【課題】 発光ピーク強度比の安定した２ピークの発光スペクトルを得ることが可能な窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体発光素子１は、ｎ型窒化物半導体層１１とｐ型窒化物半導体層１３との間に活性層１２を備える。活性層１２は、第１の井戸層１４と、井戸層の中で最も外側に設けられ、第１の井戸層１４を挟む第２の井戸層１５と、各井戸層間に設けられた障壁層１６、１７と、を有し、第２の井戸層１５は第１の井戸層１４を構成する窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体からなり、第１の井戸層１４及び第２の井戸層１５のそれぞれに対応した発光スペクトルのピークを有する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この発光素子は、光出射面１１とは反対側に設置された導電性の支持基板１と、支持基板１に接合され、光出射面１１に対して所定の角度傾斜した側面９ａを有する窒化物系半導体素子層９とを備えている。また、この発光素子の製造方法は、成長用基板１２上に、少なくとも光出射面１１に対して所定の角度傾斜した側面を有する半導体素子層を形成する工程と、光出射面とは反対側に支持基板を設置する工程と、支持基板に、半導体素子層を接合する工程と、成長用基板を除去する工程とを備えている （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れ、高い輝度を備える発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードが用いられてなるランプを提供する。
【解決手段】基板の主面上に少なくとも発光層を含む化合物半導体層２０が積層され、該化合物半導体層２０の上面側が発光面２０ａとされたチップ構造を有し、基板は、平面視形状で、各々隣接する側面１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの間の角度が全て鋭角の略正三角形である。 （もっと読む）

一つの実施例において、サブミクロンサイズの粒子のTiO₂、ZrO₂又は他の白色非蛍光体不活性粒子が、シリコーン封止材と混合され、ＬＥＤにおいて適用される。ある実験において、粒子は、不活性材料が封止材の約2.5重量%−5重量%の間であった場合にGaNのＬＥＤの光出力を5%より多く増加させた。一般的に、5%より大きい不活性材料のパーセンテージは、光出力を低減させ始める。ＬＥＤが黄色みがかったＹＡＧ蛍光体被膜を有する場合、封止材における白色粒子は、ＬＥＤがオフ状態である場合にＬＥＤをより白色に見えるようにさせ、このことは、ＬＥＤが小型カメラにおける白色光フラッシュとして使用される場合により魅力的である。粒子の追加は、ＬＥＤの視角及び位置にわたる色温度の変動をも低減させ、このことは、カメラフラッシュ及び投影応用例に関して重要である。
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【課題】電極形成時に２つの金属層を混合させるための熱処理を行うことなく良好なオーミック接触を得ることが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１１と、ｎ型ＧａＮ基板１１の表面上に形成され、約６ｎｍの厚みを有するＡｌからなるＡｌ層３１と、Ａｌ層３１のｎ型ＧａＮ基板１１とは反対側の表面上を覆うとともに約３ｎｍの厚みを有するＨｆからなるＨｆ層３２とを含むｎ側電極２９とを備える。 （もっと読む）

