【課題】電力変換効率が高く、且つ光出射面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、活性層を含み、スラブ構造を有する多層膜１０と、多層膜１０の第１の主面上に設けられた２次元フォトニック結晶１１と、多層膜１０の第２の主面上に設けられた高反射率ｐ電極２と、２次元フォトニック結晶１１の主面上に設けられたｎ電極９とを備え、多層膜１０は、水平面内において複数の領域に分離されている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を改善し得、さらには、放熱性を改善することも可能なＧａＮ系発光素子の構造、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基礎基板Ａの主面Ａｘに凹凸加工を施し、段差で区画された凹部底面Ａ１と凸部上面Ａ２とを有する凹凸面とし、前記の凹部底面Ａ１と凸部上面Ａ２とから別個に単位結晶１ａ、１ｂを成長させ、それらを互いに合体させてＧａＮ系結晶層１とし、さらにその上に、発光層２を含む積層体Ｓを形成し、基礎基板を裏面側から部分的に除去し、基礎基板のうちの凸部だけを、または凸部と凹部底面から厚さλ／４以下の部分とを、発光素子中に残す。λは、発光層から発せられた光が基礎基板を通過する際の該光の波長である。これによって、その残存部分を光散乱に利用する。 （もっと読む）

【課題】従来、窒化物半導体素子中の量子井戸構造の活性層として、ｎ型窒化物半導体、ｎ型不純物を含有した窒化物半導体などが用いられてきたが、さらなる活性層の特性向上が必要であった。また、窒化物半導体素子は、素子寿命、静電耐圧の特性のさらなる向上が必要である。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体層１１、ｎ型窒化物半導体層１３に挟まれる活性層１２として、ｎ型不純物を有する障壁層２ａと、Ｉｎを含む窒化物半導体からなる井戸層１ａと、ｐ型不純物を有する、若しくはアンドープで成長させた障壁層２ｃとを少なくとも有し、該障壁層２をｐ型層側に最も近い障壁層として配置することで、活性層１２への好適なキャリアの注入が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 発光取り出し面から、より高い取り出し効率と、光密度をもって面発光することができるようにした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 第１導電型の第１のクラッド層１と、活性層２と、第２導電型の第２のクラッド層３とを少なくとも有する積層半導体構造部４を有し、この積層半導体構造部４の外周面４ｓが、その積層方向に関して外側に凸の彎曲ないしは屈曲する曲面形状とする。 （もっと読む）

【課題】 表面粗さが大きい半導体に対してエッチングを確実に行うことができるようにする。
【解決手段】 半導体表面側から、目的とするエッチングがなされるエッチング工程に先立って少なくともそのエッチングがなされる領域上に、この領域における起伏４１を埋め込んで上記起伏が消失された滑らかな表面を形成するマスク層を被覆形成するマスク層４２の形成工程と、上記マスク層の表面側からこのマスク層４２と半導体に対するエッチング性が同等なエッチング条件で、起伏４１が除去された滑らかな面とするエッチング工程を行い、その後、目的とするエッチング工程を行う。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ、貫通転位密度が大幅に低減した高品質な炭化珪素(SiC)層を、シリコン(Si)基板上に形成する。
【解決手段】基板の面方位に対して鏡面対称なファセットの対が複数上部に形成されたSi基板上に、Siを一部含み、且つ前記Si基板より欠陥密度が多い半導体緩衝層を形成し、この上にSiC層を順次形成させることにより半導体装置を作成する。
【効果】半導体緩衝層内に発生した欠陥は、Si基板に垂直な軸、すなわち、基板の面方位に対して鏡面対称な対を持ち、対向する欠陥同士は会合・消滅する。上記緩衝層には炭化珪素層に比べて欠陥を生じ易い性質を持たせており、欠陥を緩衝層内部に内包させることが出来る。特定箇所に欠陥を高確率で発生させることで歪緩和を促進し、且つ上記欠陥の進行を制御することで欠陥を消滅させ、無歪み且つ低欠陥密度のSiC層の形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つの活性層を含んでいる多重層を半導体材料から成る基板の表側上に形成した後、この基板を少なくとも部分的に除去し、その後多重層をヘテロ基板と接合するようにした光放射デバイスを提供する。
【解決手段】基板を湿式化学エッチングにより基板の材料用の選択エッチング剤中で除去し、除去された基板の表側に面する多重層２、３、４、５の裏側６上に第１の金属接触層７を、またヘテロ基板９の表側８上に第２の金属接触層１０を被着する。このように被覆された多重層２、３、４、５の裏側６を、ヘテロ基板９の層１０で被覆された表側８と、熱の作用下に共晶結合により互に接合する。 （もっと読む）

【課題】色度が改善され、発光効率を向上させた白色光源の製造方法、白色発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】白色発光素子であって、発光する白光は、少なくとも一つの第一波長の第一光成分、第二波長の第二光成分及び第三波長の第三光成分からなり、且つ、前記第一波長は第二波長より短く、前記第二波長は第三波長より短く、前記発光素子は、封止板と、前記封止板上に設置され、前記第一光成分を発光する第一光源及び前記第一光成分から変換される一部の第三光成分を発光する第二光源からなる第一発光素子と、前記封止板上に設置され、前記第一発光素子に隣接し、前記第二光成分を発光する第一光源及び前記第二光成分から変換される一部の第三光成分を発光する第二光源からなる第二発光素子と、からなることを特徴とする白色発光素子を採用する。 （もっと読む）

