【課題】積層半導体層を用いた下部配線の電位の安定性を向上させる。
【解決手段】下部配線２００は、ｐ型の半導体である基板８０と、ｐ型の第１半導体層８１と、ｎ型の第２半導体層８２と、ｐ型の第３半導体層８３とから構成され、さらに、露出させたｐ型の第１半導体層８１上にｐ型の半導体とオーミック接触する材料で形成されたｐ型電極１３６と、露出させたｎ型の第２半導体層８２上にｎ型の半導体とオーミック接触する材料で形成され、ｐ型電極１３６に延伸して設けられた短絡配線１２６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】例えばフリップチップ実装で用いられる半導体発光素子における光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】半導体発光素子１は、サファイアからなる基板１１０と、窒化珪素からなり基板１１０に島状に形成される複数の突起１１５と、基板１１０および複数の突起１１５に積層される中間層１２０、下地層１３０、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０およびｐ型半導体層１６０とを備える。ｐ型半導体層１６０には銀からなる金属反射層１７２を含む第１電極１７０が形成され、ｎ型半導体層１４０には第２電極１８０が形成される。ｎ型半導体層１４０は、下地層１３０に積層されるｎコンタクト層と、超格子構造を有し、ｎコンタクト層と発光層１５０との間に設けられるｎクラッド層とを備える。 （もっと読む）

【課題】家庭用交流電源に直接接続して駆動可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、互いに離隔した複数の電極層と、前記電極層上に位置し、前記電極層により直列に接続された複数の発光セルと、を含み、前記複数の発光セルのそれぞれは、第２の半導体層及び前記第２の半導体層の一部を取り除いて露出した第１の半導体層を介して前記電極層と電気的に接続され、前記複数の発光セルの上面は、それぞれ分離されており、１つ以上の前記複数の電極層は隣接した前記発光セルの前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を接続し、交流電源により駆動されることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加するＤＣマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層２の積層時に、（ｉ）ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下とすること、（ｉｉ）ＤＣマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、（ｉｉｉ）基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも１つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＡs／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。
【解決手段】ヒ素化合物からなる第１半導体と、ヒ素化合物からなる第２半導体と、リン化合物からなる第３半導体とを含み、前記第２半導体と前記第３半導体とが接触しており、前記第１半導体と前記第３半導体との間に前記第２半導体が位置しており、前記第１半導体が第１原子を第１濃度で含有し、前記第２半導体が第１原子を第２濃度で含有し、前記第１原子が第１伝導型のキャリアを発生させ、前記第１濃度が、前記第１半導体にドープする前記第１原子の量を増加するに従い増加するキャリア数が飽和し始める前記第１原子の濃度以上の濃度であり、前記第２濃度が、前記第２半導体にドープする前記第１原子の量を増加するに従い増加するキャリア数が飽和し始める前記第１原子の濃度未満の濃度である半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、光半導体層２と、光半導体層２で発光した光のピーク波長を長波長側に変換する波長変換層６と、を有する発光素子２０であって、光半導体層２と波長変換層６との間に設けられ、光半導体層２で発光した光を透過するとともに、波長変換層６でピーク波長が変換された光の一部を反射する第１中間層５と、光半導体層２と第１中間層５との間に設けられ、前記第１中間層との境界において、屈折角を入射角より小さくする第２中間層４と、を有する発光素子。を備える。 （もっと読む）

【課題】活性層の歪みを低減可能なIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａでは、半導体領域１３の主面１３ａは無極性又は半極性を示す。第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられ、この主面１３ａは基準面ＲＣに対して１０度以上の角度を成す。第１導電型バッファ層１５の材料は半導体領域１３の材料と異なる。キャリアブロック層１９は第３の六方晶系III族窒化物半導体からなる。活性層１７は窒化ガリウム系半導体層２１ａを含む。第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上において格子緩和する一方で、窒化ガリウム系半導体層は歪みを内包する。第１導電型バッファ層１５の格子緩和により、窒化ガリウム系半導体層２１ａの材料と半導体領域１３の主面１３ａの材料との格子定数差に起因する応力が、活性層１７に加わることがない。 （もっと読む）

