【課題】 ダイシングによって形成される端面に近接する発光部への悪影響を防止することができる、解像度の高い発光素子アレイおよびこれを備える画像形成装置を提供することである。
【解決手段】 発光素子アレイ１１は、基板１２と、複数の発光部１３とを含んで構成される。発光部１３は、基板１２上に列を成して設けられ、電力が供給されることによって発光する。また複数の発光部１３の一部は、列方向一方に向かうにつれて、列方向の間隔が次第に狭くなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置としての発光ダイオードアレイ１０００を構成する半導体チップは、所定の半導体ウエハ上に同時に多数個形成され、スクライバーやダイシングソーなどにより半導体ウエハが切断され半導体チップが生成される。このときに欠陥の発生する確率を低減させること。
【解決手段】 半導体薄膜層１２０の少なくとも一部領域、及び、上記半導体薄膜１２０に接続する第１導電側電極１３１、第１導電側配線１３２、第２導電側電極１４１、第２導電側配線１４２等の導電部材の少なくとも一部を覆う被覆層１７０を備える。 （もっと読む）

【課題】 外部に取り出せる光量を増加させることが可能な発光ダイオードチップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 各発光部６からの光は周囲に拡散し、モールド部８１を透過して外部に放射されるが、各発光部６からの光のうちの一部はモールド部８１の側面８３において反射される。この側面８３が、発光部６からの光の少なくとも一部を発光部６が臨む領域に導く反射面８２となるので、外部に取り出せなかった光、および厚み方向Ｚで各発光部６が臨む領域に照射されなかった光を、各発光部６が臨む領域に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ検査後にリーク特性を示したり、全く発光しなかったりする問題を改善し、信頼性を向上させた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にエピタキシャル成長法により半導体層を積層させることによりｐｎ接合を形成し、しかる後にエッチングやダイシング等によりｐｎ接合を個々の素子に分離させたウエハ１０について電気的光学的特性を検査する工程を含む半導体発光素子６の製造方法において、前記検査の工程において、個々の素子に対して順方向電圧又は順方向電流を印加し電気的光学的特性の測定をする前に、積層させた半導体層により形成されたｐｎ接合と個々の素子のｐｎ接合の面積から推定される降伏電圧よりも大きい逆方向電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に第１のＧａＮ系発光ダイオード素子アレイが形成された発光装置であって、前記第１の発光ダイオード素子アレイは、第１発光ダイオード素子の列と、第２発光ダイオード素子の列とを含み、それぞれの列は、少なくとも１つの発光ダイオード素子を含み、前記第１アレイの発光ダイオード素子は、第１電極パッドと第２電極パッドとの間をそれぞれ直列に接続され、前記第１発光ダイオード素子の列と前記第２発光ダイオード素子の列は、それぞれ反対方向を向けて配置されていることを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供すること。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板上に直列に接続されたＧａＮ系発光素子の第１のアレイとを有し、前記発光素子の第１のアレイは、第１の部分、第２の部分及び第３の部分を有する電流の経路を形成し、前記第１の部分は、前記基板の第１の辺から前記基板の第２の辺に延び、前記第２の部分は、前記基板の前記第２の辺に沿って延び、前記第３の部分は、前記基板の前記第２の辺から前記基板の前記第１の辺に延びることを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

開示されるＬＥＤの実施形態は、ＬＥＤの光出力を最大化し、所望の強度分布を達成するように、ＬＥＤの基板に対して制御された深さまたは高さに成形される、エミッタ層を有する。いくつかの実施形態において、ＬＥＤの放出面は、放射輝度を保存するように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、基板および側壁を含むＬＥＤ全体の成形、または基板のみの成形は、エミッタ層で生成される光の１００％または約１００％をエミッタ層から抽出することができる。いくつかの実施形態において、全効率は、少なくとも９０％以上である。いくつかの実施形態において、エミッタ層は、エッチング、機械的成形、または種々の成形方法の組み合せにより、成形することができる。いくつかの実施形態において、微小なエミッタを形成するように、エミッタ層の一部のみが成形される。非成形部分は、ＬＥＤの連続的な電気接続を形成する。
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【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】第１上部領域、第２中部領域及び第３の下部領域を含む絶縁基板であり、前記第１上部領域と、前記第２中部領域と、前記第３下部領域は、それぞれ第１方向へ延び、前記第２中部領域は、第１方向と直交する第２方向において前記第１上部領域と前記第３下部領域との間に位置している絶縁基板と、直列接続され、前記絶縁基板上の前記第１上部領域、前記第２中部領域及び前記第３下部領域に配置され、前記第１上部領域、前記第２中部領域、前記第３下部領域の順に点灯する第１のＧａＮ系発光ダイオード素子アレイと、直列接続され、前記絶縁基板上の前記第１上部領域、前記第２中部領域及び前記第３下部領域に配置され、前記第３下部領域、前記第２中部領域、前記第１上部領域の順に点灯する第２のＧａＮ系発光ダイオード素子アレイとを有することを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、ワイヤーボンディング用金属の剥離を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層される。絶縁膜１２のコンタクトホールを介してボンディング用金属１３と電極は接続される。このボンディング用金属１３は、少なくとも隣接する２つ以上の前記半導体素子表面に渡って連続的に形成される。 （もっと読む）

