【課題】
隣接するＩＩＩ族窒化物系化合物の層の間のヘテロ界面では、自発分極及び圧電分極によって界面電荷が生ずる。前記界面電荷の影響を低減するために不純物を添加すれば、前記不純物は光を吸収し、前記不純物の拡散で活性層が劣化して半導体発光素子の寿命を短くする。従って、ＩＩＩ族窒化物系化合物を積層した半導体発光素子は、電気特性の改善と発光効率及び寿命の発光特性との両立が困難であるという課題があった。本発明は前記課題を解決するため、発光特性を維持しつつ、互いに組成の異なる二の半導体層が隣接する界面における界面電荷の影響を低減して電気特性を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る半導体発光素子は、互いに組成の異なる二つの半導体層が隣接する界面近傍の不純物濃度を前記半導体層のそれぞれの不純物の平均濃度より高くなるように構成した。 （もっと読む）

【課題】 相対出力の経時的低下、及び逆方向電圧（Ｖｒ）の経時的低下を防止し、高輝度でかつ高信頼性の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 第１導電型の半導体基板１上に、第１導電型のクラッド層４、アンドープ活性層５、第２導電型のクラッド層６、第２導電型の介在層７及び第２導電型の電流分散層８が形成された半導体発光素子において、第２導電型のクラッド層６の一部であって活性層５と介在層７に接していない部分に、ドーパント抑制層６ａを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒素およびヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体の結晶中の水素の影響を低減可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１１は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と、第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５と、活性領域１７とを備える。第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３は、基板１９上に設けられている。第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５は、基板１９上に設けられている。活性領域１７は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられており、またＶ族として窒素（Ｎ）およびヒ素（Ａｓ）を含むIII−Ｖ化合物半導体層２１を有する。III−Ｖ化合物半導体層２１の水素濃度は６×１０^１６ｃｍ^−３を越えており、III−Ｖ化合物半導体層２１には、ｎ型ドーパント２３が添加されている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置からの光取り出し効率を向上させられるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、活性層（発光層）３を含む第１の半導体層２及び第２の半導体層４が積層されてなる半導体積層体５と、該半導体積層体５の少なくとも一部の表面上に形成され、半導体積層体５の屈折率よりも小さい屈折率を有するシリコーン樹脂材からなる光取り出し層１０とを有している。樹脂材は粒子を含み、該粒子の発光光に対する屈折率は樹脂材の発光光に対する屈折率よりも大きく、且つ、粒子の径は樹脂材内部における発光光の波長よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 加工性のよい酸化亜鉛系化合物を基板として用い、ＭＯＣＶＤ法を用いて窒化物半導体層をエピタキシャル成長しながら、基板の表面を昇華により荒らすことなく、結晶性の優れた窒化物半導体層を成長する窒化物半導体素子の製法を提供する。
【解決手段】 （ａ）酸化亜鉛系化合物からなる基板１の半導体層積層面を除いて露出する面に保護膜１５を形成し、（ｂ）基板１をＭＯＣＶＤ装置内に設置して、キャリアガスとして窒素ガスを用いて、Ｉｎ_yＧａ_1-yＮ（０＜ｙ≦０.５）からなる第１の窒化物半導体層２を成長し、（ｃ）引き続き所望の窒化物半導体層を成長して窒化物半導体素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）層におけるクラックの発生を低減させることができるIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板１は、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０≦ａ<１）により構成され、組成ａが一定である第一層１１と、この第一層１１上に形成される第二層１２と、第二層１２上に形成され、組成ｂが一定のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）により構成される第三層１３とを備える。第二層１２は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０<ｘ<１）により構成され、組成ｘが層厚方向に変化し、第三層１３に接する表面の組成ｘが、第一層１１に接する表面の組成ｘよりも高くなった組成分布を有している。組成ａ、ｂ、ｘはａ<ｘ<ｂなる関係が成立している。 （もっと読む）

