【課題】比較的結晶欠陥の少ない窒化ガリウム系化合物半導体層を比較的低コストで得ることができる技術を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上に、ＳｉＯ_２層１３を形成し、層１３を部分的に除去してサファイア基板の露出部を形成し、露出部を持つサファイア基板上に、非晶質窒化ガリウム系化合物半導体を堆積し、層１３上の非晶質窒化ガリウム系化合物半導体を蒸発させ、サファイア基板の露出部上に非晶質窒化ガリウム系化合物半導体の核を形成し、核のサイズ増大、合体、結晶成長、層１３上への横方向結晶成長、平坦表面形成などを経て、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層２０を形成し、サファイア基板１０の露出部上の窒化ガリウム系化合物半導体層を除去して分離溝２５を形成する。サファイア基板上の窒化ガリウム系化合物半導体層２０は他の基板に移設される。 （もっと読む）

LED層(18-22)がサファイア基板全体にわたって成長する。個々のフリップチップLEDが、トレンチ加工又はマスクを用いたイオン注入によって形成される。複数のLEDを有するモジュールが、ダイシングされ、かつサブマウントウエハ(44)上に載置される。サブマウント金属パターン又は前記LED上に形成された金属パターンは、モジュール内の前記LEDを直列に接続する。続いて成長基板が、たとえばレーザーリフトオフによって除去される。載置前又は載置後、前記LEDを一つとなるように機械的に接続する半絶縁層が形成される。前記半絶縁層は、前記基板と前記LED層との間の層のイオン注入によって形成されて良い。前記半絶縁層へのバイアス印加によって、基板除去後に曝露される前記半絶縁層のPECエッチングが行われて良い。その後前記サブマウントは、直列接続されたLEDを有するLEDモジュールを形成するようにダイシングされる。
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【課題】 作製工程を短縮化した発光素子アレイの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子アレイの製造方法は、（１）成長用基板上部に第１導電型の半導体層、発光層及び第２導電型の半導体層で構成される光半導体層を含むＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する工程と、（２）前記ＩＩＩ族窒化物半導体層の一方主面の一部を除去し一方主面と型の異なるＩＩＩ族窒化物半導体層を露出させ、前記第１導電型および前記第２導電型の半導体層にそれぞれ電極を形成する工程と、（３）前記半導体層の一方主面に形成した前記電極を、支持基板の主面のうち該電極に対向する位置に形成した電極に接合した後に、成長用基板を除去する工程と、を具備する （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオードの製造方法は、基板上に、Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層を有する少なくとも一つの発光セルを形成するが、（ａ）前記Ｐ型半導体層 の上面にＩＴＯ層を有する少なくとも一つの発光セルを形成するステップと、（ｂ）前記ＩＴＯ層に配線連結のための接点溝をドライエッチングにより形成する ステップと、（ｃ）配線連結のために、前記接点溝に導電性金属からなる接点接続部を充填するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】高光度、高輝度の光を発光することのできる発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板の上に各々が間隔を介して配置された複数の発光セルと、前記複数の発光セル上に形成された絶縁層と、を備える発光素子であって、前記発光セルは、第１型半導体層及び第２型半導体層を含み、前記絶縁層は、前記第１型半導体層及び前記第２型半導体層の一部を露出する複数の開口部を有し、前記複数の発光セルのうち、少なくとも一つの前記発光セルは、水平面に対して垂直ではない少なくとも一つの側面を有し、前記少なくとも一つの前記発光セルの前記第１型半導体層は、前記少なくとも一つの前記発光セルと隣り合う他の前記発光セルの前記第２型半導体層に、前記絶縁層の上に形成された導電性配線により前記開口部を通して電気的に接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 構成及び製造工程をより簡単にした発光素子アレイ及びこれを備えた画像表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光素子アレイ１は、基板３と、基板３上に形成され、行列状に配置された複数の発光素子５と、行方向Ｈに並ぶ発光素子５間を接続する複数の第一電極配線Ｘ１，Ｘ２と、第一電極配線Ｘ１，Ｘ２から分岐して列方向Ｖに引き出された電極リード配線Ｚ１，Ｚ２と、を備え、複数の第一電極配線Ｘ１，Ｘ２の少なくとも１つは、複数の部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂに分割されており、該分割部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂ間の領域を経由して、他の第一電極配線Ｘ２から分岐した前記電極リード配線Ｚ２が引き出されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のｐ型III族窒化物半導体超格子からなるｐ型半導体よりも低抵抗のｐ型特性を示す所望の屈折率とバンドギャップを有するｐ型III族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】このｐ型III族窒化物半導体は、サファイア基板２０上に低温ＧａＮバッファー層２１，ＧａＮ層２２が順次積層された積層構造上にエピタキシャル成長された、Ｉｎ_0.04Ａｌ_0.2Ｇａ_0.76Ｎ層とｐ型Ｉｎ_0.1Ａｌ_0.04Ｇａ_0.86Ｎ層との超格子構造からなるｐ型III族窒化物半導体２３である。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤでの反射が少なく、良好な光学特性を有しつつチップのサイズをより縮小化することのできる良好な量産性を有する発光装置と、この発光装置を用いた光プリントヘッドを提供する。
【解決手段】回路基板１と、回路基板１上に設けられた第一電極パッド２と、回路基板１上に配置され、発光部４を備えた発光素子チップ３と、発光素子チップ３上に設けられた四角形状の第二電極パッド５と、第一電極パッド２に対してファーストボンド６ａが接続され、第二電極パッド５に対してセカンドボンド６ｂが接続されたボンディングワイヤ６とが設けられ、ボンディングワイヤ６は、ファーストボンド６ａとセカンドボンド６ｂとを結ぶ直線が第二電極パッド５の対角方向に沿うように設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、ＺｎＯ膜を用いたときに装置全体の電流−電圧特性を改善することができるＧａＮ系半導体装置を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。受光面側又は光取り出し面側にｐ型ＧａＮ層６に接してＺｎＯ膜８が形成され、半導体素子は受光面側又は光取り出し面側から見た大きさが２００μｍ×２００μｍ以下に作製されている。 （もっと読む）

