【課題】特性を向上させることができる窒化物半導体素子、その窒化物半導体素子の製造方法および窒化物半導体発光素子、ならびに結晶性を向上させることができるとともに表面の平坦性に優れた窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素層上に窒化珪素層の表面に対して傾いた表面を有する第１の窒化物半導体層を積層した後に、第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層を積層する窒化物半導体層の製造方法、その窒化物半導体層を含む窒化物半導体素子および窒化物半導体発光素子ならびにその窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】活性領域に少なくとも１つのｐ型層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置を提供する。
【解決手段】ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。活性領域は、少なくとも１つの付加的なｐ型層を含む。活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。いくつかの実施形態では、活性領域の量子井戸層及びバリア層の両方ともｐ型である。いくつかの実施形態では、活性領域のｐ型層の平均転位密度は、約５×１０⁸ｃｍ^-2よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】歩留を向上でき、信頼性も良好な発光素子用エピタキシャルウェハ及び発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型基板１上に、少なくともｎ型クラッド層４と、量子井戸構造を有する発光層５と、ｐ型クラッド７とが積層された発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｎ型クラッド層４は、Ｓｉを含む２種類以上のｎ型ドーパントを混合添加したエピタキシャル層を有し、かつｎ型クラッド層４の厚さが２５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１と基板上に形成された、第１のｎ型窒化物半導体層２と、発光層３と、ｐ型窒化物半導体層４と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層５と、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６と、ｎ型窒化物半導体蒸発抑制層７と、第２のｎ型窒化物半導体層８とを含み、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６はＩｎを含んでおり、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６は該ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６よりもバンドギャップの大きいｎ型窒化物半導体蒸発抑制層７と接しており、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層６とｎ型窒化物半導体蒸発抑制層７との界面と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層５とｎ型窒化物半導体トンネル接合層６との界面と、の最短距離が４０ｎｍ未満であり、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層中のｎ型ドーパントの濃度が５×１０¹⁹／ｃｍ³未満の窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード組み立て時のワイヤーボンディング工程においてクレータリングの発生を低減することができ、よって歩留りを向上させることができるエピタキシャルウェーハ及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型層および該ｎ型層上にｐ型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記ｎ型層および前記ｐ型層はＧａＡｓＰまたはＧａＰであり、前記ｐ型層は少なくとも第１ｐ型層と、該第１ｐ型層より上にありキャリア濃度が高い第２ｐ型層とを有し、更に、前記ｎ型層と前記第１ｐ型層との間にｐ型キャリア濃度が漸増する第１ｐ型キャリア濃度増加層と、前記第１ｐ型層と前記第２ｐ型層との間にｐ型キャリア濃度が漸増する第２ｐ型キャリア濃度増加層を有するものであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】電流分散層としてＧａＰを用いた場合であっても、順方向電圧の上昇を抑制し、電流分散層からの添加物の拡散を抑制し、高輝度及び高信頼性の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、第１導電型の第１クラッド層と、活性層２４と、Ｍｇが添加されたＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料からなり、第１導電型と異なる第２導電型の第２クラッド層と、Ｍｇが添加されたＧａＰからなる第２導電型の電流分散層２８とをこの順に有する半導体積層部２０を備え、半導体積層部２０は、第２クラッド層と電流分散層２８との間に形成され、第２クラッド層及び電流分散層２８の間のバンドギャップエネルギーを有する介在層２６と、介在層２６と電流分散層２８との間に形成され、Ｃ原子の濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以下で、厚さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の拡散抑制アンドープ層２７とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光エピタキシー構造を含む発光ユニットを提供し、前記発光エピタキシー構造は、逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ^２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値が５０Ｖより大きく、また、前記発光エピタキシー構造は、順方向バイアスの条件の下で、１５０μＡ／ｍｍ^２の電流密度で駆動されるときに、少なくとも５０ｌｍ／Ｗの発光効率を有する。