本発明は、オプトエレクトロニクス半導体チップを製造する方法であって、Ａ）少なくとも１種類のドーパントおよび少なくとも１種類の共ドーパントを有する結合複合体を備えている少なくとも１層のドープされた機能層（７）、を有する半導体積層体（２００）、を形成するステップであって、ドーパントおよび共ドーパントのうち選択される一方が電子受容体であり、他方が電子供与体である、ステップと、Ｂ）エネルギ（１４，１５）を導入することにより結合複合体を切り離すことによって、ドーパントを活性化するステップであって、共ドーパントの少なくとも一部分が半導体積層体（２００）内にとどまり、少なくとも一部分がドーパントとの結合複合体を形成しない、ステップと、を含んでいる方法、に関する。さらに、オプトエレクトロニクス半導体チップを開示する。
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【課題】アクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタドープ層におけるアクセプタ濃度の増大を図らなくても、ホール濃度を十分な濃度とし、ｐ型化を容易に実現できる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上に、アンドープＺｎＯ層２、共ドープＭｇＺｎＯ層３、透明導電膜４が順に積層されている。ここで、共ドープＭｇＺｎＯ層３は、アクセプタ元素とドナー元素とが共に含まれている共ドープ層である。共ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光層で生じた光を効率良く外部に取り出すことができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記ｎ型半導体層に接続され、銀及び銀合金の少なくともいずれかを含む第１の電極と、前記ｐ型半導体層に接続された第２の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、（ＡｌＧａＩｎ）Ｎの光電子デバイス及び電子デバイスのための基材として好適な、高い品質の（ＡｌＧａＩｎ）Ｎ構造物及びそのような構造物を形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る方法は、半導体構造物を分子線エピタキシー反応槽内で処理すること；基材上にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ａｓ（０≦ｘ＋ｙ≦１）及びＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ（_{１−（ｘ＋ｙ）}）Ｐ（０≦ｘ＋ｙ≦１）のうち少なくとも１つを含むぬれ層を成長させること；上記ぬれ層をインシチューアニーリング（ｉｎ−ｓｉｔｕ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）すること；付加的なリン又はヒ素の流体と共に、プラズマ励起された窒素を窒素源として用いて、上記ぬれ層上に第１のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；上記第１のＡｌＧａＩｎＮ層の上に、窒素源としてアンモニアを用いて第２のＡｌＧａＩｎＮ層を成長させること；を含む。 （もっと読む）

【課題】
炭素の取り込みを抑制すると共に、表面モフォロジの低下を抑制する。
【解決手段】
半導体発光装置は、基板と、基板上に形成された第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ混晶の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成されたＡｌＧａＩｎＰ混晶の活性層と、活性層上に形成された、第１導電型と逆の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ混晶の第２のクラッド層と、を有し、第１のクラッド層及び第２のクラッド層が活性層より広いバンドギャップを有し、活性層、第１のクラッド層、第２のクラッド層の少なくとも１つがバンドギャップは変化させない不純物濃度レベルのＡｓをドープされている。 （もっと読む）

【課題】広い注入電流範囲において、発光効率が改善可能な発光装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる第１の層と、第２導電型の半導体からなる第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に設けられた多重量子井戸を含む活性層であって、前記多重量子井戸のそれぞれの障壁層内の第１導電型の不純物濃度は略平坦な分布であるかまたは前記第２の層に向かって増加し、前記多重量子井戸のそれぞれの井戸層からみて前記第２の層側の障壁層の不純物濃度の平均値は前記第１の層側の障壁層の不純物濃度の平均値以上であり、前記第２の層に最も近い障壁層の不純物濃度の平均値は前記第１の層に最も近い障壁層の不純物濃度の平均値よりも高い活性層と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】オフ角が１０度以上のＧａＡｓ基板を用いても、発光出力の低下を起こさずに、低順方向電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】オフ角が１０度以上である第一導電型のＧａＡｓ基板１０上に、少なくとも、高Ａｌ組成のＡｌＧａＡｓを含む複数層からなる第一導電型光反射層１２と、第一導電型クラッド層１３、アンドープ活性層１４および第二導電型クラッド層１５を有する発光層と、第二導電型電流分散層１７と、が順次積層された構造の半導体発光素子において、前記ＧａＡｓ基板１０上の第一導電型層の第一導電型決定ドーパントとして、Ｓｅを用いる。 （もっと読む）

