【課題】分子スケールの発光デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の発光デバイスは、ゲート電極（１０１）と、電気刺激によって発光する分子を含み、その分子がゲート電極（１０１）の有効範囲内に配置されているチャネル（１０３）と、チャネルの第１の端部に結合され、チャネルに電子を注入するソース（１０４）と、チャネルの第２の端部に結合され、チャネルにホールを注入するドレイン（１０５）とを備える。
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【課題】 半導体デバイス程度の大きさのＩＩＩ族窒化物半導体結晶およびその製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器を提供する。
【解決手段】 下地基板１上に１以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１上に１層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２から構成されるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０を下地基板１から分離する工程とを含み、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０の厚さが１０μｍ以上６００μｍ以下、幅が０．２ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。 （もっと読む）

サファイア基板上にｎ型ＧａＮ層を成長させ、その上に六角形状のエッチングマスクを形成する。このエッチングマスクを用いてＲＩＥ法によりｎ型ＧａＮ層を所定深さまでエッチングし、上面がＣ面からなる六角柱部を形成する。エッチングマスクを除去した後、六角柱部を覆うように基板全面に活性層およびｐ型ＧａＮ層を順次成長させ、発光素子構造を形成する。この後、六角柱部の上のｐ型ＧａＮ層上にｐ側電極を形成するとともに、ｎ型ＧａＮ層にｎ側電極を形成する。
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【課題】 光損失が少なく、小型化や低コスト化が可能で、しかもフィルタによる透過率及び反射率の偏波依存性が小さく、透過させる光の波長と反射させる光の波長をより狭い範囲で切り分けて、波長が異なる複数の光を合波又は分波する光導波路装置、及び、それを用いた、小型ディスプレイ等の点光源装置等として好適な光源装置、並びに光情報処理装置を提供すること。
【解決手段】 辺ＤＥが辺ＢＡと４５度の鋭角で交わる五角形ＡＢＣＤＥの形状を有するクラッド３とコア４〜６との接合体からなる光導波路層２を形成する。コア４を辺ＡＢにほぼ垂直に辺ＡＢから辺ＣＤまで直線状に設け、コア５と６を辺ＤＥにほぼ垂直に辺ＤＥからコア４との交差部７又は９まで直線状に設ける。交差部には、コア４を分断して波長選択フィルタ８と１０を設ける。合波を行う場合には、光入射又は出射端面１１〜１３から光を入射し、光出射又は入射端面１４から合波光を取り出す。 （もっと読む）

発光ダイオードは、第１及び第２の対向する面（２００ａ、２００ｂ）と、第１及び第２の対向する面の間にあり第２の面から第１の面に向かって傾斜した角度で延びている側壁（２００ｄ）とを有する基板を備えている。蛍光体を含む共形層（２２０）が傾斜した側壁上に設けられている。この傾斜側壁によって、従来の垂直側壁よりも均一な蛍光体コーティングが可能となる。
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【課題】 発光駆動用の電極として酸化物透明電極層を用いるとともに、酸化物透明電極層が形成する境界面での内部反射を抑制し、ひいては光取出し効率の良好な発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１００は、発光層部２４を有した化合物半導体層５０と、該化合物半導体層５０に積層される、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための酸化物透明電極層３０とを有する。発光層部２４からの光は、酸化物透明電極層３０を透過させる形で取り出される。酸化物透明電極層３０と化合物半導体層５０との間に、それら酸化物透明電極層３０と化合物半導体層５０との中間の屈折率を有する中間屈折率層３１が配置される。 （もっと読む）

