【課題】駆動電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記ｐ形半導体層は、前記ｎ形半導体層と前記電極との間に設けられる。前記ｐ形半導体層は、前記電極に接するｐ側コンタクト層を含む。発光層は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。前記ｐ側コンタクト層は、前記ｎ形半導体層から前記ｐ形半導体層に向かう第１方向に対して垂直な平面を有する平坦部と、前記平坦部から前記電極に向かって突出した複数の突起部と、を含む。前記複数の突起部の前記第１方向に沿った高さは、前記発光層から放出される光の主波長の１／４の長さよりも小さい。前記複数の突起部の前記平面内における密度は、５×１０^７個／ｃｍ^２以上、２×１０^８個／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】低減された酸素濃度のｐ型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。基板１３の主面１３ａは、該第１の窒化ガリウム系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０度未満の範囲の角度で傾斜する。ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１のｐ型ドーパント濃度Ｎｐｄと酸素濃度Ｎｏｘｇとの濃度比（Ｎｏｘｇ／Ｎｐｄ）が１／１０以下である。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】単層で発光波長が相違する複数の発光を出射するＩＩＩ族窒化物半導体単層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基体と、基体上に形成され、ドナー不純物とアクセプター不純物が添加され且つガリウムを必須の構成元素として含むガリウム含有ＩＩＩ族窒化物半導体層である多波長発光ＩＩＩ族窒化物半導体層と、を備え、多波長発光ＩＩＩ族窒化物半導体層は、窒素を含む第Ｖ族元素よりガリウムを含む第ＩＩＩ族元素を化学量論的に富裕に含み、原子濃度が６×１０^１７ｃｍ^−３以上５×１０^１９ｃｍ^−３以下の範囲の珪素と、原子濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以上３×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲のマグネシウムと、合計の原子濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下の範囲の遷移金属元素と、を含み、且つ、バンド端発光とは別に、波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長帯域において波長が異なる３個以上の光を同時に出射することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】化合物系半導体発光素子の発光効率を低下させることなく、静電破壊に対する耐圧を付与する。
【解決手段】本発明の化合物系半導体発光素子は、基板と、該基板上に形成された半導体積層構造とを有する化合物系半導体発光素子であって、半導体積層構造は、基板側から順に、ｎ型層、発光層、およびｐ型層を含むものであり、ｐ型層に接するｐ側電極と、ｎ型層に接するｎ側電極とを有し、ｎ型層は、半導体積層構造を構成する他の層よりも表面粗さが粗いリークパス層を１層以上有し、該化合物系半導体発光素子の上面からの平面視において、リークパス層の面積は、半導体積層構造を構成する他の層の面積よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体と、前記構造体の前記第２半導体層の側に設けられ、金属部と、前記金属部を貫通する複数の開口部と、を有する第１電極層と、前記第２半導体層と、前記第１電極層と、の間に設けられた中間層と、前記第１半導体層と導通する第２電極層と、を備える。前記複数の開口部のそれぞれの円相当直径は、１０ナノメートル（ｎｍ）以上、５マイクロメートル（μｍ）以下である。前記中間層の厚さは、１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ層を含むｎ型半導体層と、ｎ型半導体層と接続されたｎ側電極と、ｐ型ＧａＮ層と、ｐ型ＧａＮ層と積層されたｐ型ＧａＮコンタクト層と、を含むｐ型半導体層と、ｐ型半導体層に接続されたｐ側電極と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に設けられ複数の井戸層を含む発光部と、発光部とｐ型半導体層との間に設けられ、０．００１〜０．０５の第１Ａｌ組成比のＡｌＧａＮを含み０．５〜５ｎｍの厚さの第１層と、第１層とｐ型半導体層との間に設けられ、０．１〜０．２の第２Ａｌ組成比のＡｌＧａＮを含む第２層と、第１層と発光部との間においてｐ型半導体層に最も近いｐ側井戸層に接し、厚さが３〜８ｎｍで、Ｉｎ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ（０≦ｚ１＜１）を含み、ｐ型不純物濃度が第１層よりも高い中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】光出力を高めつつ、信頼性が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】放出光を放出可能な発光層と、第１電極と、前記発光層と前記第１電極との間に設けられた第１の層と、前記第１の層と前記第１電極との間に設けられた第２の層と、前記第１の層と前記発光層との間に設けられたクラッド層と、を備えた発光素子が提供される。第１の層は、第１導電形の第１の不純物濃度を有し、前記第１電極から注入されたキャリアを前記発光層の面内方向に拡散可能とする。第２の層は、前記第１の不純物濃度よりも高い第１導電形の第２の不純物濃度を有し、第１の面が前記第１の層と接触し、前記第１の面とは反対側の第２の面が前記第１電極の形成領域と非形成領域とを有し、平均ピッチが前記放出光の波長以下とされた網状または複数の島状の凸部が前記非形成領域に設けられている。前記クラッド層は、第１導電形を有する。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｃは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２０とを備える。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘは、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘよりも低い。Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層において、主表面１１ａの不純物濃度は、裏面１１ｂの不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、Ｓｉ濃度を１×１０^−５〜１ｍｏｌ％に変化させることにより、抵抗率が２．０×１０^−３〜８×１０^２Ωｃｍ、キャリア濃度が５．５×１０^１５〜２．