また、発光ダイオードの製造方法を提供する。この製造方法は、基板を提供し、第一成長条件の下で前記基板上に第一エピタキシー層を成長させ、第二成長条件の下で前記第一エピタキシー層上にプロセス転換層を成長させ、第三成長条件の下で前記プロセス転換層上に第二エピタキシー層を成長させるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】 活性層からクラッド層への電子のオーバーフローを十分に抑制可能な窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【解決手段】 窒化物半導体発光素子１は、活性層Ｉと、活性層Ｉの一方側に設けられたｐ型クラッド層Ｌと、ｐ型クラッド層Ｌと活性層Ｉとの間に設けられたｐ型電子ブロック層Ｋと、活性層Ｉとｐ型電子ブロック層Ｋとの間に設けられた第２ガイド層Ｊとを備え、活性層Ｉ、ｐ型クラッド層Ｌ、ｐ型電子ブロック層Ｋ、及び第２ガイド層ＪがIII族窒化物系半導体を含み、ガイド層Ｊのうちｐ型電子ブロック層Ｋ側に位置する部分は、ｐ型不純物を含むと共にｐ型電子ブロック層Ｋとがヘテロ接合を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶材料としてＡｌＧａＩｎＮを用いた発光層の内部量子効率の向上を図れる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層６における障壁層６ｂとしての第１の窒化物半導体層が、成長時に第１の不純物であるＳｉが濃度Ａ（例えば、５×１０¹⁶ｃｍ^-3）で意図的に添加されたＡｌ_aＧａ_bＩｎ_(1-a-b)Ｎ層（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、１−ａ−ｂ＞０）からなるとともに、井戸層６ａとしての第２の窒化物半導体層が、成長時に第２の不純物であるＳｉが濃度Ｂ（０≦Ｂ＜Ａ）で意図的に添加され第１の窒化物半導体層よりもＡｌの組成の小さなＡｌ_cＧａ_dＩｎ_(1-c-d)Ｎ層（０＜ｃ＜１、０＜ｄ＜１、１−ｃ−ｄ＞０）からなり、第１の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度が第２の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型ＧａＡｓキャップ層８を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７は、ｐ型不純物としてＣをドーピングしたＣドープ層７ａと、ＭｇをドーピングしたＭｇドープ層７ｂとを有し、かつｐ型クラッド層７は、Ｃドープ層７ａが活性層５に近い側に形成され、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８のｐ型不純物はＺｎであり、活性層５中のＣ原子濃度、Ｍｇ原子濃度、Ｚｎ原子濃度は、それぞれ５．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下、１．０×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１．６×１０¹⁶ｃｍ^-3以下、１．１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを低減でき、クラック発生を抑制することができるIII族窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板とＧａＮ自立基板となるＧａＮ厚膜との間にボイド形成ＧａＮ層を設け、ＧａＮ厚膜の成長終了後にボイド形成ＧａＮ層を境にＧａＮ厚膜を剥離させて作製したｎ型ＧａＮ自立基板において、前記板の外周部のキャリア濃度が、それより内側のキャリア濃度よりも低いキャリア濃度分布とする。これにより、基板外周部側の圧縮歪が基板中心部側の圧縮歪よりも低減し、基板の応力が緩和されので、基板の反りが低減するとともに、クラックの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＡｌＧａＮ半導体を有する半導体発光素子の発光効率を向上する。
【解決手段】半導体発光素子１は、発光領域３と、第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体（０≦Ｘ１≦１）層５と、第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ半導体（０≦Ｘ２≦１）層７とを備える。この半導体発光素子１では、発光領域３は、III族窒化物半導体からなり、ＩｎＡｌＧａＮ半導体層を含む。第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体層５は、例えばマグネシウム（Ｍｇ）といったｐ型ドーパントでドープされており、発光領域３上に設けられている。第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ半導体層７は、第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体層５のｐ型ドーパント濃度より小さいｐ型ドーパント濃度を有する。第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ半導体層７は、発光領域３と第１のＡｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ半導体層５との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ベース層のキャリア濃度および厚み寸法を大きく設定することなく、発光強度に対する電流増幅率βの影響を抑制することのできる発光サイリスタ、発光素子アレイ、発光装置および画像形成装置を提供することである。
