【課題】良好な結晶性を有し、チップ構造の微細化も可能にし、さらに発光効率の向上、光取り出し効率を改善して輝度の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板３０上に該基板３０の主面に対して傾斜した傾斜結晶面（例えばＳ面）を有する結晶層を形成し、傾斜結晶面に平行な面内に延在する第１導電型層３３、活性層３４、及び第２導電型層３５を結晶層に形成する。そして、傾斜結晶面に平行な面内に延在する一方の電極を形成し、活性層３５、第２導電型層が一部除去された基板側の結晶層の結晶面に、一方の電極と電気的に分離して他方の電極を形成する。 （もっと読む）

複数の発光セルを有する発光素子およびそれを搭載したパッケージが開示される。発光素子は、基板上に形成され、それぞれＮ型半導体層及びＮ型半導体層の一部の領域上に位置するＰ型半導体層を有する複数の発光セルを備える。複数の発光セルは、サブマウント基板に接合される。これにより、複数の発光セルで発生した熱を、サブマウント基板から放散することができ、発光素子の熱的負担を減らすことができる。一方、複数の発光セルを、接続電極又はサブマウント基板上に形成された電極層を用いて電気的に接続することにより、直列連結された発光セルアレイを提供することができ、直列連結された発光セルアレイを逆並列で連結して、交流電源により直接駆動可能な発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤアレイチップにおいて、各ＬＥＤの発光強度がＬＥＤの点灯数や点灯状態に依存して変動することなく、常に安定した点灯制御が行なえるＬＥＤアレイチップを提供する。
【解決手段】 Ｓｉ基板上に形成された導電層１３に、互いに素子分離されて各々が一つの発光部１５を有すると共に最下層にコンタクト層を有する半導体エピフィルム１４を、ボンディングによって直線状に配列し、各半導体エピフィルム１４のコンタクト層を共通電極となる導電層１３に電気的にコンタクトすると共に、各半導体エピフィルム１４の最上層のコンタクト層に、駆動ＩＣの駆動端子に接続された個別電極１６を電気的にコンタクトした構成とする。 （もっと読む）

【課題】２分割マトリクス駆動ＬＥＤアレイにおいてもボンディングパッドサイズを確保しつつ、チップ幅を小さくし、低コストで量産性に優れる発光ダイオードアレイを得る。
【解決手段】各発光部１の上面の第１の電極２から共通配線４を介して配線されるボンディングパッド８ａと、前記発光部１に近接して形成された第２の電極３から配線されるボンディングパッド８ｂ、８ｃが、発光部１の並びに対して同じ片側に一列状に配置された２分割ダイナミック駆動方式のＬＥＤアレイにおいて、前記共通配線４の数を２本とし、前記共通配線４を介して第１の電極２に接続するボンディングパッド８ａの数と、前記第２の電極に接続するボンディングパッド８ｂ、８ｃの数の比率を１：８とする。 （もっと読む）

複数の発光セルを有する発光装置が開示される。発光装置は、サファイア基板より熱伝導率が高い熱伝導性基板、例えばＳｉＣ基板を含む。熱伝導性基板の上部に複数の発光セルが直列接続される。一方、熱伝導性基板と発光セルとの間に半絶縁性バッファ層が介在する。半絶縁性バッファ層は、例えばＡｌＮまたは半絶縁性ＧａＮであることができる。サファイア基板より熱伝導率が高い熱伝導性基板を採用することによって、従来のサファイア基板に比べて熱放出性能を改善することができ、高電圧交流電源下で駆動される発光装置の最大光出力を増加させることができる。また、半絶縁性バッファ層を採用して熱伝導性基板を介した漏洩電流基板を通じた漏洩電流及び発光セル間の漏洩電流増加を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】逆方向ＥＳＤ電圧に対する高い耐性を有する窒化ガリウム系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による窒化ガリウム系発光素子は、基板と；上記基板上の第１領域に形成され第１ｐ側電極と第１ｎ側電極を設けるメインＧａＮ系ＬＥＤと；上記基板上の第２領域に形成され第２ｐ側電極と第２ｎ側電極を設けるＥＳＤ保護用ＧａＮ系ＬＥＤとを含む。上記第１領域と第２領域は素子分離領域により互いに分離されている。上記第１ｐ側電極は上記第２ｎ側電極と電気的に連結され、上記第１ｎ側電極は上記第２ｐ側電極と電気的に連結される。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体素子が共通の半導体層として形成され、この半導体層に素子の区分ないしは分離の不完全性の問題の解決を図る。
【解決手段】 第１の基板１上に目的とする複数の半導体素子を共通に構成する半導体層２をエピタキシャル成長する工程と、この半導体層２に、半導体素子形成部間を区分する区分溝７を、上記半導体層の表面側から半導体層２の全厚さを横切ることがない深さをもって形成する区分溝の形成工程と、半導体層２の区分溝７の形成面に区分溝７内に充填して第２の基板１０を貼り合せる絶縁層９の形成工程と、第１の基板１を半導体層２から剥離する第１の基板の剥離工程と、第１の基板の剥離によって露出した半導体層２の背面から平坦研磨により区分溝７を横切る位置まで研磨し、その後、区分溝７内において絶縁層９に対し分離溝１３を形成することにより、基板剥離面に因る区分溝７および分離溝１３に生じる区分や分離の不完全性を回避する。 （もっと読む）

