【課題】発光ダイオードアレイ製造のＳＯＧ塗布工程においてＳＯＧ塗布面の均一化が図れる発光ダイオードアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたメサ溝(31)を隔てて、発光部(1)とボンディングパット
部(8a,8c)とがそれぞれ配列された発光ダイオードアレイにおいて、メサ溝(31)に直交す
る方向に切断するためのダイシングエリア(41)に、メサ溝(31)を遮断するようにメサ段(50)が形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板などの基板１１の一主面にＳｉＯ₂ などにより凸部１２を形成し、凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させ、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行った後、その上に活性層１７を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる。これらの層のうちの凸部１２および／または互いに隣接する凹部１３の間の中央部に対応する部分に発生した貫通転位１９をこれらの部分をエッチングして溝２０を形成することにより除去する。 （もっと読む）

実施形態は、光を発生するように動作可能な量子井戸領域と、量子井戸領域との界面を有する基板とを備えるＬＥＤを提供し、量子井戸領域によって発生された光は、界面を通過して基板に入射し、基板の出射面を通ってＬＥＤから出射する。出射面は、界面に対向し、かつ界面からある距離を置いて位置し得、このＬＥＤの一部または全体が、デバイスの光取り出し効率を最適化するように成形される。出射面は、光の所望の半角に対して、輝度を保存するために必要な最小面積の少なくとも７０％を有し得る。ＬＥＤの側壁は、側壁に入射する光線が、出射面での臨界角以下である出射面への入射角で、出射面に向けて反射するように配置され、かつ成形され得る。
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本発明は、交流電源により動作する発光ダイオードにおいて、一つの基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上部に、互いに異なる大きさを有し、電気的に絶縁されて形成され、金属配線を通じて直列に接続された複数の発光セルと、を備える発光ダイオードを提供する。本発明によれば、発光ダイオードに形成された各発光セルが互いに異なる大きさを有することにより、交流電源により発光動作を行う際に、発光セルごとに互いに異なるターンオン電圧を有することにより、各発光セルが発光を始める時間が互いに異なって、フリッカ現象を効果的に減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤヘッドなどの半導体装置において高解像度化に対応した構成とする場合であっても、配線での抵抗分を抑えてエネルギー効率を十分に改善させ得る半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板と、前記基板の一主面側に配設した第１導電型半導体層と、該第１導電型半導体層上に形成され前記第１導電型半導体層との間に第１及び第２導電型半導体接合面を形成する第２導電型半導体層とを有する発光素子とを有し、前記発光素子は複数形成され、隣接する所定数の前記発光素子の前記第２導電型半導体層を共通に接続する第２導電側配線を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２つの導電型側のオーミック電極を共に同一面に設ける場合で、ＬＥＤアレイ薄膜チップの表層の電極にクラック等が発生しても、接続不良等が発生しにくく、信頼性が高い電極及びコンタクト部を備えた半導体薄膜素子を提供する。
【解決手段】化合物半導体の薄膜から構成される、複数の発光素子の各々に略矩形状に形成される発光領域１２０と、発光素子１２０の一方側の第１導電型側電極１２２と、他方側の第２導電型側電極１３０とが、発光素子１２０の薄膜の同一の面側に、一方向に等間隔ピッチで少なくとも１列に配列されるように形成され、各第１導電型側電極２２２は、対応する発光領域１２０の略矩形状における少なくとも隣接する２辺の外側を連続して囲む位置に絶縁膜１４５を介して配置され、各第２導電型側電極１３０は、対応する各発光領域１２０の上部に配置される。 （もっと読む）

【課題】素子特性が低下するのを抑制することが可能な半導体チップを提供する。
【解決手段】このＬＥＤアレイチップ（半導体チップ）１００は、表面に平行な矢印Ｙ方向に延びる分割線１ａに沿って分割された基板１と、基板１の上面上に形成された発光部３０と、矢印Ｙ方向に延びるように、矢印Ｙ方向に対して基板１の上面の一方端部側および他方端部側にそれぞれ設けられ、分割の際に起点となったスクライブライン１ｂと、矢印Ｙ方向に対してスクライブライン１ｂの内側となる基板１の上面上の領域に設けられた凸部３０とを備えている。また、凸部３０は、基板１上の分割線１ａ近傍の領域に一対に設けられており、根元２０ａの分割線１ａ側が、発光部３０より分割線１ａ側に突出するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】金属反射層を分離することなく発光素子アレイが作製可能とする。
