【課題】発光効率が高い発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、支持基板２０と、支持基板２０の上に設けられる第１導電型の第１導電型層と、第１導電型層の上に設けられ、光を発する活性層１６と、活性層１６の上に設けられ、第１導電型とは異なる第２導電型の第２導電型層と、第１導電型層の表面の一部に接する第１電極と、第２導電型層の表面の一部に接する第２電極とを備え、第１電極が、活性層１６の直上又は直下に対応する第１導電型層の表面とは異なる第１導電型層の表面に接し、第２電極が、活性層１６の直上又は直下に対応する第２導電型層の表面とは異なる第２導電型層の表面に接する。 （もっと読む）

【課題】放熱性や発光特性が良く、高い生産性・歩留まりを実現できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１００は、透明基板１と、配線層３１と、透明基板１と配線層３１との間に設けられる半導体発光素子構造部２０と、を有し、半導体発光素子構造部２０は、半導体発光層６と、透明導電層８と、透明絶縁膜１１と、透明導電層８の透明絶縁膜１１に覆われるように設けられる金属反射層９と、透明絶縁膜１１の配線層３１側に離間領域１８，１９を介して設けられ、配線層３１と電気的に接続される第１電極部２１及び第２電極部２２と、を有し、第１電極部２１は、第１コンタク卜部１４を介して第１半導体層５と電気的に接続され、第２電極部２２は、第２コンタクト部１５により第２半導体層３と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に隣接して配置され、同じ極性の電圧が印加される電極を上面にそれぞれ備える第１と第２の発光部を有し、前記基板と一体形成された２つのＧａＮ系発光素子とを備える発光装置であって、前記２つのＧａＮ系発光素子それぞれの前記２つの発光部は互いに１つの電極を共有し、前記共有されている電極は前記２つの発光部と共通の半導体層の上に配置され、一方の前記ＧａＮ系発光素子の前記共有されている電極は、他方の前記ＧａＮ系発光素子の前記第１の発光部の電極に接続され、他方の前記ＧａＮ系発光素子の前記共有されている電極は前記一方の前記ＧａＮ系発光素子の前記第２の発光部の電極に接続されていることを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、製造の容易な発光デバイス、及び、その製造方法を提供するこを提供すること。
【解決手段】透明結晶基板２は、一面が光出射面２１であり、発光素子１は透明結晶基板２の光出射面２１とは反対側の他面２２に積層されている。透明結晶基板の側に位置するＮ型半導体層３１は、Ｐ型半導体層３２と重ならない部分３３を有している。Ｎ型半導体層３１の第１半導体面電極５１は、重ならない部分３３の表面に設けられており、Ｐ型半導体層３２の第２半導体面電極５２は、第１半導体面電極５１と同じ側の面に設けられている。発光素子１は絶縁層６によって覆われており、絶縁層６には支持基板９が積層されている。絶縁層６を通って第１及び第２半導体面電極５１、５２に接続された第１及び第２縦導体７１、７２が、支持基板９を貫通する第１及び第２貫通電極９４、９５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子の製造方法は、基板上にｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を順次に形成し、水平面に対して勾配を有し且つｐ型半導体層から活性層まで連続して形成された少なくとも一つの斜面を有するようにｐ型半導体層及び活性層の一部を除去してｎ型半導体層の一部を露出させ、ｐ型半導体層の上部にｐ型金属バンプを形成し、露出されたｎ型半導体層上にｎ型金属バンプを形成し、サブマウント基板上にｐ型ボンディングパッド及びｎ型ボンディングパッドを形成し、ｐ型金属バンプ及びｎ型金属バンプと、ｐ型ボンディングパッド及びｎ型ボンディングパッドとがそれぞれ接続されるように、基板とサブマウント基板とをフリップチップボンディングし、フリップチップボンディングされた基板とサブマウント基板を発光素子ごとに切り出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加や製造歩留まりの低下を招くことなく、コアに所望の特性を持たせることができるダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード５は、ＳｉＣで作製された棒状コア１と、ｎ型のＧａＮで作製された第１のシェル２と、ｐ型のＧａＮで作製された第２のシェル３とを備える。ダイオードの２極の役割は、ｎ型の第１のシェル２とｐ型の第２のシェル３とが担うので、コア１の材質として第１,第２のシェル２,３とは異なるＳｉＣを選択できる。棒状コア１の屈折率(３〜３.５)が第１のシェル２の屈折率(２.５)よりも大きいので、第１,第２のシェル２,３のｐｎ接合面で発生した光が第１のシェル２から棒状コア１内へ入射し易いと共に棒状コア１内へ入射した光は、棒状コア１と第１のシェル２との界面で全反射し易い。よって、発生した光をコア１へ導波してコア１で強く発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】高信頼性を有する半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１００は、基板１上に発光用のｎ型半導体層１１２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１１３を積層した第１発光用半導体層、発光用のｎ型半導体層１２２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１２３を積層した第２発光用半導体層を形成してある。また、半導体発光素子１００は、保護用のｎ型半導体層２１２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層２１３を積層した第１保護用半導体層、保護用のｎ型半導体層２２２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層２２３を積層した第２保護用半導体層を形成してある。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子からの光の一部をカットすることなく、輝度分布の最大部をカットオフラインに配光することが可能な光源を用いた車両用灯具を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子と波長変換層とを有する光源を備えた車両用灯具において、前記ＬＥＤ素子は、矩形の基板と、前記基板の片面に積層されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層表面のうち一方の長辺を含む細幅領域に形成された長辺方向に延びるｎ電極と、前記ｎ型半導体層表面に積層されるとともに、前記基板の長辺方向に延び前記ｎ型半導体層に達する少なくとも一つの溝部により区画された複数の活性層と、前記複数の活性層表面それぞれに積層されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層表面それぞれに形成された透明電極と、前記透明電極表面それぞれの、前記ｎ電極から遠い方の長辺を含む細幅領域に形成された、前記ｎ電極と同一方向に延びるｐ電極と、を備えたフェイスアップ型のＬＥＤ素子である。 （もっと読む）