ｎ型のドープ層とｐ型のドープ層との間の活性層と、前記ＶＬＥＤデバイスの前記ｎ型のドープ層の表面上に複数のボールを固定することと、を有する縦型発光ダイオード(ＶＬＥＤ)デバイスを形成するするための方法が開示される。
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発光ダイオードを製造するためのシステム及び方法は、キャリア基板の上方に多層エピタキシャル構造を形成する工程と、前記多層エピタキシャル構造の上方に少なくとも１つの金属層を成膜する工程と、前記キャリア基板を除去する工程と、を含む。
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金属基板上に縦型ＬＥＤアレイを製造するためのシステム及び方法が開示される。本システムと方法は、欠陥に対して前記ＬＥＤアレイを評価する工程と、１つ以上の欠陥があるＬＥＤを破壊し、ウェハレベルのパッケージに適した、良質のＬＥＤだけを含むＬＥＤアレイを形成する工程と、を含む。
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ＬＥＤデバイス上にｎ型窒化ガリウム(ｎ型ＧａＮ)層を形成する工程と、前記ｎ型ＧａＮ層の表面を粗くして前記ＬＥＤデバイスの内部からの光の抽出を高める工程と、によって半導体発光ダイオード(ＬＥＤ)デバイスを製造するためのシステム及び方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】高出力発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明は、 Ｎ型半導体層210、活性層220、及びＰ型半導体層240が順次に積層されている構造物を備えて活性層220から光が放出される発光ダイオードにおいて、Ｎ型半導体層210、活性層220、及びＰ型半導体層240が積層されている構造物の側壁の前面が傾斜し、その傾斜した側壁の全体に活性層220から放出される光を反射させる反射膜250が形成されている。 発光ダイオードの側壁を傾斜させ、その傾斜した側壁に反射膜250を形成することにより、側壁の外部から放出される光を反射膜250に反射し、素子の上部から放出して光出力を向上させる。 （もっと読む）

縦型発光ダイオード(ＬＥＤ)は、金属基板と、前記金属基板と結合されたｐ型電極と、前記ｐ型電極と結合されたｐ型コンタクトと、前記ｐ型電極と結合されたｐ型ＧａＮ部と、前記ｐ型ＧａＮ部と結合された活性領域と、前記活性領域と結合されたｎ型ＧａＮ部と、前記ｎ型ＧａＮと結合された蛍光体層と、を備える。
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発光ダイオードを製造するためのシステム及び方法は、キャリア基板の上方に多層エピタキシャル構造を形成する工程と、前記多層エピタキシャル構造の上方に少なくとも１つの金属層を成膜する工程と、その上に熱除去フィンを形成する工程と、前記キャリア基板を除去する工程と、を含む。
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【課題】凹凸構造を含む半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法において、（ａ）基板上２１に第１半導体層２２を形成させるステップと、（ｂ）前記第１半導体層２２上に物質層を形成させ、熱処理して物質層の物質を前記第１半導体層２２内に浸透させて前記第１半導体層２２を凹凸構造に形成させるステップと、（ｃ）前記第１半導体層２２上に第２半導体層２４を形成させるステップと、を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 熱抵抗の大幅な低減が可能でしかも光取り出し効率が高い集積型発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 基板上にｎ型ＧａＮ層１５、活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、その上にｐ側電極１８を形成した後、これをマスクとしてこれらの半導体層をエッチングすることで大きさが２０μｍ以下の微小発光ダイオードを形成する。これらの微小発光ダイオードのｐ側電極１８上にヒートシンクとなる半導体基板２０の導電層２１を貼り合わせる。基板をレーザ剥離法により剥離した後、この剥離で露出した半導体層をエッチングや研磨などにより平坦化し、この平坦面に発光波長の光を散乱する凹凸を形成し、ｎ型ＧａＮ層１５上に透明電極からなるｎ側電極２２を形成する。この後、微小発光ダイオードが形成された半導体基板２０をチップ化し、集積型発光ダイオードを得る。 （もっと読む）

【課題】 極微細構造の半導体突起構造に対して容易且つ正確に集光手段を設け、取り出し効率または集光効率を格段に向上させて信頼性の高い半導体光学素子を実現する。
【解決手段】 レンズ９及びバッファー層６をマスクとして半導体層３，５及び量子ドット層４をウェットエッチングし、バッファー層６よりも更に幅狭に、バッファー層６の下部に唯一つの量子ドット４ａが位置するまで幅狭となるように半導体層３の上部、半導体層５、及び量子ドット層４を細らせる。これにより、半導体突起構造１１が、レンズ９及びバッファー層６と自己整合的に形成される。 （もっと読む）

【課題】 Ｃ面ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体特有のピエゾ電界を解消し、発光効率の向上を図ることができるとともに、発光波長のシフトを防止することができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１上に面方位がＣ面と異なる第１のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１２を成長させ、これをストライプ形状にパターニングする。この第１のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１２をシードとし、５０ｋＰａ以下の条件で面方位がＡ面の第２のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１３を横方向成長させ、その上に成長原料のＶ／ＩＩＩ比が１０００よりも高い条件で面方位がＡ面の第１導電型の第３のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１４を成長させる。その上に活性層１５および第２導電型の第４のＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１６を順次成長させ、発光ダイオード構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性および耐熱性に優れ、高出力発光可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、絶縁性基板が導電性部材により接合されてなる支持体と、該支持体に搭載される半導体素子とを有する半導体装置であって、支持体は、半導体素子１０２が配される凹部１０９と、該凹部１０９の側壁に配され半導体素子１０２を覆う透光性部材１０１とを備え、導電性部材は、半導体素子と電気的に接続されており、凹部１０９の底面に延出される第一の導電性部材１１０と、絶縁性基板により該第一の導電性部材１１０から絶縁され凹部１０９の側壁に配される第二の導電性部材１１１とからなる。 （もっと読む）