第１の共通電極１１、２１と、互いに電気的に離隔された電極パッド１４、２４ａ、２４ｂのセットを形成する、構造化された導電層１２、２２と、第１の共通電極１１、２１と構造化された導電層１２、２２との間に介挿された誘電層１３、２３と、第２の共通電極１５、３０と、複数の発光素子であって、各該発光素子は、電極パッド１４、２４ａ、２４ｂのうち１つと第２の共通電極１５、３０との間に電気的に接続され、電極パッド１４、２４ａ、２４ｂのうち該１つと、誘電層１３、２３と、第１の共通電極１１、２１とを有するコンデンサ１８、３１と直列に接続された、複数の発光素子１６、２０ａ、２０ｂと、を有する、発光装置。該第１の共通電極と該第２の共通電極との間に交流電圧が印加されると、該発光素子は容量結合により電力供給され、電流制限をも提供する。該発光装置の動作の間、１つの発光素子における短絡障害は、同じコンデンサに接続された発光素子にしか影響しない。更に、短絡電流が該コンデンサにより制限される。
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【課題】本発明に係る発光装置は、高い駆動電圧、低い駆動電流で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】複数の三角形状の発光ダイオード素子を直列に接続した第１の発光ダイオードアレイと、複数の三角形状の発光ダイオード素子を直列に接続した第２の発光ダイオードアレイと、前記第１の発光ダイオードアレイと前記第２の発光ダイオードアレイは、それぞれ、複数の発光ダイオード素子列に分割されて交互に並列に矩形状に配置される。 （もっと読む）

【課題】小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体複合装置を提供する。
【解決手段】半導体複合装置は、基板と、内部に一つだけ半導体素子を有する半導体薄膜であって、基板上に設けられた１０μｍ以下の厚さでシート状のＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３と、集積回路及び第１の端子領域を有し、基板上に設けられた１０μｍ以下の厚さでシート状の集積回路薄膜１０４と、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３の半導体素子上から基板の表面を経由して集積回路薄膜１０４の第１の端子領域上に至る領域に設けられ、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３の半導体素子と集積回路薄膜１０４の第１の端子領域とを電気的に接続する薄膜の個別配線層１０５と、個別配線層１０５下の個別配線層のコンタクト領域以外の部分に設けられた層間絶縁膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光層からの第１の波長の光を吸収して、第２の波長の光を放射する蛍光体を含む蛍光体層を備えた発光素子において、発光素子の発光効率を向上させる。
【解決手段】複数の波長の光が出射される発光素子１００において、基板１０１上に設けられ、第１の波長の光を放射する発光層１０３ａを含む第１の半導体層１０３Ａと、第１の半導体層１０３Ａ上に設けられ、発光層１０３ａからの第１の波長の光を吸収して第２の波長の光を放射する第１の蛍光体を含む第１の蛍光体層１０８ａとを有する第１の発光素子部１００Ｇａを備え、第１の半導体層１０３Ａと第１の蛍光体層１０８ａとの間に、第１反射膜１０７ａが設けられ、第１反射膜１０７ａは、第１の波長の光を透過する一方、第２の波長の光を反射するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧、低い駆動電流で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】複数の発光ダイオード素子を有する第１の発光ダイオードアレイと、複数の発光ダイオード素子を有する第２の発光ダイオードアレイと、前記第１の発光ダイオードアレイの一端部と前記第２の発光ダイオードアレイの他端部が接続された第１電極と、前記第１の発光ダイオードアレイの他端部と前記第２の発光ダイオードアレイの一端部が接続された第２電極と、を備え、前記第１の発光ダイオードアレイと前記第２の発光ダイオードアレイは、各々複数の発光ダイオード素子列に分割されて交互に矩形状に配置される。 （もっと読む）

