【課題】 構造が簡単であるために製造が容易で、大きな発光効率を長時間にわたって安定して得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】 発光装置は、窒化物半導体基板としてのＧａＮ基板１と、窒化物半導体基板の第１の主表面の側に、ｎ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層３と、窒化物半導体基板から見てｎ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層３より遠くに位置するｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５と、ｎ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層３およびｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の間に位置する量子井戸４とを備えた発光装置である。この発光装置では、窒化物半導体基板の比抵抗が０．５Ω・ｃｍ以下であり、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、窒化物半導体基板の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出する。窒化物半導体基板の第２の主表面１ａには溝８０が形成されている。 （もっと読む）

一実施形態においては、有機組成物のための閉じ込め構造を提供する。この閉じ込め構造は、アンダーカット層と上層とを含み、アンダーカット層および上層が、液体形態の有機組成物を収容するための容積を画定している。
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【課題】 信頼性および耐熱性に優れ、高出力発光可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、絶縁性基板が導電性部材により接合されてなる支持体と、該支持体に搭載される半導体素子とを有する半導体装置であって、支持体は、半導体素子１０２が配される凹部１０９と、該凹部１０９の側壁に配され半導体素子１０２を覆う透光性部材１０１とを備え、導電性部材は、半導体素子と電気的に接続されており、凹部１０９の底面に延出される第一の導電性部材１１０と、絶縁性基板により該第一の導電性部材１１０から絶縁され凹部１０９の側壁に配される第二の導電性部材１１１とからなる。 （もっと読む）

【課題】
フェースアップ実装された半導体発光素子から効率よく光を取り出すことが出来る発光装置を提供する
【解決手段】
ｐ層及びｎ層が積層され、前記ｐ層と電気的に接続しているｐ電極及び前記ｎ層と電気的に接続しているｎ電極が同一面に形成さている半導体発光素子と、
前記半導体発光素子は前記ｐ電極及び前記ｎ電極のそれぞれに電気的に接続する回路を有するマウント部材に電極を上面にしてマウントし、前記ｐ電極及び前記ｎ電極は、前記マウント部材の前記回路に導電性ワイヤを介して接続され、
前記半導体発光素子は、前記ｐ層から前記ｎ層までの斜面を有し、前記斜面は表面凹凸構造からなる発光装置。 （もっと読む）

【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。
【解決手段】(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。
この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(ｂ)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(ｃ)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 （もっと読む）

【課題】全体的に略正六角柱状をしていながら、単結晶基板の有効利用が可能である半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】半導体発光装置（１０）は、ベース基板（１２）と、当該ベース基板（１２）上に配された、半導体多層膜（２０）を含む３個のＬＥＤチップ（１４Ａ）〜（１４Ｃ）とを有する。半導体多層膜（２０）は、六方晶系の結晶構造をしており、発光層（２４）を含む。ＬＥＤチップ（１４Ａ）〜（１４Ｂ）は、平面視で内角が略６０度と略１２０度である菱形をしている。これらのＬＥＤチップ（１４Ａ）〜（１４Ｃ）は、平面視で、大きい方の内角に対応する頂点部分が付き合わされるように組み合わされて、ベース基板（１２）上に配されている。これにより、ＬＥＤチップ（１４Ａ）〜（１４Ｃ）は、ベース基板（１２）上に配された状態で、平面視で全体的に略正六角形に見える。 （もっと読む）

【課題】
フリップ実装された半導体発光素子側面に達する光を効率よく光を取り出すことが出来る発光装置を提供する。
【解決手段】
ｐ層及びｎ層が積層され、前記ｐ層と電気的に接続しているｐ電極及び前記ｎ層と電気的に接続しているｎ電極が同一面に形成さている半導体発光素子と、前記半導体発光素子は前記ｐ電極及び前記ｎ電極のそれぞれに電気的に接続する回路を有するマウント部材にフリップ実装し、前記半導体発光素子は、前記ｐ層から前記ｎ層までの斜面を有し、前記斜面は表面凹凸構造である発光装置。 （もっと読む）

