【課題】白色発光ダイオードの演色性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１１０上にポーラスシリコン層１０９が形成され、ポーラスシリコン層１０９上に窒化アルミニウムよりなるバッファ層１０１、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ層１０２、ＩｎＡｌＧａＮ活性層１０６、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層１０３が順次形成され、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層１０３およびＩｎＡｌＧａＮ活性層１０６の一部がエッチングされてｎ型ＩｎＡｌＧａＮ層１０２の表面が露出した面の上にチタン／アルミニウム電極１０７が形成され、ｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層１０３の上には透明電極１０５および金電極１０４が順次形成されさらにシリコン基板１１０から金電極１０４までを覆うようにＹＡＧ蛍光体１０８が形成された構成を有している。 （もっと読む）

【課題】改善された外部光子効率を有する垂直構造３族窒化物発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】３族窒化物発光素子の製造方法は、母基板１５１上にアンドープＧａＮ層１５３および絶縁層１５４を順次に形成する段階と；上記絶縁層を選択的に蝕刻して絶縁層パターン１５４ａを形成する段階と；上記絶縁層パターン上にｎ−ドープＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎ層１１０、活性層１０７およびｐ−ドープＡｌ_ｍＧａ_ｎＩｎ_{（１−ｍ−ｎ）}Ｎ層１０５を順次に形成する段階と；上記ｐ−ドープＡｌ_ｍＧａ_ｎＩｎ_{（１−ｍ−ｎ）}Ｎ層上に導電性基板１０１を形成する段階と；上記母基板、アンドープＧａＮ層および絶縁層パターンを除去する段階と；上記ｎ−ドープＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎ層の露出面の一部領域上にｎ側電極１２３を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 発光強度を低下させずに発光素子の消費電力を低減することのできる発光素子、発光素子の製造方法、およびＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤの積層構造５０は、一方の主面１ａがＮ面により構成され、他方の主面１ｂがＧａ面により構成されたＧａＮ基板１と、ＧａＮ基板１の一方の主面１ａまたは一方の主面１ａ側に形成された反転層１０と、反転層１０の表面１０ａに隣接して形成され、表面１１ａがＧａ面により構成されたＧａＮ再成長層１１と、ＧａＮ再成長層１１の表面１１ａに隣接して形成され、かつＧａＮ基板１と電気的に接続されたｎ電極９ｂと、ＧａＮ基板１の他方の主面１ｂ側に形成され、電流の注入により発光する発光層４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率に優れ、かつ良好な配光均一性を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層された発光素子において、光取出し面が透光性膜からなり、該透光性膜の表面が該基板面に対して傾斜した平面で構成される凹凸を有していることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤが実装される反対面に金属材質からなる熱放出手段を備え、ＬＥＤからの熱を容易に外部放出して、ＬＥＤの特性変化を防止しその寿命を向上させるＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板２１１及びＳｉ基板２１１の上下面に形成された絶縁膜２１２からなり、Ｓｉ基板２１１の下面にＳｉ基板２１１及び絶縁膜２１２の一部が除去された少なくとも一つの凹部ｇが形成された支持用構造物２１、支持用構造物２１の上面に形成された複数個の上部電極２２、支持用構造物２１の上面に搭載され上部電極２２と電気的に接続された少なくとも一つのＬＥＤ３１及び支持用構造物２１の下面に形成された凹部ｇを埋め込む金属充填物２３を含むＳｉ基板２１１を利用したＬＥＤパッケージ。 （もっと読む）

【課題】 端面がへきかいによって形成され、従来よりも基板面の利用率が高く容易に製造可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶性の基板１１１と、基板１１１の一方の基板面上に設けられた、活性層を含む半導体層１１２と、基板１１１の半導体層１１２が設けられた基板面と反対側の基板面上に設けられた複数の第２の電極１３１ａ、１３１ｂと、半導体層１１２上の各第２の電極１３１ａ、１３１ｂに対向する位置に設けられた複数の第１の電極１２１ａ、１２１ｂとを備え、各第２の電極１３１ａ、１３１ｂが、へきかい位置を設定するへきかい位置指定領域１３４が隣り合う第２の電極１３１ａ、１３１ｂ間に形成される形状を有し、へきかい位置指定領域１３４が、基板１１１の端の部分であるスクライブ領域１３２、１３３で広がり、へきかい位置指定領域１３４内に基板の一部が除去された溝を有する構成を有している。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の発光効率を上げること、ダメージの少ない発光素子を収率良く得ることにある。
