【課題】半導体発光素子の結晶性を向上させ、所望の光度を得ること。
【解決手段】 AlGaInP系化合物半導体よりなり、発光層としてのダブルヘテロ層１０および中間層９と、InGaP系化合物半導体よりなる窓層８とを備え、窓層の少なくとも一部が、その組成をIn_(X)Ga_(1-X)P（0.02≦X≦0.04）としてなる半導体発光素子H。 （もっと読む）

【課題】ドナーを高濃度にドープした窒化物半導体層を、それよりも低いドナー濃度を有する窒化物半導体層の上に成長する際の、異常成長の発生を防止し、それによって、ドナーをドープしたｎ型コンタクト層を備えた窒化物半導体素子を効率よく製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態では、コンタクト層３を、ドナーを意図的にドープしていない窒化物半導体層２を下地層として、その上に、有機金属化合物気相成長法によって形成するにあたり、まず、該下地層２の上に窒素原料を連続的に供給しつつ３族原料とドナー原料とを交互に供給して、ドナーがドープされた第１の部分３１を形成し、続いて、該第１の部分の上に、窒素原料と３族原料とドナー原料とを同時に供給して、ドナーがドープされた第２の部分３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】高輝度化および低出力化を図ることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＮを含む井戸層３１、および井戸層３１を挟みかつＩｎＧａＮまたはＧａＮを含むバリア層３２を有する量子井戸構造とされた活性層３と、活性層３を挟むｎ−ＧａＮ層２およびｐ−ＧａＮ層４と、を備える半導体発光素子Ａであって、井戸層３１の全体と、バリア層３２のうちｐ−ＧａＮ層４寄りのドープ部３２ａとには、Ｓｉがドープされており、バリア層３２のうちｎ−ＧａＮ層寄りのアンドープ部３２ｂは、アンドープとされている。 （もっと読む）

【課題】通信用発光素子として優れた応答性を有し、かつ光伝送路とのマッチングに優れる発光素子およびこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】発光素子１２を構成するＳＱＷ１０４のＩｎＧａＮ井戸層１０４Ａを６６０℃で成長させるとともに、Ｍｇを１×１０^１８／ｃｍ^３でドープしたので、井戸層におけるキャリアの密度が大になり、その結果、電子ｅと正孔ｈの寿命が短くなって光通信用発光素子として要求される立ち上がり時間、立ち下り時間が得られる。このような応答性を有する発光素子１２を通信装置１００における発光部１０の光源に用いることで、低伝送損失で高速な光通信を行うことのできる通信装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】電極との接触抵抗が小さく、熱処理を不要とし得るｐ型コンタクト層を有する発光素子用エピタキシャルウエハ及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウエハは、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３、活性層４及びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５からなる発光部を有し、ｐ型ＡｌＧａＡｓ型クラッド層５の上に、電極形成層として、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６が形成されている。発光素子は、この発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製され、ｎ型ＧａＡｓ基板１側にｎ電極７が、またｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６側にノンアロイ系のｐ電極８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高品質の半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板３１を準備する。（ｂ）基板３１上にバッファ層３２を形成する。（ｃ）基板３１を第１の温度にして、バッファ層３２上または上方に第１導電型の第１の３族窒化物半導体層３３を形成する。（ｄ）基板３１の温度を第１の温度以下の温度範囲で下げながら、第１の３族窒化物半導体層３３上に第２の３族窒化物半導体層３４を形成する。（ｅ）基板３１を工程（ｄ）における温度以下の第２の温度にして、第２の３族窒化物半導体層３４上に、通電により発光が行われる第３の３族窒化物半導体層４１を形成する。（ｆ）第３の３族窒化物半導体層４１上に、第１導電型とは逆導電型の第２導電型を有する第４の３族窒化物半導体層３５を形成する。（ｇ）第１の３族窒化物半導体層３３に電気的に接続される電極３６、及び、第４の３族窒化物半導体層に電気的に接続される電極３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることが可能な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩｎＧａＮを含む活性層３と、活性層３を挟んで積層されたｎ−ＧａＮ層２およびｐ−ＧａＮ層４と、を備える半導体発光素子Ａであって、ｐ−ＧａＮ層４は、活性層３に直接接しているとともに、ＧａＮにｐ型不純物がドープされており、かつその少なくとも一部にドープ濃度１×１０¹⁶〜１×１０²¹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³でＩｎがさらにドープされている。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ発光効率の優れた両面電極タイプのＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体積層構造が、高濃度の不純物原子を含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる高濃度層３ｂと、高濃度層３ｂよりも低濃度の不純物原子を含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる低濃度層３ａとからなる不純物層３０と、ＩＩＩ族窒化物半導体層２とを少なくとも備えたものであり、ＩＩＩ族窒化物半導体層２上には低濃度層３ａと高濃度層３ｂとがこの順で連続して形成されているＩＩＩ族窒化物半導体発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】面内、またはロット間で、コンタクト抵抗の小さい発光素子を安定的に得る。
【解決手段】MgドープAlGaNからなるｐ型クラッド層7と、5×10¹⁹/cm³以上7×10¹⁹/cm³以下の濃度でMgがドープされたGaNからなるｐ型第１コンタクト層８と、1×10²⁰/cm³以上2×10²⁰/cm³以下の濃度でMgがドープされたGaNからなるｐ型第２コンタクト層９と、陽電極１０とが順に積層されている。この構成により、高濃度ドープした最表面のｐ型第２コンタクト層９中のMg熱拡散を抑えてMg濃度プロファイルを矩形に近づけることができるので、面内、またはロット間で、コンタクト抵抗の小さい発光素子を安定的に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高い発光出力を得ながらＶｆを低減させることが可能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体と、ｐ型窒化物半導体と、該ｎ型窒化物半導体と該ｐ型窒化物半導体との間に形成された活性層とを備えた窒化物半導体発光素子であって、ｎ型窒化物半導体は、第１窒化物半導体層と第２窒化物半導体層とからなる積層構造が２以上繰り返された多層膜窒化物半導体層を含み、該多層膜窒化物半導体層は該活性層と接して形成され、該第１窒化物半導体層はｎ型不純物を含む層であり、該第２窒化物半導体層はｎ型不純物を該第１窒化物半導体層よりも少ない濃度で含む層またはアンドープ層である窒化物半導体発光素子に関する。 （もっと読む）