【解決手段】基板51上に複数の発光素子部を有し、少なくとも一部の隣接する発光素子部間は発光素子部間の電気的分離がされる発光素子アレイにおいて、金属反射層63を基板51上かつ複数の発光素子部下に備えるとともに、発光素子部間の電気的分離のための抵抗層64を複数の発光素子部と金属反射層63との間に備える。複数の発光素子部は複数のブロックに分かれ、各ブロックには複数の発送素子部が設けられ、発光素子部間の電気的分離は、ブロック間の隣接する発光素子部間の電気的分離とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 複数のＬＥＤ発光部１２１を駆動する駆動回路を有する集積回路基板１０１上に、該基板とは異なる異種基板上に形成された複数のＬＥＤ発光部１２１を接合して成る半導体複合装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】 有機層間絶縁膜１４５は、ＬＥＤ発光部１２１の周辺に設けられた他のＬＥＤ発光部１２１とを分離するメサ斜面を該メサ斜面の傾斜角より緩やかな傾斜角を有して被覆する。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤ素子層２のエッチング処理中に直下のコンタクト層（ｎ）１０５にまでエッチングが進行してしまう危険性を排除し、且つ、エッチング停止層１０６とＬＥＤ素子層２との境界に格子欠陥が発生するのを未然に防止するために、エッチング停止層１０６の層厚を最適に設定する。
【解決手段】 エッチング停止層１０６の層厚が、１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下になるように設定する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、青色または紫外発光が可能な発光素子であって、高出力、高効率なフリップチップマウント型の半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 透明な基板２１上に薄膜結晶層、第二導電型側電極２７、第一導電型側電極２８とを有し、光取り出し方向が基板側である化合物半導体発光素子であって、電極２８および電極２７が、互いに空間的に重なりを有さずかつ光取り出し方向とは反対側に形成されており、素子端において、前記薄膜結晶層の側壁面は前記基板２１の端より後退しており、絶縁層が、基板面の端から離れた位置より内側を覆い、薄膜結晶層の側面の全てを被覆し、第一導電型側電極の光取り出し方向側の一部に接し、第二導電型側電極の光取り出し方向と反対側の一部を覆っている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光強度の面内均一性がすぐれた大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明な基板２１上に形成された複数の発光ユニット１１を有する集積型化合物半導体発光装置であって、前記発光ユニットが、薄膜結晶層２４、２５、２６、第一および第二導電型側電極２７、２８を有し、光取り出し方向が基板側で、第一および第二導電型側電極が光取り出し方向と反対側に形成され、発光ユニット同士は、発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離され、さらに、基板と第一導電型クラッド層の間に、複数の発光ユニット間に共通して設けられ、複数の発光ユニットを光学的に結合して、光を集積型化合物半導体発光装置全体に分布させる光学結合層２３を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光強度の面内均一性がすぐれた大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の発光ユニットを有する集積型化合物半導体発光装置であって、発光ユニットが、第一導電型半導体層２４、活性層構造２５および第二導電型半導体層２６を有する薄膜結晶層を少なくとも有し、主たる光取り出し方向が第一導電型半導体層２４側方向であり、第一および第二導電型側電極２７、２８がその反対側に形成されて、発光ユニット１１同士は発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離され、発光ユニットは分断された活性層構造２５を含む複数の発光ポイントを有し、第一導電型半導体層２４より主たる光取り出し方向側に、複数の発光ユニット１１間に光学結合層２３とバッファ層２２が共通して設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光強度の面内均一性がすぐれた大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明な基板２１上に形成された複数の発光ユニット１１を有する集積型化合物半導体発光装置であって、前記発光ユニットが、薄膜結晶層２４、２５、２６、第一および第二導電型側電極２７、２８を有し、光取り出し方向が基板側で、第一および第二導電型側電極が光取り出し方向と反対側に形成され、発光ユニット同士は、発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離され、発光ユニットは分断された活性層構造２５を含む複数の発光ポイントを有し、さらに、基板と第一導電型クラッド層の間に、複数の発光ユニット間に共通して設けられ、複数の発光ユニットを光学的に結合して、光を集積型化合物半導体発光装置全体に分布させる光学結合層２３を有する。 （もっと読む）

