【課題】輝度変動率が低減され、信頼性が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】Ｉｎ_ｘ（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙ）_１−ｘＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる発光層と、Ｉｎ_ｘ（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙ）_１−ｘＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなるｐ型クラッド層と、半導体からなる接着層と、を少なくとも有する積層体と、前記接着層との間の接着界面における格子のずれが、前記発光層と前記接着層との間の格子のずれよりも大きい基板と、を備え、前記接着界面からみて、前記ｐ型クラッド層は前記発光層よりも遠くに設けられ、前記ｐ型クラッド層のキャリア濃度は、０．５×１０^１７ｃｍ^−３以上、３×１０^１７ｃｍ^−３以下であることを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】高効率の近紫外発光の半導体発光素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ及びｎ型ＡｌＧａＮの少なくともいずれかからなる第１の層と、Ｍｇを含有するｐ型ＡｌＧａＮからなる第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に設けられ、Ｓｉを含有するＡｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮからなる複数の障壁層と、前記複数の障壁層のそれぞれの間に設けられ、ＧａＩｎＮまたはＡｌＧａＩｎＮからなる井戸層と、を有する発光部であって、前記障壁層のうち、前記第２の層に最も近い障壁層が、Ｓｉを含有する第１の部分と、第１の部分と第２の層との間に設けられ、第１の部分におけるＳｉ濃度よりも低く、第２の層に最も近い障壁層以外の障壁層におけるＳｉ濃度よりも低い濃度でＳｉを含有する第２の部分と、を有する発光部と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

本開示は、ｎ型窒化物半導体層、ｐ型ドーパントにドーピングされたｐ型窒化物半導体層、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間に位置して、電子と正孔の再結合を通じて光を生成するように量子井戸層を具備する活性層、および、量子井戸層とｐ型窒化物半導体層の間で量子に接触するように位置して、ｐ型窒化物半導体層との界面が滑らかになるようにその表面を形成して、ｐ型ドーパントの量子井戸層での拡散を防止する拡散防止膜を含むことを特徴とする３族窒化物半導体発光素子に関するものである。
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【課題】発光層で生じた光を効率良く外部に取り出すことができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記ｎ型半導体層に接続され、銀及び銀合金の少なくともいずれかを含む第１の電極と、前記ｐ型半導体層に接続された第２の電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】広い注入電流範囲において、発光効率が改善可能な発光装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる第１の層と、第２導電型の半導体からなる第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に設けられた多重量子井戸を含む活性層であって、前記多重量子井戸のそれぞれの障壁層内の第１導電型の不純物濃度は略平坦な分布であるかまたは前記第２の層に向かって増加し、前記多重量子井戸のそれぞれの井戸層からみて前記第２の層側の障壁層の不純物濃度の平均値は前記第１の層側の障壁層の不純物濃度の平均値以上であり、前記第２の層に最も近い障壁層の不純物濃度の平均値は前記第１の層に最も近い障壁層の不純物濃度の平均値よりも高い活性層と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ｐ安定化降下電圧（ΔＶｆ）が良好な発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰからなる４元発光層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程と、４元発光層の基板と反対側となる片方の主表面（第一主面）にｐ型ＧａＰからなる第一の電流拡散層を気相成長させる工程と、ＧａＡｓ基板を除去する工程と、ＧａＡｓ基板が除去された側の発光層の主表面（第二主面）にｎ型ＧａＰからなる第二の電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程とを有する発光素子の製造方法において、少なくとも、ＧａＡｓ基板を除去する工程の後、ｎ型ＧａＰからなる第二の電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程の前に、ＨＶＰＥ炉内に水素を線速１２（ｍ／ｍｉｎ）以上で流しながら熱処理する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】障壁層にドーピングされたＭｇの拡散を防ぐことができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板上にバッファ層、Ｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体発光素子において、上記活性層は、複数の障壁層と複数の井戸層が交互に配列された多重量子井戸構造を有し、上記複数の障壁層のうち少なくとも１つの層は、ｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型ドープ障壁層と上記ｐ型ＧａＮ層の少なくとも片側にアンドープ障壁層を有する第１障壁層を具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法において、半導体装置内部の欠陥を低減するとともに、製造工程における歩留まりを改善し、装置の信頼性を高めて寿命を延ばす。
【解決手段】 バッファ層を提供するとともに、第１の半導体層５３０をバッファ層５２０の表面に形成する。続いて、エピタキシャル工程にて不純物を高濃度でドーピングする方式でドーピング層５４０ａを第１の半導体層５３０の表面に形成する。その後、第１のドーピング層５４０ａの表面を第２の半導体層５５０ａで被覆する。最後に、第２の半導体層５５０ａ上に半導体発光素子５６０を成長させる。第１のドーピング層５４０ａの形成と第２の半導体層５５０ａでの被覆とが一連の工程である。 （もっと読む）

ｎ型導電半導体層（２１）およびｐ型導電半導体層（２２）を備えている半導体ボディ（２）を開示する。ｐ型導電半導体層（２２）はｐ型ドーパントを含んでおり、ｎ型導電半導体層（２１）はｎ型ドーパントおよびさらなるドーパントを含んでいる。さらに、半導体ボディを製造する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】表面モルフォロジと光学特性がともに良好で、しかも発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。
【解決手段】ｍ面のような非極性面の窒化物基体上に窒化物半導体を結晶成長させるに際し、窒化物半導体層を成長させる前の比較的高温領域での昇温過程におけるメインフローを構成するガス（基体の窒化物主面が暴露される雰囲気）、第１および第２の窒化物半導体層成長完了までのメインフローを構成するガス（基体の窒化物主面が暴露される雰囲気）を、窒化物に対してエッチング効果のないものを主とし、かつ、窒化物半導体層の成長開始時にはＳｉ源を供給しないこととした。このため、エピタキシャル基体の窒化物表面近傍からの窒素原子の脱離が生じず、エピタキシャル膜への欠陥導入が抑制される。また、平坦性に優れた表面モルフォロジを有するエピタキシャル成長が可能となる。 （もっと読む）