【解決手段】基板と、第１導電型の半導体層、発光層及び第２導電型の半導体層とを含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層の表面の少なくとも一部に接する透光性の電極と、透光性の電極の接する半導体層とは逆導電型の窒化物半導体層に接触する第２の電極とを含む窒化物半導体発光素子であり、その素子は周縁部で基板の表面が半導体層の除去により露出した領域を有するものであり、かつ素子の周縁部以外の、透光性の電極に接している窒化物半導体の少なくとも一部分が基板に達するまで除去され、基板が露出した領域を有する構造からなっている。
上記における半導体層の除去はレーザーと湿式エッチングにより行われる。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮから放射された光の再入射を生じることなく、更なる光取り出し効率の向上を図ることのできる発光素子およびこれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤ素子２のサファイア基板２０に、４面の第１傾斜部２０１からなる四角錘状凹部である複数の錘状部２００Ａを格子状に配列して錘状加工部２００を形成したので、ｎ−ＧａＮ層２１を介して入射する青色光がＧａＮとサファイアとの臨界角に基づいて全反射されることを低減できる。また、ＧａＮとサファイアとの界面で全反射された青色光についても反射方向にある他の第１傾斜部２０１の臨界角範囲に入射すればサファイア基板２０に入射することができるので、光取り出し効率を向上させることができる。
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ＩｎＧａＡｌＮ膜をシリコン基板上に形成する方法が提供され、上記方法は、シリコン基板上に溝およびメサを有するパターン構造を形成するステップと、基板の表面上にＩｎＧａＡｌＮ膜を堆積させるステップとを包含し、溝の深さは６ｎｍよりも大きく、溝の両側のメサに形成されたＩｎＧａＡｌＮ膜は、水平方向にはつながっていない。本発明の方法は、高性能で、クラックのない、大きな面積のＩｎＧａＡｌＮ膜を、単に基板を処理することにより、成長させ得る。同時に、上記シリコン基板を用いることにより、ＩｎＧａＡｌＮ発光デバイスを形成する方法もまた、提供される。
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発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。
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【課題】 パッケージ等に取り付けたれたとき、パッケージ等の反射効率に関係なく、光取り出し効率を格段に向上させることができ、かつ、量産性に優れる半導体発光素子、その半導体発光素子を備えた半導体発光装置およびその半導体発光素子を製造できる半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 透明基板２の表面に、発光部１を取り付ける第１平面部１２と、発光部１の発光層７に対して４５度以上９０度未満の角度をなす斜面１３,１４を形成する。また、斜面１３に裏面電極３を形成すると共に、発光部１の表面に表面電極４を形成する。 （もっと読む）

【課題】これまでＡｌＮ、または、０．９以上の高ＡｌＮモル分率のＡｌＧａＮの選択横方向成長は不可能であった。
【解決手段】ＧａＮに対してすでに応用されている選択横方向成長技術を前記材料に応用する。ＡｌＮの横方向成長の困難さを克服するため、半導体成長用基板の主面の一部に、窒化物系半導体層の成長を抑制する加工部を形成し、前記加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚が、非加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚の１／１０以下であるようにしてエピタキシャル基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】隣接する発光素子間の光干渉を防止し、各発光素子から放出される光を損失なくステムの前方に集光できると共に、サブマウントに貫通ホールを形成してサブマウントをステムに容易に接合できる光源装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光源装置は、一面に配線用電極１１１が形成されるステム１１０と、一面にグルーブ１２１ａが形成され、前記グルーブ１２１ａ内に貫通ホール１２２が形成される本体部１２１、前記貫通ホール１２２を貫通して前記本体部１２１の一面に形成される第１電極１２５、前記第１電極１２５及び配線用電極１１１に電気的に連結されるように、前記本体部１２１の他面に形成される第２電極１２７、並びに前記第１電極１２５に形成される半田層１２９を備えるサブマウント１２０と、前記グルーブ１２１ａに挿入され、前記サブマウント１２０の半田層１２９に接合される発光素子１３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハをブレイクした際に個々の半導体チップの端面に発生するバリのない半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に半導体層を積層し、複数の半導体チップを形成した半導体ウェハ１０の裏面に個々の半導体チップを区切る第１の溝２６をダイシングによって設ける。