ｎ−型領域とｐ−型領域の間に設置された発光層を有する半導体発光装置は、発光層によって放射される光の光路に設置されたセラミック層と一体化される。セラミック層は、蛍光体のような波長変換材料で構成され、あるいはそのような材料を有する。本発明の実施例による発光セラミック層は、従来の蛍光体層よりも頑丈で、温度に対する感度が低い。また、発光セラミック層は、散乱が少ないため、従来の蛍光体層を超える高い変換効率が得られる。
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導電性のＩＩＩ−Ｖ族半導体層（３）内に導電率が低減されている少なくとも１つの領域（８）を形成する方法においては、半導体層（３）の領域（８）上にＺｎＯ層（１）が被着され、続けて有利には３００℃〜５００℃の温度においてテンパリングされる。ＺｎＯ層（１）は有利には１５０℃以下の温度、有利には２５℃以上１２０℃以下の温度においてＩＩＩ−Ｖ族半導体層上に析出される。導電率が低減されている領域（８）は有利にはビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子においてアクティブ領域（４）と接続コンタクト（７）との間に配置されており、アクティブ領域（４）のこの端子コンタクト（７）に対向する領域への電流の注入が回避される。
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半導体光電子装置（６５０）は、少なくとも１つの空洞（６６０）と少なくとも１つの多層干渉反射器（６２０、６３０）とを含んでいる。空洞（６６０）は、好ましくは、光学モードが横方向の面内において伝搬しない反導波路空洞の特性を有するように設計されている。存在している光学モードは、垂直方向または垂直方向に対して半導体と空気との界面における全内部反射の角度を下回る角度において傾斜した方向（６３３）に伝搬するモードである。このような設計は、寄生光学モードの影響を軽減させ、かつ、垂直空洞面発光レーザー、上部表面または基板を介して放射する傾斜空洞型レーザー、垂直空洞共振または傾斜空洞共振光検出器、垂直空洞共振または傾斜空洞共振光増幅器、および発光ダイオードを含む光電子装置の特性を改善する。
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【課題】発光層への注入電流を許容範囲に抑えつつ、発光効率を向上させることが可能な、半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなるｐ−ＧａＮ層１０とｎ−ＧａＮ層１４とで多重量子井戸発光層１２を挟んだ量子井戸構造を有し、ｎ−ＧａＮ層１４側から光を取り出す構成としたＬＥＤチップ２において、ｐ側電極２４を以下の構成とした。ｐ側電極２４のｐ−ＧａＮ層１０に臨む面を、円柱状をした複数の凸部２４Ａが略一様に分散されてなる凹凸面２４Ｂに形成し、前記凸部２４Ａの頂部とｐ−ＧａＮ層１０を接合することとした。 （もっと読む）

本発明は、超微細凹凸構造が適用された半導体層に光が反射されずに外部に放出されることに従って、光抽出効率が向上した発光ダイオード素子を提供する。
本発明は 基板、Ｎ型半導体層、光を発生させる活性層、Ｐ型半導体層を具備する発光ダイオード素子において、前記活性層及び前記Ｐ型半導体層をエッチングして少なくとも前記Ｎ型半導体層の一部を露出させた第１露出面と、前記第１露出面に形成された第１オーミック電極と、前記Ｐ型半導体層上に形成されており、前記Ｐ型半導体層の一部が第２露出面を有するように開口部を具備した第２オーミック電極とを含み、前記第２露出面の少なくとも一部が超微細凹凸構造である。
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電磁ビーム（１９）を主ビーム方向（１５）に放射するアクティブ層（７）と、主ビーム方向（１５）においてアクティブ層（７）の後段に配置されている第１の窒素化合物半導体材料からなる電流拡散層（９）と、主ビーム方向（１５）に放射されたビーム（１９）を出力結合する主面（１４）と、主面（１４）上に配置されている第１のコンタクト層（１１，１２，１３）とを備えた薄膜ＬＥＤにおいて、電流拡散層（９）の横方向導電性が二次元の電子ガスまたはホールガスの形成により高められている。二次元の電子ガスまたはホールガスの形成は有利には、第２の窒素化合物半導体材料からなる少なくとも１つの層（１０）を電流拡散層（９）に埋め込むことによって行われる。
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【課題】 放熱効率の良い半導体パッケージを得る。
【解決手段】 セラミック基板の主面上に設けた一対の上面電極のランド上に半導体素子を搭載した半導体パッケージにおいて、前記上面電極１２ａ、１３ａの双方のランドの近傍にそれぞれ少なくとも１個のビア１１ｃ、１１ｄを設け、該ビア１１ｃ、１１ｄの内面に導電金属膜１４を設けると共に、該導電金属膜１４を前記上面電極１２ａ、１３ａ並びに前記セラミック基板１１の主面の反対側にあたる反対面に設けた一対の下面電極１２ｃ、１３ｃとそれぞれ接続する。 （もっと読む）