【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を低電圧の直流駆動によって十分に得ることができるとともに、寿命特性を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子１００は、一対の電極２，６と、電極２，６間に配置されたドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層４と、発光層４と電極２との間に配置され、発光層４に隣接するキャリア注入層３とを備え、キャリア注入層３には、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ及びＲｅのうちの少なくとも１種の元素が含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光層から発せられる光に対して不透明なパッド電極を用いた窒化物半導体発光素子において、従来よりも光取り出し効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層をこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、少なくとも第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することにより形成された電流阻止領域を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層や活性層への最適な量のＺｎの拡散を実現できる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びそのエピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板（１）上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層（４）、活性層（６）及びＭｇをドーピングしたｐ型クラッド層（９）と、カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層（１１）と、ＺｎをドーピングしたＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層（１３）と、が順次積層された構造の半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層（９）と前記カーボンをドーピングしたＡｌＧａＡｓ層（１１）の間に、Ｚｎをドーピングしたｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）（１０）が挿入されているものである。 （もっと読む）

【課題】 量子閉じ込めシュタルク効果及び／またはキャリアオーバーフローを減少させ、電子‐正孔の再結合率を向上させることができる発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】 多重量子井戸構造の活性領域を有する発光ダイオードが開示される。この活性領域は、窒化ガリウム系Ｎ型及びＰ型の化合物半導体層間に位置する。一方、前記活性領域内の障壁層の少なくとも１つは、アンドープＩｎＧａＮ層及びＳｉドープＧａＮ層を有し、前記ＳｉドープＧａＮ層が、前記Ｐ型化合物半導体層側の井戸層に接する。これにより、キャリアオーバーフロー及び量子閉じ込めシュタルク効果を減少させ、電子‐正孔の再結合率を向上させることができる。また、相対的に厚い障壁層と相対的に薄い障壁層を有する多重量子井戸構造の活性領域が開示される。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層からｐ型クラッド層や活性層へのＺｎの拡散量をコントロールできる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びその半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板（１）上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層（４）、活性層（６）、及びＭｇをドーピングしたｐ型クラッド層と、ｐ型コンタクト層（１３）とを順次積層し、前記ｐ型コンタクト層（１３）が、前記ｎ型ＧａＡｓ基板（１）側から順にＭｇをドーピングしたコンタクト層（１３ｂ）とＺｎをドーピングしたコンタクト層（１３ａ）との少なくとも二層を有する半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層（８，１０）と前記ｐ型コンタクト層（１３）との間に、ＺｎをドーピングしたＺｎドープ層（１１）を備える。 （もっと読む）

放射を放出する活性層（７）と、ｎ型コンタクト（１０）と、ｐ型コンタクト（９）と、電流拡散層（４）と、を有するＬＥＤ、を提供する。電流拡散層（４）は、活性層（７）とｎ型コンタクト（１０）との間に配置されている。さらには、電流拡散層（４）は、積層体の複数個の繰り返しを備えており、積層体は、少なくとも１つのｎ型ドープ層（４４）と、アンドープ層（４２）と、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層（４３）と、を備えている。Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮから成る層（４３）は、Ａｌ含有量の濃度勾配を有する。 （もっと読む）

【課題】異なる結晶極性面を有する基板を用いても均一な素子特性とすることが容易な窒化物系半導体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の結晶極性面と、前記第１の結晶極性面とは異なる第２の結晶極性面と、を含む主面を有する基板と、前記主面の上に設けられ、結晶極性が単一である単一極性層と、を備えたことを特徴とする窒化物系半導体が提供される。また、基板の主面の一部を構成する第１の結晶極性面の上に選択成長用マスクを形成する工程と、前記第１の結晶極性面と共に前記主面を構成する第２の結晶極性面の上に、表面が前記第１の結晶極性面と同一の結晶極性に転じる極性反転層を選択的に結晶成長する工程と、前記選択成長用マスクを除去する工程と、前記第１の結晶極性面と、前記極性反転層の前記表面と、の上に単一極性層を結晶成長する工程と、を備えたことを特徴とする窒化物系半導体の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】光度が高く、また演色性も高いIII族窒化物半導体白色系発光素子を、蛍光体の微妙な組成調整なども不要として簡単な構造で簡易に形成することができるようにする。
【解決手段】本発明は、基板１と、その基板の表面上に設けたIII族窒化物半導体材料からなる障壁層５ａ及び井戸層５ｂを備えた多重量子井戸構造の発光層５とを具備したIII族窒化物半導体発光素子において、井戸層５ｂの各々は、層厚が同一であり、バンド端発光とは別に、波長を相違する複数の光（多波長光）を同時に出射する、マグネシウムを添加したｎ形の窒化ガリウム・インジウム（組成式：Ｇａ_XＩｎ_1-XＮ）からなる、ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