０×１０^１９／ｃｍ^３の範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＡｌＮからなるＡｌＮ歪緩衝層と、ＡｌＮ歪緩衝層上に形成された超格子歪緩衝層と、超格子歪緩衝層上に形成された窒化物半導体層とを備える窒化物半導体素子であって、超格子歪緩衝層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．２５）よりなり、且つ、ｐ型不純物を含む第１の層と、ＡｌＮよりなる第２の層とを交互に積層して超格子構造を形成したものであることを特徴とする、窒化物半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】第二ｎ型半導体層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ｃを積層する第一工程と、前記第一ｎ型半導体層１２ｃ上に前記第一ｎ型半導体層１２ｃの再成長層１２ｄと第二ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二ｎ型半導体層１２ｂを積層する工程において、前記再成長層１２ｄ形成時よりも少量の前記Ｓｉをドーパントとして供給することにより第二ｎ型半導体層第一層を形成する工程（１）と、前記Ｓｉを前記工程（１）よりも多く供給することにより第二ｎ型半導体層第二層を形成する工程（２）と、をこの順で行うことを特徴とする半導体発光素子１の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率及び高い降伏電圧Ｖｒを備えるとともに、降伏電圧Ｖｒのロット間ばらつきが低減された半導体発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１のクラッド層と、平均ドーパント濃度が第１のクラッド層よりも低い第２のクラッド層と、平均ドーパント濃度が２×１０^１６ｃｍ^−３〜４×１０^１６ｃｍ^−３であって（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙ）_ｘＩｎ_１−ｘＰ（0＜ｘ≦1、0≦ｙ≦1）からなる活性層と、第３のクラッド層と、Ｇａ_１−ｘＩｎ_ｘＰ（0≦ｘ＜1）からなる第２導電型半導体層と、有し、第２のクラッド層の層厚をｄ（ｎｍ）とし、第２のクラッド層の平均ドーパント濃度をＮ_ｄ１（ｃｍ^−３）とした場合に、ｄ≧１．２×Ｎ_ｄ１×１０^−１５＋１５０の関係式を満たすこと。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、マグネシウムをドープしたｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層であって、アルミニウム組成比ｘが０．２３以上０．３未満の範囲であり、かつキャリア濃度が５×10¹⁷／cm³以上であるか、アルミニウム組成比ｘが０．３以上０．４未満の範囲であり、かつキャリア濃度が３．５×10¹⁷／cm³以上であるか、または、アルミニウム組成比ｘが０．４以上０．５未満の範囲であり、かつキャリア濃度が２．５×10¹⁷／cm³以上であることを特徴とするｐ型ＡｌＧａＮ層である。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ２０ｂは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）１０と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２１とを備え、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高く、かつ裏面１１ｂ側から主表面１１ａ側に向けてキャリア濃度が変化している。 （もっと読む）

【課題】大電流が印加されることにより高い発光出力が得られる半導体発光素子を製造できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、第１ｎ型半導体層１２ａと第２ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する工程を具備し、第２ｎ型半導体層１２ｂを形成する工程において、基板１１の温度を、前記発光層１３を形成する際の前記基板１１の温度未満の低温にして、前記第２ｎ型半導体層１２ｂに前記第１ｎ型半導体層１２ａを超える高濃度でＳｉをドープする半導体発光素子１の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性が、半導体素子の寸法相当において向上した半導体基板を提供し、更には、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子、半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２と、基板１１と窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２との間に設けられた、不純物元素を５ｘ１０¹⁷ｃｍ^-3以上２ｘ１０¹⁹ｃｍ^-3以下含有する層１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層の光取出し面の反対側の境界面に台形凸部半導体層を設けた光半導体装置においては、台形凸部半導体層の不純物濃度が均一であったので、電流は台形凸部半導体層の台形の根本に集中し、活性層の狭い領域でしか発光しなかった。
【解決手段】ｎ型GaN層２、活性層３、ｐ型GaN層４上に酸化シリコン層５及び台形凸部ｐ型GaN層６’を設け、酸化シリコン層５及び台形凸部ｐ型GaN層６’上に透明電極層７及び反射電極層８を設ける。台形凸部ｐ型GaN層６’における不純物濃度もしくはキャリア密度は台形の底部から先端部へ向かって段階的もしくは連続的に増大している。この結果、電流は台形凸部ｐ型GaN層６’の台形の側面、先端部からも活性層３へ注入され、活性層３の広い領域で発光する。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体素子の活性層の結晶品質をｎ型ドーパントの拡散によって落とさない。
【解決手段】 ＺｎＯ系化合物半導体素子は、ＩＩＩ族元素とともに窒素（Ｎ）がドープされたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上方に形成されたｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に形成された活性層とを含む。ＩＩＩ属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、ｎ型半導体層以外の他の層に対するＩＩＩ属元素の拡散が抑制される。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、かつ動作電圧の低い窒化物半導体発光ダイオード素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上に設けられた窒化物半導体発光層と、窒化物半導体発光層上に設けられたｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に設けられたＩｎ含有窒化物半導体層と、Ｉｎ含有窒化物半導体層上に設けられた透明導電膜と、を含み、Ｉｎ含有窒化物半導体層は組成ゆらぎを有するようにＩｎを含有する窒化物半導体発光ダイオード素子である。 （もっと読む）