【課題】反りの少ないエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェハは、基板１と窒化物半導体４，５，６の間に形成されたアルミニウム層２と、アルミニウムを陽極酸化して形成したアルミニウムの陽極酸化（陽極酸化Ａｌ）層３によって、熱膨張係数差に起因した応力を緩和することで、ウェハのそりを押さえることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善する発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、それぞれ第１の導電型の上部半導体層、活性層、第２の導電型の下部半導体層、及び前記第２の導電型の前記下部半導体層と前記活性層とを貫通して前記第１の導電型の前記上部半導体層を露出させるホールを含む第１の発光セル及び第２の発光セルと、前記第１の発光セル及び前記第２の発光セルと前記基板との間に位置し、前記第１の発光セル及び前記第２の発光セルを互いに電気的に接続するコネクタと、を含み、前記第１の発光セルの前記ホール及び前記第２の発光セルの前記ホールは、それぞれ前記第１の発光セル及び前記第２の発光セルの中央領域に位置し、前記コネクタは、前記第１の発光セルの前記第２の導電型の前記下部半導体層と、前記第２の発光セルの前記ホール内に露出された前記第１の導電型の前記上部半導体層とを電気的に接続していることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性が、半導体素子の寸法相当において向上した半導体基板を提供し、更には、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子、半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２と、基板１１と窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２との間に設けられた、不純物元素を５ｘ１０¹⁷ｃｍ^-3以上２ｘ１０¹⁹ｃｍ^-3以下含有する層１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】光効率が増加した発光素子、発光素子製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、第１導電型のドーパントを含む第１導電型半導体層と、上記第１導電型のドーパントと異なる第２導電型のドーパントを含む第２導電型半導体層と、上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に配置される活性層と、上記活性層と上記第２導電型半導体層との間に配置されて上記活性層及び上記第２導電型半導体層と接し、上記第２導電型のドーパントが含まれたＡｌＩｎＮ系半導体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】個々の半導体発光装置を区画する素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜の側面の所定位置で終端している保護膜を安定的に形成することにより、高い歩留りを確保する。
【解決手段】成長用基板の上に半導体膜２０を形成し、半導体膜２０に成長用基板に達する素子分割溝を形成し、素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜２０の側面を部分的に覆い且つ成長用基板から離間している保護膜５０を形成する。素子分割溝を形成する工程は、エッチングによる表出面の半導体膜２０の主面に対する傾斜角が第１の傾斜角を有するように半導体膜２０をエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後に、エッチングによる表出面の半導体膜２０に対する傾斜角が第１の傾斜角よりも大きい第２の傾斜角を有するように半導体膜２０をエッチングして傾斜角が異なる表出面を形成する第２エッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 出射ビーム形状の対称性が改善されており、かつ、レーザ発振抑制等が可能な端面発光型半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
半導体層の一部が光導波路２０２を形成し、
光導波路２０２は、半導体層の主面方向に沿って形成され、光を出射可能な光出射端面２０３を有し、
光導波路２０２の光出射端面２０３近傍部分は、前記主面に垂直な方向から見た場合に、光出射端面２０３に向かって左右いずれかに傾斜した形状を有し、
光導波路２０２の光出射端面２０３近傍部分において、光出射端面２０３に向かって左右方向における光導波路２０２の等価屈折率分布は、光導波路２０２の右端部および左端部の一方が他方よりも前記分布が急峻であり、かつ、
