【課題】上部に反射部材を備え側面から光を放射するＬＥＤ装置において、色度を容易に管理できるＬＥＤ装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ装置１０は、回路基板３上に実装したＬＥＤダイ２０を所定の厚みを持った蛍光体層１６で被覆している。さらに蛍光体層１６は透明層１２で覆われており、透明層１２の上部に反射部材１１が接している。ＬＥＤ装置１０の色度は実用的な精度においてＬＥＤダイ２０の発光スペクトルと蛍光体層１６の蛍光物質濃度及び厚みで決まるので、透明層１２を調節してＬＥＤ装置１０のサイズを変更しても色度は変わらない。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップを有し、波長が３８０ｎｍ以上の近紫外光、或いは可視光に対して透明であって、ｐ型導電性を示すＮａＣｌ型結晶構造の酸化物材料、およびこれを用いた発光素子を提供する。
【解決手段】
Ｚｎ_ｘＭｇ_ｙＣｕ_ｚＯ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される酸化物で、０＜ｘ／（ｘ＋ｙ）≦３５、かつ０＜（ｚ／（ｙ＋ｚ）≦２４である、ＮａＣｌ型結晶構造を有するｐ型導電性酸化物材料を形成する。この材料を用いてｐ型半導体層とし、ｎ型ＺｎＯ層からなる半導体層と接合させて紫外発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】電流分布を均一させるためｎ側電極が電極面の中央部に配置しても、回路基板の電極パターンを簡単化できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤダイ２０の電極面において、ｐ側電極２７はｎ側電極２６に対して一方の辺部にあり、他方の辺部にはフローティング電極２５がある。このためｎ側電極２６と接続する回路基板３８の内部接続電極３２は回路基板３８の他方側にだけあれば良く、同様にｐ側電極２７と接続する内部接続電極３５は回路基板３８の一方側だけにあれば良い。このときｐ側電極２７はｐ型半導体層２３全体と低抵抗接続しているので電流分布が不均一にならない。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの特性を生かしつつ、高耐圧デバイスや紫外発光・受光デバイスを実現する。
【解決手段】半導体デバイスを、２次元構造のグラフェン電極２、３と、グラフェン電極のグラフェン端に結合した２次元構造のボロンナイトライド半導体層５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】良好なＰＮ接合を側面に有して、良好な電気的特性を有する半導体素子等を提供すること。
【解決手段】第１導電型の半導体コア１１を覆うように第１導電型の半導体シェル１２を形成する。また、第１導電型の半導体シェル１２を覆うように第２導電型の半導体シェル１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１００において、成長基板１０は、第１レーザー加工面１０C_１と、第１割断面１０C_２と、を含む第１側面１０Ｃを有する。第１割断面１０C_２には、成長基板１０を構成する材料の結晶格子面が露出している。垂直方向における第１レーザー加工面１０C_１の高さαは、垂直方向における成長基板１０の厚みβ_１と素子本体２０の厚みβ_２との和の２５％以上４０％以下である。 （もっと読む）

【課題】
原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い半導体薄膜と、この半導体薄膜を用いた発光素子、並びに受光素子と、これらの製造方法を開発することが課題である。
【解決手段】
ゾル状態の酸化亜鉛を基板上にスピンコート法で塗布する際と、ゲル状態の酸化亜鉛薄膜を乾燥、及び結晶化する際に、電界印加状態でマイクロ波を照射してZn⁺―O⁻結合を回転させ電界方向にそろえて、結晶品質の良い酸化亜鉛薄膜を形成させる。次に、この酸化亜鉛薄膜を用いて、図６(a) から(c)のpn接合を形成することで原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い発光素子と受光素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】改善されたオーミックコンタクト構造およびｐ型窒化物材料にオーミックコンタクト構造を形成する。
【解決手段】ｎ型ＳｉＣ基板１０上に、活性領域１２として、ｎ−ＧａＮベースの層１４およびｐ−ＧａＮベースの層１６と、ｐ−ＧａＮ層１６に堆積されかつ電気的に結合されたｐ電極１８と、ｐ電極１８上にボンディングパッド２０が形成され、ｐ電極１８はオーミックコンタクトを形成し、約２５Å未満の平均厚さおよび約１０^−３Ωｃｍ^２未満の固有接触抵抗率を有する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に発光層が形成されたＬＥＤデバイスチップの製造方法であって、発光層の側面から発せられる光を遮断されにくくして輝度の向上を図る。
【解決手段】ＧａＮ（ｎ層３１＋ｐ層３２）から成る発光層３を、サファイア基板２に形成された分割予定ライン２１に沿ってエッチング処理して除去し、サファイア基板２の裏面側からレーザービームＬＢを照射してエッチング処理で除去しきれなかったｎ層３１の裾野の部分３１１に改質層３１２を形成する。次いで改質層３１２に外力を加え、改質層３１２を起点としてｎ層３１の裾野の部分３１１を分割、分離する。最後に、エッチング処理によって分割予定ライン２１に沿って露出したサファイア基板２の表面に切削加工を施し、多数のＬＥＤデバイスチップ１Ａを得る。 （もっと読む）

