤を含み、前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物及び酸化調整剤を含む。また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールから露出する導電層間を連結するコンタクトパッドの形成の際、金属シリサイド層を用いて電気的な抵抗を低減する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１導電層、第１層間絶縁膜、第２導電層、及び第２層間絶縁膜を順次形成し、マスク膜を食刻マスクとして用いて第２層間絶縁膜、第２導電層、及び第１層間絶縁膜を順次除去して第１導電層が露出するコンタクトホールを形成する段階と、コンタクトホールの側壁に露出した第２導電層を選択的に食刻してコンタクトホールの側壁に露出する第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜との間にリセスを形成する段階と、コンタクトホールの底部または側壁の少なくともいずれか一方に所定厚さの第３導電層を形成するとともに、リセスを埋める金属シリサイド層を形成する段階と、金属シリサイド層が形成された後、コンタクトホールを埋める第４導電層を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】不良発生を防止して表示品質を向上させることができるアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置を提供する。
【解決手段】表示領域及び該表示領域の周辺に形成される周辺領域を有する基板と、前記表示領域に形成され、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記ゲート電極は、第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、該第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜とを有するスイッチング素子とを有する。 （もっと読む）

【課題】透明導電性酸化膜用エッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜の種類によって適用の制限が少ないエッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜のエッチング性能を向上するエッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜の下部に位置した膜に対する損傷が少ないエッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜用エッチング液を用いた液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、透明導電性酸化膜のパターニングに用いられるエッチング液及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供される。透明導電性酸化膜用エッチング液は、硫酸２ないし１５重量％、アルカリ金属硫酸水素塩０．０２ないし１０重量％及び超純水を含む。 （もっと読む）

【課題】隣接するキャパシタ間のブリッジの発生を防止し、コンタクトホールの不完全な開放を防止することができる深いコンタクトホールを有する半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板（２１）の表面上に絶縁膜（２５Ａ、２５Ｂ）を形成する第１ステップと、絶縁膜（２５Ｂ）を選択的にエッチングして、第１開放部を形成する第２ステップと、前記第１開放部の表面積を拡張させる第３ステップと、拡張された前記第１開放部の側壁表面に湾曲防止スペーサ（２８Ａ）を形成する第４ステップと、湾曲防止スペーサ（２８Ａ）が形成された前記第１開放部の下部に残留する絶縁膜（２５Ａ）をエッチングして、第２開放部（２７Ｃ）を形成する第５ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液を提供すること。また、前記エッチング液を利用する配線形成方法を提供すること。さらに、前記エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング液、これを利用する配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液は過酸化水素１０ないし２０重量％、有機酸１ないし５重量％、トリアゾール系化合物０．１ないし１重量％、ふっ素化合物０．０１ないし０．５重量％及び残量の超純水を含む。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜に与えるダメージが抑制された、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の絶縁層に埋設される、導電材料よりなる配線構造を形成する配線構造形成工程と、前記第１の絶縁層を除去して前記配線構造を露出させる絶縁層除去工程と、
前記配線構造を埋めるように第２の絶縁層を形成する絶縁層埋設工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

層間絶縁膜（１）及びＣＭＰストッパ膜を形成した後、配線溝を形成する。次に、配線溝内にバリアメタル膜（４）及びＣｕ膜（５）を埋め込んだ後、ＣＭＰストッパ膜が露出するまで、ＣＭＰ等によってＣｕ膜（５）及びバリアメタル膜（４）を平坦化することにより、下層配線（１７）を形成する。次いで、ドライエッチングによってＣＭＰストッパを除去することにより、相対的に下層配線（１７）の表面を周囲から突出させる。続いて、全面にエッチングストッパ膜（６）を形成する。その後、ビアプラグ（１８）を形成し、更に、下層配線（１７）と同様にして、上層配線（１９）を形成する。
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本発明には、ケイ化ニッケルおよびケイ化コバルトをエッチングする方法ならびに導電線を形成する方法が含まれる。一実施形態では、ケイ化ニッケルを含む基板は、その基板からケイ化ニッケルをエッチングするために効果的な、少なくとも５０の温度および３５０トル〜１１００トルの圧力でＨ_３ＰＯ_４およびＨ_２Ｏを含む流体に曝露される。一実施形態では、ケイ化ニッケルまたはケイ化コバルトのうちの少なくとも一方が、基板からケイ化ニッケルまたはケイ化コバルトのうちの少なくとも一方をエッチングするために効果的な、５０以上の温度および３５０トル〜１１００トルの圧力で、Ｈ_２ＳＯ_４、Ｈ_２Ｏ_２、Ｈ_２Ｏ、およびＨＦを含む流体に曝露される。 （もっと読む）

【課題】 同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜またはＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜を、単一工程で、下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象なしに湿式エッチングして、優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成することができるエッチング組成物を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、燐酸、硝酸、酢酸、燐酸塩、陰イオン界面活性剤及び水を含む。 （もっと読む）

チオ硫酸溶液を使用してヨウ素をポリマーから除去する方法。 （もっと読む）