【課題】外部量子効率の高い発光ダイオードの生産性や信頼性を確保すること。
【解決手段】 膜厚約３５ÅのＩｎ_0.30Ｇａ_0.70Ｎから成る井戸層５１と膜厚約７ｎｍのＧａＮから成るバリア層５２とが交互に合計５層積層されたＭＱＷ構造の活性層５の上には、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎから成る膜厚約５０ｎｍのｐ型クラッド層６が形成されている。ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２００Åのｐ型コンタクト層７が形成されている。このｐ型コンタクト層７の上面には、結晶成長完了後にＨ₂ ガスとＨＣｌガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いた気相エッチングによって凹凸形状が故意に形成されている。そして、この凹部は六角錘が倒立した形状の多数の穴（ピット）から形成されている。透光性の電極９は、ｐ型コンタクト層７に接合する膜厚約３００ｎｍのＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率がより大きく改善され、小さい電力で良好な発光強度を得ることができる高性能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光層１ａを含むエピタキシャル成長させた窒化ガリウム系化合物半導体層１と、この窒化ガリウム系化合物半導体層１の一方主面１ｂ１に形成された導電性反射層２と、窒化ガリウム系化合物半導体層１の他方主面１ｃ１側の層１ｃに電気的に接続された導電層３とを具備し、窒化ガリウム系化合物半導体層１の他方主面１ｃ１は窒化ガリウム系化合物半導体層１をエピタキシャル成長させるために用いた基板４が除去された面か、またはこの面がエッチングされて形成された新たな面とされている発光素子である。基板４が除去された面側から基板４に吸収されることなく光を取り出すことができるので、基板４が除去された面側からの光取り出し効率がより大きく改善される。 （もっと読む）

本発明はオプトエレクトロニクス薄膜チップに関しており、本発明によれば、薄膜チップは薄膜層列（２）の活性ゾーン（７）内に少なくとも１つの発光領域（８）を有し、この発光領域の後方にレンズ（１０，１２）が配置されており、このレンズは薄膜層列（２）の少なくとも１つの部分領域から成り、レンズのラテラル方向の広がり（Φ）は発光領域のラテラル方向の広がり（δ）よりも大きい。さらに本発明はオプトエレクトロニクス薄膜チップの製造方法に関する。
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【課題】光反射層をオーバーエッチすることなく、ダイシング加工歪を完全に除去することができる光反射層付きＡｌＧａＰ発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ混晶からなる光反射層を形成し、その上にＡｌＧａＩｎＰ混晶からなるｐｎ接合を形成する。次に前記ｐｎ接合をダイシングにより分断後、硫酸＋過酸化水素水＋水の混合液よりなるエッチング液を用いてエッチング処理する。
１回目のダイシング分断がハーフダイシングであり、２回目のダイシングがフルダイシングであり、１回目のダイシング及び２回目のダイシング後に、それぞれ硫酸＋過酸化水素水＋水の混合液を用いてエッチング処理を行う。前記エッチング液がＨ₂ＳＯ₄:Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂Ｏ＝３：１：１の混合比である。 （もっと読む）

半導体発光デバイスは、発光面を有する半導体発光素子と、発光面の少なくとも一部の上に設けられた、透過性シリコーン及び蛍光体を含むパターニング可能な皮膜とを備える。パターニング可能な皮膜は、透過性シリコーン及び蛍光体を含む光パターニング可能な皮膜でもよいし、かつ／又は印刷可能な皮膜でもよい。パターニング可能な皮膜は、その内部に発光面の一部を露出させる開口を備え、開口内の発光面上にボンドパッドが設けてある。ボンドパッド上にワイヤボンドを設けることができる。これに関連する、半導体発光デバイスを作製する方法も提供する。
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【課題】 色および輝度のむらが極めて少ない発光ダイオードバックライト、発光ダイオードディスプレイおよび発光ダイオード照明装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードを基板１０１上にそれぞれ複数個配列することにより形成される発光ダイオードバックライト、発光ダイオードディスプレイまたは発光ダイオード照明装置において、赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一種類の発光ダイオードとして、同一の発光ダイオードウェハから得られたものを用い、あるいは、同一の発光ダイオードウェハから得られた複数の発光ダイオードをその内部における配列を維持して基板１０１上に配列する。 （もっと読む）