【課題】電流注入で２色発光可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基板１００上に配置された第１のｎ型半導体層１２０と、第１のｎ型半導体層１２０上に配置され，(Ａｌ_xＧａ_y)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０≦x≦０．８５、０≦ｙ≦１）４元系化合物半導体からなる第１の活性層１３０と、第１の活性層１３０上に配置された第１のｐ型半導体層１４０と、第１のｐ型半導体層１４０上に配置された第１のアノード電極２と、導電性基板１００上に配置された第２のｎ型半導体層１６０と、第２のｎ型半導体層１６０上に配置され，(Ａｌ_xＧａ_y)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０≦x≦０．８５、０≦ｙ≦１）４元系化合物半導体からなる第２の活性層１７０と、第２の活性層１７０上に配置された第２のｐ型半導体層１８０と、第２のｐ型半導体層１８０上に配置された第２のアノード電極３と、導電性基板１００上に配置された共通のカソード電極４とを備える。 （もっと読む）

発光ダイオードをここに開示する。発光ダイオードは、支持基板と、支持基板の上に形成された半導体層と、支持基板と下部半導体層との間に位置する金属パターンとを含む。半導体層は、第１の導電性の上部半導体層、活性層及び第２の導電性の下部半導体層を含む。各半導体層は、犠牲基板上で成長し、支持基板は犠牲基板と同種の基板である。
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【課題】半導体ウエハのダイシング時に下地絶縁層が外力を受けて剥離することのない構造の半導体装置、この半導体装置を用いたＬＥＤヘッド及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】半導体基板５０の上部に形成された発光ダイオードを構成する半導体薄膜２０及び集積回路の配線層５１とを備えた半導体装置において、半導体基板上の下地絶縁層５４に半導体薄膜を固着し、下地絶縁層のダイシング位置側端部と、下地絶縁層から露出する基板上の露出部とを剥離防止パターン部７７により覆う。 （もっと読む）

