【課題】設計柔軟性の悪さと製造コストの増加の問題を解消した発光素子を提供する。
【解決手段】本発光素子は発光ユニットとサブマウントとを備える。該発光ユニットは複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）を有し、該サブマウントは一方の面上に複数の導電コンタクトを有する。該複数のＬＥＤが直列及び／又は並列に接続されるよう、該複数のＬＥＤは様々な電気接続の該複数の導電コンタクトに結合される。 （もっと読む）

【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子の製造方法は、基板上にｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を順次に形成し、水平面に対して勾配を有し且つｐ型半導体層から活性層まで連続して形成された少なくとも一つの斜面を有するようにｐ型半導体層及び活性層の一部を除去してｎ型半導体層の一部を露出させ、ｐ型半導体層の上部にｐ型金属バンプを形成し、露出されたｎ型半導体層上にｎ型金属バンプを形成し、サブマウント基板上にｐ型ボンディングパッド及びｎ型ボンディングパッドを形成し、ｐ型金属バンプ及びｎ型金属バンプと、ｐ型ボンディングパッド及びｎ型ボンディングパッドとがそれぞれ接続されるように、基板とサブマウント基板とをフリップチップボンディングし、フリップチップボンディングされた基板とサブマウント基板を発光素子ごとに切り出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光層で発光した光の取り出し効率を高めることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、ｐ型半導体層２１、発光層２２及びｎ型半導体層２３が積層され、ｐ型半導体層及び発光層２２の一部が除去されてｎ型半導体層２１の一部が露出したＧａＮ半導体層２０と、ＧａＮ半導体層２０の上に、ｐ側第１絶縁膜開口部５５及びｎ側第１絶縁膜開口部５６を備えて積層される第１反射層５０と、ｐ側第１絶縁膜開口部５５を通じて、ｐ型半導体層２３にキャリアを注入するためのｐ側透明配線電極層４０と、ｐ側透明配線電極層４０の上方に、ｐ側第１絶縁膜開口部５５の少なくとも一部を覆うように積層され、ｐ側第１絶縁膜開口部５５を通過した光を発光層２２側に反射する第２反射層６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体層の半極性主面とパラジウム電極との接触抵抗が増加することを抑制可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、半導体基板１０上に設けられた活性層１４と、活性層１４上に設けられると共に半極性の表面１８ｓを有するｐ型半導体層１８と、表面１８ｓに接合すると共にガリウムを含有するパラジウム電極３８と、を備え、パラジウム電極３８におけるガリウムの含有量が１ｍｏｌ％以上である。 （もっと読む）

【課題】容易なプロセスで作製することができ、かつ、曲線光導波路の光導波ロスを低減する構造を有する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】段差１０１ｂを有する基板１０１と、基板上に積層された、ｎ型クラッド層１０２、活性層１０４およびｐ型クラッド層１０７を有する積層構造体とを備え、積層構造体は、曲線の光導波路である曲線光導波路１１を含む光導波路部１０を有し、曲線光導波路１１の近傍であって曲線光導波路１１の曲線の外側領域は、段差１０１ｂの上方に形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、基板１の上に形成され、発光層４を含む複数の半導体層からなる積層構造体を備えている。積層構造体は、その上部に設けられたリッジ構造を含む光導波路１４を有し、光導波路１４は、積層構造体の前端面１２から後端面１３まで延伸するように設けられ、積層構造体の前端面１２の法線に対して傾斜して該前端面１２から延伸している直線導波路部１４ａと、積層構造体の後端面１３に垂直に到達する曲線導波路部１４ｂとを含み、曲線導波路部１４ｂは、光導波路１４の中心よりも積層構造体の後端面１３側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】微細なリッジ構造におけるエバネッセント光の干渉現象を利用し、光の外部への取出し効率を改善した半導体発光ダイオードを提供する。
【解決手段】第１導電型の障壁層と、発光層となる活性層と、第２導電型の障壁層とを少なくとも備える半導体発光ダイオードにおいて、前記半導体発光ダイオードの光取出し側の表面は、一つの平坦面と少なくとも二つの傾斜面によって構成されるリッジ構造を備え、前記リッジ構造の平坦面の横幅Ｗが２λ（λ：発光波長）以下で、かつ前記活性層の中心Ｃ（リッジ構造の中心線と活性層との交点）からの光が前記傾斜面において全反射が起こる最短の地点（傾斜面の法線方向からθ_Ｃ＝ｓｉｎ^−１（１／ｎ）[ｎ：半導体層の屈折率]の角度をなす活性層の中心Ｃから傾斜面に向かう線（平坦面に近い側）と傾斜面との交点）から平坦面までの距離Ｌがλ（λ：発光波長）以下である。 （もっと読む）