【課題】 発光層の材料をＩｎＧａＮとした紫外線発光素子の構造を最適化することによって、より高出力で長寿命の紫外線発光素子を提供すること。
【解決手段】 結晶基板Ｓの表面に凹凸１Ｓを加工し、該凹凸に、ＧａＮ系半導体低温バッファ層１を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層２を気相成長させる。該ＧａＮ系結晶層は、前記凹凸の凹部内を実質的に充填しかつ該凹凸を埋め込んで平坦化するまで成長させ、その上に、紫外線を発生し得る組成のＩｎＧａＮ結晶層を発光層として成長させて、紫外線発光素子とする。 （もっと読む）

高いフィルファクターを有するテクスチャード発光ダイオード構造体は、エピタキシャル横方向成長（ＥＬＯＧ）によってパターニングされた基板（１）に成膜されたドープＩＩＩ−Ｖ族若しくはドープＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含む第１のテクスチャードクラッド／コンタクト層（２）と、ＩＩＩ−Ｖ族若しくはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含み、電子と正孔の放射再結合又はサブバンド間遷移が発生するテクスチャード非ドープ又はテクスチャードドープ活性層（３）と、ドープＩＩＩ−Ｖ族若しくはドープＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含む第２のテクスチャードクラッド／コンタクト層（４）と、を含む。
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【課題】 逆方向電圧が高く安定性に優れ、かつ、生産性にも優れた反射率の高い化合物半導体発光素子用正極を提供すること。
【解決手段】 銀合金からなる反射層を有することを特徴とする化合物半導体発光素子用正極１０を形成し、銀のエレクトロマイグレーションを抑制する。反射層とｐ型半導体層５の間にコンタクトメタル層を形成し低接触抵抗を実現する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、クラックの発生を防止し、各窒化物半導体薄膜の各膜厚が均一で、表面平坦性が良好な成長面を得ることで、諸特性にばらつきが無く、歩留まり良く作製できる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、掘り込み領域内において、側面部と底面部の境界に窪みを形成するとともに、丘の両端部に突起部を形成することで、丘と掘り込み領域との間において、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子がマイグレーションなどで行き来することを抑制することにより、丘上において表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成でき、歩留まり良く窒化物半導体発光素子を製造できる。 （もっと読む）

本発明は、基板（１０１）上に複数の電気的に接続された有機光学電気装置（１１０）の製造方法を提供する。この方法は、第１に、前記基板上に第１の導電性材料のパターニングされた層（１０２）を供給し、第１の導電性材料上に有機光学電気材料層（１０３）を供給し、有機光学電気材料層上に第２の導電性材料のパターニングされた層（１０４）を供給し、第２の導電性材料の前記パターン化された層で覆われていない前記有機光学電気材料の領域を少なくとも部分的に除去することによって、複数の電気的に接続された有機光学電気装置を製造し、第２に、複数の有機光学電気装置の少なくとも２つを電気的に接続するための電気接続材（１０５）を供給する。
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【課題】 光取り出し効率がより大きく改善され、小さい電力で良好な発光強度を得ることができる高性能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光層１ａを含むエピタキシャル成長させた窒化ガリウム系化合物半導体層１と、窒化ガリウム系化合物半導体層１の一方主面１ｂ１に形成された透光性導電層２と、窒化ガリウム系化合物半導体層１の他方主面１ｃ１側の層１ｃに電気的に接続された導電層３とを具備し、窒化ガリウム系化合物半導体層１の他方主面１ｃ１から窒化ガリウム系化合物半導体層１をエピタキシャル成長させるために用いた基板４が除去されており、他方主面１ｃ１に反射層５が形成されている発光素子である。反射層５が基板４が除去された他方主面１ｃ１に形成されるため、反射層５の反射率を高くして一方主面１ｂ１側からの光取り出し効率を高くすることができる。 （もっと読む）