前記分布が急峻な側の端部は、前記主面に垂直な方向から見た場合の傾斜方向と逆側の端部であることを特徴とする端面発光型半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐光性、耐熱性、密着性、及びパターニング性に優れ、かつ、少ない工程数で製造しうる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、支持基板２と、支持基板２の上方に形成された半導体層４〜６と、半導体層の上面に形成された電極層７と、電極層７の一部が露出するように形成された、半導体層４〜６を保護するための保護層８と、保護層８の表面に形成され、電極７を電気的に連結する配線９を含む。保護層８は（Ａ）一般式：（Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P［一般式（１）中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、およびその縮合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物を含有する組成物の硬化物である。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶層の表面に均一な膜厚のレジスト膜を形成することが可能なエピタキシャルウエハ及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】単結晶基板２２上に結晶成長により形成された半導体結晶層３０が形成されたＬＥＤウエハ１０Ａは、半導体結晶層３０の表面の素子形成領域の一部が結晶成長面に比べて粗面化された粗面部５０を備えている。このＬＥＤウエハ１０Ａの表面１４Ａに、均一な膜厚のレジスト膜４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子単位に分離するための分離溝の形成時に生じる付着物を除去するために酸を用いた場合であっても、半導体層に悪影響を与えることのない、耐酸性及びクラック耐性に優れた保護層形成用組成物、及び、該組成物を用いた、光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】保護層形成用組成物は、シロキサン系重合体及び有機溶媒を含む。光半導体素子の製造方法は、基板１上に形成された半導体層２、３の表面に保護層形成用組成物を塗布して保護層４を形成する工程と、保護層４の上方からレーザーを照射して、分離溝６を形成する工程と、分離溝６の形成時に生じた付着物を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率の高い発光装置を得る。
【解決手段】 透光性基板の下側に半導体層を有し、該半導体層の下側に一対の電極を有する発光素子と、上面に、電極と電気的に接続される導体配線を有する基体と、発光素子を被覆し、基体の上面に設けられる透光性の封止部材と、を有する発光装置であって、発光素子は、透光性基板の上面は表面粗さＲａ１の粗面領域を有し、基体の上面は、表面粗さＲａ１よりも大きい表面粗さＲａ２を有する粗面領域を有することを特徴とする。これにより、光の取り出し効率の高い発光装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】
半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板の上に半導体膜を形成する。半導体膜の表面である−Ｃ面に凹凸を形成する。銀または銀を９０％以上含む合金からなり、半導体膜の凹凸面の一部を覆う金属膜を形成する。金属膜から露出した半導体膜の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する。半導体膜の凹凸の深さ寸法は、前記金属膜の厚さよりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】複数の波長の光を安定して発光できる比較的簡易な構成の発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、複合基板３と複合基板３上に設けられており発光層９を有する窒化ガリウム系半導体層５とを備える。複合基板３は基体１９と窒化ガリウム層とを有し、窒化ガリウム系半導体層５は窒化ガリウム層の主面に設けられており、窒化ガリウム層のｃ軸方向と窒化ガリウム層の主面Ｓ１の法線Ｎ１の方向とのなす角度θは５０度以上１３０度以下の範囲内にあり、発光層９は絶対値０．２以上の範囲内にある偏光度の光を発し、基体１９は発光層９から発せられる光によって発光する蛍光材料を含む。この構成によって発光層９から発せられる青色光と、発光層９から発せられる青色光が基体１９に入射することによって発光される黄色光とが合成された白色光を発光できる。 （もっと読む）

【課題】 光の利用効率が高い発光素子アレイ、及びこれを備える光プリントヘッドを提供する。
【解決手段】 本発明の実施形態の一例である発光素子アレイ１１は、素子基板２０と、素子基板２０の上に配列されている複数の発光素子４０と、を有しており、発光素子４０は、ｎ型クラッド層４１と、ｎ型クラッド層４１の上に設けられているｐ型クラッド層４３と、ｎ型クラッド層４１及びｐ型クラッド層４３の間に設けられている発光層としての活性層４２と、ｐ型クラッド層４３の上に設けられている電流拡散層４４と、を有しており、活性層４２の周縁と、電流拡散層４４の周縁とを結んでなる仮想線Ｌ_Ｖの該電流拡散層４４の側面に対する法線角度θ_Ｖが臨界角θ_ｌｉｍを下回る領域を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好な素子窒化物光半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この窒化物光半導体素子は、Ａ面サファイア基板１と、基板１上に設けられた厚さが１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成されたｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４と、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４上に形成されたｐ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層９とを備えている。