【課題】低温で良好に薄膜形成でき且つホール注入効率の高いｐ型半導体層を有するｐｎ接合素子を提供する。
【解決手段】
基板１の上に、ＺｎＯ層２が形成され、ＺｎＯ層２の上に、ｐ型半導体層３及び電極層６が形成され、ｐ型半導体層３の上に、ＮｉＯ層４、電極層５が順に積層形成されてｐｎ接合素子が形成されている。ｐ型半導体層３は、ＮｉＯとＭｇＯの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることによってＮｉ_1-xＭｇ_xＯ系材料で形成されている。電流を低下させることなくダイオード特性を得るためには、Ｎｉ_1-xＭｇ_xＯにおけるＸの値は０．３２≦ｘ≦０．５７の範囲にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】長い時間と多大な電力を要する後工程が不要であり、かつ窒化物半導体のｐｎ接合界面が大気開放されても発光素子を製造可能な方法を提供する。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体層上に、主成分元素として亜鉛と酸素、ならびに副成分元素としてアルミニウム、ガリウム、およびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、組成物または混合物を用いて、スパッタリング法または真空蒸着法により、ｎ型酸化亜鉛層を製膜する工程を有するヘテロ接合型発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップを有し、波長が３８０ｎｍ以上の近紫外光、或いは可視光に対して透明であって、ｐ型導電性を示すＮａＣｌ型結晶構造の酸化物材料、およびこれを用いた発光素子を提供する。
【解決手段】
Ｚｎ_ｘＭｇ_ｙＣｕ_ｚＯ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される酸化物で、０＜ｘ／（ｘ＋ｙ）≦３５、かつ０＜（ｚ／（ｙ＋ｚ）≦２４である、ＮａＣｌ型結晶構造を有するｐ型導電性酸化物材料を形成する。この材料を用いてｐ型半導体層とし、ｎ型ＺｎＯ層からなる半導体層と接合させて紫外発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子（窒化物半導体素子）１は、主面１０ａを有する基板１０と、ｎ型層２０ａ、ｎ型コンタクト層２０ｂおよびｐ型層２０ｄを含む半導体層２０と、を備える。主面１０ａはｍ面に対してａ軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層２０は、傾斜領域２１と非傾斜領域２２とを含む。傾斜領域２１において、ｎ型層２０ａおよびｎ型コンタクト層２０ｂの所定領域上にｎ電極４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＷＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＷＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、発光効率などの光電変換効率に優れたｐｎ接合素子を提供すること。
【解決手段】ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちの他方の無機成分が、柱状、ジャイロイド状および層状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有しているナノヘテロ構造体と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、を備えており、
前記ナノヘテロ構造体中の前記ｐ型半導体材料と前記ｎ型半導体材料とによって形成されているｐｎ接合面の端部が前記ｐ型半導体層および前記ｎ型半導体層のうちの少なくとも一方の半導体層の表面と接触するように、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層とが前記ナノヘテロ構造体を挟持していることを特徴とするナノヘテロ構造ｐｎ接合素子。 （もっと読む）

【課題】ｎ側メタル電極の延伸部を通してｎ型導電層に流れる電流を増加させたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１００は、複数のＧａＮ系半導体層を含む半導体積層体１２０を有し、該複数のＧａＮ系半導体には、上面および底面を有するｐ型導電層１２３と、ｐ型導電層１２３の底面側に配置された活性層１２２と、ｐ型導電層１２３とで活性層１２２を挟むように配置されたｎ型導電層１２１とが含まれ、ｐ型導電層１２３の上面にはｐ側電極が設けられ、ｐ型導電層１２３側に一部露出したｎ型導電層１２１の表面にはｎ側電極が設けられる。該ｎ側電極は、接続部および該接続部から延びる延伸部を有し、該ｎ側電極の該接続部とｎ型導電層１２１との間に形成されるオーミック接触界面の面積が、該接続部の面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】紫外線発光材料のＺｎＯ薄膜のバッファ層として化学溶液析出法（ＣＢＤ法)によって形成したＺｎＯ膜を配設する事により、緑色発光を抑制し紫外域で強い発光を示す紫外発光素子を提供する。
【解決手段】低融点のガラス基板１上に、透明導電膜（ＩＴＯ膜）２を配設した後、化学溶液析出法（ＣＢＤ法)によってＺｎＯ膜３を形成する。さらにＺｎＯ膜３の上に、気相法（ＥＢ蒸着法）によりＺｎＯ層４を形成することによって、紫外発光素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】近接場光デバイスにおいて、エネルギー効率を高める。
【解決手段】近接場光デバイスは、基板（１２）上に配置されており、量子ドット（１６）を含み、基板により導かれる入射光をエネルギー源として量子ドットの光発生作用により近接場光（１８）を発生可能な量子ドット層（１３、１４、１５）を備える。近接場光デバイスは更に、量子ドット層上に配置されており、量子ドット層で発生された近接場光をエネルギー源として近接場光（６５）を発生可能且つ外部へ出力可能な出力端（１７）を備える。 （もっと読む）