【課題】上部クラッド層における電流の閉じ込め及び電界の閉じ込めを良好にすることが可能な半導体光素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板ＳＢと、半導体基板ＳＢ上に設けられた半導体メサストライプＭと、半導体メサストライプＭを埋め込む埋込層３０と、半導体メサストライプＭと埋込層３０との間に設けられ、誘電体材料からなる中間層２０とを備え、下部クラッド層Ｃ１は第１ドーパントの添加により第１導電型を示し、上部クラッド層Ｃ２は第２ドーパントの添加により第２導電型を示し、埋込層３０は第３ドーパントの添加により半絶縁性を示し、中間層２０は上部クラッド層Ｃ２の側面Ｆ１と埋込層３０との間に設けられ、中間層２０は上部クラッド層Ｃ２の側面Ｆ１に接し、埋込層３０は下部クラッド層Ｃ１の側面Ｆ３及びコア層１０の側面Ｆ４に接している半導体光素子１。 （もっと読む）

【課題】 内部で発生した光の利用効率を、本構成を有しないものに比べ向上することができる発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイを提供する。
【解決手段】 本発光ダイオードは、基板１と、二種のｎ型半導体層２１，２２を交互に積層して形成した光反射層を有するｎ型クラッド層２、二種のｐ型半導体層３１，３２を交互に積層して形成した光反射層を有するｐ型クラッド層３、およびｎ型クラッド層２とｐ型クラッド層３間に設けられた発光層４を含む、基板１上に形成されたメサ型構造５と、メサ型構造５の側面に形成された光拡散部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】照射パターンに特別な分布をもたせることが可能で、樹脂の透過率および蛍光体の発光効率の劣化を抑制し、高輝度の光を高い発光効率で出力することを可能にする。
【解決手段】基板の表面に設けられた複数の凹部内にそれぞれ、青色光もしくは近紫外光を発生する発光素子を樹脂で封止する工程と、発光素子から発生される光を透過する複数の第１領域を有しかつ変形可能な樹脂シートの、第１領域上にそれぞれ、発光素子から発生される光を透過する第１透過層と、発光素子から発生される光を波長の異なる光に変換する蛍光体と発光素子から発生される光を透過する透過材とを有する色変換層と、発光素子から発生される光を透過する第２透過層と、を積層し、樹脂シート上に第１透過層、色変換層、および第２透過層が積層された略半球状の積層膜を形成する工程と、略半球状の積層膜が形成された樹脂シートを基板と張り合わせ、略半球状の積層膜がそれぞれ発光素子上に位置するようにする工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】接触層と電極との界面にショットキー障壁が形成されるのを抑制可能な窒化物系半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ基板３と、ＧａＮ基板３の主面Ｓ１に設けられており発光層１１を含む六方晶系の窒化ガリウム系半導体領域５と、窒化ガリウム系半導体領域５上に設けられており金属からなるｐ電極２１とを備える窒化物系半導体発光素子のＬＤ１を提供する。窒化ガリウム系半導体領域５は、歪みを内包する接触層１７を含み、接触層１７はｐ電極と接しており、主面Ｓ１は、ＧａＮ基板３のｃ軸方向に直交する面から所定の傾斜角度θで傾斜した基準平面Ｓ５に沿って延びており、傾斜角度θは、４０度より大きく９０度より小さい範囲、又は、１５０度以上１８０度未満の範囲、の何れかに含まれている。窒化ガリウム系半導体領域５はＧａＮ基板３に格子整合している。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、テンプレート１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられる。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられる。活性層１７は、ＩｎＧａＮからなる少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第３上面１０２ｃは、第１上面１０２ａに対して傾いた面であって、かつ第１上面と段差側面１０３を介して第１上面よりも上方に位置し、活性層１０６は、平面的に見て、第１上面側の第１側面１０５と、第１側面と平行な第２上面１０２ｂ側の第２側面１０７と、を有し、第１側面は、第２側面より上方に位置し、活性層の少なくとも一部は、利得領域１４０を構成し、利得領域は、第１側面側の端面１５０と、第２側面側の端面と、を有し、利得領域に生じる光の波長帯において、第２側面の反射率は、第１側面の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】放射効率が高められたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体素子およびその種の半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が第１の主面及び第２の主面を有し、且つ、半導体素子の半導体基体が種々のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層の積層体によって形成されており、生成される放射の少なくとも一部が前記第１の主面を通過して出力結合され、第２の主面上にリフレクタが被着されている。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を、基板基体及び中間層を有する接合基板上に被着し、基板基体の熱膨張係数はＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の熱膨張係数よりも大きく、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を中間層上に析出する。 （もっと読む）

