【課題】発光効率の高いLED構造の作製可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用基板2は、凹凸形状の主表面3aを有する単結晶基板3と、単結晶基板3上に、エピタキシャル成長により形成された、凹凸形状の第１表面4aを有する第１のIII族窒化物結晶からなる下地層4と、下地層4上に、エピタキシャル成長により形成された、第２のIII族窒化物結晶からなる中間層5とを少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 外部に取り出せる光量を増加させることが可能な発光ダイオードチップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 各発光部６からの光は周囲に拡散し、モールド部８１を透過して外部に放射されるが、各発光部６からの光のうちの一部はモールド部８１の側面８３において反射される。この側面８３が、発光部６からの光の少なくとも一部を発光部６が臨む領域に導く反射面８２となるので、外部に取り出せなかった光、および厚み方向Ｚで各発光部６が臨む領域に照射されなかった光を、各発光部６が臨む領域に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】出射される光の強度を、効率よく制御することができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、第１クラッド層と、その上方に積層された活性層１０８と、第２クラッド層と、第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、を含み、活性層１０８のうちの少なくとも一部は、第１利得部分１８１と、第１利得部分１８１と接続部分１９０を介して分離した第２利得部分１８２と、を有する利得領域１８０を構成し、第２利得部分１８２は、光を出射する出射端面を有し、第１電極および第２電極の少なくとも一方は、第１部分と、第１部分と電気的に分離された第２部分と、からなり、第１部分は、第１利得部分１８１に電流を注入する電極であり、第２部分は、第２利得部分１８２に電流を注入する電極である。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を有する発光モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光モジュール１０００は，導電部材１５４と、導電部材を介して積み重ねられた複数の発光装置１００とを含み、複数の発光装置の各々は、活性層と、一対のクラッド層と、一対の電極１２０，１２２とを有し、活性層のうちの少なくとも一部は利得領域を構成し、利得領域は平面的に見て、活性層の第１側面１０７から第１側面に平行な第２側面１０９まで、第１側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられ、導電部材は、導電部材を挟む一方の発光装置の導電部材側の電極、及び、他方の発光装置の導電部材側の電極に電気的に接続されており、平面的に見て導電部材の外縁のうちの少なくとも一部は，複数の発光装置の外側に位置している。 （もっと読む）

【課題】導電性基板とその表面上に配設された半導体発光機能層との間の順方向電圧を減少することができ、かつ発光効率を向上することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１において、導電性基板２と、その一表面２Ａ上に配設された第１の導電型の第１の半導体層３１、第２の導電型の第２の半導体層３３を有する半導体発光機能層３とを備え、第１の半導体層３１の周囲側面に沿ってそれぞれ交互に配設された、外部に光を出力する第１の光出力面３１１、３１２及びこの第１の光出力面３１１、３１２に対して交差する面を有し第１の光出力面に比べて少ない光量の光が出力される第２の光出力面３１３と、第２の光出力面３１３に沿って配設され、第１の半導体層３１と導電性基板２の一表面２Ａとの間を電気的に接続する配線６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ耐圧を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体層からなる井戸層２１を形成する工程と、井戸層２１上に窒素および全キャリアガス流量に対して２％以上の割合の水素を含有するキャリアガスを用いてバリア層２３を形成する工程と、を含むＭＱＷ活性層２４を形成する工程を有する発光素子の製造方法である。本発明によれば、ＭＱＷ活性層２４内のバリア層２３を窒素および全キャリアガス流量に対して２％以上の割合の水素を含有するキャリアガスを用いて成長するため、ＥＳＤ耐圧を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子への透湿を抑制することで、発光不良が防止でき、かつ輝度低下を抑制することが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】サブマウント素子２０ａおよび発光素子２０ｂで構成された複合素子２と、複合素子２が搭載されたリードフレーム４と、複合素子２を封止する封止部５とを備え、封止部５は、複合素子２を封止する封止層５１と、封止層５１全体を覆うように、ガラス材で形成された保護層５２と、保護層５２上に形成された樹脂層５３とから構成され、封止層５１は、水溶性樹脂を含有したシリコーンで形成されている。水溶性樹脂は、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、オキサゾリンポリマーのいずれかから形成することができる。また、樹脂層５３は、３層の調光層から形成され、第１調光層と、第２調光層と、第３調光層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供すること。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板上に直列に接続されたＧａＮ系発光素子の第１のアレイとを有し、前記発光素子の第１のアレイは、第１の部分、第２の部分及び第３の部分を有する電流の経路を形成し、前記第１の部分は、前記基板の第１の辺から前記基板の第２の辺に延び、前記第２の部分は、前記基板の前記第２の辺に沿って延び、前記第３の部分は、前記基板の前記第２の辺から前記基板の前記第１の辺に延びることを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された第１の電極及び第２の電極と、前記絶縁基板上に配置され、前記第１の電極と前記第２の電極の間に接続されているＧａＮ系発光素子のアレイとを有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間には、第１の極性の電圧及び第２の極性の電圧が印加され、前記アレイの全ての発光素子は、前記第１の極性の電圧に印加に対しては発光し、前記第２の極性の電圧の印加に対しては発光せず、前記第１の極性の電圧の印加により、前記アレイの全ての発光素子に略同一の電圧が印加されることを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