【課題】光取出し面における電流密度分布の偏りを小さくする。
【解決手段】第１主面及び第２主面を有する半導体部１０と、第１主面上に配置された第１電極２０と、第２主面上に配置された第２電極と、を備え、第１電極は第１接続部２１と、第２接続部２２と、を備え、第１接続部から延伸する第１延伸部２３と第３延伸部２５と、第２接続部から延伸する第２延伸部２４と第４延伸部２６と、を備え、第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部及び第４延伸部が部分的に互いに平行となる平行領域を有し、第３延伸部の第１接続部から平行領域までの距離は第１延伸部の第１接続部から平行領域までの距離よりも長く、第４延伸部の第２接続部から平行領域までの距離は第２延伸部の第２接続部から平行領域までの距離よりも長く、平行領域において第３延伸部と第４延伸部との距離は第１延伸部と第３延伸部との距離及び第２延伸部と第４延伸部との距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】基板貼り替えに伴うクラックの発生を防止できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法では、第１基板３１上に形成された半導体積層体１１上に第１金属層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２金属層１２ｂを形成する。第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを対向させて、第１基板３１と第２基板３２を重ね合わせる。第１基板３１側から第１基板３１を透過し、半導体積層体１１に吸収される第１レーザ３５を照射し、半導体積層体１１を部分的に加熱分解する。第２基板３２側から第２基板３２を透過、または第１基板３１側から半導体積層体１１を透過する第２レーザ３６を照射し、第１金属層１２ａと第２金属層１２ｂを部分的に融着する。第１および第２基板３１、３２を第１および第２金属層１２ａ、１２ｂが融解する温度より低い温度に加熱して、第１基板３１を除去する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な方法で製造でき、素子の形態に制約を受けず、十分な紫外発光強度を発揮することが可能な発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体であるＣｕＳＣＮ膜６と、ＺｎＯを主成分とし、副成分として、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎから選ばれた一種類以上とＰとを含む紫外発光材料（ｎ型ＺｎＯ焼結体）５を電析法で接合する製造方法を経ることで、発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】高効率で発光し、薄型に適した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子１は、紫外光放射部１５と蛍光体層２１とからなり、ＺｎＯをベースとし、Ｇａ、Ｐが添加された半導体材料で形成された紫外発光層１１と、ＺｎＯをベースとするｐ型半導体層１２とがｐｎ接合され、紫外発光層１１に第１電極１３が、ｐ型半導体層１２に第２電極１４が接続されている。第１電極１３と第２電極との間に電圧を印加することによって、紫外発光層１１からピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光が放射される。蛍光体層２１は、紫外光放射部１５から放射される紫外光を吸収し可視光に変換する。この可視光は基板２２を透過して外部に出射される。 （もっと読む）

【課題】低温でも良好に薄膜形成できるｐ型ＺｎＯ系半導体材料を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯとＮｉＯの混合材料をスパッタターゲットとして、スパッタリングすることにより、Ｚｎ_1-xＮｉ_ｘＯ薄膜を基板上に形成する。Ｚｎ_1-xＮｉ_xＯ（ｘは、ＺｎとＮｉの合計モル数に対するＮｉモル数の比率である）は、ＺｎＯとＮｉＯとが混合した酸化物であり、ｘの値は０．６５以下に設定してＺｎＯに対する価電子帯トップのオフセット量を１ｅＶ以内に抑えることが好ましく、ｘの値は小さい方が好ましい。一方、電気伝導タイプをｐ型とし、電気抵抗を低く抑えることを考慮すると、Ｚｎ_1-XＮｉ_XＯにおけるＸの値は０．１３以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＳｉＣ部が好適な条件で処理されている発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー及びアクセプタが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなり半導体発光部から発せられる光により励起されると可視光を発するポーラスＳｉＣ部１２４と、ポーラスＳｉＣ部１２４の表面を覆う保護膜と、を有し、ポーラスＳｉＣ部１２４は、８５０℃以下で保護膜を形成するための熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】真空槽内に導入する反応ガスと副ターゲットとを反応させずに副ターゲットをスパッタリングする。
【解決手段】真空槽５１内の主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有する主スパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に分離容器６２を配置し、分離容器６２内にドーパントの副ターゲット６４を配置する。分離容器６２の外部と内部は、主排気装置４７と副排気装置６５とで別々に真空排気し、また、分離容器６２内部に希ガスを供給すると、副ターゲットは反応性ガスと接触せずにスパッタされ、副ターゲット６４を構成する材料の反応生成物は発生しない。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が抑制された高品質のバッファ層を異種基板上に形成することが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体とは異なる材料から構成される異種基板１０と、異種基板１０の主面１０ａ上に形成され、窒化物半導体から構成されるスパッタ膜２０と、スパッタ膜２０上に形成され、窒化物半導体から構成される発光素子部とを備えている。異種基板１０は、主面１０ａ部分に形成される凹部１５を含み、凹部１５は、傾斜面１６を有するとともに、断面的に見て、略Ｖ字状に形成されている。また、傾斜面１６は、凹部１５の底側の傾斜角度が主面１０ａ側の傾斜角度以下とされている。 （もっと読む）

【課題】太陽光が有するプロファイルにほぼ一致した発光スペクトルプロファイルを有し、発熱量が小さく、コンパクトなソーラーシミュレータ、及び量子ドット太陽光ＬＥＤ積層体を提供すること。
【解決手段】量子ドット太陽光ＬＥＤ用積層体は、ＩＩ−ＶＩ族半導体ナノ結晶粒子及びＩＶ−ＶＩ族半導体ナノ結晶粒子から選ばれる半導体ナノ結晶粒子の種類ごとに形成される各層から構成され、ＬＥＤの光出力方向に向かって、半導体ナノ結晶粒子のバンドギャップが小さいものから大きいものとなるように順次積層されており、各層の中では、ＬＥＤの光出力方向に向かって、粒径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されており、上記各層間において、上記半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が上記半導体ナノ導体粒子の発光スペクトルの半値幅以下であることを特徴とする。 （もっと読む）