【課題】大容量の半導体メモリにおいても、高速動作を維持可能な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】外部接続用配線体は、パッド２と、接続配線３と、バンプ電極４とで構成されている。半導体集積回路は、パッド２に直接接続される入力／出力バッファ回路を有している。パッド２を介在して入力／出力バッファ回路に電気的に接続されるバンプ電極４は、入力／出力バッファ回路の近傍上に設けられている。 （もっと読む）

本発明は、電子コンポーネント、特にＲＦＩＤトランスポンダに関し、またその種の電子コンポーネントを有するセキュリティ・ドキュメントに関する。この電子コンポーネントは、キャリア信号を変調するための変調器を有し、当該変調器は、少なくとも二つの有機電界効果トランジスタ（７２，７３）から構成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体プロセスのうち金属配線形成時のプラズマ工程において発生するアンテナダメージを防止する事が可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 第２導電型ウェル１１上に第１導電型拡散層２１を設け、ＭＯＳ型トランジスタのゲート電極１３と第１導電型拡散層２１をコンタクトホール３１、３２とＣｕからなる金属配線４１を介して接続する。さらに、第１導電型ウェル１２上に第２導電型拡散層２２を設け、ＭＯＳ型トランジスタのゲート電極１３と第２導電型拡散層２２をコンタクトホール３３、３４とＣｕからなる金属配線４２を介して接続し、ゲート電極１３と第２導電型ウェル１１との間のダイオード１を、ゲート電極１３と第１導電型ウェル１２との間にダイオード２をそれぞれ設置する。これにより、ＭＯＳ型トランジスタのゲート電極に発生するアンテナダメージを防止する。 （もっと読む）

【課題】 静電破壊に対する防止装置を備える回路装置を提供する。
【解決手段】区域（Ａ、Ｂ）のそれぞれが、接地電位と電源電圧をもつそれぞれ固有の作動電圧系を有し、かつ、第１の区域（Ａ）の情報端子点（ＳＡ）と第２の区域（Ｂ）の情報端子点（ＳＢ）との間の少なくとも１つの接続（ＳＣ）が第１の区域（Ａ）と第２の区域（Ｂ）の間の情報の伝送のために備えられている回路装置に関し、前記接続（ＳＣ）は、第１の区域（Ａ）の少なくとも１つの第１のトランジスタ（Ｘ）、抵抗（Ｒ１）および第２の区域（Ｂ）の第１のトランジスタ（Ｅ）を備えたトランジスタ回路を有し、前記第１のトランジスタ（Ｘ）は第１の区域（Ａ）の接地電位（ＵＳＳ）と前記抵抗（Ｒ１）の間に接続されており、かつ第２の区域（Ｂ）の第１のトランジスタ（Ｅ）は前記抵抗（Ｒ１）と第２の区域（Ｂ）の電源電圧（ＵＤＤ１）の間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】レイアウト変更に対応するパラメータ値の変更が可能であり、レイアウト変更可能なトランジスタモデルを提供する。
【解決手段】高周波半導体回路のトランジスタユニットをコンピュータ上で表現するための高周波トランジスタモデルであって、高周波トランジスタの内在的(intrinsic)トランジスタ部Ｍｉと、内在的トランジスタ部Ｍｉに接続され、トランジスタユニットの電極、配線およびコンタクトのレイアウトの変更に応じて変化するレイアウトパラメータ、たとえばＲｇ_layout,Ｒｇ_em,Ｃｃ_gb,Ｒsub_gb,Ｃsub_gb, Ｃｃ_db,Ｒsub_db,Ｃsub_dbおよびＲsub1〜Ｒsub4等を含む寄生的回路とを有する。 （もっと読む）

半導体デバイス用の整合補助部（１１５）に関する。整合補助部は、高い反射度を有する領域（１２３）と、低い反射度を有する隣接領域（１２５）とを備える。低い反射度を有する領域には、半導体デバイスの相互接続層（２２５）に配置され、かつ半導体デバイスの能動回路（２１８）の上方に配置されている、１層以上のタイル（２０３）が含まれる。一部の例では、整合補助部のタイルの走査方向への間隔は、整合補助部の走査に使用される光（例えば、レーザ光）の波長より短い。他の例では、整合補助部のタイルの走査方向への幅が、整合補助部の走査に使用される光の波長より短い。
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