【課題】 発光素子本体から出射されロッドレンズに入射する光の入射光量を増加させるとともに、発光層からの光の取出し効率を向上させることができる発光素子を提供する。
【解決手段】 基板２の厚み方向一方側の表面部２ａに形成され、通電されることによって発光する発光素子本体３と、発光素子本体３から出射された光を反射する反射体５とを覆い、発光素子本体３と反射体５との間の空隙に充填されるように、透光性を有し、かつ空気よりも高い屈折率を有する材料から成る導光体６が設けられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、大面積の面光源的発光に適した集積型化合物半導体発光装置の構造、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の発光ユニットを有する集積型化合物半導体発光装置であって、発光ユニットが、第一導電型半導体層２４、活性層構造２５および第二導電型半導体層２６を有する薄膜結晶層を少なくとも有し、主たる光取り出し方向が第一導電型半導体層２４側方向であり、第一および第二導電型側電極２７、２８がその反対側に形成されて、発光ユニット１１同士が、薄膜結晶層の表面から前記バッファ層２２の一部までを除去して形成された発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、大面積の面光源的発光に適した集積型化合物半導体発光装置の構造、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の発光ユニットを有する集積型化合物半導体発光装置であって、発光ユニットが、第一導電型半導体層２４、活性層構造２５および第二導電型半導体層２６を有する薄膜結晶層を少なくとも有し、主たる光取り出し方向が第一導電型半導体層２４側方向であり、第一および第二導電型側電極２７、２８がその反対側に形成されて、発光ユニット１１同士が、薄膜結晶層の表面から前記バッファ層２２の一部までを除去して形成された発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離され、発光ユニットは分断された活性層構造２５を含む複数の発光ポイントを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、大面積の面光源的発光に適した集積型化合物半導体発光装置の構造、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明な基板２１上に形成された複数の発光ユニット１１を有する集積型化合物半導体発光装置であって、前記発光ユニットが、薄膜結晶成長層２４、２５、２６、第一および第二導電型側電極２７、２８を有し、光取り出し方向が基板側で、第一および第二導電型側電極が光取り出し方向と反対側に形成され、発光ユニット同士が、薄膜結晶成長層の表面から前記バッファ層２２の一部までを除去して形成された発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離され、発光ユニットは分断された活性層構造２５を含む複数の発光ポイントを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、大面積の面光源的発光に適した集積型化合物半導体発光装置の構造、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明な基板２１上に形成された複数の発光ユニット１１を有する集積型化合物半導体発光装置であって、前記発光ユニットが、薄膜結晶成長層２４、２５、２６、第一および第二導電型側電極２７、２８を有し、光取り出し方向が基板側で、第一および第二導電型側電極が光取り出し方向と反対側に形成され、発光ユニット同士が、薄膜結晶成長層の表面から前記バッファ層２２の一部までを除去して形成された発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】発光面の全面にわたって均一な発光を得ること、また発光による熱の温度上昇が素子内部で偏りを生じにくい半導体発光素子を提供することを目的とする。また、一部にオープン不良が発生しても発光出力などが低下しない半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、第１導電型層１１上に第１電極１５を有する第１領域と、第１領域に隣接して、第１導電型層上に少なくとも第２導電型層１３と第２電極１７とを順に有する第２領域と、を有する半導体発光素子において、前記第２領域は連続した１つの領域であるとともに、前記第１領域は独立した複数の領域であり、複数の前記第１領域は、２行以上かつ２列以上の行列に配置されてなることを特徴とする半導体発光素子であり、またその半導体発光装置である。 （もっと読む）