【課題】 ビーム品質を維持しながら、レーザ発振を抑制してインコヒーレントな光を高出力に得ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体発光素子１００は、光導波路１１５を有し、前記光導波路１１５は、活性層１０４と、第１の端面１１１と、第２の端面１１２とを備え、前記第１の端面１１１は、前記光導波路１１５の一端に設けられ、前記第２の端面１１２は、前記光導波路１１５の他端に設けられ、出射光の波長域における前記第１の端面１１１の光反射率は、１％以下であり、出射光の波長域における前記第２の端面１１２の光反射率は、２０％以上であり、前記活性層１０４は、利得発生領域を有し、前記利得発生領域で発生する利得波長が、不均一であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置を提供する。
【解決手段】基板側からＮ型半導体層、活性層、Ｐ型半導体層およびＩＴＯ層が順次積層した少なくとも一つの発光セルを有する発光ダイオードであって、前記ＩＴＯ層は、底部が前記Ｐ型半導体層に達する接点溝と、前記接点溝に充填された接点接続部と、を有し、前記Ｐ型半導体層は前記接点部の底部に、前記Ｐ型半導体層と前記接点接続部との間の電流の流れを遮断する電流遮断層を有することを特徴とするＩＴＯ層を有する発光ダイオードを提供する。 （もっと読む）

【課題】制御の難しい化学的な粗面化処理を行わずに、比較的簡易な手法で確実に光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】サファイア基板２０の表面を二種類以上の傾斜角度で変化する凹凸形状に加工し、この面上に化合物半導体層６を蒸着させて、その上に支持基板１を熱圧着して、その後にレーザリフトオフ法によりサファイア基板２０を剥離するため、その剥離時に化合物半導体層６の凹凸部分のエッジに多大な応力が印加されることがなく、化合物半導体層６の割れを防止できる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることのできる半導体発光素子およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】第１基板３０上に、ｐ型窒化物半導体層、窒化物半導体の多重量井戸構造を有する活性層、およびｎ型窒化物半導体層を、この順序で積層された第１積層膜を設ける工程と、ｎ型窒化物半導体層の上面にｎ電極４４を形成する工程と、ｎ型窒化物半導体層の上面におけるｎ電極が形成された領域を除きアルカリ液を用いてウェットエッチングすることにより、ｎ型窒化物半導体層の上面に凹凸を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体発光装置及びこれを製造する方法に関する。
【解決手段】本発明の一側面は、基板と、上記基板上に配列され、それぞれ第１及び第２導電型半導体層と、その間に形成され、青色光を放出する活性層を有する複数の発光セルと、上記発光セルの第１及び第２導電型半導体層のうち少なくとも１つを異なる発光セルの第１及び第２導電型半導体層のうち少なくとも１つと電気的に連結する配線構造と、上記複数の発光セルが成す発光領域のうち少なくとも一部に形成され、赤色の光変換物質を有する赤色光変換部及び緑色の光変換物質を有する緑色光変換部のうち少なくとも１つを含む光変換部を含む半導体発光装置を提供する。本発明の一実施形態による半導体発光装置を使用すると、単位面積当たりの電流密度を改善して光効率が向上し、さらには、高演色性白色光を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の発光セルが基板の上において電気的に接続された発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板と、基板上に配置され、基板上の下部半導体層、下部半導体層上の活性層、活性層上の上部半導体層をそれぞれ含む複数の発光セルと、複数の発光セル上にそれぞれ配置された上部電極と、基板と複数の発光セルの下部半導体層との間にそれぞれ配置された下部電極と、を含む発光ダイオードであって、複数の発光セルは、母基板が除去されており、複数の発光セルのうち一つの発光セルの下部電極は、一つの発光セルに隣接する複数の発光セルのうち別の発光セルに配置された上部電極に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体層と透光性基板の間の反射を抑制して光の取り出し効率を向上させる。
