【課題】装置全体のサイズの大型化を招くことなく、発光面積を拡大することができる、半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１では、複数個のトランジスタ６が２列に並べて形成されている。各トランジスタ６は、ｎ型の高温バッファ層８およびその列方向の両側にｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂを有している。配線１６により、一方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６の列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、他方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが接続されている。また、配線１７により、他方の列に配置されるトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ａと、そのトランジスタ６に対して列方向の一方側に隣接するトランジスタ６のｐ型クラッド層１１ｂと、一方の列に配置されるトランジスタ６の高温バッファ層８とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】駆動素子と被駆動素子とを備えた半導体複合装置では、集積された駆動回路及び被駆動素子であるＬＥＤアレイと接続するための配線を予め半導体基板上に形成し、別途形成された薄膜状のＬＥＤアレイを前述の半導体基板の空き領域に接着するため、接着領域が制限されてしまい、小型化の妨げになるという問題があった。
【解決手段】基板上１０１に形成される多層配線層の上方に、塗布膜２２０を介して半導体薄膜２２１をボンディングする構成をとり、多層配線層の各配線層には、回路動作を担う配線パターン（メタル配線）２３０に加え、動作機能を担わない平坦化のための補正パターン２３２を設け、半導体薄膜２２１をボンディングする下地層である塗布層２２０の表面の平坦化を促進する。 （もっと読む）

【課題】量産性を極大化させるとともに、垂直対水平比が非常に高い柱構造を形成するとともに、この柱構造を用いた半導体素子を形成すること。
【解決手段】基板１０に第１物質を用いて単位パターン２０を形成する段階と;前記単位パターンが形成された基板上に湿式エッチング可能な第２物質を成長させる段階と;前記第２物質が成長された基板を湿式エッチングする段階と；を含んで柱構造の形成方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体多層ミラーが、エピキタシャル層の再成長が必要な埋め込み構造をとることなく、上側電極から直下に電流が流れることを阻止でき、かつ基板電極と発光素子との導通を確保できる発光素子アレイを提供する。
【解決手段】ｐ型基板５１上に、反射層２５、ｐ型の第１層２４、ｎ型の第２層２３、ｐ型の第３層２２、ｎ型の第４層２１が順次形成されている。第４層２１の上にはカソード電極３６が形成され、エッチングにより一部露出された第３層２２上にゲード電極３７が形成され、エッチングにより一部露出された第４層２４上とエッチングによって露出された基板５１との間を短絡電極６３で接続する。基板５１の裏面には、裏面共通電極５３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率を低下させることなく解像度を上げた発光素子アレイを提供する。
【解決手段】各発光部サイリスタの発光島１４上に２個の給電点（アノード電極）１６，１８を、主走査方向に発光重心が等間隔に並ぶように配置した。各発光島上の左側の給電点１６は、信号ライン８ａに接続され、右側の給電点１８は、信号ライン８ｂに接続されている。以上のような構成によって、主走方向の分離能２４００ｄｐｉを、１２００ｄｐｉピッチの発光領域上に２点の給電点を設けることによって実現できた。 （もっと読む）

【課題】
電流を継続して流しているうちに、発光素子の中央部に向けて転位が成長する可能性を軽減するとともに、発光素子の長寿命化を図ることが可能な発光素子及びこの発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
互いに直交する劈開方向を有する面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面上に形成された第１窒化物半導体層（バッファ層２０及びｎ型クラッド層３０）と、第１窒化物半導体層上に形成されたＭＱＷ活性層４０と、ＭＱＷ活性層４０上に形成された第２窒化物半導体層（ｐ型クラッド層５０及びｐ型コンタクト層６０）とを備えた発光素子において、主面における成長用基板の側辺（例えば、切断方向ｕ１）と劈開方向の一方（例えば、劈開方向ｔ１）とが形成する角度が、約３０〜６０°の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】 発光部の形状、発光部の間隔、端部の発光部とアレイの端部の間隔などの変化を抑制すること。
【解決手段】 発光層を形成するように基板上に積層された半導体層と、前記半導体層をエッチングすることにより分離形成され一方向に配列された複数個の島状の発光部と、前記発光部の互いに対面する第１の側面を除く第２の側面を通って発光部の上面に接続された電極と、を備えた発光ダイオードアレイにおいて、前記第２の側面を順メサ面とし、前記第１の側面を順メサと逆メサの中間のメサ面としたことを特徴とする。発光部の前記第１の側面をドライエッチングによって形成し、前記第２の側面をウエットエッチングによって形成する。 （もっと読む）

