【課題】活性層近傍のｐ型半導体層中にドーパントとして亜鉛を用いても、活性層中への亜鉛拡散を少なくし、高輝度、高信頼性、且つ逆耐圧の経時劣化の少ない構造のＬＥＤ及びＬＤが得られる発光素子を提供すること。
【解決手段】ｎ型基板の上に活性層をｎ型とｐ型のクラッド層で挟んだ発光部を形成した構造の半導体発光素子において、少なくともマグネシウムがドーピングされたｐ型半導体層（Ｍｇドープｐ型電流拡散層８、Ｍｇドープｐ型コンタクト層９、Ｍｇドープｐ型クラッド層１１）と活性層４との間に、少なくとも亜鉛がドーピングされたｐ型半導体層（Ｚｎドープｐ型クラッド層５）を設置し、マグネシウムと亜鉛の相互拡散で亜鉛を活性層４より遠い側に拡散させる。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性を、目的とする半導体素子の寸法相当において向上し、これにより半導体素子の特性の高性能化を図る。
【解決手段】 {0001}面から<1-100>方向へのオフ角度の絶対値が０．１４°以上０．３５°以下、且つ{0001}面から<11-20>方向へのオフ角度の絶対値が０．００°以上０．０６°以下の面方位のＧａＮ基板１１と、このＧａＮ基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１２と、この窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１２上の素子構造部（１３〜２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗で、しかも連続性のあるｎ型III族窒化物半導体層を安定して得る方法、及びこの方法によって得られるIII族窒化物半導体積層体を提供する。
【解決手段】 ｎ型不純物のドーピング濃度が高いIII族窒化物半導体の層である高濃度ドープ層（１０４ａ）と、ｎ型不純物のドーピング濃度がこれよりも低いIII族窒化物半導体の層である低濃度ドープ層（１０４ｂ）とを交互に、ドーピングされるｎ型不純物の濃度以外のリアクタ内の成長条件も更に異ならせて、積層することを含む、III族窒化物半導体積層体の製造方法、並びにこの方法を含むIII族窒化物半導体発光素子の製造方法とする。また、これらの方法によって得ることができるIII族窒化物半導体積層体、及びIII族窒化物半導体発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上させて、光出力及び信頼性を向上させることができる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、第１窒化物半導体層と、該第１窒化物半導体層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された第２窒化物半導体層と、該第２窒化物半導体層上に形成されてAlInを具備する第３窒化物半導体層と、を含むことにその特徴がある。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗であり、かつ平坦性に優れるＧｅドープｎ型III 族窒化物半導体層を用いることにより、順方向電圧が低く、かつ優れた発光効率を有するIII 族窒化物半導体発光素子を得る。
【解決手段】 ｎ型またはｐ型のIII 族窒化物半導体からなる結晶層に接合された発光層を有するIII 族窒化物半導体発光素子において、ゲルマニウム（Ｇｅ）が添加され、抵抗率が１×１０^-1〜１×１０^-3Ωｃｍであるｎ型III 族窒化物半導体層を備えていることを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 酸素雰囲気下での熱処理や合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極構造を提供し、さらにその正極を使用した発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 この正極構造は、化合物半導体発光素子の透明正極であって、白金族から選ばれた少なくとも１種類の金属の薄膜からなるコンタクトメタル層と、金、銀または銅からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属もしくはそれらのうち少なくとも１種を含む合金からなる電流拡散層、及びボンデイングパッドからなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、発光特性に優れ、エージングによる発光出力低下、逆耐電圧減少等の特性変化が極めて少ないIII 族窒化物半導体発光素子を得ることを目的とする。
【解決手段】 結晶基板上に形成された、III 族窒化物半導体（組成式Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ_1-aＭ_a：０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１で且つ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、そしてＭは窒素（Ｎ）とは別の第Ｖ族元素を表し、０≦ａ＜１である。）を含むIII 族窒化物半導体発光素子であって、結晶基板側よりｎ型層、発光層およびｐ型層をこの順序で有し、ｎ型層にゲルマニウム（Ｇｅ）がドープされた領域を含み、かつｎ型層よりもキャリア濃度の低い下地層をｎ型層と結晶基板との間に有することを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 結晶欠陥の発生を抑え、電極形成面の凹凸を減らして平坦化し、半導体発光素子作成プロセスにおいて電極の剥がれが生じにくい半導体発光素子用ウェハーを提供すること。
【解決手段】 半導体基板１と、少なくともＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶よりなる第１クラッド層２、発光層３、前記第１クラッド層と反対導電型の第２クラッド層４、及び窓層５、がこの順序で積層されており、該基板には下部電極７、および該窓層には上部電極６が形成され、該窓層は少なくとも発光層に近い第１窓層１１と発光層より遠い第２窓層１２とを有し、該第２窓層は該第１窓層より不純物濃度の高い半導体層であって、前記第１窓層と第２窓層の界面近傍において、ＩＩＩ族元素の組成比を変化させた第１の介在層を有することを特徴とするものである。この結果、ヒロックの少ないウェハーを得ることができる。 （もっと読む）