【課題】アウトカップリング効率が改善されて、ある放射線出力パワーに対するパワー消費が低減され、また、デバイスの速度が増加し、よって、光チャンネルあたりのシリアル帯域幅が増加された放射線（好ましくは光）を所定の波長にて発するデバイスを提供する。
【解決手段】放射線を所定の波長にて発するデバイスが、電荷キャリアの再結合によって該放射線が生じる活性層を備えるキャビティを含み、該キャビティは、該電荷キャリアについての閉じ込め特徴を含む放射線閉じ込め空間を有し、該デバイスは、実質的にランダムな回折格子構造を有する少なくとも１つのエッジを含む。 （もっと読む）

本発明のエレクトロルミネッセンスデバイスは、ポンプ波長で発光する。第１のフォトルミネッセンス素子は、このエレクトロルミネッセンスデバイスの第１及び第２の領域を覆い、このエレクトロルミネッセンスデバイスの第１の領域からのポンプ光の少なくとも一部を第１の波長の光に変換する。第２のフォトルミネッセンス素子は、このエレクトロルミネッセンスデバイスの第２の領域を覆い、このエレクトロルミネッセンスデバイスの第１の領域を覆わず、ポンプ波長の光の少なくとも一部を、その第１の波長と異なる第２の波長の光に変換する。いくつかの実施形態では、第１及び第２のフォトルミネッセンス素子は、エレクトロルミネッセンスデバイスの第１及び第２の領域のそれぞれから入射するポンプ光の実質的に全てを変換する。エッチング停止層は、その第１のフォトルミネッセンス素子と第その２のフォトルミネッセンス素子とを分離することができる。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能で、ディスプレイとして使用する場合には、解像度を高くすることが可能な発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２上には、一導電型半導体層３ａと、一導電型半導体層３ａに積層される逆導電型半導体層３ｂを含み、離間して設けられる複数の発光素子３が設けられる。これらの発光素子３を覆うように複数の蛍光体が設けられ、この蛍光体は、発光素子３から放射される光によって励起され、異なる波長の蛍光を発光する複数の蛍光物質をそれぞれ含む。共通カソード電極４は、同じ蛍光体に覆われた発光素子３に含まれる一導電型半導体層３ａと電気的に接続され、共通アノード電極５は、異なる蛍光体に覆われた発光素子３に含まれる逆導電型半導体層３ｂと電気的に並列接続される。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に複数のＧａＮ系発光ダイオード素子を形成してなる発光装置であって、前記複数の発光素子が前記絶縁基板上に一体として形成され、直列に接続されていることを特徴とする発光装置を提供する。また、複数の発光ダイオード素子は、前記絶縁基板上にニ次元配置されていてもよい。また、複数の発光ダイオード素子は２つの組に分けられ、前記２つの組は２個の電極に互いに反対極性となるように並列接続されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】電極配線の断線が起こり難く、更に発光部からの光が電極配線で反射され難い構造の発光ダイオードアレイを提供する。
【解決手段】発光ダイオードアレイ１は、基板上に積層される半導体層と、半導体層をエッチングすることにより形成され、一方向に配列される複数の発光部４と、発光部４の上部から延び出し、前記エッチングによって形成されて前記一方向と平行な方向に延びる溝１０を横切り、溝１０の外へと引き出される複数の電極６と、を備える。複数の電極６の各々は、発光部４に形成される発光部側電極部６１と、溝１０の横に形成される電極パッド部６３と、発光部側電極部６１と電極パッド部６３とを接続する配線部６２と、から成り、配線部６２は、溝１０の外へと引き出される側の段差の肩１３部において、配線の太さが他に比べて太くなっている。 （もっと読む）

【課題】 発光部から出射される発光強度を増大させることができ、また発光部の劣化を抑制することのできる発光素子を提供することである。
【解決手段】 発光素子１０は、電力が供給されて稼動することによって光を出射する。発光素子１０は、基板１２と、発光部１３と、発光部側電極１４とを含んで構成される。発光部側電極１４は、発光部１３の、基板１２とは反対側の表面上に接続され、発光部１３に電力を供給するための供給路を形成する。発光部１３は、基板１２上に配置され、電力が供給されることによって発光する。また発光部１３は、離間部分１７を含み、離間部分１７は、基板１２とは反対側の発光部の表面の中央部を挟んで相互に離間して形成される。発光部側電極１４は、基板１２と反対側から発光部１３に対して接続され、基板１２との電位差が、発光部１３に対して印加される。 （もっと読む）