【課題】レンズの大きさを任意に形成し、放射角または受光径を任意に変化させることができる電気光学素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板の表面に形成されている電気光学素子が有する発光面または受光面の光路上の基板の裏面に、基板開口部を有する凹部が形成されており、また、当該光路上に層開口部を有する層が形成されている。当該凹部の内部及び当該層開口部の壁面で規定される大きさを有する光学部材を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の光抽出効率（ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）を高めると共に発光素子の寿命及び動作信頼性を向上させることができる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は表面が所定のパターンにエッチングされた基板４０１と、前記基板４０１のエッチングされない領域上に設けられ、第１バッファー層４０３と第１窒化物半導体層４０５とが積層形成される突出部と、前記基板のエッチングされた領域に形成される第２バッファー層４０９と、前記第２バッファー層４０９及び前記突出部の上に形成された第２窒化物半導体層４１１と、前記第２窒化物半導体層４１１上に形成された第３窒化物半導体層４１３と、前記第３窒化物半導体層４１３上に形成されて光を放出する活性層４１７と、及び前記活性層４１７上に形成された第４窒化物半導体層４１９を含む窒化物半導体発光素子を開示する。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単なために製造が容易で、大きな発光効率を長期間安定して得ることができる発光装置を利用した車両用のヘッドランプを提供する。
【解決手段】 車両用のヘッドランプであって、１つまたは複数の発光装置（ＬＥＤ）を含む光源と、当該光源を車両に固定するためのベース部材（架台および後部筐体）とを備える。ＬＥＤは、ＧａＮ基板１と、ＧａＮ基板１の第１の主表面の側に、ｎ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層３と、ＧａＮ基板１から見てｎ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層３より遠くに位置するｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５と、ｎ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層３およびｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の間に位置する量子井戸４とを含む。このＬＥＤでは、ＧａＮ基板１の比抵抗が０．５Ω・ｃｍ以下であり、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、ＧａＮ基板１の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出する。 （もっと読む）

【課題】高効率半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板21上に物質層及び金属層を順次に形成させ、金属層を陽極酸化してホールが形成された金属酸化層に形成させ、それ自体で凹凸構造パターンとして使用するか、金属酸化層のホールに対応するように金属酸化層下部の基板または物質層内にホールを形成させて凹凸構造パターンとして使用して、その上部に第１半導体層23、活性層25及び第２半導体層26を順次に形成させることによって凹凸構造を備える半導体発光素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン光素子の製造方法及びそれにより製造されたシリコン光素子、並びにそれを適用した画像入出力装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を準備する工程と、基板一面の少なくとも一部位に、微小キャビティを持つ微小欠陥屈曲を形成するためのポリシリコンを形成する工程と、ポリシリコンが形成された基板の面を酸化させるシリコン酸化層の形成過程で、ポリシリコンと前記基板をなす物質との酸化率差に起因して、シリコン酸化層と基板との界面に微小キャビティを持つ微小欠陥屈曲を形成する工程と、シリコン酸化層のポリシリコンが形成されていた部位をエッチングして、シリコン酸化層の形成過程で、シリコン酸化層と基板との界面に形成された微小欠陥屈曲を露出させる工程と、露出された微小結合屈曲部分を基板と反対型にドーピングして、ドーピング領域を形成する工程と、を含むことを特徴とするシリコン光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光素子の外囲器における放熱効率を改善する。
【解決手段】リードフレーム１１に発光素子１ａの下面の電極を接続し、別のリードフレーム１２に発光素子１ａ’の下面の電極を接続する。この構成により、発光素子１ａの発する熱はリードフレーム１１を通じて放熱され、発光素子１ａ’が発する熱はリードフレーム１２を通じて放熱されるようになり、放熱効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】 複数の発光部で発光された光を効率よく取り出すことができるようにする。
【解決手段】 本発明に係る光半導体装置は、GaAs基板１上に互いに分離して形成される複数のLED２と、これら複数のLED２のそれぞれに対応して設けられる複数の光取り出し部３とを備えている。基板上に縦横に複数の光セル１０を配置し、個々の光セル１０に対応させて半球状の光取り出し部３を設けるため、基板の全面で発光させる場合と比べて、光セル１０で発光された光を効率よく外部に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造を含む発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】凹凸構造で形成された第１半導体層２２と、第１半導体層２２の凹凸構造のパターン間に形成された中間層２３と、第１半導体層２２及び前記中間層２３上に順次に形成された第２半導体層２４、活性層２５及び第３半導体層２６と、を備える凹凸構造を含む半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層と、該エピタキシャル層と境界面を形成する反射層とを有する従来の発光ダイオード素子において、エピタキシャル層と反射膜との剥離、及び反射層の形状に起因する素子内部でのクラックの発生があった。
【解決手段】エピタキシャル層の一方の面に選択的に凹部を形成し、反射層を、該反射層の上面を凹部の開口縁部と略面一に露出させて凹部に埋設するように形成して解決した。 （もっと読む）