基板に対して垂直な側壁を備えた複数の半導体フィンガー部材を有する固体発光装置。多量子井戸が側壁上に基板に対して垂直に形成される。各多量子井戸は、フィンガー部材の側壁とフィンガー部材の導電型とは反対の第２半導体部材との間に挟まれる。電圧を受け入れるために、オーミックコンタクトが、フィンガー部材及び第２半導体部材に取り付けられる。装置は、放出された光がＵＶ領域となるようにＧａＮベースである。 （もっと読む）

本発明は、電子工学、光学または光電子工学での応用を目的とする構造体に関するものであり、該構造体は、周期表の第ＩＩ族の少なくとも一つの元素および／または周期表の第ＩＶ族の少なくとも一つの元素、および、Ｎ₂で構成された合金（この合金はＩＩ−ＩＶ−Ｎ₂と表記される）による、主として結晶質の層を含み、該構造体はさらに、ＩｎＮの層を含んでいる。他方、本発明は窒化インジウム層の実現方法と、基板を形成するプレート、並びに、窒化インジウムの成長に該プレートを応用することにも関するものである。 （もっと読む）

【課題】 取り出される光の色ムラを抑えた上、高光束化が可能な半導体発光装置、これを用いた照明モジュール及び照明装置、並びに半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体多層膜(12)と、半導体多層膜(12)を支持する基板(10)と、半導体多層膜(12)を覆って基板(10)上に形成された蛍光体膜(11)とを有し、蛍光体膜(11)は、基板(10)の主面(10a)に平行な方向に切断した断面の外縁が、略円形状又は５つ以上の辺を有する略正多角形状に形成され、基板(10)の主面(10a)の外縁(10c)は、基板(10)上の蛍光体膜(11)が形成された領域(10d)を囲み、かつ略円形状又は５つ以上の辺を有する略正多角形状に形成されている半導体発光装置(1)とする。 （もっと読む）

相対向する第１および第２の面を有する半導体基板と、第１および第２のデバイス部を含む、上記基板の第２の面上の少なくとも１つのデバイス層とを使用する半導体デバイスを形成する方法を提供する。第１のトレンチが上記基板の第１の面の上記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間に形成される。第２のトレンチが上記基板の第２の面の上記第１のデバイス部と第２のデバイス部との間に形成される。
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【課題】制御性及び安定性が高く、更に高精度且つ高アスペクト比の加工が可能な窒化物半導体のエッチング方法及び該エッチング方法を利用した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体層であるｐ型ＧａＮ層１０３を電解液１１０中に浸すと主に、紫外線防止膜１１２等によってｐ型ＧａＮ層１０３に対する紫外線の照射を抑制しながら、ｐ型ＧａＮ層１０３に対してバイアス源１０８を用いてバイアスを印加することによりエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系化合物半導体の製造プロセスにおいて、チップ分割する際に剥がれなどを発生させず、また、半導体層において短絡が発生せず、良好な特性および高い信頼性を有する窒化物系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 本発明は、導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 接着用金属層とオーミック電極との密着性、さらに導電性基板とオーミック電極との密着性を良好にして、信頼性の高く、歩留まりの良好な窒化物系化合物半導体発光素子、その構造体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 第一の導電性基板と、該第一の導電性基板上に形成された第一のオーミック電極と該第一のオーミック電極上に形成された接着用金属層と該接着用金属層上に形成された第二のオーミック電極と該第二のオーミック電極上に形成された窒化物系化合物半導体層とを含み、該窒化物系化合物半導体層は、少なくともＰ型層、発光層およびＮ型層からなり、かつ凹溝部を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造方法において、発光素子への損傷を発生させることなく、発光素子ウエハを加工位置精度良く切断してチップ化することを可能とする。
【解決手段】透明結晶基板１上に半導体層を積層した発光部２及び電極から成る発光素子パターン２０が複数形成されている発光素子ウエハ１０を発光素子パターン２０毎に切断して発光素子チップを得る発光素子の製造方法において、発光素子パターン２０部分に樹脂６を配置して樹脂６により発光素子ウエハ１０を透明な保持基板５上に接着する第１の工程と、樹脂６部分にレーザ光ＬＢが照射されない状態で保持基板５に接着された発光素子ウエハ１０にレーザ光ＬＢを照射することによりウエハ１０を発光素子パターン２０毎に切断する第２の工程と、を備える。 （もっと読む）