【課題】本発明は発光装置に関し、特に、静電気放電（ＥＳＤ）保護の能力を有する発光装置に関する。
【解決手段】本発明は、単独の基板上に複数のＬＥＤセルを有する直列接続されたＬＥＤアレイアレイと；第１ＬＥＤセル、第２ＬＥＤセル、及び第１ＬＥＤセルと第２ＬＥＤセルとの間に挿入された少なくとも３つのＬＥＤセルを有する直列接続ＬＥＤサブアレイであって、第１及び第２ＬＥＤセルの各々は、第１ＬＥＤセル及び／又は第２ＬＥＤセルの第１側面がＬＥＤサブアレイに隣接し、第１ＬＥＤセルの第２側面が第２ＬＥＤセルの第２側面と隣接している、第１側面及び第２側面を有する、第１ＬＥＤセル、第２ＬＥＤセル及びＬＥＤサブアレイと；第１及び第２ＬＥＤセルの第２側面間のトレンチと；発光装置の通常の動作電圧より高いサージ電圧によりトレンチの近傍で発光装置が破壊されないように、トレンチに近接して形成された保護構造と；を有する発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子からの光の一部をカットすることなく、輝度分布の最大部をカットオフラインに配光することが可能な光源を用いた車両用灯具を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子２１と前記ＬＥＤ素子の発光面を覆うように配置された波長変換層とを含み、白色光を発光するように構成された光源を備えた車両用灯具において、前記ＬＥＤ素子は、矩形の基板２１ａと、前記基板の片面に積層されたｎ型半導体層２１ｂと、前記ｎ型半導体層表面のうち一方の長辺を含む細幅領域２１ｂ１に形成された長辺方向に延びるｎ電極２１ｃと、前記ｎ型半導体層表面に積層された活性層２１ｄと、前記活性層表面に積層されたｐ型半導体層２１ｅと、前記ｐ型半導体層表面に形成された透明電極２１ｆと、前記透明電極表面のうち前記ｎ電極から遠い方の長辺を含む細幅領域２１ｆ１に形成された、前記ｎ電極と同一方向に延びるｐ電極と、を備えたフェイスアップ型のＬＥＤ素子である。 （もっと読む）