【課題】ファセットＬＥＰＳ法を用いてＧａＮ系結晶を歩留り良く製造する方法を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体結晶がｃ軸配向し得る主面Ｓを有する異種基板１を用い、該主面にドライエッチングにより凹凸加工を施して、段差０．５μｍ以下の段差部で区画された凹部底面１ａと凸部上面１ｂとを有する凹凸面とする。次に、前記凹部底面１ａおよび凸部上面１ｂのそれぞれに、斜めファセット２ｆを側壁面として有する窒化物半導体の結晶単位２を成長させた後、上面が平坦化した結晶層となるように前記結晶単位同士を互いにつなげて成長させ、窒化物半導体結晶層３とし、窒化物半導体結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】光透過性の電極膜と金属膜とが複合化された電極を備えた従来のＧａＮ系ＬＥＤにおいては、発光が金属膜の射影領域において最も強くなるが、直上に位置する金属膜によって外部への取り出しが妨げられるために、発光効率が低下するという問題がある。
【解決手段】本発明に係るＧａＮ系ＬＥＤは、金属材料からなる電流拡散層と、透光性電極層とが複合化された電極を備え、電流拡散層と窒化物半導体層との界面の接触抵抗が、透光性電極層と窒化物半導体層との界面の接触抵抗よりも大きくなるように、窒化物半導体層の伝導型に合わせて、電流拡散層および透光性電極層の材料が選択される。そのため、窒化物半導体層に供給される電流は、透光性電極層と窒化物半導体層との界面を横切る経路に集中し、電流拡散層の射影領域での発光が抑制される。 （もっと読む）

構成素子内の熱応力を低減乃至補償するために、光出射半導体層、又は、光出射半導体素子、２つのコンタクト個所及び垂直又は水平に構造化された支持体基板を有する半導体構成素子、及び、半導体構成素子の製造方法が開発されている。熱応力は、プロセシング中及び作動中の温度変化によって、及び、半導体及び支持体基板の種々異なる膨張係数に基づいて生じる。支持体基板は、熱応力を、構成素子が故障しないように十分に小さくし、乃至、補償するように構造化されている。
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【課題】 ウェハ全面に均一に、簡易かつ高い歩留まりでウェハボンディングを行うことができる発光ダイオードの製造方法を提供すること。
【解決手段】 発光層７を有する第１のウェハ２２の表面に、発光層７からの光に対して透明なＧａＰ基板である第２のウェハ２３を配置する。締め付け面圧5〜500kg/cm²の範囲において、応力緩和率1.5〜3.0％を有する緩衝膜２４を介して、第１および第２のウェハ２２，２３の接触面に圧縮力を作用させると共に、加熱炉で加熱する。第１および第２のウェハ２２，２３を、接合不良を生じることなく全面に亘って接合することができる。 （もっと読む）