【課題】 製造コストを増大させることなく光の取出し効率を向上させることが可能な発光装置、当該発光装置の製造方法および当該発光装置の製造に用いることができる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】 この発明に従った発光装置は、ＧａＮ基板１と、ＧａＮ基板１の第１の主表面の側に、ｎ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層３と、ＧａＮ基板１から見てｎ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層３より遠くに位置するｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５と、ｎ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層３およびｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の間に位置する量子井戸(MQW:Multi-Quantum Well)４とを備えた発光装置である。当該発光装置では、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、ＧａＮ基板１の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出する。ＧａＮ基板１の第２の主表面１ａには半球状の凸部８２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】対向電極構造を有する窒化物半導体素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】対向する二つの主面を有し、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層よりも大きな熱膨張係数を有する成長用基板１の一方の主面上に、少なくとも、ｎ型窒化物半導体層２〜５と、活性層６と、ｐ型窒化物半導体層７〜８と、を成長させて接合用積層体を形成する。次に、ｐ型窒化物半導体層８の上に１層以上の金属層から成る第１の接合層９を設ける一方、対向する二つの主面を有し、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層よりも大きく、かつ上記成長用基板と同じか小さい熱膨張係数を有する支持基板１０の一方の主面上に１層以上の金属層から成る第２の接合層１１を設ける。次に、第１の接合層９と第２の接合層１１とを対向させて、接合用積層体と支持基板１０とを加熱圧接して接合する。その後、接合用積層体から成長用基板１を除去して、窒化物半導体素子を得る。 （もっと読む）

【課題】 優れた発光効率、逆耐電圧特性および静電耐圧特性等を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造に適したＩＩＩ族窒化物半導体素子用エピタキシャル基盤を提供すること。
【解決手段】 表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下の基板と該基板上に直接積層されたＩＩＩ族窒化物半導体層とからなり、該ＩＩＩ族窒化物半導体層は互いに接する複数の層からなり、該複数の層の少なくとも一層は転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の層であるＩＩＩ族窒化物半導体素子用エピタキシャル基盤。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、このような問題を解決し、順方向電圧（Ｖｆ）の低い窒化物半導体素子を実現したＳｉ基板の上に窒化物半導体素子構造を有する窒化物半導体素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ基板上に窒化物半導体素子構造を形成してなる窒化物半導体素子の製造方法であって、Ｓｉ基板の窒化物半導体層素子構造を形成する面に、周期律表の第１３族元素をイオン注入する第１の工程と、第１の工程後、Ｓｉ基板を加熱処理する第２の工程と、第２の工程から連続して、窒化物半導体素子構造として、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とを少なくともこの順に成長する第３の工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＡｌＧａＮ層とＧａＮ基板の格子不整合を解消して、発光出力が大きく、しかも寿命が長い半導体発光装置を提供することにある。
【解決手段】 ＡｌＧａＮ層を有する半導体発光装置において、格子定数ａ軸長が０．３１８８ｎｍ以下であるＧａＮ基板上にＡｌＧａＮ層を形成した構造とする。そのために、ＧａＮ基板にＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｂのうち少なくとも一つ以上の元素を５×１０¹⁹ｃｍ^-3以上の濃度で含有させる。これにより、ＧａＮ基板とＡｌＧａＮ層のなす格子不整合を小さくし、クラックや結晶欠陥が発生しないようにする。 （もっと読む）

【課題】動作電圧が低く静電気耐性が高い高出力窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による窒化物発光素子は、基板上に形成されたｎ側コンタクト層と、上記ｎ側コンタクト層上に形成された電流拡散層と、上記電流拡散層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたｐ型クラッド層とを含む。上記電流拡散層は、上記ｎ側コンタクト層の電子濃度より高い電子濃度を有する第１ＩｎＡｌＧａＮ層と上記ｎ側コンタクト層の電子濃度より低い電子濃度を有する第２ＩｎＡｌＧａＮ層とが交互に積層され形成される。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ逆電圧が十分に高い発光素子を収率良く得ることができるＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた後降温する際に、成長終了時の温度と同じ温度にて、成長終了直後からキャリアガスに不活性ガスを用い、かつ窒素源の流量を減少し、その後の降温過程の途中で窒素源の供給を停止することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 温度を低くしても優れた特性を得ることができる窒化物半導体の製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体１２をＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法あるいはＭＯＭＢＥ法により形成する際に、窒素の原料としてＮＦ₃ などのハロゲン化窒素ガスを用いる。ハロゲン化窒素ガスは、８００℃以下の低温においても高い分解効率を有しているので、形成時の温度を低くしても窒素を十分に供給することができる。よって、Ｉｎを含む窒化物半導体１２のように熱による劣化が大きいものを形成する際に、温度を低くしても窒素不足が起こらず、優れた特性がえられる。 （もっと読む）

