【課題】 活性層から放出される光の取り出し効率を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光層と金属電極との間にコンタクト層を選択的に設けることにより、オーミック接触と光反射とを両立させる。また、基板と電極との界面に反応抑制膜を選択的に設けることより、オーミック接触と光反射とを両立させる。また、基板の裏面に段差を設け、その側面において電極を接触させることにより、オーミック接触と光反射とを両立させる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の主面に効率良く量産に適した方法で凹部を形成した半導体発光素子用サファイア基板およびその製造方法を提供し、また、同時にこの方法で作成されたサファイア基板を用いて作製された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】鏡面研磨を行った主面に乾式または湿式のブラスト加工を施した後、熱リン酸または熱リン酸と熱硫酸の混酸または熱溶融水酸化カリウム中に浸漬し、エッチピットを有する半導体発光素子に適した単結晶サファイア基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造方法において、発光素子への損傷を発生させることなく、発光素子ウエハを加工位置精度良く切断してチップ化することを可能とする。
【解決手段】透明結晶基板１上に半導体層を積層した発光部２及び電極から成る発光素子パターン２０が複数形成されている発光素子ウエハ１０を発光素子パターン２０毎に切断して発光素子チップを得る発光素子の製造方法において、発光素子パターン２０部分に樹脂６を配置して樹脂６により発光素子ウエハ１０を透明な保持基板５上に接着する第１の工程と、樹脂６部分にレーザ光ＬＢが照射されない状態で保持基板５に接着された発光素子ウエハ１０にレーザ光ＬＢを照射することによりウエハ１０を発光素子パターン２０毎に切断する第２の工程と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、それぞれが少なくとも1つの動作可能な面を備える各光デバイスの機能性を拡張する方法に関する。この方法は、上記の動作可能な各面のそれぞれの位置を揃えて1つの複合面を形成するようにこの光デバイスを積み重ねることと、複製を受け入れるように構成された膜を上記複合面に被覆することと、この加えられた膜にナノ構造のパターンを複製することとを含んでいる。実質上、動作可能な各面のそれぞれの面が十分な分の上記複製されたナノ構造パターンで複製されて、上記ナノ構造に伴うある機能を遂行することによりデバイスの動作を拡張する。
（もっと読む）

【課題】 チップ表面を確実に保護し、チップ分離後の破砕層を均一に除去することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板に素子領域及び電極を形成する工程と、前記電極上に保護膜を形成する工程と、前記保護膜上にシートを貼り付ける工程と、前記半導体基板をチップ毎に分離する工程と、前記シートを制御された所定条件により引き伸ばす工程を備える。 （もっと読む）

【課題】異種基板を剥離する工程を含む窒化物半導体ウエハ又は窒化物半導体素子の製造方法において、異種基板剥離時の窒化物半導体層の破断を抑制する方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体と異なる異種基板１６上に成長された窒化物半導体層１８から、前記異種基板１６−窒化物半導体層１８界面に酸又はアルカリであるエッチング溶液を供給しながら、異種基板１６側から前記窒化物半導体層１８のバンドギャップ波長よりも短波長のレーザ光を照射することによって異種基板１６の剥離を行う。 （もっと読む）

【課題】複数の格子形を有するフォトニック結晶構造体を含む半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体層内の正孔の格子であるフォトニック結晶構造体を含む半導体発光装置。フォトニック結晶構造体は、複数の格子を含む。一部の実施形態では、装置は、半導体層の第１の領域上に形成された第１の格子と半導体層の第２の領域上に形成された第２の格子とを含む。第１の格子のパラメータは、装置からの全放射パワーを最大化するように選択することができる。第２の格子のパラメータは、スタックの表面上の３０°円錐内への光の抽出を最大化するように選択することができる。 （もっと読む）