【課題】良好なキャリア濃度分布を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】縦型ボート法による結晶育成過程において、液体封止剤層中に含まれるＳｉの濃度が液体封止剤層とＧａＡｓ原料融液層との界面近傍の下部で高く、この界面から離れて上部にいくにしたがって急激に低くなる性質を利用し、結晶育成過程の適正な時期に液体封止剤層を撹拌することにより、ＧａＡｓ原料融液層中のＳｉ濃度を制御し、単結晶中の位置を結晶育成過程における結晶の固化率ｇで表して（１−ｇ）の対数値を横軸にとり、各固化率で特定される位置における単結晶中のキャリア濃度の対数値を縦軸にとったグラフに表される曲線が、固化率ｇが０．１〜０．８の範囲において、勾配が負の値を持ち、かつその勾配の絶対値が０．６より大きい直線と勾配の絶対値が０．６以下の直線とが接続されたものであるＳｉドープＧａＡｓ単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】活性層にＭｇ等の不純物が拡散することなく、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子は、ｎ−ＧａＮ層１０３と、ｎ−ＧａＮ層１０３上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に、ドーピング濃度５×１０¹⁹〜２×１０²⁰個／cm³でＭｇをドーピングし、９００〜１２００℃の範囲の成長温度で形成された第１のＡｌＧａＮ層１０５と、第１のＡｌＧａＮ層１０５上に、９００〜１２００℃の範囲の成長温度で形成された第２のＡｌＧａＮ層１０６と、第２のＡｌＧａＮ層１０６上に形成された、ｐ−ＧａＮ層１０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体層の特性を良好にすると共に活性層の劣化を抑制できる、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子を作製する方法において、貫通転位密度１×１０^７ｃｍ^−２以下の領域を有しており導電性を示す窒化ガリウム基板１１上に、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０．０１≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１）からなる半導体層を含んでおり３２５ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲にピーク波長を有するように活性層１７を形成する。この後に、摂氏８００度以上摂氏９５０度以下の範囲内にある成膜温度でｐ型Ａｌ_ＺＧａ_１−ＺＮ（０＜Ｚ≦１）膜２３を活性層１７上に成長する。 （もっと読む）

