【課題】非極性面または半極性面を主面とするＧａＮ半導体層を用い、ｐ型層に意図的に積層欠陥を設けることで、ホール濃度を高く形成し、良好な偏光状態の光を取り出すことができる発光ダイオード、および、レーザ発振効率を高め、閾値電流を低減することができる半導体レーザダイオード。
【解決手段】ｃ面以外の非極性面または半極性面の面方位を結晶成長の主面とする化合物半導体（１００〜１０８）からなる積層構造を有する半導体発光素子であって、積層構造の一つに積層欠陥Ｉを発生させるｐ型半導体層１０８を設けることによって、ｐ型半導体層１０８の下部に比べて、ｐ型半導体層１０８より後に積層される結晶成長層の方が結晶欠陥が多いことを特徴とする半導体発光素子。 （もっと読む）

本発明の複数の実施の形態は、表面プラズモン増強による電磁波放射装置および装置の製造方法に関する。本発明の一実施の形態においては、電磁波放射装置（１００）は多層コア（１０６）、金属デバイス層（１０８）、および基板（１０４）を備える。多層コア（１０６）は内層（１１０）および内層の少なくとも一部を囲む外層（１１２）を有する。金属デバイス層（１０８）は外層の少なくとも一部を囲む。基板（１０４）は内層（１１０）と電気通信を行う下部導電層（１１８）および金属デバイス層（１０８）と電気通信を行う上部導電層（１２２）を有し、これにより、適切な電圧が下部導電層および上部導電層間に印加されると、露出部分が表面プラズモン増強による電磁波を放射する。
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【課題】２つの導電型側のオーミック電極を同一面に設けた構成において、クラック等の欠損に起因する接続不良等の発生を抑え、信頼性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置では、発光素子１２０に略矩形状に形成される発光領域と、発光素子１２０の一方側と電気的に接続される第１導電型側電極１２２と、発光素子１２０の他方側と電気的に接続される２導電型側電極１３０とが、発光素子１２０の薄膜の同一の面側に位置されるように形成されている。第１導電型側電極１２２は、対応する発光領域の略矩形状における少なくとも隣接する２辺の外側を連続して囲む位置に第１及び第２の電極部分１２２ａ，１２２ｂを有し、各第２導電型側電極１３０は、対応する各発光領域の上部に配置されている。第１導電型側電極１２２の第１及び第２の電極部分１２２ａ，１２２ｂの両方に亘って、第１導電型側配線部１３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光素子の電気的接続のための電極に必要な面積を低減し、発光素子全体の小型化と発光素子の輝度および光の取り出し効率の向上とを実現する。
【解決手段】 サファイア基板上に形成されたＧａＮ層等からなるダブルヘテロ構造を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子１がシリコン基板に形成されたＳｉダイオード素子２の上にフェイスダウン状態で搭載されている。ＧａＮ系ＬＥＤ素子１のｐ電極５とＳｉダイオード素子２のｎ電極８との間、および、ＧａＮ系ＬＥＤ素子１のｎ電極６とＳｉダイオード素子２のｐ電極７との間は、それぞれ、Ａｕマイクロバンプ１１および１２を介して電気的に接続されており、Ｓｉダイオード素子２は静電破壊からＬＥＤ素子１を守る働きをする。 （もっと読む）