【解決手段】半導体発光素子において、基板の表面上に形成され発光層を含む半導体積層部と、基板の表面側に形成され発光層から発せられる光が入射し当該光の光学波長より大きく当該光のコヒーレント長より小さい周期で凹部又は凸部が形成された回折面と、基板の裏面側に形成され回折面にて回折した光を反射して回折面へ再入射させる反射面と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐電圧特性が向上した発光素子、発光素子製造方法、及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に第２導電型半導体層と、上記第２導電型半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第１導電型半導体層と、上記第１導電型半導体層の上に保護素子と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の発光セルが配列された構造を有する半導体発光装置及びこれを含む発光モジュールと照明装置に関する。
【解決手段】基板と、上記基板対面に配列され、それぞれ上記基板の上面に順に形成された第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セルと、上記複数の発光セルを直列、並列または直列及び並列の組み合わせで連結されるように形成された連結部と、上記複数の発光セルの間の分離領域の上面と上記基板の下面のうち、少なくとも一面に形成された凹凸部を含む半導体発光装置を提供する。単位面積当たりの電流密度を改善して光効率を向上させると共に、反射構造を利用して光経路を改善するように分離領域に反射部材を適用した半導体発光装置を提供する。単位面積当たりの電流密度を改善して光効率を向上させながら均一な電流分散を図るようにパッドの構造及び位置を改善した半導体発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電極と保護膜との密着力が高く、これらの界面での剥離を抑制することが可能なフリップチップ型発光ダイオードを提供する。
【解決手段】少なくとも上面が金である第１及び第２の電極４，５と、第１及び第２の電極４，５を被覆する絶縁性の保護膜１６と、第１及び第２の電極４，５と保護膜１６との間に設けられた密着層１５とを備え、保護膜１６及び密着層１５を貫通する開口部１７から、第１及び第２の電極４，５の上面の一部又は全部が露出されていることを特徴とするフリップチップ型発光ダイオード１を選択する。 （もっと読む）

【課題】家庭用交流電源に直接接続して駆動可能な複数の発光セルを有する発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】サブマウント基板上に形成された互いに離隔した複数の電極層上に位置し、前記電極層により直列に接続された複数の発光セルを有する発光素子の製造方法であって、前記複数の発光セルの上面に設けられた基板をレーザーまたは研削工程で取り除くことによりそれぞれ分離させることを特徴とする複数の発光セルを有する発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新たな構造を有し、構造が簡単で、かつサイズが減少した発光素子パッケージ、発光素子パッケージ製造方法、及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】発光素子パッケージは、第１導電型の半導体層、第１導電型の半導体層の下に部分的に形成される活性層、活性層の下に第２導電型の半導体層を含む発光構造層と、活性層及び第２導電型の半導体層の側面と上記第２導電型の半導体層の下に部分的に配置される絶縁層と、第１導電型の半導体層の下に配置され、絶縁層により活性層及び第２導電型の半導体層と電気的に分離される電極と、第２導電型の半導体層、絶縁層、及び電極の下に配置され、電極と電気的に連結される第１伝導領域と、第２導電型の半導体層と電気的に連結される第２伝導領域と、第１伝導領域と第２伝導領域との間に配置されて第１伝導領域と第２伝導領域とを電気的に分離する絶縁領域を含む金属支持層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上の蛍光体層と、上記蛍光体層の上に形成される光抽出構造と、を含み、上記光抽出構造は、上記発光構造物の内部で生成されて上記蛍光体層と上記光抽出構造の界面に入射する光を上記発光構造物の外部に抽出することができる。 （もっと読む）

【課題】光抽出が向上したＬＥＤを提供する。
