【課題】外部に定電流回路を必要としないＧａＮ系ＬＥＤ。
【解決手段】サファイア基板１０１上に、ＡｌＮバッファ層１０２が形成され、その上にＧａＮ層１１１とＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ層１１２とによるＨＥＭＴ構造が形成されている。Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ層１１２の上に、ｎ−ＧａＮ層１２１、井戸層をＩｎＧａＮとし、バリア層をＡｌＧａＮとしたＭＱＷ発光層１２２、ｐ−ＧａＮ層１２３が形成されている。露出されたＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ層１１２にソース電極１１５Ｓが形成され、対応するドレイン電極とｎ−ＧａＮ層１２１への電子注入電極を兼ね、ＨＥＭＴ／ＬＥＤ接続電極１６５Ｄｎが形成されている。ｐ−ＧａＮ層１２３表面にはＩＴＯから成る透光性電極１２８が形成され、その表面の一部に金から成るパッド電極１２９が形成されている。 （もっと読む）

発光ダイオード（ＬＥＤ）１０２の一次元のアレイ１００は、互いに近接して、例えば１５０μｍ以下の近くにＬＥＤを配置し、基板１０７の縁近くに、例えば１５０μｍ以下の近くにＬＥＤの少なくとも一つの側を配置するように構成される。ＬＥＤが基板の縁近くにあって、複数の一次元のアレイが、一緒に近くに配置される隣接する一次元のアレイからＬＥＤの二次元のアレイ１６０を形成するために並んで結合される。同じ一次元のアレイ上のＬＥＤと隣接する一次元のアレイ上のＬＥＤとの間のギャップを最小にすることにより、デバイスの輝度は、デバイスを高い放射輝度アプリケーションに適するようにして改善される。さらに、より大きい二次元のアレイを形成するために多くの一次元のアレイを使用することは、従来のモノリシック二次元のアレイと比べて収率を増大させる。
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【課題】２つの導電型側のオーミック電極を同一面に設けた構成において、クラック等の欠損に起因する接続不良等の発生を抑え、信頼性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置では、発光素子１２０に略矩形状に形成される発光領域と、発光素子１２０の一方側と電気的に接続される第１導電型側電極１２２と、発光素子１２０の他方側と電気的に接続される２導電型側電極１３０とが、発光素子１２０の薄膜の同一の面側に位置されるように形成されている。第１導電型側電極１２２は、対応する発光領域の略矩形状における少なくとも隣接する２辺の外側を連続して囲む位置に第１及び第２の電極部分１２２ａ，１２２ｂを有し、各第２導電型側電極１３０は、対応する各発光領域の上部に配置されている。第１導電型側電極１２２の第１及び第２の電極部分１２２ａ，１２２ｂの両方に亘って、第１導電型側配線部１３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】逆バイアス印加時に発生する漏洩電流を抑制することができるＧａＮ系半導体素子及びこれを用いた光学装置、画像表示装置を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系半導体素子は、ｎ型の導電型層を含む第１ＧａＮ系化合物層と、ｐ型の導電型層を含む第２ＧａＮ系化合物層と、第１ＧａＮ系化合物層と第２ＧａＮ系化合物層との間に形成された活性層とを有し、第１ＧａＮ系化合物層は、Ｓｉドーピング濃度（原子／ｃｍ³）が３×１０¹⁸³以上、３×１０¹⁹以下である下地層を含み、逆方向バイアスが印加された場合に、活性層の漏洩電流密度（Ａ／ｃｍ²）が２×１０^-5以下である。Ｓｉドーピング濃度をより好ましくは、４×１０¹⁸、８×１０¹⁸、１×１０¹⁹以上とすることによって、漏洩電流密度を８×１０^-6、１×１０^-6、６×１０^-7以下とすることができる。ＧａＮ系半導体素子を発光素子として構成して、これを光学装置、画像表示装置に用いる。 （もっと読む）

【課題】 基体の表面に熱特性が異なる領域を部分的に形成することによって窒化ガリウム系化合物半導体に含まれるＩｎの含有量を制御して、１つの発光素子で複数の波長の光を発することができる発光素子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 発光素子は、基体８と、基体８の表面に部分的に形成された二硼化物層領域１１と、二硼化物層領域１１上に形成された第１の波長の光を発する第１の発光層１４を含む第１の半導体層１２と、基体８の表面の二硼化物層領域１１以外の部位に形成された第２の波長の光を発する第２の発光層１８を含む第２の半導体層１６とを備えており、第１及び第２の半導体層１２，１６はそれぞれ、第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層１３，１７と、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層１４，１８と、第２導電型窒化ガリウム系化合物半導体層１５，１９とが順次積層されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光装置を１つの基板上に複数個の発光部を形成してモノリシックにより形成する場合において、配線の断線などが生じないで信頼性の高い半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 基板上に発光層を形成するように積層された半導体積層部が、分離溝により電気的に分離され、複数個の発光部１が形成される。この複数個の発光部１のｎ側電極２０とｐ側電極とを、配線膜３によりそれぞれ直並列に接続する。ｐｎ関係が逆方向に並列接続された２個１組の発光部１を、さらに直列に接続する。直列接続のための配線膜３を、分離溝を挟んで半導体積層部の表面が実質的に同一面になるように設けられたその分離溝上に、絶縁膜を介して形成する。並列接続した発光部１の一方のｎ側電極２０と他方のｐ側電極１９とを、発光領域には寄与しないダミー領域に設けた配線膜３で接続する。 （もっと読む）

