【課題】発振周波数変動の許容範囲を任意に設定可能にする。
【解決手段】半導体装置（２１）は、トリミングレジスタ（１１）に保持されたトリミング値によって発振周波数が変更される発振器（１２）と、発振周波数を補正可能な補正回路（２０）とを含む。上記補正回路は、上限値を設定可能な上限値レジスタ（６）と、下限値を設定可能な下限値レジスタ（７）と、発振周波数を分周するための分周回路（１３）と、分周回路の出力をカウントするカウンタ（３）とを含む。さらに上記補正回路は、カウンタの出力を保持可能なバッファレジスタ（４）と、バッファレジスタの保持値が、上限値と下限値との間に入っているか否かを判別する比較器（５）と、その判別結果に基づいてトリミング値を補正するトリミング値補正制御回路（８）とを含む。ユーザは、上限値と下限値とによって、発振周波数変動の許容範囲を任意に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗体とヒューズ素子が並列に接続された半導体装置において、ヒューズ素子切断時に抵抗体への損傷がなく、抵抗体とヒューズ素子とを積層すること。
【解決手段】半導体基板上に第１の絶縁膜を介して形成された抵抗体を設け、抵抗体の上に第２の絶縁膜を介して形成された遮光層を設け、遮光層の上に第３の絶縁膜を介して形成されたヒューズ素子のヒューズ部を有し、抵抗体と遮光層とヒューズ部を重畳した半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】高電圧が不要で安定した状態を得ること。
【解決手段】半導体装置１０に形成されたヒューズ素子１１は、概略的に、拡散領域２２と、拡散領域２２と一部重なるように拡散領域２２より上方に形成された導電体２５を含む。半導体装置１０の半導体基板２１には、拡散領域２２が形成されている。半導体基板２１には素子分離領域２３が形成されている。拡散領域２２を含む半導体基板２１上には絶縁膜２４が形成されている。絶縁膜２４上には、導電体２５が形成されている。導電体２５上には、カバー膜２６が形成されている。カバー膜２６は、導電体２５の上面及び側面を覆うように形成されている。カバー膜２６は、絶縁膜２４より高い引っ張り応力を持つ。 （もっと読む）

【課題】トリミング回路を備えた半導体装置において、内部電源の電圧レベルを半導体装置の外部から適切に制御できるようにすること。
【解決手段】半導体装置は、複数のレベルの間で遷移する第１のテストモード信号を受信し、第１のテストモード信号の遷移に応じてカウント動作を行うバイナリカウンタ回路と、バイナリカウンタ回路の所定のビットの値を示すビット信号、および、バイナリカウンタ回路のカウント動作を制御する第２のテストモード信号を受信し、ビット信号および第２のテストモード信号に応じて、第１のテストモード信号を遷移させるか否かを制御する制御回路と、バイナリカウンタ回路のカウント値に応じて、複数の基準電位の中からいずれかの基準電位を選択するセレクタと、セレクタにより選択された基準電位に応じて、内部電源を発生する内部電源発生回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ開口部の端部に必ず切断すべきヒューズを配設することにより、レーザー照射後のその切断／未切断をもって、端部のポリイミド膜の膜厚の良否を容易に判定する。
【解決手段】ヒューズ回路は、ヒューズ開口部ＦＡの、ポリイミド膜の厚さが不本意に厚く残りやすい端部に配設された２つの切断確認用ヒューズ１ａ，１ｂと、ポリイミド膜の厚さ変動が端部に比べ少ない領域ＲＡに配設された複数の実使用ヒューズ７ａ〜７ｄと、２つの切断確認用ヒューズ１ａ，１ｂからの信号を入力して当該ヒューズ１ａ，１ｂが確実に切断されているかを判定するヒューズ未切断判定回路２と、を備えている。なお、ヒューズ未切断判定回路２は、更にテストモード信号を入力すると共に、出力回路（例えばＤＱ回路）に判定結果を出力している。 （もっと読む）