本発明は、遷移金属によって触媒作用を受ける重縮合によってポリマーを調製する方法に関する。これらポリマーは、特に、急成長している有機半導体の分野において、極めて重要である。本発明の方法により得られるポリマーは、従来方法に従って得られるポリマーよりも、高い再現性及び高い純度で調製され得る。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子をなすｐ−ＧａＮ層の特性を向上できる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層上に形成された活性層と、活性層上に形成されたデルタドープ第２の窒化物半導体層とを含む窒化物半導体発光素子であって、本発明による窒化物半導体発光素子及びその製造方法によれば、窒化物半導体発光素子の光出力が向上し、光出力低下現象が改善され、ＥＳＤ（Electro Static Discharge）に対する信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 亀裂やピットの発生が少ない表面平坦性に優れた低抵抗のｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を提供し、それを用いて順方向電圧が低くて優れた発光効率を有すると共に、逆方向電圧が高く、静電耐圧性にも優れるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 ｎ型不純物原子高濃度層およびｎ型不純物原子低濃度層からなる第１ｎ型層とｎ型不純物原子の平均濃度が該第１ｎ型層よりも小さい第２ｎ型層とからなり、第２ｎ型層が第１ｎ型層のｎ型不純物原子低濃度層に隣接していることを特徴とするｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体、および基板とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層との間に前記ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】活性層近傍のｐ型半導体層中にドーパントとして亜鉛を用いても、活性層中への亜鉛拡散を少なくし、高輝度、高信頼性、且つ逆耐圧の経時劣化の少ない構造のＬＥＤ及びＬＤが得られる発光素子を提供すること。
【解決手段】ｎ型基板の上に活性層をｎ型とｐ型のクラッド層で挟んだ発光部を形成した構造の半導体発光素子において、少なくともマグネシウムがドーピングされたｐ型半導体層（Ｍｇドープｐ型電流拡散層８、Ｍｇドープｐ型コンタクト層９、Ｍｇドープｐ型クラッド層１１）と活性層４との間に、少なくとも亜鉛がドーピングされたｐ型半導体層（Ｚｎドープｐ型クラッド層５）を設置し、マグネシウムと亜鉛の相互拡散で亜鉛を活性層４より遠い側に拡散させる。 （もっと読む）

【課題】
高い静電破壊耐性を示す素子を与える窒化物系化合物半導体を提供する。
【解決手段】
（１）ｐ型コンタクト層と発光層とｎ型コンタクト層とを備えた窒化物系化合物半導体であって、発光層とｐ型コンタクト層との間に発光層側から順に、一般式Ｉｎ_aＧａ_bＡｌ_cＮ（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１）で表されるｎ型の第１の層と、該第１の層より空間電荷密度の低いＩｎ_dＧａ_eＡｌ_fＮ（ただし、０≦ｄ≦１、０≦ｅ≦１、０≦ｆ≦１、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１）で表されるｎ型の第２の層とを有することを特徴とする窒化物系化合物半導体。
（２）第２の層がｎ型不純物ドープ層であることを特徴とする上記（１）の窒化物系化合物半導体。
なし （もっと読む）

【課題】 電流阻止効果及び光の取り出し効率が大きく、高出力で、かつ、製造コストを低くできる発光ダイオード及びその製造方法を提供する
【解決手段】 基板１と、基板と同一伝導型であり光を反射する反射層１９と、基板の伝導型と逆伝導型であり電流を阻止する役目を持つ電流阻止層２と、基板と同一伝導型の第一のクラッド層５と活性層６と基板の伝導型と逆伝導型の第二のクラッド層７とで構成された発光部１７とを備えた発光ダイオード２０において、電流阻止層２のキャリア密度が基板１のキャリア密度以上及び／又は電流阻止層２の厚みが１．５〜３μｍである。反射層１９及び電流阻止層２のみをＭＯＣＶＤで成長させ、他の層をＬＰＥ法で成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）