電子デバイスにおいて使用するためのドープされた半導体輸送層を製造する方法であって、コロイド溶液においてインサイチュでドープされた半導体ナノ粒子を成長させ;該インサイチュでドープされた半導体 ナノ粒子を表面に付着させ;および該インサイチュでドープされた半導体ナノ粒子の表面から有機配位子がボイルオフするように、該付着したインサイチュでドープされた半導体ナノ粒子をアニーリングすること、を含んでなる、方法が開示される。 （もっと読む）

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。特に本発明は、ナノワイヤを活性部分として有するＬＥＤに関する。本発明にかかるナノ構造のＬＥＤは、基板と、該基板から突出した直立したナノワイヤとを含む。活性領域(120)に光を生成する能力を与えるｐｎ接合は、この構造内に存在する。前記ナノワイヤ(110)、または、前記ナノワイヤから構成される構造は、前記活性領域で生成された光の少なくとも一部を、前記ナノワイヤ(110)により与えられる方向に向ける導波管(116)を形成する。
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本発明はＩＩＩ−Ｖ族半導体の製造方法に関するものである。本発明によれば、前記方法は、電子アクセプタであるｐ型ドーパントで、原子価ｘが０と１の間に含まれる数を表す、一般式Ａｌ_xＧａ_1-xＮの半導体をドーピングする、少なくとも一つのドーピング過程と、価電子帯の構造を変えることのできる共ドーパントによる共ドーピング過程とから成る。本発明は、半導体、ならびに電子産業または光電子産業におけるその使用にも関するものである。本発明はさらに、かかる半導体を使用するデバイスならびにダイオードに関するものである。 （もっと読む）

【課題】活性層にＭｇ等の不純物が拡散することなく、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子は、ｎ−ＧａＮ層１０３と、ｎ−ＧａＮ層１０３上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に、ドーピング濃度５×１０¹⁹〜２×１０²⁰個／cm³でＭｇをドーピングし、９００〜１２００℃の範囲の成長温度で形成された第１のＡｌＧａＮ層１０５と、第１のＡｌＧａＮ層１０５上に、９００〜１２００℃の範囲の成長温度で形成された第２のＡｌＧａＮ層１０６と、第２のＡｌＧａＮ層１０６上に形成された、ｐ−ＧａＮ層１０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】高電気伝導度を有する結晶基板を備えた窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型酸化亜鉛からなる第１の基板と、前記第１の基板上に設けられた窒化物系半導体からなるｐ型低抵抗層と、前記ｐ型低抵抗層上に成長され、窒化物系半導体からなる積層体と、を備え、前記第１の基板と前記ｐ型低抵抗層とは実質的にオーミックコンタクトを形成することを特徴とした窒化物系半導体素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長後に追加工程を行うことなく、高歩留まりで光取出し効率の高い発光ダイオード用エピタキシャルウェハおよび発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 この発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ＭＯＶＰＥ法により、ｎ型Ａ１ＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４、およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５を順次成長させ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５上に、ＭＯＶＰＥ法により、ドーパントとしてＭｇを含むｐ型ＧａＰ電流拡散層６を成長させ、ｐ型ＧａＰ電流拡散層６の表面を荒らして光取出し効率を高めたものである。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ−プロセスで基板の上に製造された素子単位をチップ分離する際に研磨、切断などの工程を減らすことができ、基板を繰り返し使用できる窒化物半導体デバイス作製方法を提供する。
【解決手段】 閉曲線をなす結晶成長速度の遅い欠陥の集合した欠陥集合領域Ｈと結晶成長速度の速い低欠陥の領域ＺＹの位置が予め決まっている窒化物半導体欠陥位置制御基板Ｓを用い、低欠陥領域ＺＹにデバイスの内部が、欠陥集合領域Ｈに境界線が来るように窒化ガリウム基板の上に窒化物半導体層（上層部Ｂ）をエピタキシャル成長させ、レーザ照射或いは機械的手段で欠陥位置制御基板Ｓと成長層（上層部Ｂ）を上下方向横方向に同時分離し、基板は繰り返し使用する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置からの光取り出し効率を向上させられるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、活性層（発光層）３を含む第１の半導体層２及び第２の半導体層４が積層されてなる半導体積層体５と、該半導体積層体５の少なくとも一部の表面上に形成され、半導体積層体５の屈折率よりも小さい屈折率を有するシリコーン樹脂材からなる光取り出し層１０とを有している。樹脂材は粒子を含み、該粒子の発光光に対する屈折率は樹脂材の発光光に対する屈折率よりも大きく、且つ、粒子の径は樹脂材内部における発光光の波長よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 活性層体積を十分に確保しつつ、光の取り出し効率の大幅な向上を図ることができることにより、発光効率が極めて高い発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 一主面に凹凸加工を施したサファイア基板１１上にｎ型ＧａＮ層１２、ｎ型ＧａＩｎＮバッファ層１４、ｎ型ＧａＮ層１５、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層とからなるＭＱＷ構造の活性層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ層１７およびｐ型ＧａＮ層１８を順次エピタキシャル成長させて発光ダイオード構造を形成する。この成長時に、サファイア基板１１の凸部１１ｂの上の部分に形成される会合部に形成された貫通転位１３の一部を起点として六角錐状のピット１９が形成される。 （もっと読む）