【課題】シリコンナノ粒子は発光デバイスや太陽電池への応答が期待できるが、電極と粒子間のキャリア注入効率／輸送効率が悪いため、この種のデバイス動作の効率を上げることができなかった。
【解決手段】選択図の（Ｅ）に示すように、基板上に立設されたシリコンナノワイヤの周囲をシリコンナノ粒子で覆った新規な複合材料を提供することによって、シリコンナノ粒子との間のキャリア注入効率／輸送効率を向上させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】発光側のｎ型窒化ガリウム層の表面及び反射側のｐ型窒化ガリウム層の表面に微細な光散乱構造である表面凹凸を形成することで、光放出効率を増加させ、外部量子効率の改善効果を極大化する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型電極１０６と、前記ｎ型電極の下面に形成されているｎ型窒化ガリウム層１０２と、前記ｎ型窒化ガリウム層の下面に形成された活性層１０３と、前記活性層の下面に形成され、前記活性層と接していない表面に所定形状の第１表面凹凸構造３００ｂを有するｐ型窒化ガリウム層１０４と、前記第１表面凹凸構造を有するｐ型窒化ガリウム層の下面に形成されたｐ型反射電極１０７と、前記ｐ型反射電極の下面に形成された構造支持層と、を備える。前記ｎ型窒化ガリウム層は前記ｎ型電極１０６と接する側の面に所定形状の第２表面凹凸構造３００ａを形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板５−１１を用意し、そのダイヤモンド基板５−１１上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとして基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜５−１２を１μｍ積層する。上記ダイヤモンド薄膜５−１２にイオン注入装置を用い、加速電圧６０ｋＶ、ドーズ量１×１０^１４ｃｍ^−２でドーパントを打ち込む。その後、イオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３上に保護層（白金）５−１４を形成する。表面に保護層５−１４が形成されたイオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３を、超高温高圧焼成炉内に配置し、３．５ＧＰａ以上、６００℃以上の圧力、温度下でアニールする。 （もっと読む）

【課題】装置への実装の自由度が高い微細な棒状構造発光素子を製造できる棒状構造発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＰＡ(イソプロピルアルコール)水溶液中に基板１０１を浸し、例えば数１０ＫＨｚの超音波を用いて基板１０１を基板平面に沿って振動させることにより、基板１０１上に立設する半導体コア１１の基板１０１側に近い根元を折り曲げるように、半導体コア１１および絶縁体１３に対して応力が働いて、半導体コア１１が基板１０１から切り離される。こうして、基板１０１から切り離なされた複数の微細な棒状構造発光素子１を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 迷光を抑制した発光素子アレイとそれを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】 基板と、前記基板上に設けられ、電力が供給されることによって発光する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の、前記基板とは反対側の表面上を連続して覆うように設けられ、金属から構成され、前記複数の発光素子に電力を供給するための共通金属電極であって、上面視したとき、前記発光素子の前記表面の一部が露出するように、前記発光素子毎に貫通孔を有する共通金属電極と、を具備する （もっと読む）

【課題】 高品質のＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体からなる薄膜を形成することができるｐｎ型Ｇａ_２Ｏ_３膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 真空層５２内を減圧し、酸素ラジカルを注入しながらセル５５ａを加熱し、Ｇａの分子線９０、およびセル５５ｂを加熱し、Ｍｇの分子線９０をＧａ_２Ｏ_３系化合物からなる基板２５上に照射して、基板２５上にｐ型β−Ｇａ_２Ｏ_３からなるｐ型β−Ｇａ_２Ｏ_３層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード組み立て時のワイヤーボンディング工程においてクレータリングの発生を低減することができ、よって歩留りを向上させることができるエピタキシャルウェーハ及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型層および該ｎ型層上にｐ型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記ｎ型層および前記ｐ型層はＧａＡｓＰまたはＧａＰであり、前記ｐ型層は少なくとも第１ｐ型層と、該第１ｐ型層より上にありキャリア濃度が高い第２ｐ型層とを有し、更に、前記ｎ型層と前記第１ｐ型層との間にｐ型キャリア濃度が漸増する第１ｐ型キャリア濃度増加層と、前記第１ｐ型層と前記第２ｐ型層との間にｐ型キャリア濃度が漸増する第２ｐ型キャリア濃度増加層を有するものであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】発光素子に供給される電流を制限する。
【解決手段】シリコンを含むベース基板と、ベース基板に接して形成された複数のシード体と、各々対応するシード体に格子整合または擬格子整合する複数の３−５族化合物半導体とを備え、複数の３−５族化合物半導体のうちの少なくとも１つには、供給される電流に応じて発光する発光素子が形成されており、複数の３−５族化合物半導体のうち、発光素子が形成された３−５族化合物半導体以外の少なくとも１つの３−５族化合物半導体には、前記発光素子に供給される電流を制限する電流制限素子が形成されている発光デバイスを提供する。 （もっと読む）