本発明は、発光素子に関する。本発明による発光素子は、複数個の発光セルを有する発光セルブロックと、前記発光セルブロックの入出力端子と連結されたブリッジ整流回路とを備え、前記ブリッジ整流回路は、ノードとノードとの間に複数のダイオードを有することを特徴とする。本発明は、交流駆動型発光素子の作製にあたって、ブリッジ整流回路を内蔵するとき、その大きさを一定の大きさ以下にし、その個数を定めて、発光素子の輝度を向上させ、信頼性を向上させることができる発光素子を提供することができる。
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改善された透明電極構造体を有する交流駆動型発光ダイオードが開示される。この発光ダイオードは、単一基板上に形成された複数個の発光セルを含み、各発光セルは、第１の導電型半導体層、第１の導電型半導体層の一領域上に位置する第２の導電型半導体層、および第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に介在された活性層を含む。透明電極構造体が、各発光セル上に位置する。この透明電極構造体は、互いに分離された少なくとも二つの部分を含み、または、中心部分と、前記中心部分から両側に延長された分岐とを含む。一方、配線が、発光セルの隣接した二つの発光セルをそれぞれ電気的に連結する。これにより、複数個の発光セルを電気的に連結し、交流電源下で駆動可能な発光ダイオードを提供することができ、改善された透明電極構造体を採用し、局部的な電流密度の増加を防ぐことができる交流駆動型発光ダイオードを提供することができる。
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本発明は、ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード及びその製造方法に関する。本発明による発光ダイオードの製造方法は、基板上に、Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層を有する少なくとも一つの発光セルを形成するが、（ａ）前記Ｐ型半導体層の上面にＩＴＯ層を有する少なくとも一つの発光セルを形成するステップと、（ｂ）前記ＩＴＯ層に配線連結のための接点溝をドライエッチングにより形成するステップと、（ｃ）配線連結のために、前記接点溝に導電性金属からなる接点接続部を充填するステップと、を含む。
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【課題】漏れ電流が少なく低電流領域での発光効率が良い発光素子を提供する。
【解決手段】２個以上の発光素子が含まれる発光素子アレイにおいて、AlGaAs量子井戸活性層１６上にアンドープAlGaAs抵抗層１７、発光素子ごとに分離されたキャリア注入層となるp型AlGaAs層１８が設けられ、少なくとも分離されたp型AlGaAs層１８層間のアンドープAlGaAs抵抗層１７の抵抗値がp型AlGaAs層１８の抵抗値よりも大きい。p型AlGaAs層１８の分離はエッチングにて行われており、このエッチングがp型AlGaAs層１８間のアンドープAlGaAs抵抗層１７で止まっている。アンドープAlGaAs抵抗層１７とp型AlGaAs層１８との間に、エッチングストップ層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板上の選択的な領域で発光素子構造を成長させ、このように選択的に成長された窒化物半導体層の形状を多様に変化させる方法を提示し、かかるな構造を用いて高い光抽出効率を実現できる垂直型発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００上にマスク層１１０を形成する段階と、前記マスク層上に伝導性半導体層１２０ａ，１２０ｂを形成する段階と、前記伝導性半導体層上に複数の半導体層１３０ａ，１３０ｂを形成する段階と、前記複数の半導体層上に第１電極１５０ａ，１５０ｂを形成する段階と、前記第１電極上に支持層１６０を形成する段階と、前記基板を除去する段階と、前記基板が除去されて露出された伝導性半導体層面に第２電極１７０ａ，１７０ｂを形成する段階と、を含んで垂直型発光素子の製造方法を構成する。 （もっと読む）

