【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、基板１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられている。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられている。活性層１７は、少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】 電極の断線等を抑制するとともに、発光部の上面からの電極の引き出し方向の制約を低減することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光装置１は、基板３と、基板３の上に複数の半導体層を積層して形成されており、Ｇａを含む燐化物半導体からなるコンタクト層１５が最上層に設けられている発光部５と、コンタクト層１５の上面に接続されている電極７と、を備えている。そして、コンタクト層１５は、上面と底面とを結ぶ側面がコンタクト層１５の上面から底面に向かうにつれて広がるように全周に亘って傾斜している。この電極７は、コンタクト層１５の上面から側面の上を介して基板３の上に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長の半導体層の光取り出し面において、臨界角内光の透過光はフレネル係数によって制限されて低く、従って、臨界角内光Qの光取り出し効率は低かった。
【解決手段】発光部を形成する発光半導体層１１〜１４の光取り出し面に屈折率の異なる半導体層１０１１、１０１２、…を交互に積層形成した半導体交互積層体１０１を設けた。半導体交互積層体１０１は反射防止作用をする。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜と金属との分子間力を利用した安定なボンディング特性が得られる半導体薄膜と異種基板間の接合形態を提供する。
【解決手段】基板１０１上に設けられた金属層１０２の表面に金属酸化物層１０３を設ける。この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接触させて、これらの間に金属元素の酸化物を含む領域４１０を形成することによって、半導体薄膜３０４−３０８と金属層１０２とを接合する。 （もっと読む）

【課題】紫外と青色との間の波長を放出するＬＥＤを効果的にシステムに組み込む。
【解決手段】装置（５００）は、アクティブ領域（５３０）、蛍光体層（５５０）及び反射層（５２０）を備える。アクティブ領域は、第１のグループの波長から第１のバンドの波長を有する光を放出するように構成される。蛍光体層は、アクティブ領域と外部媒体との間にあってその双方に接触するように配置される。蛍光体層は、アクティブ領域から放出される光の第１のバンドの波長を第２のバンドの波長に変換するように構成される。第２のバンドの波長の中心波長は、第１のバンドの波長の中心波長よりも大きい。反射層は、アクティブ領域に光学的に結合される。アクティブ領域は、反射層と蛍光体層との間に配置される。反射層は、少なくとも第１のバンドの波長と第２のバンドの波長とを反射するように構成される。 （もっと読む）

【課題】無機材料で形成されたＬＥＤ薄膜を金属基板上に一体化してドットマトリクス配置にすることによって、高輝度で寿命が長く、かつ、構造が簡単で、組み立て時に破損することがなく、小型化することができるようにする。
【解決手段】ヘッドアップディスプレイ装置に使用される光源装置であって、金属基板と、金属基板上に形成された平坦化膜と、平坦化膜上に形成された反射膜と、反射膜に分子間力により接合されている二次元状に配列された複数のＬＥＤ薄膜と、ＬＥＤ薄膜の第１の電極に接続された複数の第１配線と、ＬＥＤ薄膜の第１の電極に接続され、第１配線と略直交する複数の第２配線と、複数のＬＥＤ薄膜のうち第１の方向に配列されたＬＥＤ薄膜を選択的に駆動する第１の駆動素子と、複数のＬＥＤ薄膜のうち第１の方向と直交する第２の方向に配列されたＬＥＤ薄膜を選択的に駆動する第２の駆動素子とを有する。 （もっと読む）

