【課題】規則的に配列された複数の半導体発光素子の内の一部の半導体発光素子のみを交換可能にした半導体発光素子アレイ装置、並びに、この半導体発光素子アレイ装置を備えた画像露光装置、画像形成装置、及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】集積基板１０１と、集積基板１０１上に備えられた複数のリムーバブル層１０８と、複数のリムーバブル層１０８上に備えられ、集積基板１０１の表面材料とは異なる材料から構成され、ＬＥＤを備える半導体発光素子薄膜１０２とを有し、複数のリムーバブル層１０８は、ケミカルエッチングによって選択的にエッチング可能な材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】 予定していない位置から光が放出されるのを抑制することができる発光素子アレイを提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光素子アレイ１は、ＤＢＲ層５と、少なくとも一層のｎ型半導体層１１からなるｎ型半導体領域及び少なくとも一層のｐ型半導体層１５，１７からなるｐ型半導体領域を有する半導体積層部からなり、互いに離間して配置されるとともにＤＢＲ層５に接するように設けられた複数の発光素子７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 内部で発生した光の利用効率を、本構成を有しないものに比べ向上することができる発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイを提供する。
【解決手段】 本発光ダイオードは、基板１と、二種のｎ型半導体層２１，２２を交互に積層して形成した光反射層を有するｎ型クラッド層２、二種のｐ型半導体層３１，３２を交互に積層して形成した光反射層を有するｐ型クラッド層３、およびｎ型クラッド層２とｐ型クラッド層３間に設けられた発光層４を含む、基板１上に形成されたメサ型構造５と、メサ型構造５の側面に形成された光拡散部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第３上面１０２ｃは、第１上面１０２ａに対して傾いた面であって、かつ第１上面と段差側面１０３を介して第１上面よりも上方に位置し、活性層１０６は、平面的に見て、第１上面側の第１側面１０５と、第１側面と平行な第２上面１０２ｂ側の第２側面１０７と、を有し、第１側面は、第２側面より上方に位置し、活性層の少なくとも一部は、利得領域１４０を構成し、利得領域は、第１側面側の端面１５０と、第２側面側の端面と、を有し、利得領域に生じる光の波長帯において、第２側面の反射率は、第１側面の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】導通信頼性の高い電子装置、およびそれを用いた、画像形成装置並びに画像入力装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、基板１０２と、基板１０２の一表面上に形成された電子素子１０３と、電子素子１０３が形成された領域とは異なる領域に、所定間隔をあけて列状に配列され、第一の接続配線１０４を介して電子素子１０３と電気的に接続された、第一のパッド１０６と、電子素子１０３が形成された領域および第一のパッド１０６が形成された領域とは異なる領域に設けられ、第一のパッド１０６間を横切る第二の接続配線１０５を介して電子素子１０３と電気的に接続された、第二のパッド１０７と、を具備しており、第一のパッド１０６間において、第二の接続配線１０５の基板１０２とは反対側の表面が、第一のパッド１０６の基板１０２とは反対側の表面よりも基板１０２側に位置している。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光エピタキシー構造を含む発光ユニットを提供し、前記発光エピタキシー構造は、逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ^２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値が５０Ｖより大きく、また、前記発光エピタキシー構造は、順方向バイアスの条件の下で、１５０μＡ／ｍｍ^２の電流密度で駆動されるときに、少なくとも５０ｌｍ／Ｗの発光効率を有する。また、発光ダイオードの製造方法を提供する。この製造方法は、基板を提供し、第一成長条件の下で前記基板上に第一エピタキシー層を成長させ、第二成長条件の下で前記第一エピタキシー層上にプロセス転換層を成長させ、第三成長条件の下で前記プロセス転換層上に第二エピタキシー層を成長させるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】発光素子の駆動電圧は発光素子のバンドギャップ電圧に依存して赤色発光ダイオードでは約２ボルト、白色発光ダイオードでは４から６ボルトの電圧である。いずれも商用電源で利用する場合には低い電圧へ変換して使う必要があり変換損失や変換器が必要となる。
【解決手段】本発明は一つの発光ダイオード基板上に複数個の発光素子を電気的に分離される様に構成して、この複数個の発光素子を直列に接続することにより発光ダイオードの駆動電圧を高くすることを可能にするものである。 （もっと読む）

【課題】 発光素子から発せられた光を照射対象物に効率良く照射することができる発光装置、画像形成装置、及び発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光装置１は、発光素子５と、発光素子５上に設けられた集光レンズ７と、発光素子５と集光レンズ７との間に介在する光ガイド部材９と、を備えている。光ガイド部材９は、発光素子５及び集光レンズ７の双方に接合されるとともに、外部空間の屈折率より大きい屈折率を有する。 （もっと読む）