本発明は，励起光102を発光するための第1の活性領域110と，原色光104を発光するための第2の活性領域120と，前記励起光102を混色光106へと十分に変換するための変換素子130とを有する半導体光源100に関している。原色光104及び混色光106は，事前に決められた色温度と共に，所望の色点，特に白色光をもつ光を作り出すために混ぜ合わされる。
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【課題】 装置全体の構造を複雑にすることなく、露光装置として用いる場合に優れた印画品質の記録画像が得られる発光装置およびこの発光装置を備える画像形成装置を提供する。
【解決手段】 ２×Ｎ個の発光素子Ｔから成る発光素子ブロックＣを複数配列してなる発光素子アレイ１１と、総本数がＮ＋１本の制御信号伝送路Ｇとを含み、発光素子ブロックＣにおける発光素子Ｔの配列方向に沿う一方から他方に向かって第ｎ（１≦ｎ≦２×Ｎ）番目の発光素子Ｔｎの制御電極１６と、Ｎ＋１本の制御信号伝送路Ｇのうちの、第ｍ（１≦ｍ≦Ｎ＋１）番目の制御信号伝送路Ｇｍとが、以下の条件（１）および（２）を満たすように接続される。
条件（１） ｎが、１≦ｎ≦Ｎのとき、ｍが、ｍ＝ｎ
条件（２） ｎが、Ｎ＋１≦ｎ≦２×Ｎのとき、ｍが、ｍ＝２×Ｎ＋２−ｎ （もっと読む）

【課題】発光効率が高く、演色性が高い半導体発光素子および半導体発光装置を提供することを可能にする。
【解決手段】基板１上に設けられた第１導電型半導体からなる第１半導体層４と、第１半導体層上に設けられた第２導電型半導体からなる第２半導体層８と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられ、第１および第２半導体層の半導体の禁止帯幅より小さい禁止帯幅を有する半導体材料の複数の量子ドット６ａを含み、駆動電流に応じて基底準位あるいは励起準位に対応した波長の光を発光する発光層６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】エテンデューを低減でき、かつ高い偏光変換効率で光を供給することが可能な発
光素子等を提供すること。
【解決手段】基準面ＳＳ上に設けられ、光を供給する発光部１０１と、発光部１０１の出
射側に設けられた構造体１０２と、を有し、構造体１０２は、第１の振動方向の偏光光を
透過させ、第１の振動方向に略直交する第２の振動方向の偏光光を反射する反射型偏光板
１０８と、反射型偏光板１０８からの光を透過させ、基準面ＳＳに略平行な二次元方向に
つき屈折率が周期的に変化するように形成された光学部１０９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】構造を複雑化することなく光取り出し効率に優れた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、透明層１上に縦横に列設される複数の発光部２と、これら発光部２とは反対側の透明層１上に配置される複数のコンタクト部３とを備えている。複数の発光部２のそれぞれは、光を発光する活性層５と、この活性層５から発光された光の一部を反射するテーパ状に加工されたテーパ部７と、テーパ部７の底面に設けられる平坦部８とを有する。コンタクト部３を発光部２からの光の通過を妨げない場所に配置するため、発光効率の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】 １枚の基板からの取れ個数を増やすことで製造コストを低くできる発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、基板１の裏面に位置特定用のパターンを形成する工程と、前記基板１の表面上に、前記位置特定用のパターンを用いて位置を特定した開孔部３２ａを有する電流阻止層３２を形成する工程と、前記開孔部内及び前記電流阻止層上に半導体層３３を形成する工程と、前記半導体層上に、前記位置特定用のパターンを用いて位置を特定したパターンを有する上部層としての上部電極３４を形成する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップには上述の様なワイヤボンド用の領域を設ける必要があった為、ＬＥＤチップの小型化に伴う材料コストの削減を実行することが極めて困難であった。
【解決手段】第１の基板１０２上に、所定の回路領域１０３と、半導体薄膜１０５を形成し、当該半導体薄膜１０５は、導電層１０４と、個別電極１０８と、導電層１１５とによって、３端子素子構造を形成することとしている。半導体薄膜１０５をこの様な構成とすることで、ＬＥＤチップを小型化することができると共に、材料コストを削減することができる。 （もっと読む）

垂直に積層された発光ダイオードを有する発光素子が開示される。この発光素子は、基板上に位置する第１導電型の下部半導体層を有する。この下部半導体層上に第２導電型の半導体層が位置し、前記第２導電型の半導体層上に第１導電型の上部半導体層が位置する。一方、前記第１導電型の下部半導体層と第２導電型の半導体層との間に下部活性層が介在され、前記第２導電型の半導体層と前記第１導電型の上部半導体層との間に上部活性層が介在される。これにより、前記第１導電型の下部半導体層、下部活性層及び第２導電型の半導体層を有する下部発光ダイオードと、前記第２導電型の半導体層、上部活性層及び第１導電型の上部半導体層を有する上部発光ダイオードとが、垂直に積層された発光素子が提供される。したがって、従来の発光素子に比べて、単位面積当たりの光出力が向上し、従来の発光素子と同一の光出力を得るための発光素子のチップ面積を減少させることができる。
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