【課題】発光出力の高いＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物化合物半導体とは屈折率が異なる基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、第一の層およびＤＢＲ層がこの順序で設けられており、該ＤＢＲ層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、ｎ型層、発光層およびｐ型層が、発光層をｎ型層とｐ型層が挟むように設けられており、該第一の層の厚さが１０００ｎｍ以下であるＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向特性の良好な中間層が設けられ、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体が備えられてなり、優れた発光特性及び生産性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２が積層され、該中間層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されてなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であり、中間層１２の結晶組織中には、中間層１２のＸ線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が７２０ａｒｃｓｅｃ以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、中間層１２の結晶組織における無配向成分の割合が、中間層１２の面積比で３０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ型のＧａＮからなる基板１の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型クラッド層２と活性層３とｐ型クラッド層との積層構造が設けられ、前記基板１に接続される電極を有する半導体発光素子において、前記電極を、前記積層構造の表面側からその一部を除去させて露出された前記基板１の表面に直接接して設けることによって、主発光面側に配置される電極を不要とし発光素子直上の配光分布を均一なものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置に発光効率の向上及び均一の指向性が要求されている。
【解決手段】半導体発光装置は、光を吸収する材料で形成されている基板１と、発光半導体領域２と、第１の電極３と、第２の電極４と、光透過性を有し且つ基板１及び発光半導体領域２を覆っている包囲体５と、光反射層６と、金属支持板７と、端子８と、接続導体９とを備えている。基板１の側面に凹凸面１３が形成されている。基板１の側面に凹凸面１３の上に光反射層６が形成されている。光反射層６に光散乱用の凹凸面２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 半導体デバイスの製造方法が開示される。前記方法は、複数のエピタキシャル層が上にマウントされた基板を用意すること；および、前記複数のエピタキシャル層を損なわずに、前記基板を前記複数のエピタキシャルから分離することを具備する。これは、前記複数のエピタキシャル層の電気的、機械的および光学的な特性を保持する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系のＮ型化合物半導体層と窒化ガリウム系のＰ型化合物半導体層との間にウェル層と障壁層が交互に積層された多重量子ウェル構造の活性領域を有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】この発光ダイオードは、Ｎ型化合物半導体層５７と隣接する第１障壁層５９ｂ及びＰ型化合物半導体層６３と隣接する第ｎ障壁層５９ｂに比べて相対的に広いバンドギャップを有する中間障壁層５９ｃを含む。中間障壁層は、第１障壁層と第ｎ障壁層との間に位置する。これにより、多重量子ウェル構造内で電子と正孔が結合し、光を放出する位置を調節することができ、発光効率を向上させることができる。さらに、バンドギャップエンジニアリングまたは不純物ドープ技術を利用して発光効率を向上させた発光ダイオードが提供される。 （もっと読む）

【課題】その工程上、窒化物系半導体層の形成に用いられるサファイア基板を容易にかつ効率よく取り除くことのできるＬＥＤチップの製造方法を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤチップの製造方法は、窒化物半導体層を有するＬＥＤチップを製造するための方法であって、サファイア基板上に窒化物系バッファ層が形成されており、当該窒化物系バッファ層上に窒化物系半導体層が形成されてなる構造を有するＬＥＤチップ構造体に対して、窒化物系バッファ層を化学エッチングにより除去する化学エッチング工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電気化学（PHOTOELECTROCHEMICAL ,PEC)反応を利用して酸化反応を起こし、柱状ナノ構造体を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）を形成する。
【解決手段】発光ダイオード（ＬＥＤ）の表面に薄膜金属層をめっきし、それを熱処理した後で金属の顆粒でマスクを形成し、マスクで保護されていない部分にエッチング処理を施し、金属顆粒マスクを取り外して柱状ナノ構造体（ナノロッド）を形成し、続いて、柱状ナノ構造体（ナノロッド）が形成された発光ダイオード（ＬＥＤ）を光電気化学（PHOTOELECTROCHEMICAL ,PEC)反応を利用、それに一定の電流を流し、さらに水銀灯の光を照射し、P型半導体材料を除き、材料の表面積に酸化層１０６を形成し、最後に再度金属層１０７をめっきし、P型半導体材料を導通して、柱状ナノ構造体（ナノロッド）を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）を形成する。 （もっと読む）

【課題】蛍光量子効率を向上して光の変換効率を向上させることのできる蛍光基板と、これを備えた発光装置を提供する。
【解決手段】蛍光基板において、６Ｈ型ＳｉＣ結晶からなり、ドナー不純物として濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以下の窒素を含み、アクセプタ不純物として濃度が７×１０^１８ｃｍ^−３以上のホウ素を含み、窒素の濃度が、ホウ素の濃度に対して２×１０^１８ｃｍ^−３以上高く、ホウ素の濃度の２倍に対して８×１０^１８ｃｍ^−３以上低いようにした。 （もっと読む）