【課題】 光取出し効率の向上を図ることの可能な光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光取出し面側に球状曲面を有する基板３と、活性層１ｂ及びこれを挟むクラッド層１ａ、１ｂを備え、その表面側において基板３と接する半導体層１と、半導体層１の中心及び／又は放射状に配置されたトレンチ内に充填形成される第1の電極４と、半導体層の裏面側に形成される第2の電極６を備える。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも光取り出し効率の向上した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体多層膜の主面に対向する面に２次元周期構造の凹凸を形成し、他方の面に高反射率の金属電極を形成する。２次元周期構造の回折効果を利用することにより、凹凸を形成した面からの光取り出し効率を向上させることができる。また、高反射率の金属電極により、金属電極側に放射された光を凹凸が形成された面に反射させることにより、上記の２次元周期構造による効果を倍増させることができる。 （もっと読む）

【課題】 導電性基板とオーミック電極との密着性を良好にして、信頼性の高い窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の窒化物系化合物半導体発光素子によれば、支持基板と、該支持基板上に形成された第一のオーミック電極と、該第一のオーミック電極上に形成された接着用金属層と、該接着用金属層上に形成された第二のオーミック電極と、該第二のオーミック電極上に形成された窒化物系化合物半導体層と、該半導体層の略全上面に形成された透明電極と、前記支持基板の裏面に形成されたオーミック電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】 亀裂やピットの発生が少ない平坦性に優れた低抵抗のｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を提供し、それを用いて順方向電圧が低く、かつ発光効率が優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 ｎ型不純物原子高濃度層とｎ型不純物原子低濃度層とを相互に積層したことを特徴とするｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体、および基板とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層との間に前記ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

横型接合半導体デバイスおよびこれを製作する方法であって、一連の実質的に平行な平面をなして配置された半導体材料の複数の層によって形成されたスタックを有する半導体構造２を取るステップであって、第１層４の中の半導体材料は第１濃度での第１極性の過剰電荷キャリアを有するステップと、第１方向に沿ってアクティブ層８の中の第１極性の電荷キャリアの濃度の漸次的変化を提供するために、半導体材料を第１層４から、構造体の中の層の平面と実質的に平行な第１方向に沿って変わる深さまで選択的に除去するステップとを備える方法。前記横型接合半導体デバイスを備える光子源。
（もっと読む）

ＬＥＤ光放出表面の表面形態は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを光放出表面に適用することによって変化させられる。角錐台など、エッチングされた特徴は、ＲＩＥプロセスに先立って、のこ歯またはマスク式エッチング技法を使用してその表面に切り込むことにより、放出表面上に形成することができる。側壁カットもまた、ＲＩＥプロセスに先立って放出表面中において行うことができる。ソー切り込みに関連する、光を吸収する損傷材料層が、ＲＩＥプロセスによって除去される。ＲＩＥプロセスによって作製された表面形態は、グリット研磨やドライエッチングが後に続く粗面化された材料または粒子の層の堆積などの非ＲＩＥプロセスの異なる様々な組合せを使用してエミュレートすることができる。
（もっと読む）

【課題】 発光層部の裏面側に、切欠部を介して吸収性の基板が残されている構造を採用し、かつ、該切り欠き部側に放出される発光光束の取り出し効率をより高めることができる発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１００の素子チップ１００Ｃにおいて、光吸収性のベース半導体層１が、切り欠き部１ｊの内側面を形成する本体部１ｍと、該本体部１ｍの第二主表面側端部に一体化された鍔状部１ｇとを有する。該鍔状部１ｇの第二主表面は金属ステージ５２に対し金属ペースト層１１７により接着される。該金属ペースト層１１７は、鍔状部１ｇの第二主表面面内方向において、該鍔状部１ｇの周側面よりも外側にはみ出した部分が、該周側面を経て該鍔状部１ｇの第一主表面側に回り込む回り込み肉盛部１１７ｍを形成する。 （もっと読む）