【課題】井戸層の膜厚方向に関するインジウム組成の不均一を改善可能であると共に井戸層内の欠陥密度を低減可能な、窒化物系半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】 井戸層成長の第１の期間Ｐ１では、III族原料としてガリウム原料及びインジウム原料を成長炉１０に供給してＩｎＧａＮ薄層を成長する。第２の期間Ｐ２では、ガリウム原料を供給すること無くインジウム原料を成長炉１０に供給する。第２の期間Ｐ２は第１の期間Ｐ１に連続して行われる。第１の期間Ｐ１は、時刻ｔ３〜ｔ４、時刻ｔ５〜ｔ６において行われる。時刻ｔ３〜ｔ４では、ＩｎＧａＮ薄層２４ａが成長され、時刻ｔ５〜ｔ６ではＩｎＧａＮ薄層２６ａが成長される。第２の期間Ｐ２は、時刻ｔ４〜ｔ５において行われる。活性層２１の井戸層２５は複数のＩｎＧａＮ薄層２４ａ、２６ａからなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体発光素子に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、ｎ型及びｐ型半導体層と、これらの間に形成された活性層、及び前記ｎ型及びｐ型半導体層のうち少なくとも１つと上記活性層の間に形成され、金属粒子及び絶縁物質を具備するが、上記金属粒子が上記絶縁物質により上記ｎ型及びｐ型半導体層のうち少なくとも１つの方向に密封された構造であり、上記ｎ型及びｐ型半導体層のうち少なくとも１つと上記活性層の間の電気導通のための導電性ビアを具備する表面プラズモン層を含む半導体発光素子を提供する。
本発明によると、表面プラズモン共鳴を利用して発光効率が向上された半導体発光素子を得ることができる。特に、本発明による半導体発光素子を使用する場合、表面プラズモン共鳴のために採用される金属が活性層の内部に拡散されることを最小化することができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、光出力の再現性が高い半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有し、第２半導体層と発光層とが選択的に除去されて第２半導体層の側の第１主面に第１半導体層の一部が露出した積層構造体と、第１主面上において第１及び第２半導体層とそれぞれ接続された第１電極及び反射性の第２電極と、前記第２電極の一部と前記第２半導体層との間に設けられ透光性を有する絶縁層と、を備え、前記第２電極と前記絶縁層とが重なる領域における前記第２電極の外側の縁端から前記絶縁層の内側の縁端までの距離は、前記第１主面の周辺部よりも中心部において短いことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】活性層の結晶性を確保でき、かつ光効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物層とｐ型窒化物層との間に形成される活性層を含む窒化物半導体発光素子であって、活性層は交互に形成される複数の量子井戸層及び量子障壁層を含み、複数の量子障壁層のうち、ｐ型窒化物層に隣接して形成される量子障壁層は残りの量子障壁層より薄いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オーミック性および透過性が可及的に良いｐ電極を備えた半導体発光素子を提供することを可能にする。
【解決手段】基板２と、基板上に設けられたｎ型半導体層４と、ｎ型半導体層の第１の領域上に設けられ発光する活性層６と、活性層上に設けられたｐ型半導体層８と、ｐ型半導体層上に設けられ酸素含有率が４０原子％未満の第１の導電性酸化物層１０ａを有するｐ電極１０と、ｎ型半導体層の第２の領域上に設けられるｎ電極１４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型電極の下面により光が反射されることを防止することで、発光効率を向上することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による半導体発光素子は、Ｎ型半導体層、活性層、Ｐ型半導体層が順次積層された発光構造物と、発光構造物の上面に形成される透明電極と、透明電極の上面に形成されるＰ型電極と、を含み、Ｐ型電極の位置に対応する発光構造物の内部には、電流の流れを遮断する絶縁体が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力光のスペクトル波形の広帯域化を保持しつつ、従来に比してより簡易に、スペクトル波形におけるピーク間のくぼみを低減することができ、かつ、スペクトル波形の左右対称性を高めることができるスーパールミネッセントダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスーパールミネッセントダイオード１は、ＧａＡｓ系の材料からなるスーパールミネッセントダイオードであって、活性層３０は、多重量子井戸構造を有し、Ｉｎ及びＡｌのうちの少なくとも一方を組成として含み、活性層３０における障壁層３２の層数は４層以下であり、障壁層３２の厚さは、それぞれ、１．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】出射光を上方に出射させる発光装置において、簡易なプロセスで反射防止膜を形成することができる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００の製造方法は、第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０８によって挟まれた活性層１０６を含み、活性層１０６内で生じる光を、活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂにおいて反射させて、上方に出射させる発光装置１００の製造方法であって、エピタキシャル成長法によって、基板１０２の上方に、第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８、および反射防止膜１１８を順次形成する工程と、反射防止膜１１８をパターニングして、光の出射部を形成する工程と、活性層１０６をエッチングして、少なくとも活性層１０６の側面１０６ａ，１０６ｂを上下方向に対して４５度傾斜させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ａ−Ｓｉ感光体ドラムを露光する露光装置において、ａ−Ｓｉ感光体ドラムへの露光量を確保しつつ、省エネルギー化を可能にする。
【解決手段】 本発明に係る露光装置７は、シリコンを主体とする非晶質材料からなる光導電層を有している感光体ドラム３の表面に帯電した電荷を露光して静電潜像を形成する。露光装置７は、基板の上に形成されたＡｌＧａＩｎＰからなる発光体を有する発光素子アレイを備えている。 （もっと読む）