【課題】発光素子アレイチップを駆動させるための信号に外乱が混入した場合でも、損傷が生じにくい発光素子アレイチップ等を提供する。
【解決手段】主走査方向に列状に配される発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…と、発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…を駆動する信号を入出力するためのボンディングパッド８２と、発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…とボンディングパッド８２とを接続する配線部と、配線部に接続し、配線部に入力する外乱から配線部および発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、…を保護するための保護素子１１３と、を備えることを特徴とする発光素子アレイチップＣ１。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子を提供する。
【解決手段】光電素子であって、基板と、基板に位置し、それぞれ第一半導体層、第二半導体層及びその間に形成された活性領域を有し、相互電気的に接続されている複数の半導体ユニットと、それぞれ第一半導体層に位置する複数の第一電極と、この複数の半導体ユニットに形成されて複数の半導体ユニットを電気的に直列につなぐ連結部と、それぞれ第二半導体層に位置する複数の第二電極と、を含み、複数の第一電極の中の一つは第一延在部を有し、複数の第二電極の中の一つは第二延在部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜発光素子上から基板上まで、又は、半導体薄膜発光素子上から基板上の駆動用素子上までの配線を、容易かつ選択的にエッチングできる半導体発光素子装置、この半導体発光素子装置を備えた画像露光装置、この画像露光装置を備えた電子写真式の画像形成装置、及び前記半導体発光素子装置を備えた画像表示装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子装置は、電極配線１１２，１１３を備えた集積基板１０１と、集積基板１０１上に備えられた半導体薄膜発光素子１０２と、半導体薄膜発光素子１０２上に備えられ、半導体薄膜発光素子１０２に電気的に接続された電極パッド１０８，１０９と、電極パッド１０８，１０９と電極配線１１２，１１３とを電気的に接続するリムーバブル接続配線１１１ａ，１１１ｂとを有し、リムーバブル接続配線１１１ａ，１１１ｂは、ケミカルエッチングによって選択的にエッチング可能な材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板の代わりにプラスチック基板１００を用いた表示装置１において、プラスチック基板１００の熱伝導率が低く、放熱性が悪いために、安定した特性を得ることが難しく、信頼性に欠けるという課題を解決すること。
【解決手段】 プラスチック基板１００上に熱伝導層３１０を設け、その上側に薄膜ＬＥＤ１０２の下側コンタクト層１１３を接合する。かつ放熱用メタルフレーム３０３の内側に複数の薄膜ＬＥＤ１０２を設け、各薄膜ＬＥＤ１０２の熱伝導層３１０と該放熱用メタルフレーム３０３とを接続する。 （もっと読む）

【課題】発光光量に優れたサイリスタ型発光素子及びプリントヘッドを提供する。
【解決手段】第１半導体層１２５、第２半導体層１２４、第３半導体層１２３、第４半導体層１２２を基板上に順次形成する。第３半導体層１２３上にゲート電極を形成し、第４半導体層１２２上にカソード電極１４０あるいはアノード電極を形成する。第１半導体層１２５、第２半導体層１２４、及び第３半導体層１２３は、ゲート電極領域とカソード電極領域の間にくびれ部１４３を備え、くびれ部１４３は、平面視においてゲート電極領域とカソード電極領域の端部を接続すべく形成される。 （もっと読む）

【課題】発光素子のダイ（Ｄｉｅ）とワイヤーボンディング工程などを容易にすること。
【解決手段】本発明は、第１支持部材と、前記第１支持部材上に複数個の接合層と、前記それぞれの接合層上に第２支持部材と、前記第２支持部材上に、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、前記第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物上の第１電極と、を含む発光素子アレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、三次元ナノ構造体アレイ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の三次元ナノ構造体アレイは、基板及び複数のナノ構造体を含む。前記ナノ構造体は、前記基板の少なくとも一つの表面に形成された梯形三次元ナノ構造体である。 （もっと読む）

【課題】信頼できる接合性と持続性のある反射性を有する発光デバイスを提供する。
【解決手段】発光デバイス２００は、複数の発光チップ２８と、発光チップ２８を支持する基板２０と、発光チップ２８からの光の放射および反射を容易にする、基板２０を覆う第１のパターン化導電層２３と、第１のパターン化導電層２３上の第２のパターン化導電層２４であって、発光チップ２８が層上に位置する第２のパターン化導電層２４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】モノリシック発光ダイオードアレイにおいて多様な配線連結構造を容易に実現可能にする。
【解決手段】発光装置１０は、第１及び第２導電型半導体層１１ａ，１１ｂ及び活性層１１ｃを含み、第１及び第２導電型半導体層１１a，１１ｂによりそれぞれ形成される第１及び第２面を有する発光積層体１１と、第１導電型半導体層１１ａに接続するように第１面に形成された第１コンタクト１８と、第２導電型半導体層１１ｂに接続するように第２面に形成された第２コンタクト１３と、第２コンタクト１３が形成された領域を除いた発光積層体１１の第２面及び側面に形成された第１絶縁層１２ａと、第２コンタクト１３に連結され発光積層体１１の側面に沿って延長され、第１面に隣接した部分が第１面と同一の方向に向かって露出した導電層１４と、発光積層体の側面と第２面を囲むよう形成された基板構造物１７とを含む。 （もっと読む）

【課題】ストークシフトの大きな波長変換構造を簡易な方法でチップ内に設けることの可能な半導体発光素子および半導体発光素子アレイを提供する。
【解決手段】柱状のメサ部１６の上面に色度変換層１５が設けられている。色度変換層１５は、メサ部１６のうち、下部電極３５と上部電極３１によって注入される電流経路とは異なる部位に形成されている。色度変換層１５は、例えば、組成比の互いに異なるＧａＩｎＮによりそれぞれ形成された井戸層およびバリア層を交互に積層してなる多重量子井戸構造となっており、活性層から発せられた紫外光を吸収し、所定の波長（赤色帯、緑色帯、青色帯）の光を発するようになっている。 （もっと読む）