【課題】垂直に位置がずれた活性領域を備えた三次元のLED構造を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップは、基板１０と、基板１０の上に形成されたメサ２５と、メサ２５により露出した基板１０の上面に形成された第１のＬＥＤ構造１と、メサ２５の上面に形成された第２のＬＥＤ構造２とを有する。ＬＥＤ構造１、２は、それぞれｎ型層３０１、３０２、活性領域４０１、４０２及びｐ型層５０１、５０２を含む。基板１０は、一体領域１０２、分離領域１９２及び傾斜領域１２２を備え、ＬＥＤ構造１、２は、分離領域１９２においては互いに分離しているが、一体領域１０２においては、各層が１つに結合している。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装する際に用いられる接合部材が、密着層に拡散されるのを軽減することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、半導体層と、前記半導体層上に設けられ、第１上面と、前記第１上面よりも突出する第２上面と、を有する電極と、前記電極の第１上面に設けられ、上面が前記電極の第２上面よりも前記半導体層側にある密着層と、密着層の上面から半導体層まで被覆する絶縁層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】付加的な製造費用が僅かなままである、改善された電流拡大を伴うＧａＮを基礎とする発光ダイオードチップを開発し、この種のチップを有する発光ダイオード構造素子の製造法を提供する。
【解決手段】ｐ型接触層がｐ側に施された透明な第１の層およびこの第１の層上に施された反射性の第２の層を有している。次の処理工程：エピタクシャル成長させる工程、ｐ型接触層をエピタクシー連続層のｐ側に施す工程、基板をエピタクシー連続層から取り除く工程、接触金属化部をエピタクシー連続層の主要面の部分領域に施す工程、発光ダイオードチップをＬＥＤケーシングのチップ取付け面、ＬＥＤケーシング内の導体路または電気接続フレームの上にチップ取付け面に向かって結合能力を有するｐ型接触層と一緒に施す工程を有する。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、基板１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられている。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられている。活性層１７は、少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板の代わりにプラスチック基板１００を用いた表示装置１において、プラスチック基板１００の熱伝導率が低く、放熱性が悪いために、安定した特性を得ることが難しく、信頼性に欠けるという課題を解決すること。
【解決手段】 プラスチック基板１００上に熱伝導層３１０を設け、その上側に薄膜ＬＥＤ１０２の下側コンタクト層１１３を接合する。かつ放熱用メタルフレーム３０３の内側に複数の薄膜ＬＥＤ１０２を設け、各薄膜ＬＥＤ１０２の熱伝導層３１０と該放熱用メタルフレーム３０３とを接続する。 （もっと読む）

【課題】優れた熱伝導性を有する熱伝導経路を備えた発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、第１導電層１０２、該第１導電層１０２の上に配置された能動層１０４、及び該能動層１０４の上に配置された第２導電層１０６を含む発光構造と、第１導電層１０４の上に配置された第１ボンディングパッド１０７ａと、第２導電層１０６の上に配置された第２ボンディングパッド１０７ｂと、第１ボンディングパッド１０７ａの上に配置された第１金属層１６０と、第２ボンディングパッド１０７ｂの上に配置された第２金属層１６２とを備える。第１ボンディングパッド１０７ａと第２ボンディングパッド１０７ｂとの間の間隔が、第１金属層１６０と第２金属層１６２との間の間隔よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】より少ない工程でより容易に形成することができる、あるいはより安価に形成することができる発光装置および発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】光を放出する発光部と、前記発光部の表面側に設けられた第１の電極と、前記発光部の裏面側に設けられた第２の電極と、を有し、前記裏面側から前記表面側に向けて拡開した錐状の光放出面を有する半導体発光素子と、前記第１の電極に接続された第１のリード線と、前記第２の電極に接続された第２のリード線と、前記半導体発光素子から放出される光に対して透光性を有し、前記半導体発光素子と、前記第１及び第２のリード線の一部と、の周囲を封止または封着するガラスと、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ストークシフトの大きな波長変換構造を簡易な方法でチップ内に設けることの可能な半導体発光素子および半導体発光素子アレイを提供する。
【解決手段】柱状のメサ部１６の上面に色度変換層１５が設けられている。色度変換層１５は、メサ部１６のうち、下部電極３５と上部電極３１によって注入される電流経路とは異なる部位に形成されている。色度変換層１５は、例えば、組成比の互いに異なるＧａＩｎＮによりそれぞれ形成された井戸層およびバリア層を交互に積層してなる多重量子井戸構造となっており、活性層から発せられた紫外光を吸収し、所定の波長（赤色帯、緑色帯、青色帯）の光を発するようになっている。 （もっと読む）

