【課題】
高抵抗領域と低抵抗領域が隣接して形成されると、境界部に電流集中が生じる。
【解決手段】
窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に配置され、ｐ型層、活性層、ｎ型層を含む窒化物半導体積層と、ｐ型層と基板との間に形成されたｐ側電極と、ｎ型層上の限定された領域に形成されたｎ側電極と、ｎ側電極に対向する領域を含んで、ｐ型層内、またはｐ型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、高抵抗領域外側のｐ型層に形成され、ｐ側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、高抵抗領域と低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子（窒化物半導体素子）１は、主面１０ａを有する基板１０と、ｎ型層２０ａ、ｎ型コンタクト層２０ｂおよびｐ型層２０ｄを含む半導体層２０と、を備える。主面１０ａはｍ面に対してａ軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層２０は、傾斜領域２１と非傾斜領域２２とを含む。傾斜領域２１において、ｎ型層２０ａおよびｎ型コンタクト層２０ｂの所定領域上にｎ電極４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】キャップ層表面でのひび割れの発生を抑制することが可能な、半導体発光デバイス及び半導体発光デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光デバイスは、所定の基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の一部に形成された量子井戸層と、量子井戸層上に形成された、ｐ−ＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に形成された、ｐ−ＩｎＧａＮからなるキャップ層と、キャップ層上、及び、量子井戸層の形成されていないｎ型窒化物半導体層上にそれぞれ形成されたコンタクト電極と、を備える。本発明に係る半導体発光デバイスのキャップ層では、当該キャップ層とｐ型窒化物半導体層との間の界面からコンタクト電極の形成された側の面に向かうにつれて、キャップ層に含まれるＩｎの割合が増加する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光装置に関する。
【解決手段】本発明は、互いに対向する第１及び第２面とを有し、上記第１及び第２面を夫々提供する第１及び第２導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、分離溝によって第１及び第２領域に分割された半導体積層体と、上記第１領域の第２面から上記活性層を経て上記第１導電型半導体層の一領域に連結された少なくとも一つのコンタクトホールと、上記半導体積層体の第２面上に形成され、上記少なくとも一つのコンタクトホールを介して、上記第１領域の第１導電型半導体層に連結され、上記第２領域の第２導電型半導体層に連結された第１電極と、上記第１領域の第２面上に形成され、上記第１領域の第２導電型半導体層に連結された第２電極と、上記第２電極と上記第２領域の第１導電型半導体層とを連結する電極連結部と、を含む半導体発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、ｐコンタクト層とＩＴＯ電極とのコンタクト抵抗を低減すること。
【解決手段】III 族窒化物半導体発光素子は、ｐコンタクト層１５上にＡｌＧａＮからなるドット状構造体１６を有し、ｐコンタクト層１５上およびドット状構造体１６上にＩＴＯ電極１７が形成されている。ドット状構造体１６は、ｐコンタクト層１５表面にドット状のＡｌＧａＮが点在した構造である。ドット状構造体１６のＡｌが酸素と結合するため、ｐコンタクト層１５とＩＴＯ電極１７との界面に酸素が増加する。その結果、ｐコンタクト層１５とＩＴＯ電極１７とのコンタクト抵抗が低減される。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に減少させることができる新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板１を提供する工程と、前記成長基板１に複数の溝１ａを形成する工程と、前記成長基板１に半導体素子層２を形成する工程と、前記成長基板１から前記半導体素子層２を分離するように、前記成長基板１及び前記半導体素子層２の温度を変更する工程と、を備えている。成長基板と窒化物半導体基板との間の接触面積を減らし、ウェハ接合工程においての加熱による温度変化工程では、成長基板と窒化物半導体基板とは異なる膨張係数を有しているので、応力が集中して、成長基板と窒化物半導体基板を互いに剥離する。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、透明電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆い、一部または全部が前記第１半導体層に埋め込まれている。前記透明電極は、前記光取り出し面および前記低屈折率層を覆い前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＳｉＣ部が好適な条件で処理されている発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー及びアクセプタが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなり半導体発光部から発せられる光により励起されると可視光を発するポーラスＳｉＣ部１２４と、ポーラスＳｉＣ部１２４の表面を覆う保護膜と、を有し、ポーラスＳｉＣ部１２４は、８５０℃以下で保護膜を形成するための熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】 ４元発光層とＧａＰ基板との接合界面において酸素、炭素等の不純物が発生し、通電した際に順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって順方向電圧に対する寿命特性の悪化を抑制することができる化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子を提供する。
【解決手段】 少なくともｎ型ＧａＰ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなるｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層が順次積層された４元発光層を有し、４元発光層の、ｎ型ＧａＰ基板側の主表面の反対側となる主表面上に、電流拡散層であるｐ型ＧａＰ層が積層された化合物半導体基板であって、ｎ型ＧａＰ基板と４元発光層との間に、ｎ型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなる高濃度キャリア層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】所謂縦型の半導体発光装置において、オーミック電極と半導体膜との電気的接続を害することなく半導体膜内における電流集中を緩和することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体膜２０は支持体１０に接合された半導体膜と、半導体膜の支持体との接合面１２とは反対側の面を部分的に覆う第一電極３０と、半導体膜の支持体との接合面側に設けられた第二電極４０と、を含み、第二電極は、互いに同一の金属酸化物透明導電体からなり且つ互いに電気的に接続された第一の透明電極４２および第二の透明電極４４を含み、第二の透明電極は、半導体膜を挟んで第一電極と対向する位置に設けられ且つ半導体膜に対する接触抵抗が第一の透明電極よりも高い。 （もっと読む）