【課題】導通信頼性の高い電子装置、およびそれを用いた、画像形成装置並びに画像入力装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、基板１０２と、基板１０２の一表面上に形成された電子素子１０３と、電子素子１０３が形成された領域とは異なる領域に、所定間隔をあけて列状に配列され、第一の接続配線１０４を介して電子素子１０３と電気的に接続された、第一のパッド１０６と、電子素子１０３が形成された領域および第一のパッド１０６が形成された領域とは異なる領域に設けられ、第一のパッド１０６間を横切る第二の接続配線１０５を介して電子素子１０３と電気的に接続された、第二のパッド１０７と、を具備しており、第一のパッド１０６間において、第二の接続配線１０５の基板１０２とは反対側の表面が、第一のパッド１０６の基板１０２とは反対側の表面よりも基板１０２側に位置している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチングを行わずにメサ構造を形成して電流リークを低減することを可能にする。
【解決手段】エピタキシャル成長法によって、基板１１上にｎ型コンタクト層１２を形成する工程と、ｎ型コンタクト層１２上に、本体部１６が形成される領域上に開口部２２を設けた無機マスク２１を形成する工程と、エピタキシャル成長法によって、無機マスク２１の開口部２２内のｎ型コンタクト層１２上に、ｎ型層１３、活性層１４、ｐ型層１５を順に形成してメサ構造の本体部１６を形成する工程と、無機マスク２１を除去する工程と、ｎ型コンタクト層１２上および本体部１６表面に電極形成層２３を形成する工程と、電極形成層２３をパターニングして、ｎ型コンタクト層１２上にｎ電極１７を形成し、ｐ型層１５上にｐ電極１８を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】波長２００ｎｍから３００ｎｍの間の光を高効率で発光する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、ＡｌＮ基板（１６０２）上に凸状のアンドープＡｌＮ層（１６０４）が形成され、前記アンドープＡｌＮ層の上に発光層（１６０８）が形成されて、前記発光層とそれに接する層（１６０６，１６１０）の界面が複数の面方位を有する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光エピタキシー構造を含む発光ユニットを提供し、前記発光エピタキシー構造は、逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ^２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値が５０Ｖより大きく、また、前記発光エピタキシー構造は、順方向バイアスの条件の下で、１５０μＡ／ｍｍ^２の電流密度で駆動されるときに、少なくとも５０ｌｍ／Ｗの発光効率を有する。また、発光ダイオードの製造方法を提供する。この製造方法は、基板を提供し、第一成長条件の下で前記基板上に第一エピタキシー層を成長させ、第二成長条件の下で前記第一エピタキシー層上にプロセス転換層を成長させ、第三成長条件の下で前記プロセス転換層上に第二エピタキシー層を成長させるステップを含む。 （もっと読む）

薄膜ＬＥＤは、絶縁基板と、絶縁基板上の電極と、電極上のエピタキシャル構造とを備える。
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【課題】発光効率の大幅な向上を図ることができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。次に、レジストパターン１９をマスクとして、ｐ型ＧａＡｓ層１４、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３、活性層１２およびｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１を５℃より低温に冷却した塩酸からなるエッチャントを用いてウエットエッチングにより順次エッチングし、活性層１２の外周部がｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１およびｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３に対して外部に突出した構造を形成する。 （もっと読む）