【解決手段】 発光サイリスタは、基板上に第１半導体層、第１半導体層と反対導電型の第２半導体層、第１半導体層と同じ導電型の第３半導体層、および第１半導体層と反対導電型の第４半導体層がこの順に積層されており、第３半導体層のバンドギャップは、第２半導体層のバンドギャップと略同一、かつ、第１および第４半導体層のバンドギャップより狭幅であり、第３半導体層は、基板側の第１領域と基板と反対側の第２領域とからなり、かつ、第１領域の不純物濃度は１×１０^１６（ｃｍ^−３）未満である。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、静電耐圧特性を向上させつつ、発光効率や信頼性を向上させること。
【解決手段】ＥＳＤ層１０２は、ｎ型コンタクト層１０１側から第１ＥＳＤ層１１０、第２ＥＳＤ層１１１、第３ＥＳＤ層１１２の３層構造である。第１ＥＳＤ層１１０は、Ｓｉ濃度１×１０¹⁶〜５×１０¹⁷／ｃｍ³ 、厚さ２００〜１０００ｎｍピット密度１×１０⁸ ／ｃｍ² 以下のｎ−ＧａＮである。第２ＥＳＤ層１１１は、厚さ５０〜２００ｎｍ、ピット密度２×１０⁸ ／ｃｍ² 以上のノンドープのＧａＮである。第３ＥＳＤ層１１２は、Ｓｉ濃度（／ｃｍ³ ）と膜厚（ｎｍ）の積で定義される特性値が０．９×１０²⁰〜３．６×１０²⁰（ｎｍ／ｃｍ³ ）のｎ−ＧａＮである。 （もっと読む）

【課題】ウェハ外周部分の動作電圧を抑え、特性の面内均一性を向上させ、ウェハ全面を使用することができ、また信頼性の高い発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともｎ型クラッド層４、発光層５、ｐ型クラッド層７が順次積層された発光素子用エピタキシャルウェハ１において、ｎ型クラッド層４は、Ｓｉを含む２種類以上のｎ型不純物を用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】更なる光出力の向上と良好なオーミック電極の形成を可能にする最適なｐ型層の構造を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】少なくとも、基板と、該基板上にエピタキシャル成長によって形成されたｎ型層および該ｎ型層上にｐ型層とを有するエピタキシャルウェーハにおいて、前記ｎ型層および前記ｐ型層はＧａＡｓＰまたはＧａＰであり、前記ｐ型層は少なくとも第１ｐ型層と該第１ｐ型層より上に第２ｐ型層とを有し、前記第１ｐ型層のキャリア濃度は５×１０^１６〜３×１０^１７／ｃｍ^３、前記第２ｐ型層のキャリア濃度は７×１０^１８〜３×１０^１９／ｃｍ^３であり、かつ前記ｎ型層および前記ｐ型層のシリコン濃度は１×１０^１４〜１．５×１０^１５／ｃｍ^３であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】電磁と電気エネルギーとの間の変換を行うエネルギー変換装置およびその製造方法の提供。
【解決手段】エネルギー変換装置は、熱エネルギービームで形成した第１のドープド領域と第２のドープド領域とをもつ広バンドギャップ半導体材料を備える。第１の例において、エネルギー変換装置は、発光装置として動作し、電力を受けて電磁放射を生じる。第２の例において、エネルギー変換装置は、光起電力装置として動作し、電磁放射を受けて電力を生じる。第３の例において、エネルギー変換装置は、絶縁材料を変換して形成する。光起電力装置を太陽熱液体加熱装置と組み合わせることにより、電磁放射を受けて電力および加熱液体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトニクスの光源に適用可能なシリコン発光素子を提供する。
【解決手段】第１の面と該第１の面の反対側にある第２の面とを有する第１導電型のシリコン基板と、シリコン基板の第１の面上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ第１導電型と異なる第２導電型のシリコン層と、シリコン層上に設けられた第１の電極と、シリコン基板の第２の面上に設けられた第２の電極と、を備え、シリコン基板のキャリア濃度は、５×１０^１５ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３であり、シリコン層のキャリア濃度は、１×１０^１７ｃｍ^−３〜５×１０^１９ｃｍ^−３であり、且つ、シリコン基板のキャリア濃度より一桁以上大きく、絶縁膜の膜厚は、０．３ｎｍ〜５ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】ｎ型層の透光性などを悪化させることなしにｎ電極の接触抵抗が低減されたIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。
【解決手段】発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２はｎ−ＧａＮであり、第３ｎ型層１１３はｎ−ＩｎＧａＮである。第２ｎ型層１１２のｎ型不純物濃度は、第１ｎ型層１１１、第３ｎ型層１１３のｎ型不純物濃度よりも高い。この構造によると、第２ｎ型層１１２が露出するまで正確にエッチングすることができ、ｎ型層１１の透光性などを悪化させることなくｎ電極１６の接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】アクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタドープ層におけるアクセプタ濃度の増大を図らなくても、ホール濃度を十分な濃度とし、ｐ型化を容易に実現できる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上に、アンドープＺｎＯ層２、共ドープＭｇＺｎＯ層３、透明導電膜４が順に積層されている。ここで、共ドープＭｇＺｎＯ層３は、アクセプタ元素とドナー元素とが共に含まれている共ドープ層である。共ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。 （もっと読む）