【課題】接合時の加熱プロセスに起因して電極層が有するオーミック性が劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の下面上に形成され、非晶質ＳｉからなるＳｉ層３１とＡｌ層３３とを有するオーミック電極層３０と、オーミック電極層３０のｎ型ＧａＮ基板１とは反対側に形成されたＡｕ層４１を有するパッド電極層４０と、オーミック電極層３０とパッド電極層４０との間に形成されたＰｄからなるバリア層３５とを含むｎ側電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ電流密度の均一化を図るとともに蛍光体を用いた光の混色のコントロールを容易にすることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
半導体発光素子は、第一の導電型を有する第一半導体層と、第二の導電型を有する第二半導体層と、第一半導体層と第二半導体層との間に設けられた活性層と、を含む半導体膜と、第一半導体層の内部に埋設され且つ半導体膜の外縁に沿って環状に伸長する埋設部を有する第一電極と、第二半導体層の表面に設けられた第二電極と、第一半導体層内に設けられ且つ第一半導体層の導電率よりも高い導電率を有する電流誘導部と、を含む。活性層は、第一電極の環状パターンの内側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ｐ形ＧａＮ層に応用した場合に望ましい光学及び電気特性を呈する透光性接触部を形成する方法の提供。
【解決手段】オプトエレクトロニクス素子（１０）のｐ形ＧａＮ層（２０、３０）の表面上に、金属酸化物からなる透光性接触部を成膜技術によって形成する。透光性接触部は、所望の金属を成膜前又は成膜中に酸化して形成する。金属酸化物は、ＮｉＯ、ＩＩ属金属酸化物、遷移金属酸化物等から選択されて成る。透光性接触部には、更に貴金属が添加され得る。 （もっと読む）

【課題】ワイヤとの密着性に優れたパッド電極を備える窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子は、窒化物系の半導体層と、半導体層上に設けられた、複数の金属層を積層して構成される電極構造と、を備え、電極構造は、半導体層側に配置される第一金属層７１ａと、第一金属層上に配置される第二金属層７１ｂと、第二金属層上に配置されるボンディング層７３と、を含み、第一金属層７１ａは、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｐｔから選択される少なくとも一を含み、第二金属層７１ｂは、Ｈｆを含み、ボンディング層７３は、Ａｕを含む。 （もっと読む）

【課題】ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ、発光効率の改善、発光強度の面内均一化、順方向電圧の低減および信頼性の向上を達成することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層を含む半導体膜と、ｐ型半導体層の表面からｐ型半導体層、活性層およびｎ型半導体層の一部を除去することにより表出したｎ型半導体層の表出面に形成されたｎ電極と、ｐ型半導体層の表面に形成されたｐ電極と、を含む半導体発光素子において、ｎ型半導体層上またはｎ型半導体層内であってｐ電極の上方に設けられ且つｎ型半導体層の導電率よりも高い導電率を有する電流誘導部を有する。 （もっと読む）

【課題】水素の移動による素子寿命の短縮を改善可能な窒化物発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体領域１３−１は第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。第２領域１３ｂ−１は第１領域１３ａ−１に沿って延在する。第１領域１３ａ−１は、ｐ型導電性のリッジ部を含む。III族窒化物半導体領域１３−１はｐ型ドーパント及び水素を含む。電極１７−１は、第１領域１３ａ−１のリッジ部の上面１３ｃ−１に接触する。金属層１９−１は、水素を吸蔵可能にする格子欠陥を高密度で有しており、また第２領域１３ｂ−１上に設けられる。誘電体層２１−１は金属層１９−１上に設けられ、誘電体層２１−１は、シリコン酸化膜，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，酸化ハフニウム，タンタル酸化物等からなる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。ｐ形半導体層は、ｎ形半導体層と電極との間に設けられる。ｐ形半導体層は、電極に接するｐ側コンタクト層を含む。発光層は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。ｐ側コンタクト層は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に突出した複数の突起部を含む。複数の突起部の第１方向に対して垂直な平面内における密度は、５×１０^７個／ｃｍ^２以上、２×１０^８個／ｃｍ^２以下である。複数の突起部に含まれるＭｇの濃度は、突起部以外の部分に含まれるＭｇの濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】補助電極を有する半導体発光素子において、光取り出し効率の低下を抑える。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれた発光層１２を有する半導体積層構造を有し、ｐ型半導体層１３側から光を取り出す半導体発光素子であって、ｐ型半導体層１３側にｎ型半導体層１１に接続されるように形成され、台座電極３０ａおよび台座電極３０ａから面内方向に延在する線状の補助電極３０ｂを含むｎ電極３０と、ｐ型半導体層１３側にｐ型半導体層１３に接続されるように形成され、台座電極２０ａおよび台座電極２０ａから面内方向に延在する線状の補助電極２０ｂを含むｐ電極２０と、を有し、補助電極３０ｂと補助電極２０ｂの少なくとも一部が、絶縁層４０を介して発光層１２の厚さ方向に重なる。 （もっと読む）

【課題】高出力であり、高効率で動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、少なくとも支持基板１０、及び発光層５を含む半導体層１４と、金属反射層９と、誘電体層１５と、界面電極８と、絶縁性保護膜２４と、透明導電膜２１と、金属分配電極１２と、第一電極１３と、第二電極１７とを有している。界面電極８の深さ方向における直上の領域において、半導体層１４はエッチングによって除去され、界面電極８と接する半導体層１４の第二主表面の半導体層を残し、界面電極８上には発光層５が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）