【課題】高密度化した場合でも、発光出力を均一化することが可能な発光ダイオードアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】この発光ダイオードアレイの製造方法は、基板１上に半導体層を積層する工程と、半導体層の発光部形成領域１１上に、Ｘ方向に沿って配列するように、複数のレジスト層１００を形成する工程と、レジスト層１００をマスクとしてメサエッチングすることにより、半導体層に、互いに分離された島状の複数の発光部１０を形成する工程とを備えている。そして、レジスト層１００を形成する工程は、発光部形成領域１１のＸ方向の端部となる領域αに形成されるレジスト層１００の幅ｂ１を、端部以外の領域βに形成するレジスト層１００の幅ｂ２よりも小さく形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】支持基板の上に結晶性及び平坦性が高い窒素とガリウムを含む半導体層を有する半導体ウェハを提供する。
【解決手段】支持基板１と、上面２ｂが少なくとも単結晶となっているIII族窒化物系半導体の第１の窒化物系半導体層２と、第１の窒化物系半導体層２の上面２ｂに設けられ、窒素とガリウムを含む第２の窒化物系半導体層３とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上の複数の機能性領域の各部を選択的に夫々別基板に移設可能な移設方法等を提供する。
【解決手段】移設方法は第１乃至第６の工程を含む。第１工程では、第１の機能性領域１０１又は第２の基板２００上の第１の機能性領域の移設予定領域に第１の接合層２０５を設ける。第２工程では、第１の機能性領域と第２の基板を第１の接合層で接合する。第３工程では、第１の基板と第１の機能性領域を、第１の分離層１１５ａを第１の条件で処理して分離する。第４工程では、第１の基板上にある第２の機能性領域１０２又は第３の基板上の第２の機能性領域の移設予定領域に第２の接合層を設ける。第５工程では、第２の機能性領域と第３の基板を第２の接合層で接合する。第６工程では、第１の基板と第２の機能性領域を、第２の分離層１１５ｂを第２の条件で処理して分離する。第１及び第２の分離層は異なる条件で分離可能となる材料を含む。 （もっと読む）

【課題】１つの基板に設けられた複数の機能性領域のうち、任意の領域を選択的に別の基板に確実に移設することができる機能性領域の移設方法などを提供する。
【解決手段】分離層１１５を有する第１の基板１００の分離層１１５上に接合されて配されている機能性領域１０１を選択的に第２の基板２００に移設する機能性領域の移設方法は第１乃至第３の工程を含む。第１の工程では、機能性領域１０１と、第２の基板２００上の機能性領域移設予定領域との、少なくとも一方に所定の厚さの接合層２０５を設ける。第２の工程では、機能性領域１０１と第２の基板２００とを接合層２０５により接合する。第３の工程では、第１の基板１００と機能性領域１０１とを分離層１１５で分離する。 （もっと読む）

２８０ｎｍから３６０ｎｍの範囲の放射波長（λ_ｐｅａｋ）を伴う、高出力および高効率発光デバイスを製造する。新しいデバイス構造は、無極性または半極性バルクＧａＮ基板上に成長させられる、無極性または半極性ＡｌＩｎＮおよびＡｌＩｎＧａＮ合金を使用する。一実施形態において、光電子デバイスは、無極性または半極性ＧａＮ基板上に成長させられる、少なくとも、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、および窒素（Ｎ）を含有する１つ以上の発光層を備える光電子デバイスであって、該発光層は、無極性または半極性層である。
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