発光ダイオード（LED）がウェーハ規模で製造される。製造方法は、切り離されたLEDをキャリヤ・ウェーハ又は伸縮性フィルム上に載置するステップと、LED間に隙間をつくるためにLEDの間隔を拡げるステップと、反射コーティングをLED上及びLED間の隙間に付加するステップと、LED間の隙間にある反射コーティングを、多少の反射コーティングがLEDの横方向の側面上に残留するよう破壊又は分離するステップと、を含む。LEDの横方向の側面上にある反射コーティングの部分が、エッジ発光を制御するのを助けることができる。
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【課題】半導体薄膜ＬＥＤを用いた高精細、高輝度かつ大面積表示装置の作製を可能にする。
【解決手段】下側電極共通配線３及び上側電極共通配線５の交差領域に平坦化絶縁膜６を形成して、典型的なラフネスを例えば５ｎｍ以下に平坦化し、この平坦化絶縁膜６上に半導体薄膜ＬＥＤ１０を分子間力を用いて三次元実装する。これにより、半導体薄膜ＬＥＤ１０における実装領域のサイズに依存せず、共通配線３，５の配線幅を広げることができる。平坦化絶縁膜６において、この上に実装する半導体薄膜ＬＥＤ１０が放射する発光波長に対して、透明性を有する材料を用いることにより、この平坦化絶縁膜６の直下に形成されている共通配線５を反射メタルとして機能させることができる。従って、高いＬＥＤ発光領域占有率を確保した上で、共通配線３，５の形成領域を最大限に確保して配線抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

光源及び光源を作る方法を開示する。光源（２０）は、電源母線に並列に接続した複数のセグメントＬＥＤ（２１）とコントローラ（２２）とを有する。電源母線は、接続するセグメントＬＥＤ（２１）の数を変更することができる。コントローラ（２２）はＡＣ電源を受け取り、電源母線に電源信号を送る。各セグメントＬＥＤ（２１）は、セグメントＬＥＤとして同系統の材料で作られた従来のＬＥＤの駆動電圧より３倍大きい駆動電圧を持つことを特徴とする。光源中のセグメントＬＥＤ（２１）の数は、製造工程で生じた個々のセグメントＬＥＤ（２１）の光出力の変動を補償するように選定する。本発明の他の特徴によれば、電源母線に接続されたセグメントＬＥＤ（２１）の数は、光源を組み立てた後でも変更することができる。 （もっと読む）

【課題】紫外と青色との間の波長を放出するＬＥＤを効果的にシステムに組み込む。
【解決手段】装置（５００）は、アクティブ領域（５３０）、蛍光体層（５５０）及び反射層（５２０）を備える。アクティブ領域は、第１のグループの波長から第１のバンドの波長を有する光を放出するように構成される。蛍光体層は、アクティブ領域と外部媒体との間にあってその双方に接触するように配置される。蛍光体層は、アクティブ領域から放出される光の第１のバンドの波長を第２のバンドの波長に変換するように構成される。第２のバンドの波長の中心波長は、第１のバンドの波長の中心波長よりも大きい。反射層は、アクティブ領域に光学的に結合される。アクティブ領域は、反射層と蛍光体層との間に配置される。反射層は、少なくとも第１のバンドの波長と第２のバンドの波長とを反射するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 各種光源に用いられる発光素子自体が非発光になるのを抑制する。
【解決手段】 本発明に係る発光素子１は、基板３と、基板３上に複数の半導体層を積層して形成され、少なくとも一層のｐ型半導体層からなるｐ型半導体領域５ｎ及び少なくとも一層のｎ型半導体層からなるｎ型半導体領域５ｐを有する半導体積層部５と、ｐ型半導体領域５ｐ及びｎ型半導体領域５ｎのそれぞれに接続される電極７と、を備え、ｐ型半導体領域５ｐ及びｎ型半導体領域５ｎのうちの一方の半導体領域は、他方の半導体領域上で複数の部分５ａに分割されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子、この製造方法及びこれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された、下部電極、下部電極上に形成された第１半導体層、第１半導体層上に形成された活性層、活性層上に形成された第２半導体層、及び第２半導体層上に形成された上部電極を各々有する複数の発光セルと、複数の発光セル中の一つの発光セルの下部電極とその発光セルに隣接する別の発光セルとの間に形成された絶縁膜と、を備え、複数の発光セルは、複数の発光セルを二つ以上有する第１の発光セルブロック及び複数の発光セルを四つ以上有する第２の発光セルブロックを構成し、第１の発光セルブロックの一端の発光セルの下部電極は、第２の発光セルブロックの二つの発光セルの上部電極と絶縁膜上に形成された配線で接続され、第１の発光セルブロックの他端の発光セルの上部電極は、第２の発光セルブロックの二つの発光セルとは異なる二つの発光セルの下部電極と絶縁膜上に形成された配線で接続される発光素子。 （もっと読む）