【課題】 表面粗さが大きい半導体に対してエッチングを確実に行うことができるようにする。
【解決手段】 半導体表面側から、目的とするエッチングがなされるエッチング工程に先立って少なくともそのエッチングがなされる領域上に、この領域における起伏４１を埋め込んで上記起伏が消失された滑らかな表面を形成するマスク層を被覆形成するマスク層４２の形成工程と、上記マスク層の表面側からこのマスク層４２と半導体に対するエッチング性が同等なエッチング条件で、起伏４１が除去された滑らかな面とするエッチング工程を行い、その後、目的とするエッチング工程を行う。 （もっと読む）

【課題】アレイ型（array-type）発光ダイオードの各発光点の解像度が向上する発光アレイの構造を提供する。
【解決手段】 ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層２０３、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ層２０４、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓクラッド層２０５をエッチングすることで島状の複数の発光ダイオード領域を形成し、この島状発光ダイオード領域の側壁及び表面を絶縁保護膜２１０で覆い、その後島状発光ダイオード領域の側壁及び発光窓部を除く表面を配線兼金属クラッド層２２０Ｂ、２２０Ａで覆う。 （もっと読む）

色光源装置が提供される。装置は、フォトニック結晶構造の欠陥により規定される活性領域に対応する光源を含み、フォトニック結晶構造は周期的な構造に基づく。装置は、導波路、第１の電極及び第２の電極を更に含む。第１の電極と第２の電極との間の電気特性を変更することにより活性領域の放射発生を誘導し、放射は、導波路に少なくとも部分的に結合され且つ導波路により導かれる。
（もっと読む）

【課題】 半導体薄膜と金属との分子間力を利用した安定なボンディング特性が得られる半導体薄膜と異種基板間の接合形態を提供する。
【解決手段】 半導体薄膜３０４−３０８と、基板１０１上に設けた金属層１０２とを有する。この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接合してなる半導体複合装置であり、半導体薄膜と金属層１０２との間に金属層の酸化物を含む領域を有する構造とする。金属層は、Ｐｄ、Ｎｉ及びＡｕからなる群のうちの１つを含む。金属の表面にＰｄ層とＮｉ層のうちのいずれか１つを備える。 （もっと読む）

【課題】 電灯や蛍光管などの代りに用いることができる半導体発光装置を静電気などのサージから保護することにより、街灯や信号機などに用いられても信頼性の高い半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 基板上に発光層を形成するように半導体層を積層して半導体積層部が形成され、その半導体積層部が複数個に電気的に分離されると共に、それぞれに一対の電極１９、２０が設けられることにより、複数個の発光部１が形成されている。この複数個の発光部１は、配線膜３を介して、それぞれ直列および／または並列に接続されるが、外部電源と接続される電極パッド４ａ、４ｂ間に直列に接続される複数個の発光部１と直列に、サージを吸収するインダクタ８が形成されている。一例として、インダクタ８が、複数個の発光部１を渦巻き状に形成することにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＡＣループを有し、チップ上に少なくとも１つのＡＣ ＬＥＤマイクロダイユニットを有した、ＡＣ ＬＥＤダイの構成体を提供すること。
【解決手段】 ＡＣ ＬＥＤマイクロダイのユニットは、相互逆方向に配置し、夫々を平行に接続した、２つのＬＥＤマイクロダイを有し、ＡＣパワーサプライ供給時に、正半波電圧（positive-half wave voltage）と不半波電圧（negative-half wave voltage）に反応して、ＬＥＤユニットが継続的にライトを放つことが可能である。各ＡＣ ＬＥＤマイクロダイが前方向に作動するので、ＡＣ ＬＥＤダイの構成体もまた静電放電を回避することができ、更に高い電圧化での作動が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 電灯や蛍光管などの代りに用いることができる半導体発光装置を１つの基板上に複数個の発光部を形成してモノリシックにより形成する場合において、配線の断線などが生じないで信頼性の高い半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 基板１上に発光層を形成するように積層された半導体積層部１７が複数個に電気的に分離されることにより、複数個の発光部１が形成され、この複数個の発光部１が、配線膜３によりそれぞれ直並列に接続されている。この複数個の発光部１をそれぞれ電気的に分離する構造が、半導体積層部１７に形成される分離溝１７ａおよびその分離溝１７ａ内に埋め込まれる絶縁膜２１により形成され、その分離溝１７ａは、分離溝１７ａを挟んだ半導体積層部１７の表面が実質的に同一面になる場所に形成され、その分離溝１７ａ上に絶縁膜２１を介して配線膜３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とし、より詳細には、複数の熱経路が形成された粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、熱経路を設けた粘着層を有する発光ダイオードに関する。本発明では、粘着層は基板とＬＥＤスタックに結合するように形成される。ＬＥＤの安定性及び発光効率を高めるように、ＬＥＤの熱損失効果を改善する熱損失パスを形成するため、粘着層を通過する複数の金属製の突出又は半導体の突出がある。 （もっと読む）