【課題】内部光子効率と輝度が改善され動作電圧が低い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による窒化物発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、上記ｎ型窒化物半導体層上に形成され、多数の量子井戸層と量子障壁層を有する多重量子井戸構造の活性層と、上記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層を含み、上記ｎ型窒化物半導体層に隣接した量子井戸層のエネルギーバンドギャップは上記ｐ型窒化物半導体層に隣接した量子井戸層のエネルギーバンドギャップより大きい。 （もっと読む）

【課題】注入される電流の電流密度に対する発光効率の依存性を調整可能にする構造を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１１では、発光領域１７は、量子井戸構造１９を有しており、ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に位置する。量子井戸構造１９は、Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮからなる複数の第１の井戸層２１、Ｉｎ_ＹＧａ_１−ＹＮからなる一または複数の第２の井戸層２３、およびバリア層２５を含む。第１および第２の井戸層２１、２３とバリア層２５とは交互の配列されている。第２の井戸層２３は、第１の井戸層２１とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に位置している。第２の井戸層２３のインジウム組成Ｙは第１の井戸層２１のインジウム組成Ｘより小さく、また第２の井戸層２３の厚さＤ_Ｗ２は第１の井戸層２１の厚さＤ_Ｗ１より厚い。 （もっと読む）

【課題】 高輝度且つ低駆動電圧であることに加え、経時的な発光出力の低下、及び駆動電圧の上昇を抑制することが可能な半導体発光素子を得る。
【解決手段】 基板１上に、少なくともｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型緩衝層６、ｐ型コンタクト層７が結晶成長され、更にそれらの上にＩＴＯ膜８から成る電流分散層が形成された半導体発光素子において、Ｍｇドープの上記ｐ型緩衝層中の一部、又は全てにＭｇ濃度が３．０×１０¹⁷／ ｃｍ³以下である低Ｍｇ濃度緩衝層１１又はアンドープ緩衝層１２を５０ｎｍ以上の厚さで設ける構造とし、これによりコンタクト層７のドーパントＺｎの拡散を効果的に抑制する。 （もっと読む）

【課題】電流の流れを活性層の全体面積に均一に分散させ発光効率を向上させることが可能である新たな構造の窒化物半導体素子窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】ｐ型及びｎ型窒化物半導体層２７、２４と、上記ｐ型及びｎ型窒化物半導体層の間に形成され、少なくとも一つの量子障壁層２６ｂと量子井戸層２６ａとから成る活性層２６を有する窒化物半導体素子２０において、上記ｐ型窒化物半導体層２７ｂと上記活性層２６の間に、少なくとも上記活性層の量子井戸層２６ａに含有されたインジウムの組成より多いインジウムを含んだ電流分散層２５を配置する。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族窒化物系半導体厚膜層中の不純物プロファイルを適正に制御することによって、結晶方位分布の少ない、高品質なIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶を有するIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉドープＧａＮ厚膜１２は、図示しないサファイア基板上に、アンドープ部１３、Ｓｉドープ部１４を順次エピタキシャル成長させた後、サファイア基板から剥離して得られ、ＳｉドープＧａＮ厚膜１２の両面をそれぞれ１００μｍづつ研磨することにより厚さ４００μｍのＧａＮ自立基板１５が得られる。 （もっと読む）

【課題】高電流密度において高効率を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光デバイスを開発する。
【解決手段】ＩＩＩ族発光層は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置される。発光層はドープされた厚い層である。幾つかの実施形態において、発光層は２つのドープされたスペーサ層の間に挟まれる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＡｌＧａＡｓ電流拡散層からのＺｎの拡散による活性層の非発光再結合中心の形成を抑制し、高輝度で信頼性の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板１の上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２、ｎ型Ａｌ_0.35Ｇａ_0.15Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層３、アンドープＡｌ_0.05Ｇａ_0.45Ｉｎ_0.5Ｐ活性層４、ｐ型Ａｌ_0.35Ｇａ_0.15Ｉｎ_0.5Ｐクラッド層５、ｐ型Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3Ａｓ電流拡散層６が形成されている。電流拡散層６にはｐ型不純物としてＺｎがドープされている。電流拡散層６は活性層４に近い側からＺｎ濃度の異なる第一の電流拡散層７と第二の電流拡散層８との２層構造で構成されており、第一の電流拡散層７のＺｎ濃度が第二の電流拡散層８のＺｎ濃度よりも高い。 （もっと読む）