【課題】光損失が低減され、指向性が高く、さらに発光装置を小型化可能にする窒化物半導体素子を提供することにある。
【解決手段】
支持基板４２と、支持基板４２上に備えられた、発光層１３を有する窒化物半導体層１０と、支持基板４２上であって、窒化物半導体層１０の少なくとも側面を被覆する第１封止部材１４と、を有する窒化物半導体素子であって、第１封止部材１４は、第１封止部材１４の外周領域Ｃを構成する媒体の屈折率よりも高い屈折率を有しており、第１封止部材１４と外周領域Ｃとの界面１７で、発光層１３から出射された光を、支持基板４２に対する窒化物半導体層１０の高さ方向に屈折できるよう、第１封止部材１４の界面１７を傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】ガラスの封止部が直方体状に形成された場合であっても、光の取り出し効率の低下を抑制する。
【解決手段】ＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２を搭載する素子搭載基板３と、素子搭載基板３上にてＬＥＤ素子２を封止しＬＥＤ素子２から発せられた光を拡散させるジルコニア粒子７が分散されたガラスからなり直方体状に形成されたガラス封止部６と、を備え、ＬＥＤ素子２から出射した光のうちジルコニア粒子７へ入射するものについては、ガラス封止部６内で拡散されてからガラス封止部６の表面に入射するようにした。 （もっと読む）

【課題】スタック型透明電極を有する半導体発光装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体発光装置は、基板と、基板の上方に位置し基板から離れる外表面を有する半導体発光層と、外表面の上方に位置し第一の表面を有する第一の透光性導電層と、第一の透光性導電層の上方に位置し第二の表面を有する第二の透光性導電層と、を含む。そのうち第二の透光性導電層の第二の表面の面積は、第一の透光性導電層の第一の表面の面積より小さい。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系基板中に含まれるＬｉの、基板上方に形成された半導体層中への拡散が抑制されたＺｎＯ系半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、Ｌｉを含むＺｎＯ系基板１と、その上方に形成されＬｉの拡散を抑制するジンクシリケート層３とを有する。このジンクシリケート層を介して、ｎ型ＺｎＯ層１１、ＺｎＯ井戸層とＺｎＭｇＯ障壁層からなる量子井戸構造を有する発光層１２、及びｐ型ＺｎＯ層１３がＺｎＯ系基板に対してエピタキシャル成長される。 （もっと読む）

【課題】層に使用される材料の相分離の影響を少なくし、信頼性や発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体からなる活性層１と、前記活性層１を挟み、超格子構造を含む窒化物系化合物半導体からなる上部光閉じ込め層２ｂおよび下部光閉じ込め層２ａと、前記上部光閉じ込め層２ｂの上部に配置される上部クラッド層３ｂと、前記下部光閉じ込め層２ａの下部に配置される下部クラッド層３ａとを有する半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】半導体素子端面での電流のリークやショートが防止された、新たな構造のIII −Ｖ族半導体素子。
【解決手段】III 族窒化物半導体からなる半導体層１０１は支持基板１０７に向かうにつれて断面積が漸減する逆テーパー状に形成され、半導体層１０１の下面には、ｐ電極１０２、低融点金属拡散防止層１０３が形成され、低融点金属層１０５、１０６を介して支持基板１０７に接合している。半導体層１０１の上面には、格子状にｎ電極１０８が形成されている。半導体層１０１の側端面には、イオン注入による高抵抗領域１１０が形成され、半導体層１０１上面の側端面近傍にも、イオン注入による高抵抗領域１１１が形成されている。この高抵抗領域１００、１１１によって、電流のリークやショートが防止される。 （もっと読む）

【課題】パッド電極による光吸収の問題が軽減された、照明用途などの用途に好適に用い得る、発光出力に優れたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１００は、基板１０１と、該基板上に形成された複数のＧａＮ系半導体層からなる半導体積層体１０２とを有している。ｐ型層１０２−３上には、透光性の導電性酸化物膜１０４と、正パッド電極１０５と、接続電極１０６とが形成されており、導電性酸化物膜１０４と正パッド電極１０５とは相互に重なっておらず、正パッド電極１０５からｐ型層１０２−３への電流の供給は導電性酸化物膜１０４を通して行われる。 （もっと読む）