空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶（１４）及び供給源材料（３０）を、多ゾーン炉（５０）内に配設される密封容器（１０）内に配設される窒素含有過熱流体（４４）内に配置する。窒化ガリウム種結晶（１４）上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶（１４）と供給源材料（３０）の間に時間的に変化する熱勾配（１００、１００’、１０２、１０２’）を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）上に、第ＩＩＩ族窒化物層のスタック（１１２）を堆積させる。スタック（１１２）は、１以上の空洞共振発光素子（１０８、１５０、１６０、１７０、１８０）が製作されるように適合された第１ミラーサブスタック（１１６）及び活性領域（１２０）を含む。 （もっと読む）

電解液が用意され、電解液が半導体材料の層の１つまたは複数の表面と接触させられる、半導体材料の表面に多孔質層を形成する方法および装置。電解液は加熱され、前記電解液と半導体材料との間にバイアスが導入されて、電解液と半導体材料との間を電流が流れるようになる。電流は、電解液と接触している半導体材料の１つまたは複数の表面に多孔質層を形成する。多孔質層を有する半導体材料は、光発光体の基板としての役割を果たすことができる。半導体発光領域は、基板に形成することができる。発光領域は、バイアスに応じて全方向に光を発することができ、多孔質層が基板を通過する発光領域光の取出しを高める。

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固体デバイスから放射するように固体デバイスに電力を供給する構成および配置をとる電源と結合可能な固体デバイスを含む発光アセンブリである。一連の希土類ドープケイ素および／または炭化ケイ素ナノ結晶は、単一層内で、または個別の層内で組み合わされ、必要な赤色、緑色、および青色（ＲＧＢ）を発生し、白色光を形成する。

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複数の縦型構造光学電子装置を結晶基板上に形成し、レーザリフトオフ処理で基板を取り除く工程を含んだ縦型構造光学電子装置の製造方法が開示されている。続いてこの方法は基板の代わりに金属支持構造体を形成する。１例ではこの形成には電気メッキ処理及び/又は無電メッキ処理が利用される。１例では縦型構造体はＧaＮ型であり、結晶基板はサファイヤ製であり、金属支持構造体は銅を含む。本発明の利点には、高性能で生産効率が高い大量生産用の縦型構造ＬＥＤの製造が含まれる。 （もっと読む）

発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。
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【課題】 結晶欠陥の発生を抑え、電極形成面の凹凸を減らして平坦化し、半導体発光素子作成プロセスにおいて電極の剥がれが生じにくい半導体発光素子用ウェハーを提供すること。
【解決手段】 半導体基板１と、少なくともＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶よりなる第１クラッド層２、発光層３、前記第１クラッド層と反対導電型の第２クラッド層４、及び窓層５、がこの順序で積層されており、該基板には下部電極７、および該窓層には上部電極６が形成され、該窓層は少なくとも発光層に近い第１窓層１１と発光層より遠い第２窓層１２とを有し、該第２窓層は該第１窓層より不純物濃度の高い半導体層であって、前記第１窓層と第２窓層の界面近傍において、ＩＩＩ族元素の組成比を変化させた第１の介在層を有することを特徴とするものである。この結果、ヒロックの少ないウェハーを得ることができる。 （もっと読む）