【課題】基板の表面側にアノード電極またはカソード電極を設けた発光素子サイリスタが複数配列された自己走査型発光素子アレイチップであって、チップ面積が大きくならない構造を提供する。
【解決手段】ｐ形ＧａＡｓ基板１０の上に、ｐ形ＧａＡｓ層１２，ｎ形ＧａＡｓ層１４，ｐ形ＧａＡｓ層１６，ｎ形ＧａＡｓ層１８が順次積層され、ｎ形ＧａＡｓ層１８上にカソード電極２２が、ｐ形ＧａＡｓ層１６上にゲート電極２３が形成されている。ＧａＡｓ層１２に溝５０が設けられ、溝の側壁にアノード電極２０が形成されている。 （もっと読む）

本発明は、光電素子、多数の光電素子を有する装置および光電素子の製造方法に関する。アクティブゾーン（４００）およびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域（２）を含んでいる光電素子（１）を提示する。この半導体機能領域は、アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部（９、２７、２９）を有しており、孔部の領域内に接続導体材料（８）が配置されている。この接続導体材料は、アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁（１０）されている。さらにこのような光電素子の製造方法および多数の光電素子を有する装置を提示する。この素子および装置は完全にウェハ結合において製造される。
（もっと読む）

【課題】ベアチップの周囲のみに蛍光体膜を配した状態で、プリント配線板等に設けられた凹部底部に実装可能な半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板４の上面に結晶成長によって形成された発光層１４を含む半導体多層膜８〜１８からなるＬＥＤ６ａ，６ｂ，…，６ｃ，６ｄがブリッジ配線３０によって直列に接続されてＬＥＤアレイチップが構成されている。各ＬＥＤ６ａ〜６ｄを覆うように蛍光体膜４８が配されている。ＳｉＣ基板４の下面には、電気的に互いに独立した２個の給電端子３６、３８が形成されていて、直列接続されたＬＥＤ６ａ〜６ｄの内の、低電位側末端のＬＥＤ６ａのカソード電極３２と給電端子３６とがブリッジ配線４０およびスルーホール４２によって接続され、高電位側末端のＬＥＤ６ｄのアノード電極３４と給電端子３８とがブリッジ配線４４およびスルーホール４６によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】発光素子とその製造方法において、発光効率が高く、かつ実装が容易な発光素子の実現とその製造の容易化を図る。
【解決手段】発光素子１は、ｎ型窒化物半導体層２、ｐ型窒化物半導体層３を一部に非積層部２０を設けて積層した一方の面に、半導体層２，３に電流を注入するための半導体面電極２１，３１、半導体層２，３を保持する絶縁層４、実装用の実装面電極５とを備える。絶縁層４は、実装面電極５と半導体面電極２１，３１を導通させるＶＩＡ１０を備える。透明結晶基板上に半導体層２，３と半導体面電極２１，３１とを積層し、ビルドアップ基板工程を用いて、絶縁層４と実装面電極５及びＶＩＡ１０を形成した後、透明結晶基板を半導体層２から分離して発光素子１が製造される。実装面電極５により、プリント基板と同様に実装ができる。半導体層２，３から直接、効率良く光を外部に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】異なる色の発光素子の組み合わせからなる半導体発光装置において、色むらの低減を図ること。
【解決手段】ＬＥＤチップアレイ（２）は、青色ＬＥＤ（６）と赤色ＬＥＤ（８）を有する。青色ＬＥＤ（６）は、ＳｉＣ基板（４）上に結晶成長によって形成されている。ＳｉＣ基板（４）上には、半導体プロセスによるボンディングパッド（４６）、（４８）が形成されている。赤色ＬＥＤ（８）は、青色ＬＥＤ（６）とは別途に作製され、前記ＳｉＣ基板（４）上の前記ボンディングパッド（４６）、（４８）にフリップチップ実装されている。 （もっと読む）