開示されるＬＥＤの実施形態は、ＬＥＤの光出力を最大化し、所望の強度分布を達成するように、ＬＥＤの基板に対して制御された深さまたは高さに成形される、エミッタ層を有する。いくつかの実施形態において、ＬＥＤの放出面は、放射輝度を保存するように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、基板および側壁を含むＬＥＤ全体の成形、または基板のみの成形は、エミッタ層で生成される光の１００％または約１００％をエミッタ層から抽出することができる。いくつかの実施形態において、全効率は、少なくとも９０％以上である。いくつかの実施形態において、エミッタ層は、エッチング、機械的成形、または種々の成形方法の組み合せにより、成形することができる。いくつかの実施形態において、微小なエミッタを形成するように、エミッタ層の一部のみが成形される。非成形部分は、ＬＥＤの連続的な電気接続を形成する。
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【課題】本発明は、Ｐｄ電極を備える半導体発光素子の製造方法に関し、剥がれた絶縁膜上Ｐｄ電極の半導体発光素子表面への付着に起因する歩留まり低下、パッド電極未形成部分の発生、ｐ型コンタクト層とパッド電極が接触する問題を簡素な方法で回避できる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】開口部を有する絶縁膜を半導体上に形成する工程と、該開口部および該絶縁膜上にＰｄ電極を形成する工程と、該絶縁膜上の該Ｐｄ電極に対し物理的な力を付加して、該開口部の該Ｐｄ電極を残したまま、該絶縁膜上の該Ｐｄ電極を剥離して除去する剥離工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】この発光素子は、光出射面１１とは反対側に設置された導電性の支持基板１と、支持基板１に接合され、光出射面１１に対して所定の角度傾斜した側面９ａを有する窒化物系半導体素子層９とを備えている。また、この発光素子の製造方法は、成長用基板１２上に、少なくとも光出射面１１に対して所定の角度傾斜した側面９ａを有する窒化物系半導体素子層９を形成する工程と、光出射面１１とは反対側に支持基板１を設置する工程と、支持基板１に、窒化物系半導体素子層９を接合する工程と、成長用基板１２を除去する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子を並列接続させた場合における、複数の発光素子間に生じる光量のばらつきを抑制することができる光源等を提供する。
【解決手段】本実施の形態が適用される光源は、複数のＬＥＤチップ１０を電気的に並列接続したものである。複数のＬＥＤチップ１０を構成する各々のＬＥＤチップ１０は、基板１１、シード層１２、ｎ型半導体層１４、発光層１５およびｐ型半導体層１６を備えている。さらに、ｎ型半導体層１４には、シード層１２の上に直接積層される下地層１４ａが含まれている。そして、シード層１２は、III族窒化物化合物半導体であり、その膜厚が２１ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、スパッタ法によって成膜されている。さらに、下地層１４ａは、（０００２）面のロッキングカーブ半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり（１０−１０）面のロッキングカーブ半値幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下であるIII族窒化物化合物半導体である。 （もっと読む）

【課題】 光の取り出し効率を向上させることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明による半導体発光素子１は、光（Ｌ９〜Ｌ１１）を透過可能な基板２と、基板２の主面上に形成された、傾斜した側面１０ｂを有する発光層を含む半導体層１０と、半導体層１０の表面を覆うように形成された反射層２０とを備え、半導体層１０の側面１０ｂは、基板２の主面の水平方向に対して４５〜７５°の傾斜角θを有しており、反射層２０は、複数の誘電体層（１１〜１３）を含み、各誘電体層（１１〜１３）は半導体層１０の上部端面１０ａ側の平均厚さがｍ（λ／ｎ_ｒ）、半導体層１０の側面１０ｂ側の平均厚さがｍ（λ／ｎ_ｒ）ｃｏｓθ、ただし、λ：発光層の発光波長、ｎ_ｒ：各誘電体層（１１〜１３）の屈折率、ｍ：１以上の任意の整数、で表される。 （もっと読む）