【課題】不所望部分の下方で発光することを抑制することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型基板１０の一方の主面上に、ｎ型クラッド層１２，光活性層１３およびｐ型クラッド層１４が順に形成された半導体層１１を有し、この半導体層１１の上にｐ型キャップ層２１〜２３が形成されている。これらの上に更に各々所定領域において第１絶縁層７１，第１金属層７２，第２絶縁層７３および第２金属層７４が順に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 発光ダイオードの動作時に流れる電流を均一に分散させ、光効率を向上させることができる電極構造を有する交流駆動型の発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】 本発明は、基板と基板上に複数個の発光セルが直列連結された少なくとも一つの直列アレイとを備え、発光セルは下部半導体層と上部半導体層と活性層と上部電極層と、上部電極層上に形成された上部電極パッドと下部電極とを備え、上部電極パッド及び下部電極は互いに対角線上のコーナー部にそれぞれ配置され、それぞれの発光セルは隣接した発光セルに対して上部電極パッド及び下部電極の配置が互いに対称構造を有して配列されている交流駆動型の発光ダイオードを提供する。 （もっと読む）

【課題】発光部や受光部等の光機能部の気密性を高めた半導体素子を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたＮ型の半導体層１１０と、この上に積層されたＰ型の半導体層１２０と、環状の溝１３０−１、１３０−２によって規定されたポストＰ１、Ｐ２に形成された発光部１４０および受光部１５０と、発光部１４０および受光部１５０の表面に形成されたＰ側駆動電極１６０、１８０と、Ｐ側駆動電極１６０、１８０と電気的に接続され、かつ発光部１４０および受光部１５０を包囲するように形成された封止電極１７０、１９０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤスキャナー、ＬＥＤプリンタ等に使用される、半導体発光素子アレイチップの配列方向となるチップの短辺をダイシングする際のチッピング発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】発光素子アレイが（１００）シリコン基板上に形成された複合ウエハ構造において、発光素子アレイチップは長辺に対して短辺が傾斜した平行四辺形であり、傾斜した短辺が（１００）シリコン基板の面方位［０−１１］または等価な方位と一致しており、ダイシングをこの結晶方位に沿って行うことで、チッピングの少ない高密度発光素子アレイを可能にする。さらに、この発光素子アレイチップを一列に精密実装することでプリンタ用の露光光源装置を実現する。 （もっと読む）

交流駆動型の発光ダイオードが開示される。この発光ダイオードは、単一基板上に二次元的に配列された複数の発光セルを含む。複数の配線が、前記複数の発光セルを電気的に接続して、前記複数の発光セルの直列アレイを形成する。一方、前記複数の発光セルは、１０〜３０μｍの範囲内の距離で互いに離隔して配列され、前記直列アレイは、交流電源に接続されて動作する。前記複数の発光セルを、１０〜３０μｍの範囲内の距離で離隔させて配列することにより、制限された大きさの交流駆動型の発光ダイオードにおいて、良好な動作特性及び光出力を確保することができる。
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【課題】高い駆動電圧、低い駆動電流で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に複数のＧａＮ系発光ダイオード素子を形成してなる発光装置であって、複数の発光ダイオード素子は絶縁基板上に二次元配置され、複数の発光ダイオード素子は第１の組と第２の組に分けられ、第１の組と第２の組は２個の交流電源用電極に互いに反対極性となるように並列接続され、第１の組を構成する発光ダイオード素子のうちのいずれかの発光ダイオード素子の負電極と、第２の組を構成する発光ダイオード素子のうちのいずれかの発光ダイオード素子に隣接する発光ダイオード素子の負電極が共有されて電気的に接続され、２個の交流電源用電極と複数の発光ダイオード素子とは、それぞれ、平面形状が略同一形状かつ同一サイズであって、配置後の平面形状が略正方形となるようにマトリクス状に配置される。 （もっと読む）