【課題】光抽出効率が向上して欠陥が少なく、発光量が増加した発光素子の製造方法、発光装置の製造方法、発光素子、及び発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、基板１００上にバッファ層１０８を形成し、バッファ層１０８上に光結晶パターン１０６（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｃｒｙｓｔａｌ ｐａｔｔｅｒｎ）とパッドパターン１０７を形成し、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７は、各々金属物質を含み互いに物理的に接続され、光結晶パターン１０６とパッドパターン１０７が形成されたバッファ層１０８上に順次に積層された第１導電型の第１導電パターン１１２、発光パターン１１４、第２導電型の第２導電パターン１１６を含む発光構造体１１０を形成し、第１導電パターン１１２と電気的に接続された第１電極１４０と、第２導電パターン１１６と電気的に接続された第２電極１５０を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】照射パターンに特別な分布をもたせることが可能で、樹脂の透過率および蛍光体の発光効率の劣化を抑制し、高輝度の光を高い発光効率で出力することのできる発光装置を提供する。
【解決手段】表面に凹部３が設けられた基板１と、この凹部内に樹脂で封止され青色光もしくは近紫外光を発生する発光素子１０と、この発光素子を覆うように基板上に形成される変形可能で発光素子上の第１領域では発光素子から発生される光を透過する樹脂シート１７と、樹脂シートの第１領域上に略半球状に形成され、発光素子が発生する光を透過する第１透過層２１と、透過した光を波長の異なる光に変換する蛍光体と、この波長が変換された光を透過する透過材とを有し、端部が樹脂シートの上面に達するように第１透過層を覆う色変換層２３と、端部が樹脂シートの上面に達するように色変換層を覆い、発光素子から発生される光を透過する第２透過層２５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高精度で高速に組み立てることができる、光取り出し効率が高い半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層と第２半導体層と発光層とを有する積層構造体と、前記積層構造体の主面上の第１及び第２半導体層にそれぞれ接続された第１電極及び第２電極と、前記主面上において、第１及び第２電極により覆われていない第１及び第２半導体層の上に設けられ、屈折率の異なる誘電体膜が積層されてなり、第１及び第２電極の少なくともいずれかの周縁に立設された突出部を有する誘電体積層膜と、を有する半導体発光素子と、第１及び第２電極の少なくともといずれかと接続される接続部材を有する実装部材と、を対向させ、突出部をガイドとして接続部材を第１及び第２電極の前記少なくともいずれかに接触させ接合することを特徴とする半導体発光装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は変調ドーピング層を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。発光ダイオードは、ｎ型コンタクト層と、ｐ型コンタクト層と、ＩｎＧａＮ井戸層を含む多重量子井戸構造の活性領域と、を含む。ここで、ｎ型コンタクト層は、ｎ型不純物がドーピングされたＩｎＧａＮ層とアンドープＩｎＧａＮ層とが交互に積層された第１変調ドーピング層と、ｎ型不純物がドーピングされたＩｎＧａＮ層とアンドープＩｎＧａＮ層とが交互に積層された第２変調ドーピング層と、を含む。また、第１変調ドーピング層の各ＩｎＧａＮ層は互いに組成が同一であり、第２変調ドーピング層の各ＩｎＧａＮ層は互いに組成が同一である。さらに、第２変調ドーピング層は第１変調ドーピング層と活性領域との間に配置され、ｎ電極は前記第１変調ドーピング層に接触する。第１変調ドーピング層及び第２変調ドーピング層を用いることにより、工程時間が長くなることを防止し、多重量子井戸構造内に誘発される歪を緩和させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子及びこの製造方法並びにこれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明は、基板、及び基板上に形成されて、それぞれＮ型半導体層とＰ型半導体層とを有する複数の発光セルを含む発光素子であって、交流電源電圧の順方向及び逆方向の電圧印加時の両方で光を出射する少なくとも１つの発光セルを有する第１の発光セルブロックと、交流電源電圧の順方向の電圧印加時でのみ光を出射することが可能な少なくとも１つの発光セルと、交流電源電圧の逆方向の電圧印加時でのみ光を出射することが可能な少なくとも１つの発光セルと、を含む第２の発光セルブロックと、を含む発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】高光度、高輝度の光を発光することのできる発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板の上に各々が間隔を介して配置された複数の発光セルと、前記複数の発光セル上に形成された絶縁層と、を備える発光素子であって、前記発光セルは、第１型半導体層及び第２型半導体層を含み、前記絶縁層は、前記第１型半導体層及び前記第２型半導体層の一部を露出する複数の開口部を有し、前記複数の発光セルのうち、少なくとも一つの前記発光セルは、水平面に対して垂直ではない少なくとも一つの側面を有し、前記少なくとも一つの前記発光セルの前記第１型半導体層は、前記少なくとも一つの前記発光セルと隣り合う他の前記発光セルの前記第２型半導体層に、前記絶縁層の上に形成された導電性配線により前記開口部を通して電気的に接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接合性および耐食性を向上させた電極を備えた半導体発光素子、その製造方法およびランプを提供することを目的とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されてなる発光層を含む積層半導体層と、前記積層半導体層の上面に形成された一方の電極１１１と、前記積層半導体層の一部が切り欠けられてなる半導体層露出面上に形成された他方の電極とを具備する半導体発光素子であって、一方の電極１１１が接合層１１０と接合層１１０を覆うように形成されたボンディングパッド電極１２０とからなり、ボンディングパッド電極１２０の最大厚みが接合層１１０の最大厚みに比べて厚く、かつ、１または２以上の層からなり、接合層１１０およびボンディングパッド電極１２０の外周部１１０ｄ、１２０ｄに外周側に向けて膜厚が漸次薄くなるような傾斜面１１０ｃ、１１７ｃ、１１９ｃが形成されている半導体発光素子を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部分のショートや電流リークが低減され、光取り出し効率が高く、製造歩留まりが高く、かつ信頼性の高い窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基板と接合層と窒化物半導体層とをこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、上記接合層と上記窒化物半導体層との間にはさらに絶縁層を有し、上記絶縁層の表面内に、上記窒化物半導体層の上記接合層側の面の外周部が接していることを特徴とする窒化物半導体発光素子であって、上記窒化物半導体層は、少なくとも、第二ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、発光層と、第一ｎ型窒化物半導体層とを導電性基板側からこの順に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明に係る発光素子は、第１導電パターン及び上記第１導電パターンと電気的に分離された第２導電パターンが形成された回路基板と、上記回路基板の上に設置されて上記第１導電パターン及び第２導電パターンと電気的に連結された発光ダイオードと、上記発光ダイオードを囲む第１モールディング部材と、上記第１モールディング部材の上に第２モールディング部材が含まれ、上記発光ダイオードは、導電性支持基板と、上記導電性支持基板の上に中央部が突出された反射電極層と、上記反射電極層の周辺部の上に保護層と、上記反射電極層及び保護層の上に第２導電型の半導体層と、上記第２導電型の半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第１導電型の半導体層と、上記第１導電型の半導体層の上に第１電極層とを含む。
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【課題】 、全面に渡って転位密度を低減し、クラック発生を抑制することが可能な窒化物半導体基板及びその製造方法、及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 この窒化物半導体基板は、基板（Ａ、Ｂ，Ｄ１）と、基板（Ａ、Ｂ，Ｄ１）上に形成され離間した結晶成長制限部Ｃと、基板（Ａ、Ｂ，Ｄ１）及び結晶成長制限部Ｃを被覆し、その露出表面の、Ｚ軸に平行な断面（ＸＺ断面）が、波の形状を構成し、この波の形状が多角形状になまっている窒化物半導体からなる波状層（Ｄ２，Ｅ，Ｆ２）と、波状層（Ｄ２，Ｅ，Ｆ２）上に形成され窒化物半導体からなる平坦化層Ｇとを備えている。形状変更層Ｆ２の露出表面が熱処理によって多角形状になまっているため、埋め込む山谷差が小さくなり、埋め込み体積が減るため、埋め込み成長がし易く、平坦化層Ｇが形状変形層Ｆ２内に緻密に埋まっている。 （もっと読む）