半導体ウェハ１０の第１の溝２６を設けた面とは逆の面全体に粘着テープ３１を貼り付け、粘着テープ３１の上からローラによって半導体ウェハ１０を加圧し、ブレイクする。粘着テープ３１によって半導体ウェハ１０を元の形状に保持したまま、第１の溝２６の底の、ブレイクした半導体ウェハ１０が接してなす分割ライン上に第１の溝２６よりも幅の狭い第２の溝２８を設ける。 （もっと読む）

【課題】 光の取り出し効率を高めることができる半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 半導体層１０の第１クラッド層１１の側には、第１領域１０Ａに第１電極２０を設けると共に、それ以外の第２領域１０Ｂに高反射膜３０を設ける。半導体層１０の第２クラッド層１３の側には、第１領域１０Ａに対向する第３領域１０Ｃと、それ以外の第４領域１０Ｄとを設け、第４領域１０Ｄ内には第２電極４０を設けると共に、第３領域１０Ｃに対向するように半導体層１０の一部が削除された凹部５０を設ける。電流は凹部５０の周辺を流れ、高反射膜３０の上部で発光が生じ、その光は高反射膜３０で効率よく反射させて外部に取り出される。凹部５０は、活性層１２まで、あるいは、第１クラッド層１１の厚み方向一部まで削除して設けてもよい。更に、凹部５０の底面に反射膜を設け、凹部５０の側面から出射される光を反射させて外部に取り出すようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】トリアルキルガリウムの製造原料として従来用いられていない新たなガリウム原料を用いて収率良くトリアルキルガリウムを製造できる方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）
Ｇａ_２Ｒ_ｍＸ_６−ｍ (１）
（式中、Ｒはメチル基又はエチル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。ｍは１〜５の整数を示す）
で表される少なくとも１種のハロゲン化アルキルガリウム化合物と、少なくとも１種のアルキル金属化合物とを反応させることによりトリアルキルガリウム化合物を合成するトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体薄膜を、ボンディングにより基板に接着して形成した半導体複合装置では、ボンディングによる位置精度が低いため、半導体薄膜に形成される光学素子を設計上の所定の配列位置に形成するのが困難であった。
【解決手段】
Ｓｉ基板１１上に形成した第１メタル層１３上に、発光素子領域のｐ型不純物拡散領域２０を複数形成した半導体薄膜１４をボンディングし、このボンディング後に、半導体薄膜１４を覆う遮光膜としての第２メタル層１５に、例えばフォトリソグラフィ技術によって導体薄膜１４の発光素子領域に対向する位置に、光を通過させる開口部１５ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、ガリウムとマグネシウムと塩化アルキルとの反応によりトリアルキルガリウムを高収率で製造できる方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種のエーテル化合物中で、真空加熱された上記混合物と塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 光半導体装置において、装置内で発生した光を外部に取り出す発光効率は、光素子の集積度が増すほど、電極配線等に遮られて低下する。
【解決手段】 基板１１上に半導体薄膜１２を設け、その上に設けた層間絶縁膜１４の開口部１４ａを介して、半導体薄膜１２の最上層のコンタクト層１２ｄと電気的にコンタクトする透明導電膜１５を層間絶縁膜１４上に設け、この透明導電膜１５とコンタクトする透明導電膜１５を半導体薄膜１２の形成領域外まで延在させ、この領域外で、透明導電膜１５と電気的に接続するメタル層の導通層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の電極パッドを利用してプロービングを行う場合、電極パッドが酸化している場合、酸化膜を破って低接触抵抗とするためにプローブ針の針圧を高くする必要があった。この場合、それだけ針先端のパッド上での移動量が大きくなり、その分だけパッド面積を大きくする必要があった。そのため、半導体素子形成領域外に、面積の大きな電極パッドを設ける必要があり、それだけ半導体素子チップのチップ幅が大きくなって、チップ幅の縮小（チップシュリンク）が困難になるという課題があった。
【解決手段】 半導体装置１０のＳｉ基板１１上に設けた入力電極パッド１４，１５及び出力電極パッド１６を、貴金属等の酸化しにくい被覆層１７で覆うように形成する。 （もっと読む）