【課題】大型化するのを抑制することが可能な発光ダイオードアレイを提供する。
【解決手段】この発光ダイオードアレイ１は、ｎ型基板２上に形成された複数の発光部１１と、複数の発光部１１を互いに分離するためのエッチング溝１２と、発光部１１の所定領域上に配置されたｐ側電極９とを備えている。複数の発光部１１は、光を出射するための光出射領域１１ａが設けられた幅細部１１ｂと、幅細部１１ｂに連続するように設けられた幅太部１１ｃとを含み、複数の発光部１１は、複数の一対の発光部１１ｄおよび１１ｅにより構成され、発光部１１ｄの幅太部１１ｃは、一対の発光部１１ｄおよび１１ｅの両方の幅細部１１ｂのＢ方向の一方側（矢印Ｂ１方向）に形成されており、発光部１１ｅの幅太部１１ｃは、一対の発光部１１ｄおよび１１ｅの両方の幅細部１１ｂのＢ方向の他方側（矢印Ｂ２方向）に形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体発光素子を含む半導体発光装置の小型化が要求されている。
【解決手段】 本発明に従う半導体発光装置は、シリコン半導体基板１と、この半導体基板１の中に形成された低抵抗の半導体層から成る第１の配線導体層２、３と、第１の配線導体層２，３の上に配置された複数の発光半導体領域４a〜４ｆと、発光半導体領域４a〜４fの上面に接続された第２の配線導体層５，６，７とを有する。各発光半導体領域４a〜４ｆの下面に第１の配線導体層２，３、４を接続するので半導体発光装置の小型化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させ、照明用としても適用可能な発光源を提供する。
【解決手段】集積型発光源は、集積型発光装置と、集積型発光装置に密着して付着している、発光波長において透明な材料からなる光取り出し材料とを有する。集積型発光装置は、発光波長に対して透明な基板と、基板上に形成された複数の発光ユニットを有する。発光ユニットは、化合物半導体薄膜結晶層と電極とを有し、第１の光取り出し方向が基板側である。電極は第１の光取り出し方向とは反対側に形成され、発光ユニット同士は、隣接する発光ユニットの間に設けられた発光ユニット間分離溝で電気的に分離されている。基板と第一導電型半導体層の間には、複数の発光ユニット間に共通して設けられ、複数の発光ユニットを光学的に結合し、１つの発光ユニットから発せられた光を他の光学ユニットに分布させる光学結合層を有する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させ、照明用としても適用可能な発光源を提供する。
【解決手段】集積型発光源は、集積型発光装置と、集積型発光装置に密着して付着している、発光波長において透明な材料からなる光取り出し材料とを有する。集積型発光装置は、発光波長に対して透明な基板と、基板上に形成された複数の発光ユニットを有する。発光ユニットは、化合物半導体薄膜結晶層と電極とを有し、第１の光取り出し方向が基板側である。電極は第１の光取り出し方向とは反対側に形成され、発光ユニット同士は、隣接する発光ユニットの間に設けられた発光ユニット間分離溝で電気的に分離されている。基板と第一導電型半導体層の間には、複数の発光ユニット間に共通して設けられ、複数の発光ユニットを光学的に結合し、１つの発光ユニットから発せられた光を他の光学ユニットに分布させる光学結合層を有する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させ、照明用としても適用可能な大面積の発光源を提供する。
【解決手段】集積型発光源は、メイン支持体上に配列された複数の発光装置を有する。複数の発光装置のうち少なくとも１つは、第一導電型クラッド層を含む第一導電型半導体層、活性層構造、および第二導電型クラッド層を含む第二導電型半導体層をこの順序で有する化合物半導体薄膜結晶層と、第二導電型側電極と、並びに第一導電型側電極とを単位とする発光ユニットを複数有し、この複数の発光ユニット中の前記化合物半導体薄膜結晶層が、同一工程により形成された集積型発光装置である。 （もっと読む）

【課題】 混色の光を放出し、交流電源、特に、高電圧交流電源下で駆動可能な発光ダイオードパッケージを提供すること。
【解決手段】 発光ダイオードパッケージが開示される。このパッケージは、第１の基板上に形成され、相対的に短波長の光を放出する発光セルの第１の直列アレイと、第２の基板上に形成され、相対的に長波長の光を放出する発光セルの第２の直列アレイと、を備える。前記第１及び第２の直列アレイは、互いに逆並列で連結されて動作する。これにより、交流電源下で動作可能であり、色再現性及び発光効率に優れた白色光を具現可能である、発光ダイオードパッケージを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させ、照明用としても適用可能な発光源を提供する。
【解決手段】集積型発光源は、集積型発光装置と、集積型発光装置に密着して付着している、発光波長において透明な材料からなる光取り出し材料とを有する。集積型発光装置は、発光波長に対して透明な基板と、基板上に形成された複数の発光ユニットを有する。発光ユニットは、化合物半導体薄膜結晶層と電極とを有し、第１の光取り出し方向が基板側である。電極は第１の光取り出し方向とは反対側に形成され、基板と第一導電型半導体層の間に、複数の発光ユニット間に共通して設けられたバッファ層を有し、発光ユニット同士は、隣接する発光ユニットの間に設けられ、化合物半導体薄膜結晶層の表面からバッファ層の界面まで、またはバッファ層の一部までを除去して形成された発光ユニット間分離溝により電気的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】面発光型素子を、パターンを有する基板に接合する際に、発光部に圧力が集中し難い面発光型デバイスを提供する。
【解決手段】表面に配線パターンを有する基板２０００に面発光型素子１０００が設けられて構成されている面発光型デバイスであって、面発光型素子の光放射面には、面発光型素子の発光部から光を放射するための窓を有する放射側電極が形成されており、且つ、面発光型デバイスの基板側電極１０と基板２０００の配線パターン１３とは、発光部の直下以外の部分で、電気的に接続されている。 （もっと読む）