【課題】発光波長が極めて安定で、しかも、可視光から赤外線領域までの種々の波長において高い輝度で発光させることができる半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】波長変換機能を有する蛍光物質を半導体発光素子の内部、表面、または、半導体発光装置の樹脂部分または、その他の外囲器の表面または内部に適宜、混合、堆積、または配置することによって、半導体発光素子からの発光をきわめて高い効率で波長変換し、外部に取り出すことができる半導体発光素子および発光装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】アウトカップリング効率が改善されて、ある放射線出力パワーに対するパワー消費が低減され、また、デバイスの速度が増加し、よって、光チャンネルあたりのシリアル帯域幅が増加された放射線（好ましくは光）を所定の波長にて発するデバイスを提供する。
【解決手段】放射線を所定の波長にて発するデバイスが、電荷キャリアの再結合によって該放射線が生じる活性層を備えるキャビティを含み、該キャビティは、該電荷キャリアについての閉じ込め特徴を含む放射線閉じ込め空間を有し、該デバイスは、実質的にランダムな回折格子構造を有する少なくとも１つのエッジを含む。 （もっと読む）

【課題】発光素子および発光装置の製造方法、前記方法を用いて製造した発光素子および発光装置を提供する。
【解決手段】前記発光素子は、少なくとも一つの第１基板それぞれに、第１導電型の第１導電層、発光層、第２導電型の第２導電層を順次に形成し、第２導電層上にオーム層を形成し、第２基板上に少なくとも一つの第１基板をボンディングし、第２基板は第１基板より大きく、オーム層、第２導電層、発光層を順次に一部エッチングし、前記第１導電層の一部を露出させることを含む。 （もっと読む）

ヘテロ構造のｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）層の光電気化学（ＰＥＣ）エッチングのための方法であって、半導体構造内の内部バイアスを使用して、電子がｐ型層の表面に到達するのを防止し、正孔がｐ型層の表面に到達するのを促進するステップを含み、半導体構造は、ｐ型層と、ＰＥＣ照射を吸収するための活性層と、ｎ型層とを含む。本発明は、ｐ型層の粗面を含む、ＬＥＤを開示するものであって、粗面は、粗面に入射する光を外部媒体中へと散乱させ、光は、ＬＥＤの発光活性層から入射する。例えば、ＬＥＤは、ＬＥＤによって放出される光を抽出するために、粗面化される表面を有する、ｐ型ＩＩＩ族窒化物層と、ｎ型ＩＩＩ族窒化物層と、ｐ型ＩＩＩ族窒化物層とｎ型ＩＩＩ族窒化物層との間の光を放出するための活性層とを含み得る。
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【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板などの基板１１の一主面にこの基板１１と異なる材料により凸部１２を形成し、この凸部１２の間の逆台形状の断面形状を有する凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を五角形状の断面形状となる状態に成長させ、または、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を横方向成長させる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１５上に、活性層を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 （もっと読む）