ＩＩＩ−Ｖ族ｎ型窒化物構造物を製作する方法は、成長Ｓｉ基板を製作することと、次いで、第一の所定の値に設定された流量においてシランガス（ＳｉＨ_４）を前駆物質として用いて、ＩＩＩ−Ｖ族ｎ型層をＳｉ基板の上に堆積させる（２１０）こととを包含する。その後、ＳｉＨ_４流量は、ｎ型層の製作の間に第二の所定の流量まで低減される（２２０）。この方法はまた、ｎ型層の上に多重量子井戸活性領域を形成することも含む。加えて、流量は、所定の期間にわたって低減され、第二の所定の値は、ｎ型層と該活性領域との界面から十分に短い所定の距離において達せられる（２３０）。
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【課題】ＬＥＤの直列抵抗を低減すること。
【解決手段】エピタキシャル構造中に更なるドーパント不純物を導入することなく、デバイス内の横方向電流拡がりを改良する３次元分極傾斜（３ＤＰＧ）構造を備えた発光デバイスを提供する。３ＤＰＧ構造は、３ＤＰＧ内で数回繰り返しが出来る、繰り返し可能な積層単位を含むことが出来る。積層単位は、組成傾斜層とシリコン（Ｓｉ）デルタ・ドープ層とを含む。傾斜層は、或る距離にわたって第１の材料から第２の材料へ組成傾斜していて、３ＤＰＧ構造中へ分極誘起バルク電荷を導入するものである。Ｓｉデルタ・ドープ層は、傾斜層と隣接層との界面における電子ガスの空乏を補償する。３ＤＰＧは、電流が活性領域の全体にわたって注入されるように横方向電流拡がりを容易にし、活性領域における放射再結合の事象の数を増加させ、デバイスの外部量子効率と電力効率を改善する。 （もっと読む）

【課題】量子障壁層と量子井戸層の正味分極電荷量の差を最小化することにより、高電流でも高い効率を得ることが出来る窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型及びｐ型窒化物半導体層と、上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層の間に形成され、複数の量子障壁層３０３ａと一つ以上の量子井戸層３０３ｂが交互に積層された構造を有する活性層を含み、上記量子障壁層の正味分極電荷量は上記量子井戸層の正味分極電荷量より小さいか同じで、ＧａＮの正味分極電荷量より大きい窒化物半導体発光素子を提供する。量子障壁層３０３ａと量子井戸層３０３ｂの正味分極電荷量の差を最少化することにより、高電流でも高い効率を得ることが出来る窒化物半導体発光素子を得ることが出来る。また、量子井戸層のエネルギー準位がベンディングされる程度を低減させることにより、高効率の窒化物半導体発光素子を得ることも出来る。 （もっと読む）

【課題】光取り出し向上の目的で凹凸を有する発光素子を形成するエピタキシャル成長基板に、縦方向成長により凹凸を埋めるようにIII族窒化物系化合物半導体を形成する。
【解決手段】凹凸を設けたサファイア基板にＡｌＮバッファ層を介して埋め込みｎ−ＧａＮ：Ｓｉ層を成長させた。比較のため、凹凸を設けた基板にＳｉを添加せずにｉ−ＧａＮ層を成長させたものと、凹凸を設けない基板にＳｉを添加せずにｉ−ＧａＮ層を成長させたものを用意した。エピタキシャル膜表面を塩化水素（ＨＣｌ）ガスで処理し、貫通転位をピットに変換した。凹凸基板にｎ−ＧａＮ：Ｓｉ層を成長させた場合（１．Ｃ）は、凹凸の無い基板にｉ−ＧａＮ層を成長させた場合（１．Ａ）と同様にピットが多数形成されたが、密度は均一で、集中するようなことは無かった。凹凸基板にｉ−ＧａＮ層を成長させた場合（１．Ｂ）は、基板の凸部の上方に転位が集中し、大きなピットとなった。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンドを用いた紫外発光、かつ大出力の発光素子を実現する。
【解決手段】 ｐ型ダイヤモンド層２、及びｎ型ダイヤモンド層３の間に、ダイヤモンドより大きな原子間距離で結合する不純物元素を混入させたダイヤモンド層を挿入することにより、上記ｐ型ダイヤモンド層２、及びｎ型ダイヤモンド層３と、上記不純物元素混入ダイヤモンド層５との両界面に歪を発生させ、上記両界面近傍のｐ型ダイヤモンド層２、及びｎ型ダイヤモンド層３の側で、光学遷移を間接遷移型から直接遷移型に変えると共に、正孔や電子を上記両界面近傍に局在さすことにより、高発光効率、高出力の紫外発光素子を実現する。 （もっと読む）