一つ以上のＩＩＩ族窒化物材料領域（例えば、窒化ガリウム物材料領域）を含む半導体構造、及びこのような構造に関連する方法が提供される。ＩＩＩ族窒化物材料領域は転位密度が低いので、特にらせん転位密度が低いので有利である。或る実施形態では、ＩＩＩ族窒化物材料領域のらせん転位をほぼ無くすことができる。ＩＩＩ族窒化物材料領域下での歪吸収層の形成、及び／又は処理条件によってらせん転位を低くすることができる。或る実施形態では、らせん転位が低いＩＩＩ族窒化物材料領域は窒化ガリウム物材料領域を含み、この窒化ガリウム物材料領域は素子の活性領域として機能する。活性領域（例えば、窒化ガリウム物材料領域）のらせん転位を低くすることにより、種々の効果の中でもとりわけ、電子輸送能が高くなり、非放射性再結合が少なくなり、そして組成／成長に関する均一性が高くなって特性（例えば、電気特性及び光学特性）が向上する。
（もっと読む）

本発明によるＬＥＤ装置は、ＬＥＤと、基板上に蛍光薄膜が積層されており、前記蛍光薄膜の前面方向に二次元ナノ周期構造体が形成されている蛍光薄膜／基板積層体とを含み、前記蛍光薄膜の消滅係数（ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）が１０^−３以下であることを特徴とする。従来のＬＥＤに比べて、発光効率及び輝度に非常に優れており、蛍光体の使用量が少なく、且つスラリーを使用しないため、光学的な均一性と製造コストの節減という効果を有する。 （もっと読む）

【課題】 短絡による不具合発生を抑えることと、絶縁性保護膜を剥離無く形成させるといったトレードオフの現象を両立させ得る窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板の上面側に順次形成されたｎ型ＧａＮ系半導体層３１、発光層ｐ型ＧａＮ系半導体層３２、ｐ電極２２と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層および発光層、およびｎ型ＧａＮ系半導体層の一部を除去して露出させた前記ｎ型ＧａＮ系半導体層３１の上に形成されたｎ電極２１とを有し、
ｐ電極２２の周囲にはｐ型ＧａＮ系半導体層３２が露出していて、ｎ電極２１の周囲にはｎ型ＧａＮ系半導体層３１が露出していて、露出したｎ型ＧａＮ系半導体層３１の周囲にはｐ型ＧａＮ系半導体層３２が露出しており、ｐ電極２２およびｐ型ＧａＮ系半導体層３２の所定部分の上に絶縁性保護膜１が形成されてなる半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する。
【解決手段】 本発明では、サファイア基板１００上に設ける、基板１００と接合する領域に単結晶層を備えた低温緩衝層１０１にあって、その単結晶層を、サファイアの［２．−１．−１．０．］方向に、［１．０．−１．０．］方向を平行にして画一的な方向に配向したＧａをＡｌに比べて富裕に含む六方晶のＡｌ_ＸＧａ_ＹＮ（０．５＜Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ＝１）単結晶から構成する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 結晶方位のずれの発生を抑制した半導体素子を提供する。
【解決手段】 複数のファセット１が配列された下地半導体層２の配置面に対して、ファセット１が傾斜面として形成され、下地半導体層２を覆う選択成長埋込み半導体層３に形成される低欠陥領域に半導体素子本体が形成され特性の改善が図られる。 （もっと読む）

【課題】 フリップチップ接合により実装して半導体発光装置とするためのＧａＮ系化合物半導体を用いた発光素子であって、該素子内部で発生する光をより有効に活用し得る半導体発光素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 透光性を有する支持基板の一方の面に、ｎ層、発光層、ｐ層が順次積層され、且つｎ型電極を前記ｎ層上に形成するための凹部を有するＧａＮ系化合物半導体層を含む半導体発光素子であって、前記凹部は、前記ｐ層側を広い開口、前記ｎ層側を狭い底面とする傾斜面を有し、少なくとも該傾斜面に前記発光層から放射される光を前記支持基板側へ反射するための反射層を有するものであり、前記反射層は、透明導電層を介して前記傾斜面に形成されてなり、該透明導電層を介して前記ｐ層と電気的に接続しているものであることを特徴とする半導体発光素子である。 （もっと読む）