【課題】高発光効率を達成するための構成、構造を有するＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子は、ｎ型の第１ＧａＮ系化合物半導体層２１、活性層２３、ｐ型の第２ＧａＮ系化合物半導体層２２、第１電極、及び、第２電極を備えており、活性層２３と第２ＧａＮ系化合物半導体層２２との間には、活性層側から、不純物拡散防止層２４、及び、積層構造体４０が形成されており、積層構造体４０は、活性層側から、ｐ型の導電型を有するＧａＮ系化合物半導体層４２とアンドープのＧａＮ系化合物半導体層４３とが積層されて成る積層ユニット４１を、少なくとも１ユニット、備えている。 （もっと読む）

【課題】良好な品質のエピタキシャル成長層を備えるエピタキシャル層付き基板、半導体素子およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】この発明に従ったエピタキシャル層付き基板１０は、ＩＩＩ族窒化物からなるベース基板（ＩＩＩ族窒化物基板）としてのＧａＮ基板１と、ＧａＮ基板１の表面上に形成されたエピタキシャル成長層５とを備える。ＧａＮ基板１とエピタキシャル成長層５との界面における１ｃｍ³当りのシリコン（Ｓｉ）原子の個数は１×１０²⁰以下である。 （もっと読む）

【課題】 発光ダイオードなどの発光装置において、半導体発光素子の表面に屈折率傾斜を有する光透過層を設けて、全反射による発光量の損失を低減する。
【解決手段】 サファイア基板２の上にＧａ−Ｎを主体として半導体発光素子１０と電極３，４が設けられている。半導体発光素子１０の表面には、光透過層２０が設けられている。この光透過層２０はＣＶＤ法で形成され、光透過層２０の内部では、半導体発光素子１０に近づくにしたがって、酸素の濃度が減少し、且つ窒素の濃度が上昇している。よって、光透過層２０は、半導体発光素子１０から離れるにしたがって、屈折率が徐々に小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】窒化物基板上に良好な結晶品質のバッファ膜を形成する方法、および良好な結晶品質のバッファ層を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ（０００１）基板をサセプタ上に配置し、炉内圧力を３０キロパスカルにして基板１のクリーニングを行う。その後、摂氏１０５０度の基板温度を摂氏１０５０度、炉内圧力を３０キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型ＧａＮバッフア層３を基板１に成長する。その後、一旦原料の供給を停止する。次いで、装置内の圧力を３０キロパスカルに保持したまま、摂氏１１００度の基板温度になるまで加熱する。温度が安定した後に、更に厚さ１マイクロメートルのｎ型ＧａＮバッファ層５を基板１上に成長する。 （もっと読む）

【課題】発光層から発せられる光に対して不透明なパッド電極を用いた窒化物半導体発光素子において、従来よりも光取り出し効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層をこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、少なくとも第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することにより形成された電流阻止領域を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化物半導体層を、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成することにより、ｐ型窒化物半導体層のＡｌ組成や残留する水素濃度にかかわらず、アニール後のマグネシウム活性化率を所定値以上とすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表されるｐ型窒化物半導体層を複数層積層してなるｐ型積層体を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記各ｐ型窒化物半導体層は、マグネシウムおよび炭素を、それらマグネシウムと炭素の層中の濃度比が所定の濃度比になるようにドープすることによって形成され、かつ、アニール後のマグネシウム活性化率が、所定値以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の幾つかの実施の形態では、透明基板AlInGaPデバイスは、普通のエッチング停止層より吸収を少なくすることができるエッチング停止層を含んでいる。本発明の幾つかの実施の形態では、透明基板AlInGaPデバイスは、普通の結合界面より低い順方向電圧を与えるように構成することができる結合界面を含む。デバイス内の吸収及び／または順方向電圧を低下させると、デバイスの効率が改善することができる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層からｐ型クラッド層や活性層へのＺｎの拡散量をコントロールできる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びその半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板（１）上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層（４）、活性層（６）、及びＭｇをドーピングしたｐ型クラッド層と、ｐ型コンタクト層（１３）とを順次積層し、前記ｐ型コンタクト層（１３）が、前記ｎ型ＧａＡｓ基板（１）側から順にＭｇをドーピングしたコンタクト層（１３ｂ）とＺｎをドーピングしたコンタクト層（１３ａ）との少なくとも二層を有する半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層（８，１０）と前記ｐ型コンタクト層（１３）との間に、ＺｎをドーピングしたＺｎドープ層（１１）を備える。 （もっと読む）

放射を放出する活性層（７）と、ｎ型コンタクト（１０）と、ｐ型コンタクト（９）と、電流拡散層（４）と、を有するＬＥＤ、を提供する。電流拡散層（４）は、活性層（７）とｎ型コンタクト（１０）との間に配置されている。さらには、電流拡散層（４）は、積層体の複数個の繰り返しを備えており、積層体は、少なくとも１つのｎ型ドープ層（４４）と、アンドープ層（４２）と、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）から成る層（４３）と、を備えている。Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮから成る層（４３）は、Ａｌ含有量の濃度勾配を有する。 （もっと読む）

【課題】高いドーピング農度で、かつ結晶性の良いｎ型窒化物半導体層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、電子と正孔の再結合により光を生成する活性層；活性層の一側に位置するｐ型窒化物半導体層；活性層の他の側に位置する第１電流拡散層；及び第１電流拡散層と活性層との間に位置し、３０ｎｍを超える第１窒化物半導体層を複数備える第２電流拡散層を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）