Ａ面サファイア基板１上に、１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層を成長することによって、これにクラックが発生せず、平坦性と結晶性に優れたＣ面ＡｌＮ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】搭載基板及び無機材料の反りを抑制するとともに、製造コストを低減することができる光学装置の製造方法及び光学装置を提供する。
【解決手段】無機封止材料６の一面６ｂの少なくとも一部を軟化させ、発光素子２が搭載された複数の搭載基板３を無機封止材料６の軟化した部分に押し付けて、各搭載基板３の発光素子２を一括して封止するようにした。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させたフリップチップ型の発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、平面視にて略四角形状に形成され、厚さの寸法と、平面視における最も長い辺の寸法と、の比が０．２６以上であるサファイア基板１０と、サファイア基板１０上に形成され、ｎ型半導体層２２，２４、発光層２５及びｐ型半導体層２６，２８をサファイア基板１０側からこの順で有し、III族窒化物半導体からなる半導体積層部２９と、半導体積層部２９の一部を除去することによりｐ型半導体層２６，２８及び発光層２５の側方に形成され、サファイア基板１０に垂直な軸に対して傾斜した傾斜面９２を有するメサ部９０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】透明層と金属層とが剥離するおそれを低減する。
【解決手段】ｎ型半導体層１１、発光層１２、ｐ型半導体層１３が積層され、発光層１２からの光の取出し面とは反対側に反射膜Ａを備え、反射膜Ａは、透明部１５ｃと金属部１５ｂとを含む透明層１５と、透明層１５の、発光層１２とは反対側に積層された金属層１６とが積層されて構成され、透明部１５ｃ及び金属部１５ｂは、それぞれ透明層１５を貫通するように設けられ、透明部１５ｃは、透明層１５の、発光層１２側に設けられた層の屈折率より低い屈折率を有し、透明部１５ｃと金属層１６との間、及び透明部１５ｃと金属部１５ｂとの間には、透明部１５ｃと金属層１６、及び透明部１５ｃと金属部１５ｂをそれぞれ密着するための密着膜１８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子を構成する積層半導体層を基板から容易に剥離できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、基板上に、基板の表面の一部が露出するように犠牲層を形成する犠牲層形成工程（Ｓ１０１）と、基板の露出した表面上および犠牲層上に積層半導体層を形成する積層半導体層形成工程（Ｓ１０２）と、積層半導体層側より、基板に到達するとともに、犠牲層の側面が露出するように溝を形成する溝形成工程（Ｓ１０３）と、犠牲層を除去する犠牲層除去工程（Ｓ１０４）と、ｎ電極およびｐ電極を形成する電極形成工程（Ｓ１０５）と、積層半導体層を基板から剥離する基板剥離工程（Ｓ１０６）とを含む。 （もっと読む）

【課題】工数の低減、歩留りの向上を図ることのできる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体積層構造の一部を除去することにより第１導電型の半導体層の表面を露出させる工程と、第２導電型の半導体層の表面にｐコンタクト電極３０を形成する工程と、露出した第１導電型の半導体層上及びｐコンタクト電極３０が形成された第２導電型の半導体層上に絶縁層５０を形成する工程と、第１露出部と第２露出部とを有するパターン２００を絶縁層５０上に形成する工程と、第１露出部及び第２露出部から外部に露出した絶縁層５０を除去することにより、第１露出部に対応する位置に第１開口部を有し、第２露出部に対応する位置に第２開口部を有する絶縁層５０を形成する工程と、パターン２００を残存させた状態で、第１開口部及び第２開口部に電極を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】動作電圧が低く、かつ高い発光効率の窒化物半導体発光ダイオード素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上に設けられた窒化物半導体発光層と、窒化物半導体発光層上に設けられたｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に設けられた第１の反射層と、第１の反射層上に設けられた第２の反射層と、を含み、第１の反射層は、第１の導電性酸化物層と、第１の導電性酸化物層とは屈折率が異なる第２の導電性酸化物層と、を含み、第２の反射層は金属層である窒化物半導体発光ダイオード素子である。 （もっと読む）