本発明は、動作時に、所定のイメージ（１０）を生成するオプトエレクトロニクス投影装置に関する。この投影装置は、電磁放射を発生させるのに適している活性層（１０１）と放射放出面（１０２）とを有する半導体ボディ（１）、を備えている。半導体ボディ（１）は、本投影装置のイメージ生成要素である。半導体ボディ（１）との電気接続を形成するため、第１のコンタクト層（２）および第２のコンタクト層（３）が、放射放出面（１０２）とは反対側の半導体ボディ（１）の裏面（１０３）に配置されており、かつ分離層（４）によって互いに電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】外部からの湿気浸透又は外部衝撃による配線の断線、配線抵抗の増加又は各発光セルの性能低下を防止することができる発光ダイオード及びそれを製造する方法を提供する。
【解決手段】同一基板上に互いに分離した複数の発光セルを形成し、発光セルは、下部半導体層と、下部半導体層の一部領域上に位置する上部半導体層と、下部半導体層と上部半導体層との間に配置された活性層と、をそれぞれ含み、複数の発光セルの全面を覆う第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層は、下部半導体層の他の領域上及び上部半導体層上に形成された開口部を有し、第１の絶縁層上に開口部を介して隣接する発光セルを電気的に接続する配線を形成し、第１の絶縁層及び配線を覆う第２の絶縁層を形成することを含み、第１の絶縁層及び第２の絶縁層は同一の材質で形成され、第１の絶縁層は、第２の絶縁層に比べて厚いことを特徴とする発光ダイオード製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】配線等の製造作業の煩雑さの少ない三次元形状計測用のパターン光発生装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップは、線状ＬＥＤ素子が当該素子の延伸方向に垂直な方向に沿って複数配列されてなる素子アレイを備える。この素子アレイは、半導体プロセスにより生成される。各線状ＬＥＤ素子は、それぞれ線状に延びるｐ側電極１０８を有しており、素子分離溝１１０により互いに分離されている。各線状ＬＥＤ素子は共通の基板１２０上に形成されており、その基板１２０の下側には全素子で共用されるｎ側電極１３０が形成される。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易であり、量産性が改善された発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層を有する積層体を、その第１の面が透光性基板の第１の面に隣接するように形成する工程と、前記積層体の前記第１の面とは反対側の第２の面側に設けられたｐ側電極及びｎ側電極上に、第１及び第２の開口を有する絶縁膜を前記第２の面側に形成する工程と、前記絶縁膜と前記第１及び第２の開口とを覆うシード金属を形成する工程と、前記シード金属の上にｐ側金属配線層及びｎ側金属配線層をそれぞれ形成する工程と、前記ｐ側金属配線層の上にｐ側金属ピラーを、前記ｎ側金属配線層の上にｎ側金属ピラーを、それぞれ形成する工程と、前記ｐ側金属配線層と前記ｎ側金属配線層との間に露出した前記シード金属を除去し、ｐ側シード金属とｎ側シード金属とに分離する工程と、前記シード金属を除去した空間の少なくとも一部に樹脂を形成する工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法及び発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】高密度化した場合でも、発光出力を均一化することが可能な発光ダイオードアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】この発光ダイオードアレイの製造方法は、基板１上に半導体層を積層する工程と、半導体層の発光部形成領域１１上に、Ｘ方向に沿って配列するように、複数のレジスト層１００を形成する工程と、レジスト層１００をマスクとしてメサエッチングすることにより、半導体層に、互いに分離された島状の複数の発光部１０を形成する工程とを備えている。そして、レジスト層１００を形成する工程は、発光部形成領域１１のＸ方向の端部となる領域αに形成されるレジスト層１００の幅ｂ１を、端部以外の領域βに形成するレジスト層１００の幅ｂ２よりも小さく形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】点灯させる発光素子を切り替えるための従来のパワーＭＯＳトランジスタを省略して、駆動回路、光プリントヘッド、及び画像形成装置の小型化や低コストを図る。
【解決手段】光プリントヘッドでは、発光素子として２端子のＬＥＤに代えて３端子の発光サイリスタ２１０を用い、このゲート駆動をドライバＩＣ１００内に設けた共通バッファとこれに接続される共通ゲート配線とを設け、この共通ゲート配線と発光サイリスタ２１０のゲートとの間の接続を個別回路を介して行う構成にしている。即ち、発光サイリスタ２１０のゲートを駆動する共通バッファを１箇所に集約し、発光サイリスタ２１０のゲート毎に個別回路を介在させてゲート駆動を行える構成にしている。これにより、同時駆動される発光サイリスタ間での干渉がなくなり、理想条件で駆動させることができる。 （もっと読む）