【課題】プログラマブルなアナログデバイスを提供する。また、電源電位の供給が遮断されたときでもデータの保持が可能で、且つ、低消費電力化が可能なアナログデバイスを提供する。
【解決手段】アナログ素子を含むユニットセルにおいて、ユニットセルのスイッチとして、第１乃至第４のトランジスタを用い、第１のトランジスタと第２のトランジスタとが接続された第１のノード、及び、第３のトランジスタと第４のトランジスタが接続された第２のノードの電位を制御することで、ユニットセルの出力を導通状態、非導通状態、又はアナログ素子を介した導通状態のいずれかに切り替える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】回路規模が増大化する。
【解決手段】抵抗値が順に小さい値となって直列接続される複数のヒューズを備えるヒューズ部と、前記ヒューズ部の複数のヒューズのそれぞれ一端と、第１の電源電圧との間に接続される複数の選択スイッチと、前記第１の電源電圧から所定の電位差を有するヒューズ溶断用電圧を、前記ヒューズ部の最も小さい抵抗値のヒューズ側に出力するヒューズ溶融電圧出力回路と、ヒューズ溶断時に、前記ヒューズ溶融電圧出力回路が前記ヒューズ溶断用電圧を出力し、前記ヒューズ部の最も大きい抵抗値のヒューズに接続される選択スイッチから最も小さい抵抗値のヒューズに接続される選択スイッチまでを順に導通させる制御回路と、を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、高電圧の配線層とその下方を横切るように配置された抵抗層との間の絶縁膜の耐圧を確保し、この配線層と抵抗層との間で破壊が起きるのを抑制することを目的とする。
【解決手段】第１半導体領域１０に接続され第２半導体領域１１上を通過するように第３配線層２２が配置されている。第３配線層２２と第２半導体領域１１との間に配置される絶縁膜１４内には、一端が第３配線層２２に接続されると共に、他端が第１半導体領域１１よりも電位の低い制御端子１２に接続され、且つ第３配線層２２とＳＯＩ層２との間において第３配線層２２を少なくとも１回以上横切る構成で抵抗層２５が配置されている。この抵抗層２５は、第３配線層２２を横切る部位の上面が他の部位よりも下方位置となるように段差状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ヒューズメモリを利用したトリミングを行う半導体ウェハにおける各半導体チップの回路面積を小さくする。
【解決手段】半導体ウェハ１０におけるシリコン基板上は、複数個のチップ領域ＴＡＲとこの領域ＴＡＲを囲むスクライブ領域ＳＡＲとに区画されている。チップ領域ＴＡＲには、トリミング対象回路１１と、ヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）と、ヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）が断線状態であるか否かを検出する検出回路としての役割を果たす定電流源ＩＰｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）及びインバータＩＮｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）とが形成されている。スクライブ領域ＳＡＲには、制御信号に応じてＯＮ／ＯＦＦが切り換わり、ＯＮとなることによりヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）を断線させる電流を発生するＮチャネル電界効果トランジスタＴＳｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）がある。 （もっと読む）

【課題】キャパシタが破壊されずＡＣ信号が歪まないようにした可変容量回路を提供する。
【解決手段】可変容量回路は，基準電位を中心とする交流信号が印加される所定ノードと，所定ノードに接続される第１のキャパシタと，第１のキャパシタと基準電位との間に接続された第２のキャパシタと，第２のキャパシタと第１のキャパシタとの間の第１のノードと基準電位との間に設けられた第３のキャパシタ及び容量制御用のトランジスタと，第３のキャパシタとトランジスタとの間の第２のノードに第１のバイアス電圧を印加するバイアス回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】コストのかかる空間をとらずに電子部品内に個別パッシブ部品を組み込むことが可能な垂直集積システムを提供する。
【解決手段】集積回路システム１００は、半導体ダイ１１０の前面上に製造された第一のアクティブ層と、半導体ダイ１１０の裏面上の第二の予め製造された層とを含み、その第二の予め製造された層は、その中に埋め込まれた電気部品を有し、その電子部品は、少なくとも一つの個別パッシブ部品１４０を含む。また、集積システム１００は、第一のアクティブ層及び第二の予め製造された層を結合する少なくとも一つの電気経路１５０も含む。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子のオン抵抗の影響を排除することにより、トリミングの誤差が特定の条件において大きくなることを回避することができる抵抗分割回路、さらには精度がよい電圧検出回路を提供する。
【解決手段】直列接続した抵抗値に重み付けをした複数の抵抗素子と、抵抗素子とそれぞれ並列に接続されたスイッチ素子とを備えた抵抗分割回路で、対応する抵抗素子の抵抗値とスイッチ素子がショート状態のときの抵抗値との比を一定となるように構成した。 （もっと読む）

【課題】積層したＭＩＭキャパシタの静電容量の合計値を所望の静電容量に近づけることができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板１上に、下地金属膜２、下層絶縁膜４、及び中間金属膜５を順に積層する。下層絶縁膜４の厚みを測定する。下層絶縁膜４の厚みを測定した後に、中間金属膜５上に上層絶縁膜７、及び上地金属膜８を順に積層する。下地金属膜２、下層絶縁膜４、及び中間金属膜５から第１のＭＩＭキャパシタが構成される。中間金属膜５、上層絶縁膜７、及び上地金属膜８から第２のＭＩＭキャパシタが構成される。第１のＭＩＭキャパシタの静電容量と第２のＭＩＭキャパシタの静電容量の合計値が所望の静電容量に近づくように、測定した下層絶縁膜４の厚みに基づいて、上層絶縁膜７及び上地金属膜８の少なくとも一方の設計条件を調整する。 （もっと読む）