【課題】白色光、又は、カラー光を生成する単一の蛍光体層光素子を提供する。
【解決手段】光素子は、白色光を含むフルスペクトル光線(full spectrum of lights)を生成する。この光素子は、基板上で成長された二個、或いは、それ以上のLEDを含み、各ＬＥＤは、個別に制御されて、異なる波長の光線を生成する。発光構造は基板上に形成され、エッチングにより、発光構造を異なる部分に分離され、二個、或いは、それ以上のLEDに割り当てられる。少なくとも一つのLEDは、蛍光材料が塗布され、この結果、発光構造が同じ波長の光を発光している場合にも、LEDから異なる波長の光が生成される。 （もっと読む）

【課題】発光層の面積を減少させることなく、点状または線状の光源を得ることができ、発光方向を制御することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層１１、発光層１２およびｎ型半導体層１３により発光ダイオード構造を形成する。ｐ型半導体層１１の発光層１２と反対側の面にｐ側電極１５を形成する。ｐ型半導体層１１、発光層１２およびｎ型半導体層１３の端面１４に反射層１６を形成する。ｎ型半導体層１３および反射層１６上に中央部にピンホール１７ａを有するｎ側電極１７を形成する。ｎ側電極１７上に集光レンズ１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】不純物の活性層への拡散を防止可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】レーザダイオードは、ｎ型ＧａＮ基板１上に形成されるｎ型ＧａＮバッファ層２と、その上に形成されるｎ型クラッド層３と、その上に形成されるｎ型ガイド層４と、その上に形成される活性層５と、その上に形成されるｐ型第１ガイド層６と、その上に形成されるオーバーフロー防止層７と、その上に形成される不純物拡散防止層８と、その上に形成されるｐ型ＧａＮ第２ガイド層９と、その上に形成されるｐ型クラッド層１０とを備えている。活性層５に近接してＩｎ_yＧａ_1-yＮからなる不純物拡散防止層８を設けるため、ｐ型クラッド層１０やｐ型第２ガイド層９などの内部に存在するｐ型不純物を不純物拡散防止層８に蓄積でき、ｐ型不純物が活性層５に拡散しなくなる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を十分に抑制した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光部２３を含む積層体２０と、積層体２０の第１主面２０ａに選択的に設けられた第１電極３０と、積層体２０の第１主面２０ａとは反対側の第２主面２０ｂに選択的に設けられた第２電極４０と、積層体２０の第２主面２０ｂの側に、接合金属６１を介して接合された支持基板６０と、積層体２０において、第２主面２０ｂを除く少なくとも側面２０ｃに設けられた保護膜８０と、第２主面２０ｂにおける第２電極４０が設けられていない領域と、接合金属６１と、の間、及び保護膜８０における第２主面２０ｂの側の保護主面８０ａと、接合金属６１と、の間に設けられた誘電体膜５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】新しい構造を有する光抽出効率が向上した発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１００は、第１電極１６０と、第１電極上に接合層１５８、反射層１５７、反射層の上面まわり領域にチャンネル層１５５、反射層上にオーミック接触層１５６が形成され、その上に第１半導体層１５０、活性層１４０及び第２半導体層１３０を含む発光構造物１４５と、発光構造物の上に複数の炭素ナノチューブを含むナノチューブ層１３５と、第２電極１７０が形成される。 （もっと読む）