結晶支持構造１１０をその上に有する基板１１５とＩＩＩ−Ｖ結晶２１０を備えるデバイス１００。ＩＩＩ−Ｖ結晶は、結晶支持構造の１つの単一接触領域１４０上にある。接触領域の面積は、ＩＩＩ−Ｖ結晶の表面積３２０の約５０パーセント以下である。
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発光体は、共通基板により機械的に相互接続する発光素子と、相互接続サブマウントとを含む。発光素子はサブマウントにより電気的に相互接続して発光素子の直列に接続する部分集合のアレイを形成し、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む。また、発光体は第１の共通基板により機械的に相互接続する第１の発光素子と、第２の共通基板により機械的に相互接続する第２の発光素子とを含み、第１の発光素子は第２の発光素子に機械的および電気的に接続する。また発光体は、機械的に相互接続する発光素子と、複数の発光素子を機械的および電気的に相互接続して発光素子の直列に接続する部分集合のアレイを形成する手段であって、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む手段とを含む。発光体を製造する方法も含む。
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【課題】 高解像度でかつアレイ間で光の強度が均一に高くて、しかも量産性が良好である発光素子アレイ、それを用いた光プリントヘッドおよび画像形成装置を提供する。
【解決手段】 発光素子アレイ１は、基板２と、基板２の表面部に設けられている発光素子とを有する。発光素子は幅方向に一定の間隔をあけて配列されており、発光素子のうち配列方向最端の発光素子を最端素子３、また最端素子３に隣接する発光素子を隣接素子４と呼ぶ。最端素子３の幅を隣接素子４の幅よりも小さく形成し、最端素子３と隣接素子４との間に反射体６を設ける。 （もっと読む）

本発明は、ナノ構造の発光ダイオード、即ちＬＥＤに関する。本発明にかかるナノ構造のＬＥＤデバイスは、複数の独立したナノ構造のＬＥＤからなるアレイを含む。各ナノ構造のＬＥＤは、光を生成する活性領域を有する。ナノ構造のデバイスは、複数のリフレクタを更に有し、それぞれが、１つの独立したナノ構造のＬＥＤ（またはナノ構造のＬＥＤのグループ）に結合されている。個々のリフレクタは、独立したナノ構造のＬＥＤそれぞれの活性領域、またはナノ構造のＬＥＤのグループの活性領域に面した凹面を有する。
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【課題】、発光素子の配列方向とは垂直方向の小型化を図ることで、駆動装置、ＬＥＤアレイ、ＬＥＤヘッド、及びこれらを備える画像形成装置の小型化を図ることを目的とする。
【解決手段】ドライバＩＣ ＤＲＶ１は、複数の発光素子を時分割駆動する駆動信号を出力する駆動装置であり、発光素子の駆動用制御信号が入力される端子ＶＤＤ_７、端子ＶＤＤ_８、端子ＶＤＤ_９、印刷データ出力端子ＤＡＴＡＯ３〜０、端子ＫＤＲＶ、端子ＳＴＢ、端子ＶＲＥＦ、端子ＧＮＤ、端子ＣＬＫ、端子ＬＯＡＤ、端子ＨＳＹＮＣ、及び印刷データ入力端子ＤＡＴＡＩ３〜０と、ＬＥＤ素子と接続され、入力端子に入力された信号に基づいて駆動信号を出力する複数の出力端子Ｄ０１，Ｄ０２，・・・，Ｄ０４８とを備え、入力端子群、及び出力端子Ｄ０１，Ｄ０２，・・・，Ｄ０４８は、略直線状に配列している。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上を図ることができる半導体発光装置及びＬＥＤアレイを提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、第１導電型の半導体層１０３と、この上の少なくともオーミックコンタクト層が形成される領域に形成された上部半導体層１０６ａと、上部半導体層内及び第１導電型の半導体層内に第２導電型不純物を選択的に拡散させることによって、第１導電型の半導体層内にｐｎ接合１０９を有するように、かつ、深さ方向拡散フロント１３０ａが第１導電型の半導体層内に位置するように形成された第２導電型不純物拡散領域１３０と、１つの発光部が形成されるように、上部半導体層内の第２導電型不純物拡散領域の横方向拡散フロントと、第１導電型の半導体層内の第２導電型不純物拡散領域の横方向拡散フロント１３０ｂとを含む領域にエッチング溝領域１１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来の基板リサイクルに比べて熱歪による基板の劣化を抑制し、更に基板のリサイクルと同等の効果を有しながら、コスト的にも従来より安価な発光素子の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の基板１００に分離層１０２、発光層１０３の順に成長させ、分離層１０２及び発光層１０３を第２の基板１１０に貼り合わせ、分離層１０２を除去することで、発光層１０３を第２の基板１１０に形成する発光素子の形成方法において、第１の基板１００に成長させる分離層１０２及び発光層１０３を一組とし、分離層１０２及び発光層１０３の組を複数組成長させ、最上層に存在する発光層１０３を島状にパターニングした後に、第２の基板１１０に貼り合わせ、島状にパターニングされた発光層１０３に隣接する分離層１０２をエッチングすることで、島状にパターニングされた発光層１０３を第２の基板１１０に形成する。 （もっと読む）

交流駆動型の発光素子が開示される。この交流駆動型の発光素子は、少なくとも４つの基板を有する。複数の発光セルが直列に接続された直列アレイが、前記基板上に各々配置される。一方、第１の接続手段が前記異なる基板上の直列アレイを電気的に接続する。前記第１の接続手段によって、各々少なくとも２つの直列アレイが互いに直列接続された、少なくとも２つのアレイ群が形成される。前記少なくとも２つのアレイ群は、互いに逆並列で接続されて動作する。これにより、交流電源で駆動され得る交流駆動型の発光素子が提供される。
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