【課題】広範囲、光分解能に周波数を可変することのできるクロック信号を生成する。
【解決手段】オペアンプＡＭＰ１は、正入力部と負入力部が等しい電圧となるようフィードバックがかかり、回路ノードｆｂｃｋは、参照電圧ＶＲＥＦＩに等しい電圧となる。デコーダＤＥＣは、制御信号ＣＮＴ７，ＣＮＴ６をデコードし、トランジスタＴ２〜Ｔ５のいずれか１つをオンさせる。この構成によって、回路ノードｆｂｃｋが、参照電圧ＶＲＥＦＩと同電位となるようフィードバック制御がかかるため、トランジスタＴ２〜Ｔ５のＯＮ抵抗を大幅に低減することができ、周波数精度の悪化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に損傷を与えることなく、単体の抵抗素子自体の抵抗値を精度良く微調整する。
【解決手段】Ｐ型の半導体基板１０上にＮ型の半導体層１１が形成されている。半導体層１１の表面には薄い第２の絶縁膜１３が形成され、第１の絶縁膜１２及び第２の絶縁膜１３上にフローティングポリシリコン層１４が形成されている。フローティングポリシリコン層１４は第３の絶縁膜１５に覆われている。第３の絶縁膜１５によって覆われたフローティングポリシリコン層１４上にはポリシリコン抵抗層１６が形成されている。そして、半導体層１１とポリシリコン抵抗層１６との間に電圧を印加することにより、第２の絶縁膜１３を通してフローティングポリシリコン層１４の中に電子が注入され、ポリシリコン抵抗層１６の中に正孔蓄積層１６Ａが形成される。 （もっと読む）

【課題】被保護素子に接続されることにより、被保護素子の破壊を未然に防止できる保護素子を提供すること。
【解決手段】アノード電極１５とカソード電極１６との間に主たる電流を流す被保護素子に対して、電気的に並列に接続される保護素子１であって、ＧａＮ層１３よりもバンドギャップの大きなＡｌＧａＮ層１４が形成され、ＡｌＧａＮ層１４の表面に離間してアノード電極１５とカソード電極１６とが形成され、アノード電極１５とカソード電極と１６の間の２次元電子ガス層１３Ａを流れる電流のオンオフを制御する制御電極１９を備えたオンオフ可能領域２１を備え、制御電極１９が所定の抵抗体２０を介してアノード電極１５に接続されてなり、アノード電極１５が被保護素子のアノード電極１５と接続され、カソード電極１６が被保護素子のカソード電極１６と接続され、被保護素子より耐圧が低く設定されている。 （もっと読む）

【課題】センサーデバイスからの検出信号の精度の高いＡ／Ｄ変換を実現できる集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】集積回路装置は、電源電圧ＶＤＤＡを生成する電源回路６０と、電源回路６０から電源電圧ＶＤＤＡが供給され、供給された電源電圧ＶＤＤＡに基づいて動作し、電源電圧ＶＤＤＡにより規定されるＡ／Ｄ変換範囲で、センサーデバイス３０からの検出信号に対応する信号についてのＡ／Ｄ変換を行うＡ／Ｄ変換器ＡＤＣと、電源回路６０から電源電圧ＶＤＤＡが供給され、供給された電源電圧ＶＤＤＡをセンサーデバイス３０に供給する電源端子ＰＶＤＡを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、ヒューズ層を覆う絶縁膜の膜厚を精度良く調整する。
【解決手段】半導体基板１０上にザッピング素子１のヒューズ層１２を形成し、ヒューズ層１２を覆う第１の絶縁膜１３を形成する。第１の絶縁膜１３上にはヒューズ層１２を覆うエッチングストッパー膜１４を形成し、エッチングストッパー膜１４を覆う第２の絶縁膜１６を形成する。他の工程を経た後、第１のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、第２の絶縁膜１６をエッチングストッパー膜１４に対して選択的にエッチングすることにより、エッチングストッパー膜１４の表面を露出させる。次に、第２のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、エッチングストッパー膜１４を第１の絶縁膜１３に対して選択的にエッチングすることにより、第１の絶縁膜１３の表面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】高周波動作向けの半導体装置を高性能化させる。
【解決手段】シリコン基板Ｓ１上に形成された抵抗素子ＴＤＲ１および不揮発性メモリＮＶＭ１を有する半導体装置であって、不揮発性メモリＮＶＭ１は、シリコン基板Ｓ１上に埋め込み酸化層ＢＯＸ１を介して配置されたシリコン層ＳＯＩ１に形成されている。特に、抵抗素子ＴＤＲ１と不揮発性メモリＮＶＭ１とは互いに電気的に接続され、不揮発性メモリＮＶＭ１のオン状態またはオフ状態により、抵抗素子ＴＤＲ１の導通状態または非導通状態が切り替わる。 （もっと読む）

【課題】小さいチップサイズで、ノイズを低減することできる半導体装置、及びその設計方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、入力に応じて容量が変化する素子１３を備え、所定の機能を有する機能マクロ１１と、機能マクロ１１の不使用時において、素子１３によって機能マクロ１１の容量を制御するものである。これにより、小さいチップサイズで、ノイズを低減することできる半導体装置、及びその設計方法を提供することができる。 （もっと読む）