【課題】 発光素子の機能および効率を向上させ、高効率および高電力で動作する特定の能力を有する層状ヘテロ構造を提供する。
【解決手段】 層状ヘテロ構造発光素子は、少なくとも、基板、ｎ型窒化ガリウム系半導体クラッド層領域、ｐ型窒化ガリウム系半導体クラッド層領域、ｐ型酸化亜鉛系正孔注入層領域、およびオーミック接触層領域を含む。あるいは、素子はキャッピング層領域も含んでよく、または反射層領域および保護キャッピング層領域を含んでもよい。素子はオーミック接触層領域に隣接する１つ以上の埋め込み挿入層を含んでもよい。オーミック接触層領域は、酸化インジウムスズ、酸化ガリウムスズ、または酸化インジウムスズ材料といった材料からなり得る。ｎ型窒ガリウム系クラッド層領域と電気的に接触するｎ型電極パッドが形成される。ｐ型領域と電気的に接触するｐ型パッドが形成される。 （もっと読む）

【課題】発光素子そのものの品質改善を図る。
【解決手段】発光素子１０は、バッファ層２２、第一導電型半導体層、活性構造２５および第二導電型半導体層を含む薄膜結晶層を有している。薄膜結晶層は、少なくとも第二導電型半導体層の一部が絶縁膜で覆われている。絶縁膜は、薄膜結晶層の結晶性を回復させる結晶品質改善層３０を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は白色発光ダイオードチップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による白色発光ダイオードチップの製造方法は、絶縁体基板と、該絶縁体基板の上に形成されるバッファー層と、バッファー層の上に形成される第１クラッド層と、第１クラッド層の上面のうちの一部が露出されるように第１クラッド層の上に形成される活性層と、活性層の上に形成される第２クラッド層と、第２クラッド層および第１クラッド層にそれぞれ形成される正極電極および陰極電極とを含む青色発光ダイオードチップにおいて、絶縁体基板を除去する段階と、バッファー層の下と第２クラッド層の上のうちの一つ以上に蛍光体層を形成する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させ、照明用としても適用可能な大面積の発光源を提供する。
【解決手段】集積型発光源は、メイン支持体１００と、その上に配列された複数の発光素子１０と、発光素子１０に密着して付着している、発光波長において透明な材料からなる光取り出し材料１１０とを有する。発光素子１１０は、透明な基板上に薄膜結晶層、第二導電型側電極、第一導電型側電極とを有し、第１の光取り出し方向が基板側とされる。両電極は、空間的に重なりを有さず第１の光取り出し方向とは反対側に形成される。薄膜結晶層の側壁面は基板の端より後退している。絶縁層が、薄膜結晶層および両電極の所定の部位を覆っている。さらに、出射する光の均一性を向上させる光均一化層が、基板と第一導電型半導体層の間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させ、照明用としても適用可能な大面積の発光源を提供する。
【解決手段】集積型発光源は、メイン支持体上に配列された複数の発光装置を有する。複数の発光装置のうち少なくとも１つは、第一導電型クラッド層を含む第一導電型半導体層、活性層構造、および第二導電型クラッド層を含む第二導電型半導体層をこの順序で有する化合物半導体薄膜結晶層と、第二導電型側電極と、並びに第一導電型側電極とを単位とする発光ユニットを複数有し、この複数の発光ユニット中の前記化合物半導体薄膜結晶層が、同一工程により形成された集積型発光装置である。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させ、照明用としても適用可能な発光源を提供する。
【解決手段】集積型発光源は、集積型発光装置と、集積型発光装置に密着して付着している、発光波長において透明な材料からなる光取り出し材料とを有する。集積型発光装置は、発光波長に対して透明な基板と、基板上に形成された複数の発光ユニットを有する。発光ユニットは、化合物半導体薄膜結晶層と電極とを有し、第１の光取り出し方向が基板側である。電極は第１の光取り出し方向とは反対側に形成され、基板と第一導電型半導体層の間に、複数の発光ユニット間に共通して設けられたバッファ層を有し、発光ユニット同士は、隣接する発光ユニットの間に設けられ、化合物半導体薄膜結晶層の表面からバッファ層の界面まで、またはバッファ層の一部までを除去して形成された発光ユニット間分離溝により電気的に分離されている。 （もっと読む）