【解決手段】関連したｐコンタクトを有するｐ型材料層（１０）と、関連したｎコンタクトを有するｎ型材料層と、ｐ型層とｎ型層との間の活性領域（１８）とを有するＬＥＤ（１０）は、ｐ型材料層またはｎ型材料層のいずれかの中に形成された閉じ込め構造（２０）を備える。閉じ込め構造（２０）は、ＬＥＤ（１０）の主放射上面のコンタクト（２２）とほぼ一列に並んでおり、閉じ込め構造（２０）および上面コンタクト（２２）の面積と一致する活性領域（１８）の面積からの光の放射を実質的に妨げる。ＬＥＤ（１０）は、さらに光抽出を向上させるために、粗面処理された放射側面（２５）を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光素子チップ、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子チップは、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に透光性層と、上記透光性層の上に蛍光体層と、を含み、上記蛍光体層はパターンを含み、上記蛍光体層のパターンは上記透光性層を露出させないか、上記透光性層の一部を露出させるか、または上記透光性層及び上記発光構造物の一部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】長波長の発光を容易にすると共に容易な製造を可能にする構造を有するIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム支持基体１３の主面１３ａにおいて第３の面１３ｅは第１の面１３ｃと第２の面１３ｄとの間に設けられる。第１及び第２の面１３ｃ、１３ｄは第３の面１３ｅに対して裏面１３ｂの方向に傾斜する。第３の面１３ｅは窒化ガリウム支持基体１３の＜０００−１＞軸の方向に向く。第１及び第２の電極１７、１９は、それぞれ、半導体領域１５におけるIII族窒化物半導体積層１５ｃ、１５ｄ上に位置し、III族窒化物積層１５ｃ、１５ｄは、それぞれ、第１及び第２の面１３ｃ、１３ｄ上に形成される。半導体領域１５は、第１導電型半導体層２３、活性層２５及び第２導電型半導体層２７を含む。角度ＡＬＰＨＡ１、ＡＬＰＨＡ２は＋５６度以上＋８０度未満の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱する効率を向上させたスパッタリング装置およびそのスパッタリング装置による半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１は、内部が減圧状態に維持されてプラズマ放電２０が形成されるチャンバ１０と、チャンバ１０内に設置され、ターゲット２１を保持するカソード２２と、基板１１０を保持し基板１１０の一表面がターゲット２１の表面に対向するように基板１１０を保持する基板ホルダ６０とを備えている。基板１１０はスパッタリング装置１の上方に基板１１０の表面を下方に向けて配置されている。ターゲット２１はスパッタリング装置１の下方にターゲット２１の表面を上方に向けて配置されている。スパッタリング装置１は、基板１１０を加熱するためのヒータ６５を備えている。基板１１０は、ヒータ６５から放射される電磁波を吸収することで温度が上昇する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の側面からの出射光を効率的に利用することができる、例えばＬＥＤの輝度向上を実現しうる光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子は、支持基板１８の上方に半導体層１１が形成され、半導体層１１の側面に絶縁層１４が形成され、半導体層１１の側方に絶縁層１４を介して保護層１７が形成されてなる。保護層１７は、（Ａ）一般式：（Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P［式中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、及びその縮合物から選択される一つ以上の化合物を含有する組成物の硬化物である。 （もっと読む）

【課題】転写技術を用いた場合であっても、光取り出し効率の低下を抑制することの可能な発光素子およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】電極２２に接するｎ型コンタクト層２７において、少なくとも電極２１との対向領域に開口２７Ａが設けられている。ｎ型コンタクト層２７よりも外側（光射出側）には、開口２７Ａと連通する複数の開口２８Ａを有する樹脂ブロック層２８が設けられている。各開口２８Ａの深さ、すなわち、樹脂ブロック層２８の厚さは、ｎ型コンタクト層２７の厚さ（例えば、数十ｎｍ）よりも厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】反りの少ないエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェハは、基板１と窒化物半導体４，５，６の間に形成されたアルミニウム層２と、アルミニウムを陽極酸化して形成したアルミニウムの陽極酸化（陽極酸化Ａｌ）層３によって、熱膨張係数差に起因した応力を緩和することで、ウェハのそりを押さえることが可能となる。 （もっと読む）