【課題】
ｎ型ドーパントとして、Ｓｉの代わりにＧｅを用いた窒化物系化合物半導体であっても、Ｓｉを用いた窒化物系化合物半導体と同等もしくはそれ以上の発光特性、Ｖｆ特性等を示す化合物半導体を提供する。
【解決手段】
（１）ｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型の第３の層（キャリア濃度５×１０¹⁷〜５×１０¹⁸ｃｍ^-3）と、表面が凹凸であってＧｅがドーピングされ、第３の層よりキャリア濃度の高いｎ⁺型の第１の層（１×１０¹⁸〜３×１０¹⁹ｃｍ^-3）とを有し、かつ両者の層の間に、第１の層の凹凸を平坦化するように配され、第３の層よりキャリア濃度の低いｎ^-型の第２の層（１×１０¹⁴〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3）を有することを特徴とするｎ型窒化物系化合物半導体。
（２）ｎ型窒化物系化合物半導体層として、上記（１）のｎ型窒化物系化合物半導体からなる層を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体。
なし （もっと読む）

【課題】 ＧａＩｎＮ混晶層などのインジウム含有層に含まれるインジウム組成比を大きくすると共に結晶品質を高めることができ、特性を向上させることができる半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板１０の一面側に、低温バッファ層１１，第１中間層２１，極性反転層２０，第２中間層２２，ｎ側コンタクト層３１，ｎ型クラッド層３２，第１ガイド層３３，活性層３４，第２ガイド層３５，ｐ型クラッド層３６およびｐ側コンタクト層３７が順に積層されている。極性反転層２０は、例えばＧａＮにより構成され、不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を含み極性がＧａ極性からＮ極性に反転されている。第２中間層２２より上部（ｐ側コンタクト層３７まで）がＮ極性となり、活性層３４は、Ｇａ極性の層上に形成された場合に比べて、インジウム組成比が高く結晶品質の高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】回路保護ユニットを備える発光装置を提供する。
【解決手段】回路保護ユニットは、低抵抗層および電位バリア層を備え、低抵抗層と電位バリア層の間の界面にはバリア電位が存在する。回路保護ユニットは、発光装置と電気的に接続される。発光装置に静電放電または過度の順方向電流が生じた場合、回路保護ユニットは、整流機能を発揮し、静電気または発光装置への過大な順方向電流によって生じる損傷が回避される。 （もっと読む）

本発明は、圧力Ｐで窒素を溶融金属中に混合して、第１温度範囲の第１温度Ｔ₁での析出によって、前記溶融金属中に配置されたＩＩＩ属窒化物の種結晶上に、または前記溶融金属中に配置された異質の基板上に、前記ＩＩＩ属を含む溶融金属から１つのＩＩＩ属窒化物のまたは異なる複数のＩＩＩ属窒化物の混合物の結晶層あるいはバルク結晶を製造する方法に関する。本法では、前記溶融金属中でＩＩＩ属窒化物へのＩＩＩ属金属の変換速度を増やす溶媒添加物を前記溶融金属に加える。前記溶融金属が、第１処理段階と第２処理段階とをもつ少なくとも１回の温度サイクルを通過し、前記温度サイクルにおいて、前記溶融金属が、前記第１処理段階の後で前記第１温度Ｔ₁から前記第１温度範囲より低い第２温度Ｔ₂まで冷却され、前記第２処理段階の終わりに前記第２温度Ｔ₂から前記第１温度範囲の温度まで加熱される。上記の方法は、１１００℃以下の温度と５×１０⁵Ｐａ以下の処理圧で、転位密度１０⁸ｃｍ^-2未満を有し、１０ｍｍより大きい直径を有するかなり大きな結晶と１０μｍより大きい厚さを有するＩＩＩ属窒化物結晶層を製造することを可能にする。
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【課題】窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上させて、光出力及び信頼性を向上させることができる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、第１窒化物半導体層と、該第１窒化物半導体層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された第２窒化物半導体層と、該第２窒化物半導体層上に形成されてAlInを具備する第３窒化物半導体層と、を含むことにその特徴がある。 （もっと読む）

【課題】 発光素子内部に傾斜側面を有する凹凸構造を形成するための簡便かつ信頼性の高い方法を提供し、その方法によって製造された光取り出し効率の優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光素子に於いて、表面にピットを有するＧｅドープＩＩＩ族窒化物半導体からなる第１層および該第１層上に接する該第１層と屈折率の異なる第２層を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗であり、かつ平坦性に優れるＧｅドープｎ型III 族窒化物半導体層を用いることにより、順方向電圧が低く、かつ優れた発光効率を有するIII 族窒化物半導体発光素子を得る。
【解決手段】 ｎ型またはｐ型のIII 族窒化物半導体からなる結晶層に接合された発光層を有するIII 族窒化物半導体発光素子において、ゲルマニウム（Ｇｅ）が添加され、抵抗率が１×１０^-1〜１×１０^-3Ωｃｍであるｎ型III 族窒化物半導体層を備えていることを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）